DE2016760B2 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE2016760B2
DE2016760B2 DE2016760A DE2016760A DE2016760B2 DE 2016760 B2 DE2016760 B2 DE 2016760B2 DE 2016760 A DE2016760 A DE 2016760A DE 2016760 A DE2016760 A DE 2016760A DE 2016760 B2 DE2016760 B2 DE 2016760B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
base
island
collector
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2016760A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2016760A1 (de
DE2016760C3 (de
Inventor
Adriaan Cense
Bernardus Leonardus Wensink
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2016760A1 publication Critical patent/DE2016760A1/de
Publication of DE2016760B2 publication Critical patent/DE2016760B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2016760C3 publication Critical patent/DE2016760C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
    • H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
    • H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
    • H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0658—Vertical bipolar transistor in combination with resistors or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0744—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common without components of the field effect type
    • H01L27/075—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. lateral bipolar transistor, and vertical bipolar transistor and resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/082—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including bipolar components only
    • H01L27/0821—Combination of lateral and vertical transistors only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine Halbleiteranordnung dieser Art ist aus »Scientia Electrica« X (1964) 4,97 -122 bekannt.
Solche Halbleiteranordnungen finden z. B. vielfach in monolithischen integrierten Schaltungen Anwendung.
Bei den bekannten Anordnungen besteht die Gefahr, daß, wenn im Betrieb der Kollektor-Basis-Übergang wenigstens zeitweise in Durchlaßrichtung geschaltet ist, Minoritätsladungsträger in das inselförmige Gebiet injiziert und von dem immer in Sperrichtung betriebenen isolierenden PN-Übergang, der die Insel begrenzt, gesammelt werden.
Dabei können die injizierten Minoritätsladungsträger zu einem wesentlichen Teil in das Substratgebiet gelangen, dadurch, daß der in der Sperrichtung polarisierte isolierende PN-Übergang zwischen der Insel und dem Substrat die durch das Inselgebiet hindurchdiffundierten Minoritätsladungsträger ansammelt. Der entsprechende Leckstrom geht dabei verloren, wodurch der Wirkungsgrad der Anordnung abnimmt und auch andere schaltungstechnische Schwierigkeiten auftreten können.
Aus der US-PS 32 43 669 ist eine Halbleiteranordnung mit einer Schutzringzone bekannt, die mit einem Anschlußleiter versehen ist. Dabei ist der Transistor aber nicht in einer mittels eines PN-Überganges isolierten Insel angebracht und die Schutzringzone ist nicht zum Sammeln injizierter Minoritätsladungsträger geeignet.
Der Vollständigkeit halber sei noch auf die ältere deutsche Patentanmeldung P 18 09 687.2 verwiesen, in der eine Anordnung zur Vermeidung von parasitären Effekten zwischen einer integrierten Schaltung zugehörigen Transistoren vorgeschlagen ist, bei der zwischen den Transistoren eine in die Kollektorzone hineinragende Trennzone mit einem der Kollektorzone entgegengesetzten Leitungstyp vorgesehen ist.
