DE2057895A1 - Verfahren zur Herstellung von kompatiblen,durch Oxydschichten voneinander getrennten Halbleiterbauelementen in einem einzigen halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von kompatiblen,durch Oxydschichten voneinander getrennten Halbleiterbauelementen in einem einzigen halbleiterkoerper

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Leonard Stein
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General Electric Co
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