DE2030394C3 - Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators

Info

Publication number
DE2030394C3
DE2030394C3 DE2030394A DE2030394A DE2030394C3 DE 2030394 C3 DE2030394 C3 DE 2030394C3 DE 2030394 A DE2030394 A DE 2030394A DE 2030394 A DE2030394 A DE 2030394A DE 2030394 C3 DE2030394 C3 DE 2030394C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
manganese dioxide
mno
electrode
electrolytic capacitor
manganese
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2030394A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2030394B2 (de
DE2030394A1 (de
Inventor
Katsue Hasegawa
Iwao Tajima
Yoshio Yamamoto
Susumu Yoshimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP5198969A external-priority patent/JPS544056B1/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2030394A1 publication Critical patent/DE2030394A1/de
Publication of DE2030394B2 publication Critical patent/DE2030394B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2030394C3 publication Critical patent/DE2030394C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029Processes of manufacture
    • H01G9/0036Formation of the solid electrolyte layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eH durch die DE-AS 11 88 724 bekanntes Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators, bei dem auf eine einen Oxydfilm aufweisenden Metallelektrode eine Mangandioxydschicht durch Tauchen der Metallelektrode in eine Dispersion von feinpulvrigem Mangandioxyd in einem Dispersionsmedium aufgebracht und getrocknet wird.
Es ist bekannt, dlaß ein extrem dünner Oxydfilm, der durch anodische O'xydation des filmbildenden Metalls (sogenanntes Ventilmetall), wie Aluminium, erhalten wird, in Festkörpcrkondensatoren wegen seiner ausgezeichneten dielektrischen Eigenschaften häufig verwendet wird. Da jedoch eine Anzahl von Fehlern und Poren in dem so gebildeten Film leicht erzeugt werden, treten durch den erhöhten Reststrom und die verschlechterten dielektrischen Eigenschaften des Films ernsthafte Probleme auf. Der zwischen den anodischen so Oxydfilm und die Gegenelektrode (oder Kathode) eines Elektrolytkondeiiisators einzubringende Elektrolyt muß bekanntlich nicht nur als normale Kathode, sondern zur Formierung oder Heilung eines defekten Films als anodisches Oxydationsmittel für den Oxydfilm dienen.
Durch die DE-AS 11 94 499 ist ein Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit einem Halbleiter als Gegenelektrode bekannt, bei dem eine halbleitende Mangandioxydschicht aus einer Lösung eines Mangansalzes, die noch eine das Mangansalz bildende Säure enthält, auf einer formierten Ventilmetallelektrode anodisch abgeschieden wird.
Bei diesem Verfahren bildet sich zwar, wenn man als Mangansalzlösung eine wäßrige schwefelsaure Mangansulfatlösung verwendet, eine y-Mangandioxydschicht, jedoch ist die Haftfestigkeit einer auf diese Weise aufgebrachten Mangandioxydschicht ziemlich gering, wobei, wie durch Messungen festgestellt wurde, ein starker Kapazitätsabfall zu beobachten ist.
Ferner sind durch die DE-AS 11 88 724 und die DE-PS 11 42 035 Verfahren zum Herstellen eines Elektrolytkondensators bekannt, bei dem das Mangandioxyd in einer Lösung dispergiert und hierauf auf den formierten Elektrodenkörper aufgebracht wird. Hierbei wird jedoch zusätzlich eine Mangannitratlösung ausgebracht und das dabei aufgebrachte Mangannitrat in situ pyrolitisch in Mangandioxyd umgewandelt Der so mit Mangannitrat bedeckte Oxydfilm muß auf eine Temperatur in einem Bereich von 200 bis 400° C erhitzt werden. Lim den Oxydfilm mit dem festen Elektrolyten zu bedecken, muß weiterhin die thermische Zersetzung zumindest mehrere Male wiederholt werden. Der formierte Film erfährt eine ernsthafte Beschädigung, während er den thermischen Zersetzungsprozessen ausgesetzt ist, und bringt so verschlechterte dielektrische Eigenschaften mit sich.
Es ist zwar bekannt, daß der Reststroni in übliches Festkörper-Elektrolytkondensatoren verringert werden kann, wenn Sauerstoff von dem Elektrolyten kontinuierlich dem Oxydfilm geliefert wird, so daß die Fehler beseitigt werden, die darin im Lauf der thermischen Zersetzung oder dann erzeugt wurden, wenn Mangandioxyd in ein niedrigeres Oxyd erhöhten Widerstandes durch Joulsche Wärme umgewandelt wurde, die auf Grund der hohen Stromdichte an den Fehlstellen entwickelt wurde.