Weiter ist in der älteren deutschen Patentanmeldung P 17 89 026.5 ein Halbleiterbauelement mit einer eingesetzten Ringzone vorgeschlagen, die in der Basiszone angeordnet ist und den normalerweise in Durchlaßrichtung betriebenen Emitter-Basis-Ubergang umgibt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 so auszugestalten, daß die oben erwähnten Leckstromverluste beseitigt werden und gleichzeitig die Möglichkeit gegeben wird, den Polarisaticnszustand des Kollektor-Basis-Oberganges zu erkennen und/oder zu stabilisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst
Dabei kann der Anschlußleiter mit der Insel oder mit einem anderen Punkt der Anordnung verbunden sein, damit der von der Ringzone gesamme'te Ladungsträgerstrom in die Insel zurückgeführt oder auf andere Weise ausgenutzt wird. Dem Anschlußleiter kann aber auch ein Signal entnommen werden, um den Polarisationszustand des Kollektor-Basis-Überganges zu bestimmen oder zu regeln.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Im Gegensatz zu den erwähnten, bekannten Anordnungen, werden bei der Anordnung nach der Erfindung Minoritätsladungsträger, die bei Polarisierung des /W-Überganges zwischen der Basiszone und der Insel von der Basiszone her in das inselförmige Gebiet injiziert werden, zu einem wesentlichen Teil von der Ringzone gesammelt. Dies trifft insbesondere für diejenigen Ladungsträger zu, die in Richtungen nahezu parallel zu der Oberfläche injiziert werden. Über den auf der Ringzone angebrachten Anschlußleiter kann der entsprechende Strom einem anderen Punkt der Schaltung zugeführt und dort ausgenutzt werden. Dieser Effekt wird noch dadurch verstärkt, daß in Folge der Nähe der Ringzone der Strom in seitlicher Richtung in das Kollektorgebiet injizierter Minoritätsladungsträger in bezug auf den Strom dieser Ladungsträger quer zur Oberfläche zunimmt. Dadurch wird ein größerer Teil der insgesamt injizierten Ladungsträger tatsächlich von der Ringzone gesammelt.
Es sei noch bemerkt, daß das durch den Leckstrom herbeigeführte Signal an dem mit der Ringzone verbundenen Anschlußleiter auch vorteilhaft benutzt werden kann, um festzustellen, ob in Schaltungen, in denen dies unerwünscht ist, bei einem bestimmten Transistor der Kollektor-Basis-Übergang in der Durchlaßrichtung polarisiert wird. Auch kann in diesem Falle über eine geeignete Rückkopplung des erwähnten Signals die Einstellung des betreffenden Transistors auf einfache Weise automatisch korrigiert werden.
Schließlich sei noch darauf hingewiesen, daß es unter Umständen vorteilhaft sein kann, wenn zwischen der Ringzone und dem inselförmigen Gebiet eine Vorspannung in der Sperrichtung angelegt wird, um den Kollektorwirkungsgrad der zweiten Zone zu verbessern.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine Halbleiteranordnung nach der Erfindung,
F i g. 2 schematisch einen Querschnitt längs der Linie H-II der Fig. 1 durch die Anordnung nach Fig. 1,
Fig.3 schematisch eine Draufsicht auf eine andere Ausführungsform der Anordnung nach der Erfindung, und
F i g. Λ schematisch einen Querschnitt längs der Linie
ο IV-IV der F i g. 3 durch die Anordnung nach F i g. 3.
Die Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich gezeichnet wobei der Deutlichkeit halber insbesondere die Abmessungen in der Dickenrichtung stark übertrieben dargestellt sind. Entsprechende Teile sind in den
iü F i g. 1 —4 mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet In den Draufsichten sind die Umrisse von Metallschichten gestrichelt dargestellt In den schematischen Querschnitten ist der Einfachheit halber eine Diffusion in seitlicher Richtung (parallel zu der Oberfläche) nicht
ιr. berücksichtigt
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht und Fig.2 schematisch einen Querscnnitt längs der Linie H-II der Fig. 1 durch eine Halbleiteranordnung nach der Erfindung. Die Anordnung enthält einen Halbleiterkörper 1 aus
2i> Silicium mit einer praktisch ebenen Oberfläche 2, die mit einer Siliciumoxydschicht 3 überzogen ist (siehe F i g. 2). Der Körper enthält ein P-leitendes Substratgebiet (4,5), das aus einem Teil 4 mit einem spezifischen Widerstand von 3 Ω · cm und eindiffundierten P-Ieitenden Trennka-
:· nälen 5 besteht, die an die Oberfläche grenzen.
