DE2016760A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

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DE2016760A1 DE19702016760 DE2016760A DE2016760A1 DE 2016760 A1 DE2016760 A1 DE 2016760A1 DE 19702016760 DE19702016760 DE 19702016760 DE 2016760 A DE2016760 A DE 2016760A DE 2016760 A1 DE2016760 A1 DE 2016760A1
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Description

PHH. 3995. Va/RV.
Ing. (grad.) GÜNTHER M. DAVID
Pateniessessor
Anmelder: fi.Y. F.-iiL!P3; GLQEiLAMPENFABHIEKiN
Aktes PHU- 3995
Anmeldung vom* y# April 197Ο
Halbleiteranordnung.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen, praktisch ebenen Oberfläche, einem an diese Oberfläche grenzenden Substratgebiet von einem ersten Leitungstyp und einem gleichfalls an diese Oberfläche grenzenden inselförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp, das im Halbleiterkörper völlig von dem Substratgebiet umgeben ist und mit diesem einen als elektrische Isolierung zwischen den erwähnten Gebieten dienenden pn-llebergang bildet, wobei in dem inselförmigen Gebiet mindestens eine an die Oberfläche grenzende völlig vom inselförmigen Gebiet umgebene erste Zone vom ersten Leitungstyp angebracht ist.
HalbleiterAnordnungen der beschriebenen Art sind bekannt und
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finden z.B. vielfach in monolithischen integrierten Schaltungen Anwendung. Dabei bildet die erwähnte erste Zone z.B. die Basiszone eines Transistors, der gegen ausserhalb des inselförmigen Gebiets im Halbleiterkörper angebrachte weitere Schaltungselemente durch den pn-Uebergang zwischen der Insel und dem Substratgebiet elektrisch isoliert ist, welcher pn-Uebergang im Betriebszustand in der Sperrrichtung vorgespannt ist. Auch kann die erwähnte erste Zone zusammen mit dem inselförmigen Gebiet als Diode verwendet werden oder einen Teil anderer Halbleiterstrukturen bilden.
Wenn bei einem derartigen Anordnung im Betriebszustand der pn-Uebergang zwischen der ersten Zone und dem inselförmigen Gebiet dauernd oder zeitweilig in der Durchlassrichtung polarisiert wird, werden in die Insel Minoritätsladungs.träger injiziert, die über einen auf der Insel angebrachten Anschlussleiter abgeleitet werden können. So kann z.B. bei einem Transistor, dessen Kollektorzone durch das inselförmige Gebiet und dessen Basiszone durch die erwähnte erste Zone gebildet wird, der Kollektor-Basis-Uebergang unter bestimmten Bedingungen in der Durchlassrichtung polarisiert werden, wobei ein Strom von Minoritätsladungsträgern in die Kollektorzone injiziert wird.
Dabei können die injizierten Minoritätsladungsträger zu einem wesentlichen Teil in das Substratgebiet gelangen, dadurch, dass der in der Sperrichtung polarisierte isolierende pn-Uebergang zwischen der Insel und dem Substrat die durch das Inselgebiet hindurchdiffundierten Minoritätsladungsträger ansammelt. Der entsprechende Leckstrom geht dabei verloren, wodurch der Wirkungsgrad der Anordnung abnimmt und auch andere schalttechnische Schwierigkeiten auftreten können.
Die Erfindung bezweckt u.a., die den erwähnten bekannten Anordnungen anhaftenden Nachteile zu beseitigen oder wenigstens in erheb-
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lichem Masse zu verringern.
Der Erfindung liegt u.a. die-Erkenntnis zugrunde, dass durch die Anbringung einer Zone vom zweiten Leitungstyp in dem inselfSrmigen Gebiet neben der ersten Zone der beschriebene Leckstrom, der durch die Transistorwirkung der durch die erste Zone, das inseifSrmige Gebiet und das Substratgebiet gebildeten Struktur herbeigeführt wird, in erheblichem Masse herabgesetzt werden kann.
