DE1120599B - Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit HalbleiterschichtInfo
- Publication number
- DE1120599B DE1120599B DEJ18757A DEJ0018757A DE1120599B DE 1120599 B DE1120599 B DE 1120599B DE J18757 A DEJ18757 A DE J18757A DE J0018757 A DEJ0018757 A DE J0018757A DE 1120599 B DE1120599 B DE 1120599B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- manganese
- solution
- anode body
- oxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- JJIJKNKBEFFVIK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[Mn+2] JJIJKNKBEFFVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000009189 diving Effects 0.000 description 2
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L manganese dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mn+2] IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- BILZKZOINDYVAH-UHFFFAOYSA-N N.[N+](=O)([O-])[O-].[Mn+2].[N+](=O)([O-])[O-] Chemical compound N.[N+](=O)([O-])[O-].[Mn+2].[N+](=O)([O-])[O-] BILZKZOINDYVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit festem Elektrolyten, insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Mangandioxydschicht auf der dielektrischen Schicht eines solchen Kondensators.
- Es ist bekannt, bei elektrolytischen Kondensatoren eine dielektrische Oxydschicht auf einer Tantalanode zu erzeugen und auf diese Oxydschicht eine halbleitende Schicht in der Weise aufzubringen, daß eine Schicht von Mangannitrat auf die Oxydschicht aufgebracht wird und die so überzogene Anode ungefähr 15 Minuten lang auf 300°C erhitzt wird, so daß sich das Mangannitrat zu Mangandioxyd zersetzt. Es wurde gefunden, daß die elektrischen Eigenschaften der Tantaloxydschicht durch das Erhitzen auf diese Temperatur beeinträchtigt werden. Die vorliegende Erfindung ist daher auf ein Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Mangandioxydschicht gerichtet, bei dem ein Erhitzen auf so hohe Temperaturen vermieden wird.
- Das Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei dem eine Oxydschicht auf einem Anodenkörper aus Ventilmetall erzeugt wird und auf diese Oxydschicht eine Halbleiterschicht aus Mangandioxyd gebildet wird, ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Schicht von hydratisiertem Manganoxyd auf die Oxydschicht aufgebracht wird und daß diese Schicht zu Mangandioxyd zersetzt wird.
- Unter einem Ventilmetall werden hierbei Metalle wie Tantal oder Niob verstanden, die sich als Anode zusammen mit einer inerten Kathode in einer elektrolytischen Zelle mit einer isolierenden Oxydschicht überziehen.
- Es gibt zahlreiche Wege, wie das Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren gemäß der Erfindung ausgeführt werden kann. Drei dieser Wege sollen im folgenden beschrieben werden.
- Der Verfahrensschritt zur Herstellung der Oxydschicht ist allgemein bekannt und ist allen drei Wegen zur Ausführung der Erfindung gemeinsam. Er soll daher nicht beschrieben werden. Der Anodenkörper kann porös sein und beispielsweise durch Pressen und Sintern hergestellt sein oder aus einem kompakten Metallstück bestehen, beispielsweise aus einem Draht.