An die Oberfläche 2 grenzt ferner ein /V-Ieitendes inselförmiges Gebiet (6, 7), das im Halbleiterkörper völlig vom Substratgebiet (4, 5) umgeben ist. Dieses inselförmige Gebiet besteht aus einem durch eine etwa
in 10 μΐη dicke n-leitende epitaktische Schicht mit einem spezifischen Widerstand von 0,6 Ω · cm gebildeten Teil 6 und einer /V-Ieitenden vergrabenen Schicht 7, die teilweise in die epitaktische Schicht 6 und teilweise in das Substratgebiet 4 eindiffundiert ist und eine höhere
i") Dotierung als die epitaktische Schicht 6 aufweist Das /V-leitende inseiförmige Gebiet (6, 7) grenzt an das P-Ieitende Substratgebiet (4, 5) und bildet mit diesem Gebiet einen PN-Übergang 8. Dieser PN-Übergang 8, der im Betriebszustand in der Sperrichtung polarisiert
■w ist, bildet eine elektrische Trennung oder Isolierung zwischen dem Substrat (4,5) und der Insel (6,7).
In der Insel (6, 7) ist eine an die Oberfläche 2 grenzende völlig vom inselförmigen Gebiet (6, 7) umgebene erste P-leitende Zone 9 angebracht, in der
Γι sich eine an die Oberfläche grenzende /V-Ieitende Zone 10 befindet, die völlig von der Zone 9 umgeben ist. Die Zone 10 bildet die Emitterzone eines Transistors, dessen Basiszone durch die Zone 9 und dessen Kollektorzone durch das inselförmige Gebiet (6, 7) gebildet wird. Die
ι" Zonen 6,9 und 10 sind über Fenster in der Oxydschicht 3 mit Aluminiumkontaktschichten 11, 12 bzw. 13 verbunden. Dabei ist zur Sicherung eines guten r.iederohmigen Kontakts mit der Kollektorzone eine diffundierte /V-leitende Kontaktzone 14 gleichzeitig mit der
Γι diffundierten Emitterzone angebracht.
F i g. 2 zeigt schematisch eine Phasendetektorschaltung, in die der Transistor aufgenommen ist. Dabei werden dem Kollektor positive Spannungsimpulse zugeführt, während dem Basisstrom Ib positive Strom-
ΙΊ impulse überlagert werden. In Abhängigkeit von der Korrelation der Reihenfolge und der Größe der erwähnten Impulse kann der Kollektor-Basis-Übergang 15 zeitweilig in der Durchlaßrichtung polarisiert werden. Dabei werden über diesen Übergang 15 Löcher
•■i in die AZ-leitende Insel (6, 7) injiziert werden. Diese Löcher werden bei dem oben beschriebenen Transistor infolge der Transistorwirkung der durch die Zone 9, das Gebiet 6 und den Trennkanal 5 gebildeten Struktur
teilweise über den gesperrten pn-übergang 8 in die zum Substratgebiet gehörende Trennkanäle 5 gelangen. Der dadurch auftretende Leckstrom geht im Substrat verloren.
Um diesen Nachteil zu vermeiden bzw. zu verringern, ist nach der Erfindung neben der Basiszone 9 eine an die Oberfläche 2 grenzende innerhalb des Halbleiterkörpers völlig vom yv-leitenden Gebiet 6 umgebene P-leitende Ringzone 16 angebracht, die die Zone 9 umgibt (siehe Fig. 1) und die mit einem Anschlußleiter 11 versehen ist, der in diesem Beispiel zugleich den Kollektorkontakt bildet, so daß die Ringzone 16 mit dem Gebiet 6 verbunden ist. Infolgedessen werden die in das Gebiet 6 injizierten Löcher zu einem großen Teil von dem als Kollektor wirkenden Ring 16 gesammelt und dieser Strom kann über den Kollektorkontakt 11 abgeleitet werden. Dabei führt auch die vergrabene Schicht 7 ein elektrisches Feld im Gebiet zwischen der Schicht 7 und der Zone 9 herbei, wodurch die injizierten Löcher einer vom Substratgebiet 4 abgewandten Kraft unterworfen werden, so daß endgültig praktisch keine Löcher zu dem Substrat als Leckstrom abfließen werden.