Eine Halbleiteranordnung der eingangs beschriebenen Art ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass neben der erwähnten ersten Zone eine an die Oberfläche grenzende innerhalb des Halbleiterkörpers völlig vom inselförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp umgebene zweite Zone vom ersten Leitungstyp angebracht ist, die die erste Zone praktisch völlig umgibt und die mit einem Anschlussleiter versehen ist.
Im Gegensatz zu den erwähnten bekannten Anordnungen werden bei der Anordnung nach der Erfindung Minoritätsladungsträger, die bei Polarisierung des pn-Uebergangs zwischen der ersten Zone und der Insel von der ersten Zone her in das inseifSrraige Gebiet injiziert werden, zu einem wesentlichen Teil von der erwähnten zweiten Zone angesammelt. Dies trifft insbesondere für diejenigen Ladungsträger zu, die in Richtungen nahezu parallel zu der Oberfläche injiziert werden. Ueber den auf der zweiten Zone angebrachten Anschlussleiter kann der entsprechende Strom einem anderen Punkt der Schaltung zugeführt und dort ausgenutzt werden.
Der erwähnte Effekt wird noch dadurch verstärkt, dass infolge der Nähe der zweiten Zone der Strom in seitlicher Richtung in das Kollektorgebiet injizierter Minoritätsladungsträger in bezug auf den Str dieser Ladungsträger quer zur Oberfläche zunimmt. Dadurch wird ein grösserer Teil der insgesamt injizierten Ladungsträger tatsächlich von der erwähnten zweiten Zone angesammelt.
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Um einen optimalen ausnutzbaren Kollektoreffekt zu erzielen, muss der durch die erste Zone, die zweite Zone und der zwischenliegende Teil des inselförmigen Gebiets gebildete laterale Transistor vorzugsweise möglichst günstige Transistoreigenschaften aufweisen. Daher ist nach einer ersten besonderen Ausführungsform der Anordnung gemäss der Erfindung der Abstand der ersten Zone von der zweiten Zone, parallel zu der Oberfläche gemessen, grosser als die Dicke der Erschöpfungsschicht, die sich im Betriebszustand zwischen der ersten und der zweiten Zone erstreckt, so dass in dem erwähnten lateralen Transistor kein Durchschlag (punch-through) auftritt, wodurch das Potential der zweiten Zone beeinflusst werden könnte auf einer Weise die in den meisten Fällen als ungünstig zu betrachten ist. Um eine möglichst zweckmässige Sammlung von Minoritätsladungsträgern durch die zweite Zone zu erreichen, ist dieser Abstand andererseits vorteilhaft höchstens gleich der Diffusionslänge von Minoritätsladungsträgern im inselförmigen Gebiet.
Die Erfindung ist von besonderer Bedeutung bei Halbleiteranordnungen, bei denen in einer isolierten Insel ein Transistor angebracht ist. Durch Anwendung der Erfindung kann, wenn dieser Transistor derart in eine Schaltung aufgenommen ist, dass im Betriebszustand der Basis-h-ollektor-Uebergang wenigstens zeitweilig in der Durchlaserichtung polarisiert wird, der Leckstrom zu dem Substrat in erheblichem Masse von der zweiten Zone aufgefangen werden. Dabei kann dieser Leckstrom z.B. über den Kollektorkontakt abgeleitet werden. In diesem Zusammenhang ist eine bevorzugte Ausführungsform nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dase innerhalb der ersten Zone eine an die Oberfläche grenzende Zone vom zweiten Leitungstyp angebracht ist, die von der ersten Zone völlig umgeben ist und die Emitterzone eines Transistors bildet, dessen Basiszone
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durch die erste Zone und dessen Kollektorzone durch das inselfömige Gebiet gebildet wird.
Die von der zweiten Zone gesammelten Ladungsträger können über den auf der zweiten Zone angebrachten Anschlussleiter jedem geeignet gewählten Punkt der Schaltung zugeführt werden. Es ist aber besonders vorteilhaft, wenn die zweite Zone mittels des erwähnten Anschlussleiters elektrisch mit dem inselförnigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp verbunden ist, so dass der Leckstrom über den auf der Insel angebrachten Anschlusskontakt abgeleitet werden kann.
