DE2030394B2 - Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines ElektrolytkondensatorsInfo
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Description
35
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators, bei dem auf
tine einen Oxydfilm aufweisenden Metallelektrode eine Mangandioxydschicht durch Tauchen der Metallelektrode
in eine Dispersion von feinpulvrigem Mangandioxyd in einem Dispersionsmedium aufgebracht
und getrocknet wird. Bei dem erfindungsgetnäß hergestellten Elektrolytkondensator wird Mangandioxyd
in y-Kristallform mit gutem Formiervermögen
als fester Elektrolyt verwendei.
Es ist bekannt, daß ein extrem dünner Oxydfilm, der durch anodische Oxydation des filmbildenden Metalls
(sogenanntes Ventilmetall), wie Aluminium, erhalten wird, in Festkörperkondensatoren wegen seiner ausgezeichneten
dielektrischen Eigenschaften häufig ver-Wendet wird. Da jedoch eine Anzahl von Fehlern und
Poren in dem so gebildeten Film leicht erzeugt werden, treten durch den erhöhten Reststrom und die verschlechterten
dielektrischen Eigenschaften des Films ernsthafte Probleme auf. Der zwischen den anodischen
Oxydfilm und die Gegenelektrode (oder Kathode)
eines Elektrolytkondensators einzubringende Elektrolyt muß bekanntii-h nicht nur als normale Kathode,
sondern zur Formierung oder Heilung eines defekten Films als anodisches Oxydationsmittel für den Oxydfilm
dienen.
Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit einem Halbleiter als Gegenelektrode
bekannt, bei dem eine halbleitende Mangandioxydschicht aus einer Lösung eines Mangansalzes,
die noch eine das Mangansalz bildende Säure enthält, auf einer formierten Ventilmetallelektrode anodisch
abgeschieden wird.
Bei diesem Verfahren bildet sich zwar, wenn man als Mangansalzlösung eine wäßrige schwefelsaure Mangansulfutlösung
verwendet, eine y-Mangandioxydschicht, jedoch ist die Haftfestigkeit einer auf diese
Weise aufgebrachten Mangandioxydschicht ziemlich gering, wobei, wie durch Messungen festgestellt wurde,
ein starker Kapazitätsabfall zu beobachten ist.
Ferner ist ein Verfahren zum Hersteilen eines Elektrolytkondensators
bekannt, bei dem das Mangandioxyd in einer Lösung dispergiert und hierauf auf den
formierten Elektrodenkörper aufgebracht wird. Hierbei ist es jedoch erforderlich, zusätzlich eine Mangannitratlösung
aufzubringen und das dabei aufgebrachte Mangannitrat in situ pyrolytisch in Mangandioxyd
umzuwandeln. Wenn es beispielsweise gewünscht ist, den Oxydfilm mit Mangannitrat zur Umwandlung in
Mangandioxyd durch dessen thermische Zersetzung zu bedecken, müßte der so mit Mangannitrat bedeckte
Oxydfilm auf eine Temperatur in einem Bereich von 200 bis 400'C erhitzt werden. Um den Oxydfilm mit
dem festen Elektrolyten zu bedecken, müßte weiterhin die thermische Zersetzung zumindest mehrere Male
wiederholt werden. Der formierte Film, der bekanntlich zerstört werden kann, erfährt eine ernsthafte Beschädigung,
während er den thermischen Zersetzungsprozessen ausgest-tzt ist, und bringt so verschlechterte
dielektrische Eigenschaften mit sich.
Es ist zwar bekannt, daß der Reststrom in üblichen Festkörper-Ele.ktrolytkondensatoren verringert werden
kann, wenn Sauerstoff von dem Elektrolyten kontinuierlich dem Oxydfiim geliefert wird, so daß die Fehler
beseitigt werden, die darin im Lauf der thermischer. Zersetzung oder dann erzeugt wurden, wenn Mangandioxyd
in ein niedrigeres Oxyd erhöhten Widerstandes durch Joulsche Wärme umgewandelt wurde, die auf
Grund der hohen Stromdichte an den Fehlstellen entwickelt wurde.