Die Dotierung des Gebietes 6 ist derartig, daß die größte Dicke, die die Erschöpfungsschicht an den /W-Übergängen 15 oder 17 im Gebiet 6 erreichen kann, etwa 3 μπι beträgt. Der Abstand zwischen den Zonen 9 und 16 beträgt 10 μσι und ist daher erheblich größer als die Dicke der erwähnten Erschöpfungsschicht im Betriebszustand. Die Diffusionslänge für Löcher im Material der epitaktischen Schicht 6 beträgt etwa 25 μηι. Der Abstand zwischen den Zonen 9 und 16 ist somit kleiner als die erwähnte Diffusionslänge, so daß die durch die Zonen 9,6 und 16 gebildete Struktur einen verhältnismäßig guten lateralen Transistor bildet.
Die beschriebene Halbleiteranordnung kann durch allgemein übliche planare Techniken hergestellt werden. Die Zonen 10 und 14 sind durch Diffusion von Phosphor erhalten und haben eine Eindringtiefe von 2 μπι. Die Zonen 9 und 16 sind durch eine Bordiffusion erhalten und haben eine Eindringtiefe von etwa 2,7 μπι.
F i g. 3 zeigt eine Draufsicht auf und F i g. 4 schematisch einen Querschnitt längs der Linie IV-IV der F i g. 3 durch einen Teil einer integrierten monolithischen Schaltung, die einen Transistor der im vorangehenden Beispiel beschriebenen Art und einige Widerstände enthält. Der Transistor (6,9,10) hat praktisch die gleiche Bauart und die gleichen Abmessungen wie der Transistor nach den Fi g. 1 und 2. Die Ringzone 16 ist in diesem Falle aber, im Gegensatz zu dem vorangehenden Beispiel, nicht mit der Kollektorzone 6 verbunden, sondern ist (siehe F i g. 3) über Kontaktfenster 31 und 32 und eine auf der Oxydschicht 3 liegende Aluminiumschicht 33 elektrisch mit einem außerhalb der Insel (6, 7) liegenden Schaltungselement in Form eines Widerstandes 35 und außerdem mit einer auf der Oxydschicht liegenden Aluminiumkontaktfläche 36 verbunden. Dieser Widerstand wird durch eine in einer anderen /V-Ieitenden Insel 37 angebrachte diffundierte P-leitende Zone gebildet (siehe auch F i g. 4). Die Emitterzone ist mit einem Widerstand 38 und die Kollektorzone ist mit einem Widerstand 39 verbunden. Die Widerstände 35 und 38 sind an ihrem anderen Ende mit einer auf der Oxydschicht 3 liegenden Aluminiumkontaktfläche 40 verbunden, während der Kollektorwiderstand 39 mit einer Kontaktfläche 41 verbunden ist, die über das Kontaktfenster 42 und eine untenliegende diffundierte N+ -Kontaktzone mit der Insel 37 verbunden ist.
Wenn die Kontaktfläche 40 geerdet und die Kontaktfläche 41 auf ein festes positives Potential gebracht wird, wird, wenn der Basisstrom einen bestimmten Grenzwert überschreitet, der Transistor in den Sättigungszustand gesteuert, so daß der Basis-Kollektor-Übergang 15 in der Durchlaßrichtung polarisiert wird. Die dabei durch den Übergang 15 in die Basiszone 9 injizierten Löcher werden von der Ringzone 16 gesammelt, während der entsprechende Strom über den Widerstand 35 einen Spannungsabfall herbeiführen wird. Dieser Spannungsabfall kann z. B. zwischen den Kontaktflächen 40 und 36 entnommen und erforderlichenfalls mittels eines (nicht dargestellten) Rückkopplungskreises zur Korrektur der Einstellung des Transistors verwendet werden, so daß der Basis-Kollektor-Übergang wieder in der Sperrichtung polarisiert wird und der Transistor in den ungesättigten Zustand zurückkehrt.