Nach einer weiteren besonderen Ausführungsform ist die zweite Zone elektrisch mit einem ausserhalb des inselförmigen Gebietes liegenden weiteren Schaltungselement verbunden. Dieses Schaltungselement kann ausserhalb des Halbleiterkörpers liegen. Besonders wichtig ist aber eine bevorzugte Ausführungsform, bei der dieses weitere Schaltungselement in dem Halbleiterkörper angebracht und über eine teilweise auf der Isolierschicht liegende Metallschicht mit der zweiten Zone verbunden ist.
Es sei noch bemerkt, dass das durch den erwähnten Leckstrom herbeigeführte Signal an dem mit der zweiten Zone verbundenen Anschlussleiter auch vorteilhaft benutzt werden kann, um festzustellen, ob in Schaltungen, in denen dies unerwünscht ist, bei einem bestimmten Transistor der Kollektor-Basis-Uebergang in der Durchlassrichtung polarisiert wird. Auch kann in diesem Falle Über eine geeignete Rückkopplung des erwähnten Signals die Einstellung des betreffenden Transistors auf einfache Weise automatisch korrigiert werden»
Eine weitere besondere Auaführungsform let dadurch gekennzeichnet, dass das inseiförmige Gebiet unter der ersten Zone eine an das iSubstratgebiet grenzende vergrabene Schicht vom zweiten Leitungstyp ent-
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hält, die praktisch parallel zu der Oberfläche verläuft und eine höhere Dotierung als der übrige Teil des inseifSrmigen Gebietes aufweist. Durch das Vorhandensein dieser vergrabenen Schicht werden Minoritätsladungsträger, die in einer Richtung quer zur Oberfläche von der ersten Zone her in die Insel injiziert werden, den pn-Uebergang zwischen der Insel und dem Substrat nicht erreichen, was einerseits auf das durch das Vorhandensein der vergrabenen Schicht in das inselförmige Gebiet eingebaute elektrische Feld und andererseits auf Rekombination in der vergrabenen Schicht zurückzuführen ist. Durch Anwendung der Erfindung werden in diesem Falle praktisch keine der von der ersten Zone her in die Insel injizierten Minoritätsladungsträger zu dem Substrat abfliessen.
Schliesslich sei noch darauf hingewiesen, dass es unter Umständen vorteilhaft sein kann, wenn zwischen der zweiten Zone und dem inseiförmigen Gebiet eine Vorspannung in der Sperrichtung angelegt wird, um den Kollektorwirkungsgrad der zweiten Zone zu verbessern.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf eine Halbleiteranordnung nach der Erfindung,
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt längs der Linie II-II der Fig. 1 durch die Anordnung nach Fig. 1,
Fig. 3 schematisch eine Draufsicht auf eine andere Ausflihrungsform der Anordnung nach der Erfindung, und
Fig. 4 achematisch einen Querschnitt längs der Linie IV-IV der Fig. 3 durch die Anordnung nach Fig. 3·
Die Figuren sind schematisch und nicht masstnblich gezeichnet, wobei der Deutlichkeit halber insbesondere die Abmessungen in der
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Dickenrichtung stark übertrieben dargestellt sind. Entsprechende Teile sind in den Figuren 1-4 mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. In den Draufsichten sind die Umrisse von Metallschichten gestrichelt dargestellt. In den schematischen Querschnitten ist der Einfachheit halber eine Diffusion in seitlicher Richtung (parallel zu der Oberfläche) nicht berücksichtigt.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht und Fig. 2 schematisch einen Querschnitt längs der Linie II-II der Fig. 1 durch eine Halbleiteranordnung nach der Erfindung. Die Anordnung enthält einen Halbleiterkörper 1 aus Silicium mit einer praktisch ebenen Oberfläche 2, die mit einer SiIiciumoxydschicht 5 überzogen ist (siehe Fig. 2). Der Körper enthält ein p-leitendes Substratgebiet (4»5)» das aus einem Teil 4 mit einem spezifischen Widerstand von 3^-.cm und eindiffundierten p-leitenden Trennkanälen 5 besteht, die an die Oberfläche grenzen.