Unabhängig davon, welches Verfahren verwendet wird, sind jedoch komplizierte Herstellungsverfahren unvermeidbar. Ein Anwachsen des Reststromes und eine Verringerung der Bestriebsspannung kann ebenfalls als Begleiterscheinung dieser bekannten Verfahren in Betracht kommen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Elektrolytkondensator mit fest anhaftendem Oxydfilm großer Filmbildungskapazität auf einer Metallelektrode auf unkomplizierte Weise herzustellen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.
Bevor die Erfindung näher erläutert wird, wird eine allgemeine Erörterung der Mangandioxyde im folgenden gegeben. Mangandioxyde treten in zahlreichen Kristallformen in verschiedenen natürlichen und künstlichen Mineralien auf und werden bekanntlich durch röntgenspektroskopische Analyse in die Kategorien von a-MnO2, /J-MnO2, ^MnO2 und ^-MnO2 eingeteilt Von diesen ist insbesondere /J-MnO2 ein Maugandioxyd stöchiometrischer Zusammensetzung, das gewöhnlich als Pyrolusit auftritt und künstlich durch thermische Zersetzung von Mangannitrat erhalten wird. Diese Art des Mangandioxyds hat bekanntlich die höchste Stabilität und die größte elektrische Leitfähigkeit. y-MnO2 ist andererseits eine Gattung der Mangandioxyde, deren Kristallphasen innerhalb eines bestimmten Bereichs nur frühzeitig gewachsen sind. Das Mangandioxyd dieser Art tritt natürlich als Ramsdellit auf und wird künstlich in einem elektrolytischen Verfahren erhalten. /-MnO2 ist ziemlich instabil im Aufbau und als solches gewöhnlich chemisch aktiv. y-MnO2 kann jedoch im Aufbau stabilisiert werden, wenn es in kochendem Wasser behandelt wird, und kann, wenn es einer Wärmebehandlung bei einer Temperatur höher als etwa 30O0C in atmosphärischer Luft unterworfen wird, vollständig in /J-MnO., umgewandelt werden.
Von den Mangandioxyden, die gegenwärtig in den bestehenden Festkörper-Elektrolytkondensatoren verwendet werden, wird gesagt, daß sie die Fähigkeit besitzen, Ventilmetalle zu formieren. Es ist keine zuverlässige Information darüber verfügbar, wie eine derartige Formiereigenschaft von den Kristallstrukturen der Mangandioxyde abhängt. Es wurden daher ausgedehnte Experimente mit den ß- und y-Kristallcn mit dem Ergebnis durchgeführt, daß eine gute Formierfähigkeit von J-MnO, ermittelt wurde. In den Experimemen wurden zuerst zwei Kontaktkörper hergestellt, von denen einer ein durch das elektrolytische Verfahren erhaltenes Mangandioxyd (/-MnO2) und der andere ein Mangandioxyd (/J-MnO1) war, das durch zwei Stunden lange Erhitzung des erstgenannten Mangandioxyds bei 300° C erhalten wurde. Eine reine Aluminiumnadel wurde auf jeden der so hergestellten Kontaktkörper aufgesetzt, und ein konstanter anodischer Strom wurde an die Aluminiumnadel angelegt, um das Ansteigen des anodiscuen Potentials festzu- se stellen. Für /J-MnO2 ergab sich, daß der Anstieg in der Endspannung extrem klein bei der Stromdichte in der Größenordnung von SOOmA/cm* war. Der resultierende Wirkungsgrad der Formierang wurde auf etwa IQ-* geschätzt. Der Spannungsanstieg etwa as IS Minuten später betrug höchstens 10 Volt Der Wirkungsgrad der Formierung in 7-MnO1 wurde als bemerkenswert mit etwa 10-' bis IC^5 im Durchschnitt beobachtet; etwa IS Minuten später erreichte die Endspannung etwa 40 bis 7OVoIt. In beiden Fällen ist zu bemerken, daß die anodische Oxydation in Abwesenheit von Feuchtigkeit nicht stattfinden kann. Dadurch wurde keine anodische Oxydation beobachtet, wenn eine vollständig getrocknete Probe in dem Strom trockener Luft untersucht wurde.
Auf Grund dieser Ergebnisse wurde die im folgenden beschriebene neue Methode zur Herstellung eines Festkörper-Elektrolytkondensators unter Verwendung von y-MnO, ais Elektrolyt entwickelt.