Die Erfindung kann auch vorteilhaft bei einer Diode angewendet werden, die z. B. dadurch erhalten wird, daß in den beschriebenen Beispielen die Emitterzone 10 fortgelassen wird. Die Ringzone 16 kann auch direkt mit einem außerhalb des Halbleiterkörpers liegenden Schaltungselement verbunden werden. Die Erfindung ist naturgemäß ebenfalls bei den komplementären Strukturen anwendbar, die dadurch erhalten werden, daß die erwähnten Leitungstypen durch die entgegengesetzten ersetzt werden. Als Halbleitermaterial können andere Materialien als Silicium, ζ. Β. Germanium oder A'"BV-Verbindungen verwendet werden, während die Oxydschicht 3 ebenfalls aus anderen Materialien, wie z. B. Siliciumnitrid oder Kombinationen derselben, bestehen kann. Auch kann erforderlichenfalls eine Vorspannung in der Sperrichtung zwischen der Zone 16 und dem Gebiet 6 zur Verbesserung der Kollektorwirkung der Zone 16 angelegt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper (1) mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht (3) überzogenen, praktisch ebenen Oberfläche (2), einem an diese Oberfläche grenzenden ersten Gebiet (4, 5) eines ersten Leitungstyps, einem ebenfalls an diese Oberfläche grenzenden, inselförmigen zweiten Gebiet (6) eines zweiten, entgegengesetzten Leitungstyps, das im Halbleiterkörper völlig vom ersten Gebiet (4,5) umgeben ist, mit diesem einen als elektrische Isolierung dienenden, in Sperrrichtung betriebenen PN-Übergang (8) bildet und die Kollektorzone eines bipolaren Transistors darstellt, einer im zweiten Gebiet (6) angeordneten, an die genannte Oberfläche grenzenden Basiszone (9) vom ersten Leitungstyp, die mit dem zweiten Gebiet (6) den normalerweise in Sperrichtung betriebenen Kollektor-Basisübergang
(15) des Transistors bildet und in der eine an die genannte Oberfläche grenzende Emitterzone (10) vom zweiten Leitungstyp eingebettet ist, und mit einer zwischen der Basiszone (9) und dem isolierenden /W-Übergang (8) angeordneten, an die genannte Oberfläche grenzenden, innerhalb des Halbleiterkörpers völlig vom zweiten Gebiet (6) umgebenen Ringzone (16) mit vom zweiten Gebiet verschiedener Dotierung, die die Basiszone (9) völlig umgibt und mit einem Anschlußleiter (ll]i versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Ringzone (16) vom ersten Leitungstyp ist und in bezug auf das zweite Gebiet (6) in Sperrichtung betrieben ist, so daß diese die von dem ggf. zeitweilig in Durchlaßrichtung gepolten Kollektor-Basisübergang (15) in das zweite Gebiet (6) injizierten Ladungsträger sammelt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand der Basiszone (9) von der Ringzone (16), parallel zu der genannten Oberfläche (2) gemessen, größer als die Dicke der Verarmungsschicht ist, die sich im Betriebszustand zwischen der Basiszone und der Ringzone erstreckt.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der Basiszone (9) und der Ringzone (16), parallel zu der genannten Oberfläche (2) gemessen, höchstens gleich der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger im inselförmigen Gebiet (6) vom zweiten Leitungstyp ist.
4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußleiter (11) die Ringzone
(16) elektrisch mit dem inselförmigen Gebiet (6) vom zweiten Leitungstyp verbindet.
5. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Anschlußleiter (33) die Ringzone (16) elektrisch mit einem außerhalb des inselförmigen Gebietes (6) liegenden weiteren Schaltungselement (35) verbindet
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das erwähnte weitere Schaltungselement (35) im Halbleiterkörper (1) angebracht, und daß der Anschlußleiter eine teilweise auf der Isolierschicht (3) liegende Metallschicht (33) ist.
7. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das inselförmige Gebiet (6) unter der
ι ο
Basiszone (9) eine an das Substratgebiet (4) des ersten Gebietes (4,5) grenzende vergrabene Schicht (7) vom zweiten Leitungstyp enthält, die praktisch parallel zu der genannten Oberfläche (2) verläuft und eine höhere Dotierung als der übrige Teil des inselförmigen Gebietes aufweist
8. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe der Kollektor-Basis-Obergang (15) zwischen der Basiszone (9) und dem inselförmigen Gebiet (6) wenigstens zeitweilig in der Durchlaßrichtung polarisiert werden kann.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß dem mit der Ringzone (16) verbundenen Anschlußleiter (11) ein Signal zum Feststellen des Poiarisationszustandes des Kollektor-Basis-Oberganges (15) zwischen der Basiszone (9) und dem inselförmigen Gebiet (6) entnommen wird.
10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das erwähnte Signal über eine geeignete Rückkopplung die Einstellung des Poiarisationszustandes des Kollektor-Basis-Überganges (15) derart regelt, daß dieser Übergang wieder in Sperrichtung gepolt ist.
DE2016760A 1969-04-18 1970-04-08 Halbleiteranordnung Expired DE2016760C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6906105.A NL161923C (nl) 1969-04-18 1969-04-18 Halfgeleiderinrichting.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2016760A1 DE2016760A1 (de) 1970-11-05
DE2016760B2 true DE2016760B2 (de) 1978-12-07
DE2016760C3 DE2016760C3 (de) 1982-09-23

Family

ID=19806745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2016760A Expired DE2016760C3 (de) 1969-04-18 1970-04-08 Halbleiteranordnung

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3676714A (de)
JP (1) JPS4938070B1 (de)
BE (1) BE749078A (de)
CA (1) CA923628A (de)
CH (1) CH508280A (de)
DE (1) DE2016760C3 (de)
FR (1) FR2039285B1 (de)
GB (1) GB1301345A (de)
NL (1) NL161923C (de)
SE (1) SE363702B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4032831A1 (de) * 1990-10-16 1992-04-23 Siemens Ag Transistoranordnung fuer bipolare integrierte halbleiterschaltungen

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA997481A (en) * 1972-12-29 1976-09-21 International Business Machines Corporation Dc testing of integrated circuits and a novel integrated circuit structure to facilitate such testing
JPS5017180A (de) * 1973-06-13 1975-02-22
US3931634A (en) * 1973-06-14 1976-01-06 Rca Corporation Junction-isolated monolithic integrated circuit device with means for preventing parasitic transistor action
US3916431A (en) * 1974-06-21 1975-10-28 Rca Corp Bipolar integrated circuit transistor with lightly doped subcollector core
JPS51163682U (de) * 1976-05-10 1976-12-27
NL7712649A (nl) * 1977-11-17 1979-05-21 Philips Nv Geientegreerde schakeling.
NL7800407A (nl) * 1977-11-17 1979-05-21 Philips Nv Geientegreerde logische schakeling.
DE2835930C2 (de) * 1978-08-17 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit mindestens einem Lateraltransistor
FR2492165A1 (fr) * 1980-05-14 1982-04-16 Thomson Csf Dispositif de protection contre les courants de fuite dans des circuits integres
JPS57162365A (en) * 1981-03-30 1982-10-06 Toshiba Corp Semiconductor device
US4486770A (en) * 1981-04-27 1984-12-04 General Motors Corporation Isolated integrated circuit transistor with transient protection
US4496849A (en) * 1982-02-22 1985-01-29 General Motors Corporation Power transistor protection from substrate injection
FR2525818A1 (fr) * 1982-04-23 1983-10-28 Thomson Csf Transistor npn a detection de saturation et circuits logiques comprenant un tel transistor
JPH0654777B2 (ja) * 1985-02-12 1994-07-20 キヤノン株式会社 ラテラルトランジスタを有する回路
US4710793A (en) * 1985-09-04 1987-12-01 Motorola, Inc. Voltage comparator with hysteresis
JPS6288137U (de) * 1985-11-20 1987-06-05
ES2066963T3 (es) * 1989-01-13 1995-03-16 Canon Kk Cabezal de impresion.