Unabhängig davon, welches Verfahren verwendet wird, sind jedoch komplizierte Herstellungsverfahren
unvermeidbar. Ein Anwachsen des Reststromes und eine Verringerung der Bestriebsspannung kann ebenfalls
als Begleiterscheinung dieser bekannten Verfahren in Betracht kommen.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Elektrolytkondensator mit fest anhaftendem Oxydfilm großer
Filmbildungsfähigkeit als Metallelektrode auf unkomplizierte Weise herzustellen.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht gemäß der Erfindung darin, daß die Metallelektrode in eine Dispersion
von feinpulvrigem y-Mangandioxyd getaucht und danach bei einer unter 150"C liegenden Temperatur getrocknet
wird.
Bevor die Erfindung im einzelnen beschrieben wird, wird eine allgemeine Erörterung der nach der Erfindung
verwendeten Mangandioxyde im folgenden gegeben. Mangandioxyde treten in zahlreichen Kristallformen
in verschiedenen natürlichen und künstlichen Mineralien auf und werden bekanntlich durch röntgenspektroskopische
Analyse in die Kategorien von Λ-ΜηΟ2, /?-MnO2, y-MnO2 und ^)-MnO2 eingeteilt.
Von diesen ist insbesondere/S-MnO2 ein Mangandioxyd
stöchiometrischer Zusammensetzung, das gewöhnlich als Pyrolusit auftritt und künstlich durch thermische
Zersetzung von Mangannitrat erhalten wird. Diese Art des Mangandioxyds hat bekanntlich die höchste
Stabilität und die größte elektrische Leitfähigkeit. y-MnO2 ist andererseits eine Gattung der Mangandioxyde,
deren Kristallphasen innerhalb eines be-
3 4
stimmten Bereiches nur frühzeitig gewachsen sind. Das 7-Mangandioxyd besteht und die erste Ebktrode 12
Mangandioxyd dieser Art tritt natürlich als Ramsdeliit bedeckt, und eine zweite Elektrode 14, die gegenüber
auf und wird künstlich in einem elektrolytischen Ver- der ersten Elektrode 12 angeordnet ist und den Festfahren
erhalten. V-MnO2 ist ziemlich instabil im Auf- elektrolyten 13 bedeckt. Wenn gewünscht, kann der
bau und als solches gewöhnlich chemisch aktiv. 5 Elektrolytkondensator IO ferner einen Isolator 15 um-7-MnO2
kann jedoch im Aufbau stabilisiert werden, fassen, der um die Leitungselektrode 11 herum anf^-
wenn es in kochendem Wasser behandelt wird, und ordnet ist, um die zweite Elektrode 14 von dieser zu
kann, wenn es einer Wärmebehandlung bei einer trennen und um den besonderen Teil abzudichten.
Temperatur höher als etwa 300°C in atmosphärischer Die erste Elektrode 12 kann aus einem gesinterten,
Luft unterworfen wird, vollständig in /J-MnO2 umge- 10 porösen oder geätzten Ventilmetall, wie Aluminium
wandelt werden. oder Tantal —je nach Anwendung —, hergestellt sein.
Von den Mangandioxyden, die gegenwärtig in den Das für die Erfindung verwendbare Mangandioxyd
bestehenden Festkörper-Elektrolytkondensatoren ver- wird durch Elektrolyse von Mangansulfat erhalten,
wendet werden, wird gesagt, daß sie die Fähigkeit be- das in einer wäßrigen Lösung von Schwefelsäure in
sitzen, Ventilmetalle zu formieren. Es ist keine zuver- 15 einer Konzentration von 0,2 bis 1,0 Mol MnSO4 in
lässige Information darüber verfügbar, wie eine der- einer Normallösung von H2SO4 gelöst ist. Es wird
artige Fermiereigenschaft von den Kriscallstrukturen nicht nur 7-MnO2, sondern ebenfalls .\-MnO2 und
der Mangandioxyde abhängt. Es wurden daher aus- Mn2O3 als Ergebnis einer derartigen Elektrolyse
gedehnte Experimente mit den ß- und 7-KrUtaIlen mit erhalten; jedocrfist das Mügandioxyd, das als Festdem