Wie zu bemerken ist, besteht der Hauptvorteil der Erfindung darin, eine gute Haftung des Elektrolyten an dem Oxydfilm zu ermöglichen, ohne auf ein thermisches Zersetzensverfahren eines elektrolytischen Materials zurückzugreifen.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand einer schematischen Zeichnung an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert, die einen senkrechten Schnitt durch einen Elektrolytkondensator zeigt
Wie in der Zeichnung dargestellt ist, umfaßt der Festkörper-Elektrolytkondensator 1· eine Leitungselektrode 11, eine elektrisch mit der Leitungselektrode 11 verbundene erste Elektrode 12, auf deren äußeren Oberfläche ein Ox^dfilm gebildet ist, einen Festelektrolyten 13, der im wesentlichen aus granuliertem y-Mangandioxyd besteht und die erste Elektrode 12 bedeckt und eine zweite Elektrode 14, die gegenüber der ersten Elektrode 12 angeordnet ist and den Festelektrolyten 13 bedeckt Wenn gewünscht kann der Elektrolytkondensator 10 ferner einen Isolator 15 umfassen, der um die Leitungselektrode 11 herum angeordnet ist, um die zweite Elektrode 14 von dieser zu trennen und um den besonderen Teil abzudichten. Die erste Elektrode 12 kann aus einem gesinterten, porösen oder geätzten Ventilmetall, wie Aluminium oder Tantal —je nach Anwendung —, hergestellt sein.
Das für die Erfindung verwendbare Mangandioxyd wird durch Elektrolyse von Mangansulfat erhalten, das in einer wäßrigen Lösung von Schwefelsäure in einer Konzentration von 0,2 bis 1,0 Mo! MnSO4 in einer Normallösung von H2SO1 gelöst ist. Es wird nicht nur y-MnO2, sondern ebenfalls A-MnO2 und Mn2O3 als Ergebnis einer derartigen Elektrolyse erhalten,- jedoch ist das Mangandioxyd, das als Festelektrolyt in dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendet werden kann, auf das Mangandioxyd beschränkt, das 80% oder mehr y-MnO2 enthält. Das durch die Elektrolyse erhaltene Mangandioxyd wird in Wasser gewaschen, getrocknet und in kleine Teilchen zerkleinert. Die sich ergebenden Teilchen werdet dann durch ein Filter entsprechend einer Maschenweite von 325 Maschen gesiebt so daß kleinere Teilchen von etwa 40 μΐη Korngröße erhalten werden. Wenn dann die sich ergebenden, der Maschenweite von 325 Maschen entsprechenden Teilchen von y-MnO„ weiter in einem Achatmörser etwa 48 Stunden lang plilverisiert werden, ergeben sich Mangandioxyd-Teilchen von etwa 100 mn bis 30 μΐη Korngröße.
Die so gebildeten kleinen Teilchen werden dann in einem Dispersionsmittel aus Wasser oder Alkohol bis zu 20 bis 30 Gewichtsprozent dispergiert Ein formiertes Ventilmetall wird dann mit der kolloidalen Lösung des Mangandioxyds in atmosphärischer Luft oder im Vakuum imprägniert und danach in frischer Luft getrocknet. Wenn das Ventilmetall bei zu hoher Temperatur getrocknet wird oder Feuchtigkeit um das getrocknete Ventilmetall herum vorherrscht wird eine Kristallumwandlung des /-MnO, stattfinden. LJm dies zu vermeiden, wird das Ventilmetall vorzugsweise in folgender Art getrocknet: Das Dispersionsmittel der Dispersion wird bei einer Temperatur von 70° C etwa 30 Minuten lang (oder etwa 5 Minuten lang, wenn das Ventilmetall im Vakuum getrocknet ist) verdampft, und danach wird die Ventilmetallelektrode auf eine Temperatur unter 150° C für etwa 30 Minuten erhitzt. Bei einer solchen WärmebehfMidlung verdampft das Dispersionsmittel in dem J-MnO2, und die kleinen Teilchen des J-MnO2 haften an dem OxydPJm des gebildeten Ventilmetalls fest an. Demzufolge ist dieser Oxydfilm nicht ernsthaften Zerstörungen im Laufe der Wärmebehandlung; ausgesetzt. Experimente haben ergeben, daß ein Festkörper-Elektrolytkondensator, in weichem das granulierte J-MnO2 an einer geätzten oder gesinterten Aluminium-Anodenelektrode (von 0,64 nF Kapazität in einer Flüssigkeitsphase) abgeschieden wurde, die bis zu 50 Volt mit einem Elektrolyten einer Borsäure oder Boratgruppe formiert wurde, die Kapazität von 0,61 |iF hat, wenn eine Betriebsspannung von 40 Volt angelegt wurde; es wurde beobachtet, daß der Reststrom auf etwa 10 μΑ nach 30 Minuten abfiel, nachdem die Spannung angelegt wurde.
Es wurde ebenfalls festgestellt, daß der in Her vorstehend beschriebenen Art gebildete Elektrolyt sicher an dem Oxydfilm selbst in einem Festkörper-Elektrolytkondensator aus gesintertem Tantal oder Aluminium abgeschieden werden kann.
Es kann daher durch das Verfahren nach der Erfindung ein Festkörper-Elektolytkondensator erhalten werden, der einen verringerten Reststroik und eine erhöhte Betriebsspannung entsprechend dem erhöhten Wirkungsgrad der Formierung des verwendeten J-MnO2 aufweist. Da weitethin die Herstellung des Elektrolytkondensators nach der Erfindung ohne das thermische Zersetzungsverfahren auskommt, wird der zu behandelnde Oxydfilm nicht ernsthaft beschädigt. Dies führt zu einer Verbesserung der Gütequalität des
fertigen Kondensators und zur Vereinfachung u'es Herstellungsverfahrens eines Festkörper-Elektrolytkondensators, weil Nachformier- oder Heilungsstufen weggelassen werden.
Um die Wirkung der einzelnen, das Verfahren der Erfindung kennzeichnenden Maßnahmen bezüglich der Eigenschaften der fertigen Kondensatoren festzustellen, wurden Vergleichsversuche zwischen auf verschiedene Weise, und zwar
a) nach dem Verfahren der deutschen Auslegeschrift 1 194 499 ohne abschließende Wärmebehandlung,
b) nach dem Verfahren der deutschen Auslegeschrift 1 194 499 mit abschließender Wärmebehandlung und
c) dem Verfahren nach der Erfindung
hergestellten Elektrolytkondensatoren mit Aluminiumfolieanoden und einer Kapazität von jeweils 1 μΡ bei einer Betriebsspannung von 20 V durchgeführt.
Bei diesen Vergleichsversuchen wurde jeweils der Reststrom bei 32 V nach 30 Sekunden sowie die Änderung der Kapazität bei einem Falltest gemessen, bei dem auf die Elektrolytkondensatoren jeweils eine Aufprallkraft von 20 g einwirkte.
Die Ergebnisse dieser Verglcichsvcrsuchc sind in der nachfolgenden Tabelle zusammengefaßt.
IO
•5
Elektrolyt
kondensator,
hergestellt
nach der
deutschen
Λ us lege-
schrift
1 194 499
(nicht
wärme
behandelt)
Elektrolyt
kondensator,
hergestellt
nach der
deutschen
Auslegc-
schrift
I 194 499
(wärmc-
behandelt)
Elektrolyt
kondensator,
hergestellt
nach dem
Verfahren
Erfindung
Resisiioiii
(μ A)
»ο Änderung rkr
Kapazität
beim Fall-
test (%)....
0,1
-50
0,9 0,1
-2
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators, bei c|em auf eine einem Oxidfilm aufweisende Metallelektrode eine Mangandioxidschicht durch Tauchen der Metallelektrode in eine Dispersion van feinpulverigem Mangandioxid in einem DLspersionsmedium aufgebracht und anschließend getrocknet wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Tauchen der Me- "> tallelektrode in eine Dispersion von y-Mangandioxid in Wasser oder Alkohol und daß die Trocknung bei einer unter 150° C liegenden Temperatur erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trocknung der Mangandioxidschicht in der Weise vorgenommen wird, daß das Dispeisionsmedium bei einer Temperatur von 70° C eluia 30 Minuten lang in atmosphärischer Luft oder 5 Minuten lang im Vakuum ver- ao dampft wird und daß danach die Anodenelektrode bei einer Temperatur unter 150° C etwa 30 Minuten lang erhitzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Mangandioxid mit einer Teilchengröße von etwa 100 mn bis 20 μΐη verwendet wird.