- Der erste Weg zur Herstellung eines Kondensators gemäß der Erfindung besteht darin, daß der mit einer Oxydschicht überzogene Anodenkörper mit einer Lösung von Mangannitrat, beispielsweise durch Eintauchen oder unter Einwirkung von Vakuum, getränkt wird. Der Anodenkörper wird dann aus der Lösung herausgenommen und mit einer Ammoniaklösung getränkt. Das Ammoniak reagiert mit dem Mangannitrat und bildet eine Schicht von Manganoxydhydrat. Es bildet sich jedoch zuerst Manganhydroxyd, das aber instabil ist und sich zu Manganoxydhydrat MnO(OH) zersetzt. Die Zeit, während der der Anodenkörper der Mangannitratlösung und der Ammoniaklösung ausgesetzt werden muß, ändert sich mit dem Durchmesser des Anodenkörpers, beispielsweise mit dem Durchmesser des Anodendrahtes oder mit dem Durchmesser der zylindrischen, porösen Anode. Die Eintauchzeit ändert sich auch mit der Temperatur. Wenn der Anodenkörper unter Vakuum getränkt wird, ist die hierfür benötigte Zeit geringer als beim Tränken durch Eintauchen. Es wurde gefunden, daß durch Erhöhung der Temperatur der Flüssigkeit die Tränkungsdauer verkürzt werden kann, wenn das Tränken durch Eintauchen vorgenommen wird. Die Flüssigkeit kann jedoch nicht erhitzt werden, wenn im Vakuum getränkt wird, so daß dieses Verfahren bei Zimmertemperatur vorgenommen wird. Mit der Mangannitratlösung und der Ammoniaklösung kann bis bei 80°C gearbeitet werden, doch unter Berücksichtigung der obengenannten Überlegungen wird normalerweise eine 2 bis 5 Minuten lange Tränkung der Mangannitratlösung unter Vakuum bei Zimmertemperatur vorgenommen, je nach dem Durchmesser des Anodenkörpers. Dann wird der Anodenkörper in eine Ammoniaklösung von 50°C eingetaucht, und zwar 5 Minuten lang im Falle einer Drahtanode und 15 Minuten lang im Falle einer gesinterten Anode. Wenn der Anodenkörper bei 50°C in die Mangannitratlösung eingetaucht wird, dauert die Tränkung 5 bis 15 Minuten in Abhängigkeit von dem Durchmesser des Anodenkörpers.
- Nach dem Tränken wird der Anodenkörper aus der Ammoniaklösung herausgenommen und an der Luft getrocknet, um die Reaktion zur Bildung von Manganoxydhydrat zu vervollständigen. Die oberste Temperaturgrenze für die Trocknung ist 100°C, und die hierfür benötigte Zeit hängt von der Dicke und
Aufbringen des Aufbringen des Anodenart Mangannitrats Ammoniaks Trocknen Zersetzen Wendel aus Draht von 0,5 mm 5Minuten tauchen 5Minuten tauchen 5 Minuten bei 10 Minuten bei Durchmesser bei 50°C bei 50°C 100°C 200°C Sinterkörper, Durchmesser 3 mm, 5 Minuten tauchen 5 Minuten tauchen 10 Minuten bei 20 Minuten bei Gewicht: 0,5 g bei 50°C bei 50°C 100°C 230°C Sinterkörper, Durchmesser 6,3 mm, 15 Minuten 15 Minuten 11/Z Stunde bei 30 Minuten bei Gewicht: 5 g tauchen bei tauchen bei 100°C 230°C bei 50°C 50°C Sinterkörper, Durchmesser 6,3 mm, 5 Minuten 15 Minuten 11/Z Stunde bei 30 Minuten bei Gewicht: 5 g Vakuumträn- tauchen bei 100°C 230°C kung 500c - Die weiteren Verfahrensschritte, wie das Trocknen und die Zersetzung, werden in gleicher Weise ausgeführt, wie zuvor beschrieben, und werden auch durch die gleichen Faktoren bestimmt.
- Der dritte Weg zur Ausführung des Verfahrens gemäß der Erfindung eignet sich besonders für gesinterte poröse Anodenkörper und besteht zunächst ebenfalls in einer Imprägnierung der mit einer Oxydschicht bedeckten Anode mit einer Lösung von Mangannitrat, wie dies zuvor beschrieben wurde. Danach werden die Anodenkörper aus der Lösung herausgenommen und einem Strom von Ammoniakgas ausgesetzt, um das Manganoxydhydrat zu erzeugen. Das Ammoniakgas wird vorzugsweise mit Wasserdampf gesättigt. Obwohl dieser Verfahrensschritt auch bei 80°C ausgeführt werden kann, wird er doch aus rein praktischen Überlegungen zwischen 20 und 50°C durchgeführt. Die Zeit, während der die Anodenkörper dem Ammoniakgas ausgesetzt werden, hängt von der Größe und Porosität der Anodenkörper ab. Für einen Anodenkörper von etwa 3 mm Durchmesser und 1/Z g Gewicht ist eine Zeit zwischen 5 und 15 Minuten bei einer Temperatur zwischen 20 und 30°C ausreichend. der Porosität des Anodenkörpers und von der Temperatur ab.
- Im letzten Verfahrensschritt wird das Manganoxydhydrat durch Erhitzen im Mangandioxyd umgewandelt. Das Gewicht und die Form des Anodenkörpers und die für die Zersetzung erforderliche Zeit müssen aufeinander abgestimmt werden. Die maximale Temperatur für diesen Verfahrensschritt ist 250°C, jedoch genügt für Tantaldrahtanoden eine Temperatur von 150°C für 5 Minuten, während für einen Sinterkörper von 5 g Gewicht und von 6,25 mm Durchmesser ein 30 Minuten langes Erhitzen auf 230°C erforderlich ist.
- Beispiele für die Erhitzungszeiten und Temperaturen sind in der folgenden Tabelle angegeben: Sowohl die Zeit als auch die Temperatur können in weiten Grenzen verändert werden. Eine verbesserte Durchdringung und damit eine kürzere Reaktionszeit kann erzielt werden, wenn das Ammoniak unter erhöhtem Druck angewandt wird. Das Trocknen und die Zersetzung werden dann in der zuvor beschriebenen Weise ausgeführt.
- Der ganze Zyklus der Verfahrensschritte kann bis zu achtmal wiederholt werden, um eine Mangandioxydschicht der erforderlichen Dicke zu erhalten.
- Das Verfahren gemäß der Erfindung ist nicht auf die Verwendung von Mangannitrat beschränkt, sondern es können auch andere Mangansalze verwendet werden, welche bei der Reaktion mit Ammoniak ein Ammoniumsalz ergeben, dessen Zersetzungstemperatur niedriger ist als die des Manganoxydhydrats, und welche weder die Oxydschicht angreifen noch die zuvor gebildete Mangandioxydschicht beeinträchtigen. Von besonderem Interesse sind hier die Salze der schwachen organischen Säuren, beispielsweise die Formiate, die Zitrate und die Oxalate. Formiate und Oxalate sind schwach reduzierende Substanzen. Ihre Konzentration und die Temperatur der Anwendung müssen daher genau beachtet werden, um eine Reaktion mit dem zuvor niedergeschlagenen Mangandioxyd zu verhindern.
- Es ist nicht unbedingt erforderlich, daß eine wäßrige Lösung des Salzes verwendet wird. Es können auch andere Lösungsmittel, beispielsweise höhere Alkohole, als Lösungsmittel verwendet werden. Diese haben den Vorteil, daß sie die Oxydschicht besser benetzen, so daß eine gleichmäßigere Verteilung des Mangansalzes über die Anode erhalten wird. Wenn eine wäßrige Lösung, beispielsweise von Mangannitrat, verwendet wird, soll sie ein spezifisches Gewicht zwischen 1,1 und 1,7 haben, vorzugsweise von 1,3 bis 1,5. Folgende Ergebnisse wurden als Mittelwerte bei der Messung einer Anzahl von Kondensatoren erhalten, die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt wurden.
A B Kapazität ...... 32,75 p.F 33,0 #tF Verlustfaktor ... 4,80/, 4,00/, Reststrom ...... 0,00067#tA/#tF/V O,l0@CA/#tF/V - In der Beschreibung sind jedoch nur Beispiele für die Ausführung des Erfindungsgedankens angegeben, die keine Beschränkung der Erfindung bedeuten sollen.
Claims (6)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei dem eine Oxydschicht auf der Oberfläche eines Anodenkörpers aus Ventilmetall erzeugt und auf dieser Oxydschicht eine Halbleiterschicht aus Mangandioxyd gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oxydschicht zunächst eine Schicht von hydratisiertem Manganoxyd erzeugt und dieses zu Manganoxyd zersetzt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Oxydschicht zunächst eine Schicht aus einer Lösung eines leicht zersetzbaren Mangansalzes aufgebracht wird, daß diese Schicht mit Ammoniak behandelt, danach getrocknet und schließlich in Mangandioxyd umgewandelt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der mit einer Oxydschicht versehene Anodenkörper in die Lösung eines Mangansalzes eingetaucht, dann aus der Lösung herausgenommen und zur Erzeugung einer hydratisierten Manganoxydschicht in eine Ammoniaklösung eingetaucht wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der mit einer Oxydschicht versehene Anodenkörper in die Lösung eines Mangansalzes eingetaucht und danach der Lösung Ammoniak zugesetzt wird, so daß auf dem Anodenkörper eine Schicht von hydratisiertem Manganoxyd erzeugt wird.
- 5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der mit einer Oxydschicht versehene Anodenkörper in die Lösung eines Mangansalzes eingetaucht wird, danach aus der Lösung herausgenommen und einem Strom von Ammoniakgas ausgesetzt wird, so daß auf der Oberfläche des Anodenkörpers eine Schicht von hydratisiertem Manganoxyd gebildet wird.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Ammoniakgas mit Wasserdampf gesättigt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1120599X | 1959-10-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1120599B true DE1120599B (de) | 1961-12-28 |
Family
ID=10875592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEJ18757A Pending DE1120599B (de) | 1959-10-23 | 1960-09-23 | Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1120599B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3301704A (en) * | 1967-01-31 | Capacitor and process therefor | ||
DE2624068A1 (de) * | 1975-11-27 | 1977-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben |
-
1960
- 1960-09-23 DE DEJ18757A patent/DE1120599B/de active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3301704A (en) * | 1967-01-31 | Capacitor and process therefor | ||
DE2624068A1 (de) * | 1975-11-27 | 1977-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1220937B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektrolytkondensators mit einem Sinterkoerper aus Titan | |
DE2030394C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators | |
DE2624068A1 (de) | Feststoffelektrolytkondensator und verfahren zur herstellung desselben | |
DE1120599B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrolytischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht | |
DE2256739B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators | |
DE2038271C3 (de) | ||
DE2532971C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trocken-Elektrolytkondensators | |
DE1614245A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren | |
DE1471764A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektroden fuer alkalische Akkumulatoren | |
DE1289186B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Elektroden aus Aluminium, mit einem anodischen Oxidfilm als Dielektrikum und einer Manganoxidschicht als Gegenelektrode | |
CH397088A (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektrolyt-Kondensatoren | |
DE1614715C (de) | Verfahren zum Herstellen von elektn sehen Kondensatoren mit einer Oxydschicht als Dielektrikum und einer Halbleiter schicht als Gegenelektrode | |
DE1127480B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Tantalkondensators mit einer formierten dielektrischen Schicht und Halbleiterschichten | |
DE2721068A1 (de) | Elektrolytischer kondensator | |
DE1913133C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators mit einer Mangandioxidschicht | |
DE1521518C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Schichten aus grauem Mangandioxid | |
DE1928043C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators | |
AT205825B (de) | Verfahren zur chemischen Erzeugung von dielektrischen Oxydschichten auf aus Aluminium bestehenden Elektroden elektrolytischer Kondensatoren | |
DE1216434B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektrolyt-Kondensators mit festem Elektrolyten | |
DE1521518B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Schichten aus grauem Mangandioxid | |
DE1471764C (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektro den fur alkalische Akkumulatoren, die aus einem porösen und metallischen Gerüst be stehen, dessen Poren mit einer aktiven Mas se gefüllt sind | |
AT219174B (de) | Verfahren zur Herstellung trockener Elektrolytkondensatoren | |
AT250533B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators mit festem Elektrolyten | |
AT263171B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit einer Oxydschicht als Dielektrikum und einem Halbleiter als Gegenelektrode | |
DE69023224T2 (de) | Verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Nickelhydroxyd enthaltenden Kathode für alkalische Batterien. |