Ergebnis durchgeführt, daß die gute Formier- 20 elektrolyt in dem erfindungsgeuäßen Verfahren verfähigkeit
von 7-MnO2 ermittelt werder. konnte. In den wendet werden kann, auf das Manrandioxyd beExperimenten
wurden zuerst zwei Kontaktkörper her- schränkt, das 80% oder mehr 7-MnO2 enthält. Das
gestellt, von denen einer ein durch das elektrolytische durch die Elektrolyse erhaltene Maagan.dio.xyd wird
Verfahren erhaltenes Mangandioxyd (7-MnO2) und iri Wasser gewaschen, getrocknet und in kleine Teilchen
der andere ein Mangandioxyd (/J-MnO2) war, das 25 zerkleinert. Die sich ergebenden Teilchen werden dann
durch zwei Stunden lange Erhitzung des erstgenannten durch ein Filter entsprechend einer Maschenweite von
Mangandioxyds bei 300° C erhalten wurde. Eine reine 325 Maschen gesiebt, so daß kleinere Teilchen von
Aluminiumnadel wurde auf jeden der so hergestellten etwa 40 Mikron Korngröße erhalten werden. Wenn
Kontaktkörper aufgesetzt, und ein konstanter ano- dann die sich ergebenden, der Maschenweite von
discher Strom wurde an die Aluminiumnadel angelegt, 30 325 Maschen entsprechenden Teilchen von 7-MnO2
um das Ansteigen des anodischen Potentials festzu- weiter in einem Achatmörser etwa 48 Stunden lang
stellen. Für/-J-MnO2 ergab sich, daß der Anstieg in der pulverisiert werden, ergeben sich Mangandioxyd-Endspannung
extrem klein bei der Stromdichte in der Teilchen von etwa 100 ma bis 30 μ Korngröße.
Größenordnung von 500 mA/cm2 war. Der resul- Die so gebildeten kleinen Teilchen werden dann in tierende Wirkungsgrad der Formierung wurde auf 35 einem geeigneten Dispersionsmittel, wie Wasser oder etwa 10-* geschätzt. Der Spannungsanstieg etwa Alkohol, bfs zu 20 bis 30 Gewichtsprozent dispergiert. 15 Mii.Jten später betrug höchstens 10 Volt. Der Ein geformtes Ventilmetall wird dann mit der kolloida-Wirkungsgrad der Formierung in 7-MnO2 wurde als len Lösung des Mangandioxyds in atmosphärischer bemerkenswert mit etwa 10~3 bis 10-5 im Durchschnitt Luft oder im Vakuum imprägniert und danach in beobachtet: etwa 15 Minuten später erreichte die +0 frischer Luft getrocknet. Wenn das Ventilmetall bei zu Endspannung etwa 40 bis 70 Volt. In beiden Fällen hoher Temperatur getrocknet wird oder Feuchtigkeit ist zu bemerken, daß die anodische Oxydation in um das getrocknete Ventilmetall herum vorherrscht, Abwesenheit von Feuchtigkeit nicht stattfinden kann. wird eine Kristallumwandlung des 7-MnO2 stattfinden. Dadurch wurde keine anodische Oxydation beobachtet, LJm dies zu vermeiden, wird das Ventilmetall vorzugswenn eine vollständig getrocknete Probe in dem Strom 45 weise in folgender Art getrocknet: Die kolloidale trockener Luft untersucht wurde. Lösung wird bei einer Temperatur von 70" C etwa
Größenordnung von 500 mA/cm2 war. Der resul- Die so gebildeten kleinen Teilchen werden dann in tierende Wirkungsgrad der Formierung wurde auf 35 einem geeigneten Dispersionsmittel, wie Wasser oder etwa 10-* geschätzt. Der Spannungsanstieg etwa Alkohol, bfs zu 20 bis 30 Gewichtsprozent dispergiert. 15 Mii.Jten später betrug höchstens 10 Volt. Der Ein geformtes Ventilmetall wird dann mit der kolloida-Wirkungsgrad der Formierung in 7-MnO2 wurde als len Lösung des Mangandioxyds in atmosphärischer bemerkenswert mit etwa 10~3 bis 10-5 im Durchschnitt Luft oder im Vakuum imprägniert und danach in beobachtet: etwa 15 Minuten später erreichte die +0 frischer Luft getrocknet. Wenn das Ventilmetall bei zu Endspannung etwa 40 bis 70 Volt. In beiden Fällen hoher Temperatur getrocknet wird oder Feuchtigkeit ist zu bemerken, daß die anodische Oxydation in um das getrocknete Ventilmetall herum vorherrscht, Abwesenheit von Feuchtigkeit nicht stattfinden kann. wird eine Kristallumwandlung des 7-MnO2 stattfinden. Dadurch wurde keine anodische Oxydation beobachtet, LJm dies zu vermeiden, wird das Ventilmetall vorzugswenn eine vollständig getrocknete Probe in dem Strom 45 weise in folgender Art getrocknet: Die kolloidale trockener Luft untersucht wurde. Lösung wird bei einer Temperatur von 70" C etwa
Auf Grund diese;- Ergebnisse wurde die im folgenden 30 Minuten lang (oder etwa 5 Minuten lang, wenn das
beschriebene neue Methode zur Herstellung eines Ventilmetall im Vakuum getrocknet ist) verdampft,
Festkcrper-Elektrolytkondensators unter Verwendung und danach wird das Ventilmetall auf eine Temperatur
von 7-MnO2 als Elektrolyt entwickelt. 50 niedriger als 150'C für etwa 30 Minuten erhitzt. Bei
Wie zu bemerken ist, besteht der Kern der Erfindung einer solchen Wärmebehandlung verdampft die Lödarin,
daß 7-MnO2 in kolloidalem Zustand auf einen sung in dem 7-MnO2, und din kleinen Teilchen des
auf der Anodenelektrode gebildeten dünnen Oxydfilm 7-MnO2 haften an dem Oxydfilm des gebildeten Ventilaufgebracht wird, um eine gute Haftung des Elektro- metalls fest an. Demzufolge ist dieser Oxydfilm nicht
lyten an dem Oxydfilm zu ermöglichen, ohne auf ein 55 ernsthafter Zerstörungen im Laufe der Wi.rmebethermisches
Zersetzungsverfahren eines elektroly- handlang ausgesetzt. Experimente haben ergeben,
tischen Materials zurückzugreifen. daß ein Festkörper-Elektrolytkondensator, in welchem
Die Erfindung wird im folgenden an Hand einer das granulierte 7-MnO2 an einer geätzten oder ge-
schematischen Zeichnung an einem Ausführungsbei- sinterten Aluminium-Anodenelektrode (von 0,64 μΡ
spiel näher erläutert, die einen senkrechten Schnitt 60 Kapazität in einer Flüssigkeitsphase) abgeschieden
durch einen erfindungsgemäßen Elektrolytkonden- wurde, die bis zu 50 Volt mit einem Elektrolyten einer
sator zeigt. Borsäure oder Boratgruppe formiert wurde, die Kapa-
Wie in der Zeichnung dargestellt, umfaßt der Fest- zität von 0,61 vu.F hat, wenn eine Betriebsspannung
körper-Elektrolytkondensator 10 eine Leitungselek- von 40 Volt angelegt wurde; es wurde beobachtet,
trode II, eine elektrisch mit der Leitungselektrode 11 65 daß der Reststrom auf etwa 10 μΑ nach 30 Minuten
verbundene erste Elektrode 12, auf deren äußeren abfiel, nachdem die Spannung angelegt wurde.
Oberfläche ein Oxydfiim gebildet ist, einen Fest- Es wurde ebenfalls festgestellt, daß der in der vor-
elektrolyten 13, der im wesentlichen aus granuliertem stehend beschriebenen Art gebildete Elektrolyt sicher
an dem Oxydfilm selbst in einem Festkörper-Elektrolytkondensator
aus gesintertem Tantal oder Aluminium abgeschieden werden kann.
Es kann daher erfindungsgemäß ein Feslkörper-Elektrolytkondensator
erhalten werden, der einen verringerten Reststrom und eine erhöhte Betriebsspannung
entsprechend dem erhöhten Wirkungsgrad der Formierung des verwendeten y-rvlnOj aufweist.
Da weiterhin die Herstellung des Elektrolytkondensators nach der Erfindung ohne das thermische Zersetzungsverfahren
auskommt, wird der zu behandelnde Oxydfilm nicht ernsthaft beschädigt. Dies führt zu
einer Verbesserung der Gütequalität des fertigen Kondensators und zur Vereinfachung des Herstellungsverfahrens
eines Festkörper-Elektrolytkondensators, weil Nachformier- oder Heilungsstufen weggelassen
werden.
Um die Wirkung der einzelnen, das Verfahren der Erfindung kennzeichnenden Maßnahmen bezüglich
der Eigenschaften der fertigen Kondensatoren festzustellen, wurden Vergleichsversuche zwischen auf
verschiedene Weise, und zwar
a) nach dem Verfahren der deutschen Auslegeschrift 1 194 499 ohne abschließende Wärmebehandlung,
b) nach dem Verfahren der deutschen Auslegeschrift 1 194 499 mit abschließender Wärmebehandlung
und
c) dem Verfahren nach der Erfindung
hergestellten Elektrolytkondensatoren mit Aluminiumfolieanoden und einer Kapazität von jeweils 1 μΡ bei
einer Betriebsspannung von 20 V durchgeführt.
Bei diesen Vergleichsversuchen wurde jeweils der Rcststrom bei 32 V nach 30 Sekunden sowie die Änderung
der Kapazität bei einem Falltest gemessen, bei dem auf die Elektrolytkondensatoren jeweils eine Aufprallbeschleunigung
von 20 g einwirkte.
Die Ergebnisse dieser Vergleichsversuche sind ir
ίο der nachfolgenden Tabelle zusammengefaßt.
| »5 20 |
Elektrolyt kondensator, hergestellt nach der deutschen Auslege- schrift 1 194 45'9 (nicht wärme behandelt) |
Elektrolyt kondensator, hergestellt nach der deutschen Auslege schrift 1 194 499 (wärme behandelt) |
Elektrolyt kondensator, hergestellt nach dem Verfahren der Erfindung |
| Reststrom a5 >A> Änderung der Kapazität beim Fall test (%).... |
0,1 -5G |
0,9 -5 |
0,1 -2 |
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators, bei dem auf eine einen Oxydfilm
aufweisenden Metalielektrode eine Mangandioxydschicht durch Tauchen der Metallelektrode in
eine Dispersion von feinpulvrigem Mangandioxyd in einem Dispersionsmedium aufgebracht und
getrocknet wird, dadurch gekennzeich- ig
net, daß die Metallelektrode in eine Dispersion
von feinpulvrigem y-Mangandioxyd getaucht und danach bei einer unter 150° C liegenden Temperatur
getrocknet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dispersmittel Wasser oder Alkohol
ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeici net, daß man die Trocknung der
Dispersion in der Weise vornimmt, daß die Dispersion bei einer Temperatur von 7O0C etwa
30 Minuten lang in atmosphärischer Luft oder 5 Minuten lang in Vakuum verdampft wird und
daß danach die Anodeneiektrode bei einer Temperatur niedriger als 150"C etwa 30 Minuten lang
erhitzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man feinpulveriges Mangandioxyd
mit einer "teilchengröße von etwa 30 bis 100 μπι
verwendet.
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| US3835529A (en) * | 1970-09-23 | 1974-09-17 | N Taguchi | Gas detecting device and method of making same |
| JPS5857897B2 (ja) * | 1975-11-08 | 1983-12-22 | 松下電器産業株式会社 | コタイデンカイコンデンサ |
| US4401877A (en) * | 1980-04-25 | 1983-08-30 | Sprague Electric Company | Method for solid tantalum capacitor with clean riser |
| US4344107A (en) * | 1980-04-25 | 1982-08-10 | Sprague Electric Company | Solid tantalum capacitor with clean riser |
| FR2558984B1 (fr) * | 1984-01-31 | 1986-07-11 | Tekelec Airtronic Sa | Element electrique tel qu'un condensateur au tantale et a electrolyte solide |
| NL8501584A (nl) * | 1985-06-03 | 1987-01-02 | Philips Nv | Droge elektrolytische condensator. |
| EP0336299B1 (de) * | 1988-03-31 | 1994-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Festelektrolytkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5693104A (en) * | 1994-08-25 | 1997-12-02 | Rohm Co. Ltd. | Process for making capacitor element for solid electrolytic capacitor |
| TW499793B (en) * | 2000-08-30 | 2002-08-21 | Nec Tokin Corp | Distributed constant type noise filter |
| US8884340B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-11-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices including dual gate electrode structures and related methods |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3320484A (en) * | 1963-11-12 | 1967-05-16 | Texas Instruments Inc | Dielectric devices |
| US3320494A (en) * | 1963-11-12 | 1967-05-16 | Texas Instruments Inc | Method and capacitor comprising oxide electrolyte derived from permanganic acid |
-
1970
- 1970-06-17 CA CA085792A patent/CA928405A/en not_active Expired
- 1970-06-18 US US47475A patent/US3621342A/en not_active Expired - Lifetime
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