DE2030394A 1969-06-20 1970-06-19 Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators Expired DE2030394C3 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4987269 1969-06-20
JP5198969A JPS544056B1 (de) 1969-06-27 1969-06-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2030394A1 DE2030394A1 (de) 1970-12-23
DE2030394B2 DE2030394B2 (de) 1974-03-21
DE2030394C3 true DE2030394C3 (de) 1979-03-22

Family

ID=26390321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2030394A Expired DE2030394C3 (de) 1969-06-20 1970-06-19 Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3621342A (de)
CA (1) CA928405A (de)
DE (1) DE2030394C3 (de)
FR (1) FR2046985B1 (de)
GB (1) GB1279333A (de)
NL (1) NL151833B (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3835529A (en) * 1970-09-23 1974-09-17 N Taguchi Gas detecting device and method of making same
JPS5857897B2 (ja) * 1975-11-08 1983-12-22 松下電器産業株式会社 コタイデンカイコンデンサ
US4344107A (en) * 1980-04-25 1982-08-10 Sprague Electric Company Solid tantalum capacitor with clean riser
US4401877A (en) * 1980-04-25 1983-08-30 Sprague Electric Company Method for solid tantalum capacitor with clean riser
FR2558984B1 (fr) * 1984-01-31 1986-07-11 Tekelec Airtronic Sa Element electrique tel qu'un condensateur au tantale et a electrolyte solide
NL8501584A (nl) * 1985-06-03 1987-01-02 Philips Nv Droge elektrolytische condensator.
DE68918486T2 (de) * 1988-03-31 1995-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Festelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung.
US5693104A (en) * 1994-08-25 1997-12-02 Rohm Co. Ltd. Process for making capacitor element for solid electrolytic capacitor
TW499793B (en) * 2000-08-30 2002-08-21 Nec Tokin Corp Distributed constant type noise filter
US8884340B2 (en) 2011-05-25 2014-11-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including dual gate electrode structures and related methods

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL112320C (de) * 1957-10-26
US3320494A (en) * 1963-11-12 1967-05-16 Texas Instruments Inc Method and capacitor comprising oxide electrolyte derived from permanganic acid
US3320484A (en) * 1963-11-12 1967-05-16 Texas Instruments Inc Dielectric devices

Also Published As

Publication number Publication date
US3621342A (en) 1971-11-16
GB1279333A (en) 1972-06-28
FR2046985A1 (de) 1971-03-12
DE2030394B2 (de) 1974-03-21
FR2046985B1 (de) 1973-01-12
DE2030394A1 (de) 1970-12-23
NL151833B (nl) 1976-12-15
NL7009112A (de) 1970-12-22
CA928405A (en) 1973-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69400565T2 (de) Tantalfestelektrolytkondensator und Herstellungsverfahren
DE3787119T2 (de) Elektrolytischer Kondensator des Wickeltyps.
DE19536013C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Tantalpulver und seine Verwendung als Anodenkörper bei einem Elektrolytkondensator
DE2030394C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators
DE60119220T2 (de) Aluminium-Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2743842C2 (de) Trockenelektrolytkondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3016451A1 (de) Verfahren zum behandeln einer geaetzten aluminium-elektrolytkondensatorfolie
DE1293519B (de) Verfahren zur Herstellung von dielektrischen oder halbleitenden Oxidschichten
DE2624068A1 (de) Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben
DE1614245A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE3542157A1 (de) Wasserstoffelektrode fuer brennstoffzellen und verfahren zu ihrer herstellung
DE60122297T2 (de) Niobium-pulver für kondensatoren, gesinterter körper und kondensator mit einem solchen gesinterten körper
DE2532971C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators
DE1120023B (de) Verfahren zur Herstellung eines aus Titandioxyd bestehenden Dielektrikums fuer Kondensatoren
DE1913133C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators mit einer Mangandioxidschicht
DE2534997A1 (de) Elektrodenanordnung, insbesondere fuer kondensatoren, sowie verfahren zu deren herstellung
DE1120599B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht
DE1289186B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Elektroden aus Aluminium, mit einem anodischen Oxidfilm als Dielektrikum und einer Manganoxidschicht als Gegenelektrode
DE2210728C3 (de)
DE1962294C3 (de) Tantalelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2218186C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Elektrolytkondensators
DE2513420C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Elektrolytkondensators
DE1589799B2 (de) Verfahren zur herstellung von fest elktrolytkondensatoren
AT223298B (de) Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren
DE2126409B2 (de) Verfahren zum herstellen eines elektrolytkondensators mit festem halbleiter-elektrolyten

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EF Willingness to grant licences