US5066869A (en) * 1990-04-09 1991-11-19 Unitrode Corporation Reset circuit with PNP saturation detector
JPH08504297A (ja) * 1992-03-10 1996-05-07 アナログ・ディバイセス・インコーポレーテッド 集積回路保護バイアシングのための回路構造
US6548878B1 (en) 1998-02-05 2003-04-15 Integration Associates, Inc. Method for producing a thin distributed photodiode structure
US7217988B2 (en) * 2004-06-04 2007-05-15 International Business Machines Corporation Bipolar transistor with isolation and direct contacts

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL261720A (de) * 1960-03-04
US3177414A (en) * 1961-07-26 1965-04-06 Nippon Electric Co Device comprising a plurality of transistors
NL293292A (de) * 1962-06-11
NL297002A (de) * 1962-08-23 1900-01-01
GB1030050A (en) * 1963-11-13 1966-05-18 Motorola Inc Punchthrough breakdown rectifier
FR1475201A (fr) * 1965-04-07 1967-03-31 Itt Dispositif plan à semi-conducteurs
US3395320A (en) * 1965-08-25 1968-07-30 Bell Telephone Labor Inc Isolation technique for integrated circuit structure
FR1510057A (fr) * 1966-12-06 1968-01-19 Csf Transistors intégrés complémentaires npn et pnp à collecteurs isolés

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4032831A1 (de) * 1990-10-16 1992-04-23 Siemens Ag Transistoranordnung fuer bipolare integrierte halbleiterschaltungen

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4938070B1 (de) 1974-10-15
DE2016760A1 (de) 1970-11-05
NL161923B (nl) 1979-10-15
GB1301345A (de) 1972-12-29
FR2039285B1 (de) 1975-03-07
NL161923C (nl) 1980-03-17
DE2016760C3 (de) 1982-09-23
US3676714A (en) 1972-07-11
BE749078A (fr) 1970-10-16
SE363702B (de) 1974-01-28
FR2039285A1 (de) 1971-01-15
NL6906105A (de) 1970-10-20
CA923628A (en) 1973-03-27
CH508280A (de) 1971-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2016760C3 (de) Halbleiteranordnung
DE69034136T2 (de) Bipolarer transistor mit isolierter steuerelektrode
DE1944793C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung
DE102008023519A1 (de) Halbleiterbauteil mit isolierter Steuerelektrode und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3806164A1 (de) Halbleiterbauelement mit hoher durchbruchspannung
DE2030917C3 (de) Halbleiteranordnung
DE2045567C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3142644C2 (de) Halbleiteranordnung mit in einem Halbleiterkörper angeordneten Bipolartransistor und Diode
DE1764578C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Feldeffekttransistor
DE1614250C3 (de) Halbleiteranordnung mit Gruppen von sich kreuzenden Verbindungen
DE2525529B2 (de) Halbleiteranordnung mit komplementaeren transistorstrukturen und verfahren zu ihrer herstellung
DE1639177C3 (de) Monolithisch integrierte Gleichrichterschaltung
DE2263075C3 (de) Elektrische Spannungsversorgung für eine monolithisch integrierte Halbleiteranordnung
DE2954286C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2046053B2 (de) Integrierte Schaltung
DE2607194C2 (de) Halbleiteranordnung
DE3039638A1 (de) Gegen stromueberlastung gesicherter darlingtonverstaerker und herstellung desselben in form einer integrierten halbleiterschaltung
DE19750897C2 (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate mit einer planaren Gatestruktur und dessen Herstellungsverfahren
DE2128868C3 (de) Halbleiteranordnung
DE2456635C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit negativem Widerstand
DE2718644C2 (de) Monolithisch' integrierte Halbleiterdiodenanordnung und deren Verwendung als Gehörschutzgleichrichter
DE2051892C3 (de) Halbleiteranordnung
DE2005940C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2133981C3 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper mit einem Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1931201C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zenerdiode

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee