DE2021983A1 - Widerstand mit variabler Spannung - Google Patents

Widerstand mit variabler Spannung

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DE2021983A1
DE2021983A1 DE19702021983 DE2021983A DE2021983A1 DE 2021983 A1 DE2021983 A1 DE 2021983A1 DE 19702021983 DE19702021983 DE 19702021983 DE 2021983 A DE2021983 A DE 2021983A DE 2021983 A1 DE2021983 A1 DE 2021983A1
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manganese
moles
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Toshioki Amemiya
Yoshio Iida
Takeshi Masuyama
Mikio Matsuura
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105Varistor cores
    • H01C7/108Metal oxide
    • H01C7/112ZnO type

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Keramikmassen von Widerständen mit variabler Spannung mit niehtohmschem Widerstand und im spezielleren auf Massen von Widerständen, die Zinkoxid enthalten, mit niehtohmschem Widerstand, der auf die Masse selbst zurückzuführen
!St.. ■■.■ .'■■■: ; ■; ■''_■" \ '■'■■- :■■■.'. :
Zahlreiche Widerstände mit variabler Spannung, wie zum Beispiel Siliciumcarbid^aristoren, Selengleichrichter und Germanium- oder Siliciumflächengleichrichter,, sind in gross em Umfange zur Stabilisierung der Spannung oder des Stroms in elektrischen Stromkreisen ■verwendet, worden. Die elektrischen Charakteristiken von solchen Widers bänden mit variabler Spannung werden durch die Gleichung
• iW. (|)n ; ; (D ;
'ausgedrückt, in der V" die Spannung über dein Widers band, I der
009882/1338 -
-2- M 2828
durch den Widerstand fliessende Strom, C eine Konstante, die der Spannung bei einem gegebenen Strom entspricht, und der Exponent η ein Zahlenwert grosser als 1 ist. Der Wert für η wird nach der folgenden Gleichung berechnet:
1Og10(I2Zl1)
η (2)
in der V1 und V2 die Spannungen bei gegebenen Strömen I-, und Ip sind. Der geeignete Wert für C hängt von der Art der Anwendung ab, für die der Widerstand eingesetzt werden soll. Es ist im allgemeinen vorteilhaft, wenn der Wert η so gross wie möglich ist, weil dieser Exponent das Ausmass bestimmt, mit dem die Widerstände von den ohmschen Wertenabweichen.
Bei üblichen Varistoren, die Germanium- oder Slllciumflächengleichrichter aufweisen, ist es schwierig, den C-Wert innerhalb eines grossen Bereiches einzustellen, weil die spannungsvariable Eigenschaft dieser Varistoren nicht auf die Masse selbst, sondern auf den p-n-übergang zurückzuführen ist. Andererseits haben Slliciumcarbidvarlstoren spannungsvariable Eigenschaften, die auf den Kontakten unter den einzelnen Körnern des Siliciumcarbids beruhen, die durch ein keramisches Bindemittelmaterial miteinander verbunden sind, und wird der C-Wert durch Änderung einer Dimension in einer Richtung, in der der Strom durch den Varistor fliesst, eingestellt. Siliciumcarbidvaristoren haben jeuoch einen relativ niedrigen η-Wert und werden durch Brennen in nichtoxydierender Atmosphäre, insbesondere damit ein niedrigerer C-Wert erzielt wird, hergoäbellt..
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Masse für einen Widerstand mit variabler Spannung mit nichtohmschem Widerstand, der auf die Masse selbst zurückzuführen ist, und mit einem einstellbaren C-Wert zur Verfügung zu stellen.
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Nach einer anderen Aufgabe der Erfindung soll eine Masse für einen Widerstand mit variabler Spannung geschaffen werden, der durch einen hohen η-Wert aus ge ze ic line t ist.
Nach einer weiteren Aufgabe der Erfindung solleine Masse für einen Widerstand mit variabler Spannung mit sogenanntem negativem Widerstand zur Verfügung gestellt werden.
Diese und andere der Erfindung zugrunde liegenden Aufgaben und deren Lösung sind aus der nachfolgenden Beschreibung zusammen mitrder dazugehörigen Zeichnung ersichtlich. Die Figur 1 gibt einen teilweisen Querschnitt eines erfindungsgemässen Widerstandes mit variabler Spannung wieder, und die Figur 2 zeigt typische V-I-Charakteristiken der erfindungsgemässen Widerstände.
Bevor die nach der Erfindung vorgeschlagenen,Widerstände mit variabler Spannung im einzelnen beschrieben werden, soll deren Aufbau unter Bezugnahme auf die Figur 1 erläutert werden, in der die Ziffer 10 einen Widerstand mit variabler Spannung als Ganzen bezeichnet, der als wirksames Element einen gesinterten Körper 1 mit« einem Elektrodenpaar 2 und j5 enthält, wobei diese Elektroden an den gegenüberliegenden Oberflächen des Körpers angebracht sind. Der gesinterte Körper 1 wird auf eine nachfolgend beschriebene Art und Weise hergestellt und besitzt irgendeine Form, wie zum Beispiel eine runde, quadratische ader rechteckige Plattenform. Leitungsdrähte 5 und 6 sind mit den Elektroden 2 und 3 durch ein Verbindungsmittel 4, wie zum Beispiel ein Lötmittel oder dergl., leitend verbunden.
Ein Widerstand mit variabler Spannung nach der Erfindung hat einen nichtohmschen Widerstand, wie es durch die Kurve OP von Figur 2 dargestellt ist. Die V-I-Charakteristiken des erfindungsgemässen Widerstands mit variabler Spannung werden ferner in zwei Klassen und zwar (1) mit einer Kurve OPS und (2) mit einer Kurve OPQR ♦eingeteilt. Das elektrische Verhalten bei einem PQ-Bereich entspricht einem sogenannten negativen Widerstand. Der PQ-Bereich
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des Widerstands mit variabler Spannung in der zweiten Klasse kann als negatives Widerstandsgerät benutzt werden. Es ist auch möglich, den OP-Bereich des Widerstands mit variabler Spannung in der zweiten Klasse als einen üblichen Varistor zu verwenden, der keinen negativen Widerstand hat. DieEinstellung der ersten Klasse oder der zweiten Klasse hängt von einem Anteil an Zusätzen ab, wie es weiter unten erklärt wird. Das spannungsnichtlineare Verhalten in dem OP-Bereich kann in Ausdrücken von C und η der Gleichung (1) wiedergegeben werden. Das negative Widerstandsverhalten, das in dem PQR-Bereich besteht, kann durch den negativen Wider-Standsfaktor ö ausgedrückt werden, der durch die folgende Gleichung definiert wird:
vp 1O
= 10 log / /log Jt
VQ 1P
in der V., und Ip die Spannung und der Strom bei dem Punkt P und
Q und In die Spannung und der Strom bei dem Punkt Q sind. Es if-t erwünscht, dass der Wert für Q so gross wie möglich ist, weil dieser Faktor das Ausmass der Schiefe der OPQ-Kurve bestimmt.
Ein Widerstand mit variabler Spannung nach der Erfindung Mithält einen ßoßinterten Körper aus einer FrittenmasGe, die im v/es entliehen .-:1a Hauptteil aus 85,0 bis 99,95 Mol-pi Zinkoxid und als Zusatz aus 0,05 bis 15,0 Hoi-^ wenigstens eines Mitglieds der aus Kaiißanfluorid, Magnesiumfluoride "Calciumfluorid, Kadmiumfluorid, Kaliumfluorici, Chromfluorid, Natriumfluorid, Kobaltfluorid, Kupfei'fluorid, Eisen-III-fluorid, Lanthanfluorid und Lithiumfluorid bestehenden Gruppe besteht. Ein solcher Widerstand mit variabler Spannung hat niehtohmschen Widerstand, was auf die Masse selbst zurückzuführen ißt. Daher kann sein C-Wert ohne Beeinträchtigung des'n-Wertes durch Änderung des Abatands zwischen den geßonUberliegenden Oberflächen geändert- werden. Der kürzere Abstand führt zu einem η iedrigeren C-Wert.
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SAO OBiGJNAL
202T983
- 5 - M 2828 .:■"..
Der in der Figur-2 dargestellte negative Widerstand kann erhalten werden, wenn der genannte gesinterte Körper im wesentlichen aus einer Masse mit der nachfolgenden, in der Tabelle I aufgeführten Zusammensetzung besteht:
Der grossere Ö-Wert kann erhalten werden, wenn der genannte Zusatz im wesentlichen wenigstens/ aus zwei Mitgliedern der aus 0,1 bis 7,0 MoI-^ Manganfluorid, 0,1bis 3,0 Mq1~# Kupferfluorid und 1,0 bis 5,0Mol-$ Kobaltfluorid bestehenden Gruppe besteht.
Nach der Erfindung kann der negative Widerstand hinsichtlich der Beständigkeit bei Umgebungstemperatur und bei dem.elektrischen Belastungsdauertest verbessert werden, wenn der genannte Zusatz im wesentlichen aus 0,1 bis 3,0 Mo 1-% Manganfluor id und 0,5 bis 5,0 Mol-,cu Magnesiumoxid besteht.
Der Ö-Wert wird erhöht und gleichzeitig wird die Beständigkeit bei Umgebungstemperatur und dem elektrischen Belastungsdauertest verbessert, wenn der genannte Zusatz im wesentlichen gU-f^O«! bis 2,0 MoI-^ Manganfluorid, 0,1 bis ί,Ο MoI-^ Lanthan- und 0,5 bis 5,0 Mo1-?d Magnesiumoxid „besteht.
Nach der Erfindung kann der d-Wert weiter erhöht werden und die Beständigkeit in bemerkenswerter Weise verbessert werden, wenn der genannte Zusäz im wesentlichen aus 0,1 bis 2,0 Mol-$ Manganfluorld/ 0,1 bis 2,0 MoI-^ Kobaltoxid, 0,1 bis 1,0 Mol-fo Lanthanoxid und 0,5 bis 5,0 Mol-#Magnesiumoxid besteht.
Der gesinterte"Körper 1 kann nach einer auf dem Gebiet der Keramik an sich bekannten Verfahrenswelse hergestellt werden. Die Ausgangsstoffe für die vorstehend beschriebenen Frittenmassen werden in einer Nassmühle unter Ausbildung homogener Mischungen gemischt«. Die Gemische werden getrocknet und in einer Pressform mit einem Druck von 100 kg/cm bis 1000 kg/cm eu den gevfUnschteii Körper» formen zusammengedrückt. Die zusammengedrückten Körper werden in Luft bei einer bestimmten Temperatur 1 bis 3 Stunden lang ge-λ ■.-.:'-■■ '.;■:', ; 009082/1330 ' "'■ : ; V ;
- 6 - M 2828
sintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur ( etwa 15° bis etwa 30° C ) abgekühlt.
Die geeignete Sintertemperatur wird im Hinblick auf den spezifischen elektrischen Widerstand, die Nichtlinear!tat und die Beständigkeit bestimmt und reicht von 1000° bis 1^50° C.
Die Gemische können zur leichteren Handhabung beim nachfolgenden PressVorgang zunächst bei etwa 700° C kalziniert und dann gepulvert werden. Das Gemisch, das zusammengedrückt werden soll, kann mit einem geeigneten Bindemittel, wie z.B. Wasser, Polyvinylalkohol usw., vermischt werden. Diese Verfahrenswelsen werden als " Beispiel für ein Herstellungsverfjihren angegeben und sind nicht als Begrenzung aufzufassen.
Die gesinterten Körper werden an den gegenüberliegenden Oberflä-' chen nach einer benutzbaren und geeigneten Verfahrensweise, wie z.B. durch Elektroplattierung, nach dem Vakuumaufdampfverfahren, dem Metallspritzverfahren oder dem Silberfarbanstrichverfahren, mit Elektroden versehen.
Der nichtohmsche Widerstand wird praktisch nicht durch die Arten der verwendeten Elektroden, sondern durch die Dicke der gesinterten Körper beeinflusst. Insbesondere ändern sich der C-Wert, der ■ V„-Wert und der VA-Wert im Verhältnis zu der Dicke der gesinterten Körper, während der η-Wert und der e-Wert praktisch von der Dicke unabhängig sind.
Leitungsdrähte können nach an sich bekannter Art und Weise unter Verwendung eines üblichen' Lötmittels mit einem niedrigen Schmelzpunkt an den Elektroden angebracht werden. Es ist bequem, einen leitfähigen Klebstoff, der Silberpulver und Harz in einem organischen Lösungsmittel enthält, zum Verbinden der Leitungsdrähte mit ten Elektroden zu verwenden.
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ORiGlNAL
- 7 -";■ ' M 2828 .
erfindungsgemässen Widerstände mit variabler Spannung weisen eine grosse Beständigkeit gegenüber der Temperatur und bei einem Belastungsdauertest auf, der bei 70° C bol einer Betriebsdauer von 500 Stunden ausgeführt wird. Der η-Wert, C-*Wert, Vp-Wert und β -Wert ändern sich nach den Erwärmungsfolgen und dem Belastungsdauertest nicht merklich. Es ist zur Erzielung einer grossen .Beständigkeit gegenüber Feuchtigkeit vorteilhaft, wenn die erhaltenen Widerstände mit variabler Spannung in ein feuchtigkeitsfestes Harz, wie z.B. Epoxyharz und Phenolharz, nach an sich bekannter Weise eingebettet werden.
Zur Zeit bevorzugte erläuternde Ausführungsformen der Erfindung werden im folgenden beschrieben.
Beispiel 1 · ■
Ein Gemisch aus Zinkoxid und Zusätzen mit einer in der Tabelle 2 angegebenen Zusammensetzung wird in einer NasmiUhle 3 Stunden lang gemischt. In der Tabelle II "besteht der Rest «aus Zinkoxid. Das Gemisch wird getrocknet und dann 1 Stunde lang bei 700° C kalziniert. Das kalzinierte Gemisch wird mit einem motorgetriebenen Keramikmörser innerhalb von j30 Minuten pulverisiert und dann in einer Pressform zu einer Körperform mit einem Durchmesser von 17,5 mm im Durchmesser und 2,0 mm Dicke mit einem Druck von '500 kg/cm zusammengepresst.
Der zusammengepresste Körper wird in Luft bei 1150° Cl Stunde lang gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur (etwa 15° bin etwa j50° C) abgekühlt. Die gesinterte Scheibe wird auf den gegenüberliegenden Oberflächen mit Hilfe von Siliciumcarbid mit einer Teilchengrösse von 600 Maschen geschliffen. Die erhaltene gesinterte Seheibe hat einen Durchmesser von 16 mm und eine Dicke von 1,5 mm. Die gesinterte Scheibe wird an den gegenüberliegenden Oberflächen mit den im Handel erhältlichen Silbfirfarbelektroden •mit Hilfe eines Farbanstriohs verbunden. Die Leitungsdrähte werden mit den Silberelektroden durch Verlöten verbunden. Die elektri-
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sehen Charakteristiken der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle II wiedergegeben. Es ist leicht zu erkennen, dass der gesinterte Körper aus Zinkoxid, der die in der Tabelle I aufgeführten Zusätze enthält, ein ausgezeichnetes spannungsnichtlineares Verhalten aufweist und dass insbesondere eine bestimmte Menge von Zusätzen zu einem sogenannten negativen Widerstandsverhalten führt.
Besispiel 2
Zinkoxid urd in der Tabelle 3 aufgeführte Zusätze werden entsprechend der in dem Beispiel 1 beschriebenen Art und Weise gemischt, getrocknet, kalziniert und gepulvert. Das gepulverte Gemisch wird in einer Pressform mit einem Druck von 500 kg/cm zu einer Scheibe mit einem Durchmesser von 17*5 mm und einer Dicke von 5 mm zusammengepresst.
Der zusammengepresste Körper wird in Luft bei 1350° C 1 Stunde lang gesintert und dann im Ofen auf Raumtemperatur abgekühlt. Die gesinterte Scheibe wird auf den gegenüberliegenden Oberflächen mittels Siliciumcarbid mit einer Teilchengrösse von 600 Maschen zu der in der Tabelle III angegebenen Dicke geschliffen. Die geschliffenen Scheiben werden auf den gegenüberliegenden Ouerflachen entsprechend der Verfahrensweise des Beispiels 1 mit den Elektroden und Leitungsdrähten versehen. Die elektrischen Charakteristiken der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle III wiedergegeben; der Vp-Wei't und der VQ-Wert sowie der C-Wert ändern sich annähernd im Verhältnis zu der Dicke der gesinterten Scheibe, während der η-Wert, der Ip-Wert und der 6 -Wert im wesentlichen von der Dicke unabhängig sind. Es ist leiht zu erkennen, dass die spannungen!entlinearen Eigenschaften der Widerstände dem gesinterten Körper selbst zuzuschreiben sind.
Beispiel 3
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der in der Tabelle 4 angegebenen Zusammensetzung enthält,, werden nach dem Verfahren des
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Beispiels 1 Widerstände mit variabler Spannung hergestellt. Die elektrischen Charakteristiken der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle IV wiedergegeben. Es ist leicht zu erkennen, dass der Zusatz von wenigstens einem Mitglied der aus 0,1 bis 7,0 Möl-# Manganfluorid, 0,1 bis 3,0 Mol % Kupferfluorid und 1,0 bis 5,0 Mol-$ Kobaltfluorid bestehenden Gruppe, zu einem grösseren 0-Wert führt.
Beispiel 4
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der in der Tabelle V angegebenen Zusammensetzung enthalt, werden nach dem Verfahren des Beispiels 1 Widerstände mit variabler Spannung hergestellt. Die erhaltenen Widerstände werden nach den Methoden getestet, die bei Bauteilen mit elektronischen Bestandteilen benutzt werden. Die Belastungsdauerprobe wird bei 70° C Umgebungstemperatur und bei 0,5 Watt innerhalb einer Leistungsdauer von 500 Stunden durchgeführt. Der periodische Erwärmungstest wird durch fünfmaliges Wiederholen einer Folge, bei der diegenannten Widerständebei C Umgebungstemperatur 30 Minuten lang gehalten, dann schnell auf -20° C abgekühlt und dann bei dieser Temperatur 30 Minuten lang gehalten werden, durchgeführt. Die Tabelle V gibt eine bei den Vp-Werten, V0-Werten und ο -Werten nach der Belastungsdauerprobe erhaltene Differenz wieder. Es kann leicht ersehen werden, dass die Kombination von Manganfluorid und Magnesiumoxid als Zusatz in bezug auf die elektrische Beständigkeit und die Beständigkeit gegenüber der Umgebung wirksam ist.
. -- ■■'■ ■'■:-. -: : : ■'■■ '■■ : ')'■■ i ■'■· : '■":■■ ; Beispiel 5 ■
Aus Zinkoxid, das Zusätze entsprechend der Tabelle VI enthält, werden nach dem Verfahren des Beispiels 1 Widerstände mit variabler Spannung hergestellt. Die elektrischen Eigenschaften der erhaltenen Widerstände werden in der Tabelle VI wiedergegeben. Es ist leicht zu ersehen, dass die Kombination von Manganfludirld, Lanthanoxid und Magnesiumoxid-, insbesondere wenn Kobaltoxid der
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genannten Kombination zugesetzt wird, als Zusatz hinsichtlich des negativen Widerstandsverhaltens und'der elektrischen Beständigkeit sowie der Beständigkeit gegenüber der Umgebung ausgezeichnet ist.
Tabelle I
Zinkoxid Zusatz
99,9"** 93,0 Manganfluorid 0,1 -»7,0
99,7 "* 97,0 Magnesiumfluorid 0,3 -0,0
99,5-^*95,0 CaIo iumf luorid 0,5^5,0
99,9 ^99,O Kadmiumfluor id 0,1 *—1,0
99,9^/98,0 Kaliumfluorid 0,1 ~ 2,0
99,9*^98,0 ' Chromfluorid 0,1 ~ 2,0
95,9^92,0 Natriumfluor id 0,1/^8,0
99,0 ^ 95,0 Kobaltfluorid 1,0 5,0
99,9^98,0 Eisen-III-f luorid 0,1^*2,0
99,9 ^ 97,0 Kupferfluorid 0,1 ~ 3,0
99,7 ^ 98,5 Lanthanfluorid 0,3 ~ 1,5
99,2 w 98,0 Lithiumfluorid 0,8^2,0
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2021.
M 2
0,05
O 1
Tabelle II C η Vp(V) Ip(mA) vQ(v) S
Zusatz u, χ
0.5
(bei ImA) Jt
(Mol-ίί) 1.0 15,8 4,2 400 "JO 200 3,3
Manganfluorid J. ,V/
2.0
OM «■ W »—·» 36Ο 30 120 5,7
■5.0 « MM —·>— 260 20 60 5,9
** »^*
7,0
... 250 15 90 5,5
10,0 I6O 20 70 4,2
15,0 ... 350 30 150 • 3,1
!3D 5,3 -— MlMlMl MIM» Ml
0,05
0.3
2,5 --- ■*■"·" MlMlMJ T-,
1.0
Magnesium- X, V/
3,0
8,2 3,3 300 72 215
fluorici 10,0 ····«,· 330 63 205 5,8
15,0 ... __- 396 40 145 3,1
68 6,2 _-» —· — MM. MlMlMl
0,05 14 6 3,9 \ ^ M»Ml """
0,1
0 ^
CaIcium- «»-?
1 0
40 3,8 «1ΜΜ>
fluorid X, U
2.0
52 5,2 220 "48 110 3,1
*~ »w
5,0
__ 283 30 152 5,9
10,0 _ _·. 295 49 144 5,8
15,0 275 53 125 3,7
107 7,0 ...
0*5
0.1
96 2,8 —"**·
0.5
Kadmium- •1,0 11,2 5,2 75 42 ~38 2,7
5,8
fluorid 2,0 ... ___ 187 59 4C 3,2
5,0 a. — ·. ___ 250 45 115 MtMlMl
10,0 52 5,8 _— — —M»
15,0 98 3,3 ___ —·"·- M,-M>
139 2,9 —-— Ml MIM» """
0,05
0.1
380 2,8 M>a»«K mm ^ «^
VJ , X
1 0
ils
Kalium- XjW
2,0
7,5 3,5 100 •MW Ml
10
75 5,9
fluorid 5,0 90 110 48 3,1
10,0 170 150 53 "■"*·■
15,0 28 5,9 ——— ·"·"■■
49 4,1 MMM —— ...
295 3,2 - —
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INSPEQiTED
- 12 - M 2828
Tabelle II (Fortsetzung)
Zusatz > 0,1 C η Vp(V) Ir,(mA) V^(V) ι
(Mol-;- Chromfluorid 0,05 1,0 (bei ImA) Px / Qv J Cl
2,0
5,0
38 3,8 — «· OT
10,0 —- 312 95 220 5,8
15,0 ——— rn.rn.rn. 350 70 290 5,9
92 5,0 420 43 340 5,2
0,05 153
450
2,9 ~- —m.
Natrium- 0,1 2,6 — — — rn.rn.rn.
fluorid 1,0 4,2
2,0 2,9 __ —
5,0 _—— I32 53 103 3,0
8,0 rn.rn.rn. I6O 82 103 5,4
15,0 — — - —- I7O 100 95 6,2
___ 235 80 108 5,6
0,05 38,5 —- 32Ο 77 210 2,3
Kobalt- 0,1 2,6 _
i'luorid 0,5 82
1,0 98" 3,1 m.mmm.
2,0 135 2,9 »SI» -_-
t5,0 5,2 — ·__ *-m w ■-!
0,0 ——— IO8 47 "34 2,4
15,0 -—— ... ^3 90 10 6,7
195 _-_ 96 87 28 9 I
5,1
0,05 290 4,5 -—_
Kupfer- 0,1 3,1 -_- _^_ ___ Z
fluorid 0,5 35
1,0 3,2 m.m»m.
3,0 ——— * 478 7,5 268 6^5
10,0 -—— -— 47Ο 7,5 120 6,5
15,0 -— 469 7,5 115 6,0
28 420 7,5 110 4,2
.0,05 28Ο 4,3 mm eam am
Eisen-III- 0,1 2,5 n mm»*, mm
fluorid 0,5 28
1,0 3,1
2,0
10,0
72 2,6 kl 3,8
15,0 --_ 61 5,2 25 6,3
5,4
99 —- 50 9,0 42 3,3
0,05 350 5,0 38 8,2 35
Lanthan- 0,1 2,1 --_ -»_ rn.rn.rn.
fluorid 0,3
η. ΓΛ
950
0,8 750 2,0
1,5
5,0
4,8 3,2
10,0 . 83Ο "45 43Ο 6,2
[330 ..... 8Ο8 45 425 4,0
694 ■5,3 757 45 429
2,7 -—_
009882/13 3 8
Tabelle II (Fortsetzung)
M 2828
Zusatz
C (bei ImA)
Vp(V)
Ip(mA)
VQ(V)-
Lanthan-
fluorid
15 *°.. 732 2, 4 -—— 30
50
_-_
Lithium-
f luorid
0
0
0
2
- 5
10
15
,05
,1
,8
,0
,0
,0
,0
27
20
"40
120
203
2,
2,
4~
4,
4,
0
3
8
5
0
243
115
18 193
73
/Mangan-
f Fluorid
\ ■Lanthan--
* fluorid
1
1
,0
>o
- 340 4o 240
/Natrium-
f fluorid
I Calcium-
Vf luorid
1 ,0 - 130 38 37
/Mangan-
/ fluorid
( Eisen-III-
Vfluorid
1
1
,0
.0
- 190 • 24 59:
yKupfer-
\ Kadmium-
Vlu aid
1,
1,
,0
,0
___ ■β» 240 140
/Lithium·*
/fluorid
I Kobalt-
Vfluorid
ι,
1,
,0
.0
;—.." ■ __. ■·- -. ■ ■ "
8,5
003882/1338
M 2828
Dicke
(mm)
Tabelle III 4,5 Vp(V) Ip(mA) 559 S
Zusatz
(Mol~$)
5,0 C η
(bei ImA)
4,5 972 11,0 295 8,0
2,5 209 4,2
4,0
810 10,5 242
179
8,1
2,0
1,5
172 4,2 655
495
10,6
10,5
120 8,1
Lithium
fluor id
1,0 159
104
4,5 520 10,5 60 8,0
1,5 0,5 69 4,9 161 10,5 ··—— 8,0
5>0 54 4,8 —__ ___ -_- 0m—
2,5 516 4,7
4,5
4,2
.- —-.
2,0
1,5
1,0
264 5,0 * __—
Lithium-
fluorid
12,0
0,5 212
160
105
55
009882/1338
- 15 - M 2828
Tabelle IV VP 1P S S
Zusatz ( (V) -(BiA) (V)
Kupfer- Mol-*)
Mangan fluor id Kobalt- 450 22 380 14,2
fluor 1ά 0,1 fluorid 474 24 300 15,9
14,4
0,1 1,0 1,0 493 25 330 14,5
0,1 3,0 1,0 496 18 256 15,1"
0,1 0,1 1,0 513 17 298 •14,2
2,0 1,0 ' 1,0 549 22 356 ■17/0.
2,0 3,0 1,0 """ 693 39 512 16,0
.,0 0,1 1,0 707 43 498 15,3
7,0 1,0 1,0 723 46 321 15,2
7,0 3,0 1,0 512 23 330 16,8
7,0 0,1 1,0 543 30 4^7 16,0
0,1 1,0 5,0 568 39 210 17,0
0,1 3,0 5,0 553 19 193 17,0
0,1 0,1 5,0 584 23 204 16,5
2,0 1,0 5,0 598 26 412 16,4
2,0 3,0 5,0 684 40 408 17,0
2,0 0,1 5,0 702 48 408 18,0
7,0 1,0 5,0 738 54 396 18,1
7,0 3,0 5,0 486 35 252 18,3
7,0 0/1 5,0 506 42 304 17,2.
0,1 1,0 2,0 520 46 193 18,7
0,1 3,0 2,0 542 20 204 19,1
0,1 0,1 2,0 593 24 402 19,4
2,0 3,0 i-,0 802 30 414 19,0
2,0 0,1 2,0 830 50 438 19,0
7,0 1,0 2,0 842 69 115 22,3
7,0 3,0 2,0 320 15
7,0 1,0 . 2,0
2,0 2,0
0 098 82/1338
Tabelle V Zusatz (MoI-Ji) Belastung«dauerte»t
periodischer Erwärraungstest
Mang'anfluorid
Magnesiumoxid
4 j
A *
0,1
2,0
3,0
0,1
3,0
0,1
2,0
3,0
1,0
2,0
2,5
1,0
2,5
1,0
2,0-
2,5.
0>5 0,5 0,5 2,0 2,0 5,0 •5,0 5,0 1,0 1,0 1,0 2,0 2,0 2,5 2,5 2,5 2,0
15,7 -15,3 -22,1
13,3 -13,5 -18,5
12,7 -14,4 -17,9
14,3 -13,5 -18,3
13,7 -12,5 -16,5
13,2 -14,9 -19,8
12,4 -13,1 -18,9
14,1 -13,4 -15,7
12,3 -12,9 -15,8
11,1 -12,4 -14,0
10,6 -12,1 -14,0
10,5 -13,3 -14,1
9,8 -12,5 -13,3
9,2 -12,3 -13,4
9,8 -11,9 -12,2
9,4 -12,6 -12,9
6,4 - 9,9 - 9,9
16,5 -14,2 -20,2 I
15,3 -13,8 -19,9
15,1 -13,8 -18,4
13,3 -12,3 -17,7
13,2 -13,4 -18,4
13,5 -12,7 -17,3
12, i -12,1 -16,5'
12,5 -12,3 -17,1
ιι,3· -11,9 -15,2
11,9 «10,4 -15,3
10,8 -11,2 . -14,1 S
10,7 -10,9 -15,0 ' ro
OD
10,^ -U,9 -13,2 ro
OO
9,0 . - 9,8 -12,3
8,2 - 9,0 -12,1
7,9 -9,9 -ii,3
5,5 - 7,2 - 3,1
1 0,1 Zusatz (Mol-#) Magnesium- Kobalt-
oxid oxi4
Tabelle Vl 27 •271 Belastungsdauer (^) Aj i Periodischer ;■ ■ ■· S) 4 (I) 4
1,0 Lanthan-
oxid
0,5 — 29 215 test
I „■«,,;.„„■, ,;,,
-6,8 -7,7 -4,1 -6,3
2,0 0,1 0,5 — 30 310 4 vp I
W
-6,6 -7,5 Erwärnftingstest -3*6 -5*9
Magnesium- 0,1 0,1 . ■ o,5 .: .'. .---\ v..' 25 221 24,5-6,1 -6,8 "'-7*9 %ä •4,1 -5*4
1*0 ,0,1 '■'•■.'.0,5 ■■;■.■ , — ■■ 25 195 25*0 -6,0 -7,1 -7,9 -4,4 -3*1 -5,p
2,0 0,5 ': 0,5 ■.■■:.■ —-· ■'■■.:. 26 273 25,0 -6,9 -6,8 -7,8 -3,9 -2*5 -
O 0,1 0,5 ··.. o,5- , / — " :;■ Ir> Vn J 24 207 25*0-6,5 -6,7 -7wl -3,7 -4,0 - 5,if tsj
O 1*0 0,5 0,5 .— (V)(InA) (V) " 24 245 26,7 -6,1 -5,9 -7*5 -3,5· ■:-2*9 -5,1 O
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472 -3*9
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380
572
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M 2828
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O H W H · O O. O* O O W (U W* « W CvT O O O*
009882/1338
Tabelle VI (Fortsetzung)
' 0,1 1 ,» " ' 0 5,0, 0*1 295 12 115 36,3 -8,2 -3,8 -2.9 ■·■ ■ *
... * ■ ■
■-1.5 -2.1 f ■· , O ■
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0,1 .1, 0 5,0 2,0 244 8 127 36,7 -2,1 -3.3 -2,8 ;-2>4 -1.6 -2,6
2,0 1, 1 5,0 0,1 305 7 170 37,4 -1.8 -3,6 -2.0 -2,2 -1.9 -2,3
2,0 0, 1 5*0 1*0 272 7 112 37*4 -1,4 -2,5 -2,4 -2,3 -1.4 -2,6
c 2,0 0, 1 $.0 2,0 213 6 199 38.3 -1,6 -3,8 -2J.0 -1,8 -1,4 -2,4 OO
CD 2,0 0, 0 5,0 0,1 299 9 148 37.4 -2,1 -2,1 -1*$ -1,9 -1,6 -2,7 1
CO. 2,0 1, 0 5,0 1,0 266 9 124 37.7 -1.8 -3,5 -1.9 -2,0 -1.5 -2,7 ίο
2,0 1, 0 5,0 2,0 253 8 138 37,3 -1.9 -2*3 -1.9 -2,3 -1,7 -2,8 I
1,0 1, 5 2,0 0,1 145 10 43 38,8 -1.7 -3*1 -2,1 -1*8 -1,5 —2,1
'1,0 °' 5 2*0 2,0 103 9 35 37.2 -1*5 -2,1 -1.5 -1*9 -1,9 -2,2
03 1,0 °* 5 2,0 1,0 83 5*1 21 42,5 -0,8 -0,6 -0,8 -2*0 -0.6 -0,8
■ ■ 0, -0,7 Kl
*■*
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■■■..;.■■■■.■■ . ..■.■■. ■ . ■■■■■»■■'■ OO
CJ

Claims (6)

  1. Für einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse* dadurch gekennzeichnet, dass sie im wesentlichen aus Zinkoxid als Hauptteil und wenigstens einem Mitglied der aus Manganfluorid, Magnesiumfluoride Calciumfluorid, Kadmiumfluorid, Kaliumfluorid, Chromfluorid, Natriumfluorid, Kobalt« fluorid, Kupferfluorld, Eisen-III-fluorid, Lanthanfluorid und Lithiumfluorid bestehenden Gruppe als Zusatz besteht.
  2. 2. FUr einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz im wesentlichen aus einem Mitglied der aus 0,1 bis 7,0 Mol~$ Manganfluorid, 0,3 bis 3,0 Mol-#. Magnesiumfluorid, 0,5 bis 5,0 Mol-$ Calciumfluorid, 0,1 bis 1,0 Mol-# Kadmiumfluorid, 0,1 bis 2,0 MoI-Ji Kaliumfluorid, 0,1 bis 2,0 Mol-# Chromfluorid, 0,1 bis 8,0 MoI-^ Natriumfluorid, 1,0 bis 5,0 MoI-^ Kobaltfluorid, 0,1 bis 3,0 Mol-5i Kupferfluorid, 0,1 bis 2,0 Mol-Jß Eisen-III-fluorid, 0,3 bis 1,5 MoI-^ Lanthanfluorid und 0,8 bis 2,0 Mol-# Lithiumfluorid bestehenden Gruppe besteht.
  3. 3. Für einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz im wesentlichen aus wenigstens zwei Mitgliedern der aus 0,1 bis 7,0 Mol-jS Manganfluorid, 0,1 bis 3,0 Mol-# Kupfer-
    009882/1338
    - 21 - M 2828
    fluorid und 1,0 bis 5,0 MoI-^ Kobaltfluorid bestehenden Gruppe besteht.
  4. 4. Für einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz im wesentlichen aus 0,1 bis 3,0 Mol-# Manganfluorid und 0,5 bis 5*0 MoI-^ Magnesiumoxid besteht.
  5. 5. Für einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz im wesentlichen aus 0,1 bis 2,0 MoI-^ Manganfluorid, 0,1 bis 1,0 MoI-^ Lanthanoxid und 0,5 bis.5,0 MoI-^ Magnesiumoxid besteht.
  6. 6. Für einen Widerstand mit variabler Spannung geeignete Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Zusatz im wesentlichen aus 0,1 bis 2,0 Mol-$ Manganfluoridi 0,1 bis 2,0 Mol-# Kobaltoxid, 0,1 bis 1,0 Mol-$ Lanthanoxid' und 0,5 bis 5,0 Mol-$ Magnesiumoxid besteht.
    Dr.Ve./Dr.
    0 098 0 2/ 13 30
    Leerseite
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3018595A1 (de) * 1979-05-30 1980-12-04 Marcon Electronics Co Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen widerstands

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3805114A (en) * 1972-03-01 1974-04-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage-nonlinear resistors
US3806765A (en) * 1972-03-01 1974-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Voltage-nonlinear resistors
DE2342172C3 (de) * 1972-09-20 1979-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Spannungsabhängiger Widerstand mit Zinkoxid als Hauptbestandteil
JPS539397B2 (de) * 1973-07-09 1978-04-05
IT1017155B (it) * 1973-07-18 1977-07-20 Conradty Fa C Massa di resistenza dipendente dalla tensione
US4028277A (en) * 1974-02-20 1977-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-dependent resistor
US4042535A (en) * 1975-09-25 1977-08-16 General Electric Company Metal oxide varistor with improved electrical properties
US4103274A (en) * 1976-09-13 1978-07-25 General Electric Company Reconstituted metal oxide varistor
US4327349A (en) * 1980-03-19 1982-04-27 General Electric Company Transformer core having charge dissipation facility
US4436650A (en) * 1982-07-14 1984-03-13 Gte Laboratories Incorporated Low voltage ceramic varistor
US5294374A (en) * 1992-03-20 1994-03-15 Leviton Manufacturing Co., Inc. Electrical overstress materials and method of manufacture
US6198377B1 (en) * 1994-07-13 2001-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plastic thermistor and thermosensitive device comprising the same
US5854586A (en) * 1997-09-17 1998-12-29 Lockheed Martin Energy Research Corporation Rare earth doped zinc oxide varistors
JP5865711B2 (ja) * 2012-01-13 2016-02-17 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料及び低屈折率膜
JP5837183B2 (ja) * 2012-03-28 2015-12-24 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率膜形成用焼結体及びその製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3089856A (en) * 1960-11-10 1963-05-14 New Jersey Zinc Co Production of conductive zinc oxide
FR1510286A (de) * 1966-01-13 1968-04-03

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3018595A1 (de) * 1979-05-30 1980-12-04 Marcon Electronics Co Verfahren zur herstellung eines nichtlinearen widerstands

Also Published As

Publication number Publication date
US3642664A (en) 1972-02-15
JPS4840790B1 (de) 1973-12-03
NL151540B (nl) 1976-11-15
DE2022219C3 (de) 1974-06-06
DE2022219A1 (de) 1970-12-17
DE2022219B2 (de) 1973-07-19
FR2047124A5 (de) 1971-03-12
NL7006480A (de) 1970-11-04
US3936396A (en) 1976-02-03
FR2047123A5 (de) 1971-03-12
NL151830B (nl) 1976-12-15
NL7006479A (de) 1970-11-04
GB1307597A (en) 1973-02-21
DE2021983B2 (de) 1978-01-19
DE2021983C3 (de) 1978-10-12
GB1307598A (en) 1973-02-21

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