An die Oberfläche 2 grenzt ferner ein η-leitendes inselförmiges Gebiet (6,7)» das im Halbleiterkörper völlig vom Substratgebiet (4,5) umgeben ist. Dieses inseiförmige Gebiet besteht aus einem durch eine etwa 10y££m dicke η-leitende epitaktische Schicht mit einem spezifischen Widerstand von 0,6Xi-.cm gebildeten Teil 6 und einer η-leitenden vergrabenen Schicht 7, die teilweise in die epitaktische Schicht 6 und teilweise in das Substratgebiet 4 eindiffundiert ist und eine höhere Dotierung als die epitaktische Schicht 6 aufweist. Das η-leitende inseiförmige Gebiet (6,7) grenzt an das p-leitende Substratgebiet (4,5) und bildet mit diesem Gebiet einen pn-Uebergang 8. Dieser pn-Uebergang Θ, der im Betriebszustand in der Sperrichtung polarisiert ist, bildet eine elektrische Trennung oder Isolierung zwischen dem Substrat (4,5) uiw ^r Insel (6,7).
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In der Insel (6,7) ist eine an die Oberfläche 2 grenzende völlig vom inselförmigen Gebiet (6,7) umgebene erste p-leitende Zone 9 angebracht, in der sich eine an die Oberfläche grenzende η-leitende Zone 10 befindet, die völlig von der Zone 9 umgeben ist. Die Zone 10 bildet die Emitterzone eines Transistors, dessen Basiszone durch die Zone 9 und dessen Kollektorzone durch das inselförmige Gebiet (6,7) gebildet wird. Die Zonen 6, 9 und 10 sind über Fenster in der Oxydschicht 3 mit Aluminiumkontaktschichten 11, 12 bzw. 13 verbunden. Dabei ist zur Sicherung eines guten niederohmigen Kontakts mit der Kollektorzone eine diffundierte η-leitende Kontaktzone I4 gleichzeitig mit der diffundierten Emitterzone angebracht.
Fig. 2 zeigt schematisch eine Phasendetektorschaltung, in die der Transistor aufgenommen ist. Dabei werden dem Kollektor positive Spannungsimpulse zugeführt, während dem Basisstrom I-, positive Stromimpulse überlagert werden. In Abhängigkeit von der Korrelation der Reihenfolge und der Grosse der erwähnten Impulse kann der Kollektor-Basis-Uebergang 15 zeitweilig in der Durchlassrichtung polarisiert werden. Dabei werden über diesen Uebergang 15 Löcher in die η-leitende Insel (6,7) injiziert werden. Diese Löcher werden bei dem obenbeschriebenen Transistor infolge der Transistorwirkung der durch die Zone 9» das Gebiet 6 und den Trennkanal 5 gebildeten Struktur teilweise über den gesperrten pn-Uebergang 8 in die zum Substratgebiet gehörende Trennkanäle 5 gelangen. Der dadurch auftretende Leckstrom geht im Substrat verloren.
Um diesen Nachteil zu vermeiden bzw. zu verringern, ist nach der Erfindung neben der Basiszone 9 eine an die Oberfläche 2 grenzende innerhalb des Halbleiterkörper völlig vom η-leitenden Gebiet 6 umgebene p-leitende zweite Zone 16 angebracht, die die Zone 9 umgibt (siehe Fig.i)
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und die mit einem Anschlussleiter 11 versehen ist, der in diesem Beispiel zugleich den Kollektorkontakt bildet, so dass die Zone 16 mit dem Gebiet 6 verbunden ist. Infolgedessen werden die in das Gebiet 6 injizierten Löcher zu einem grossen Teil von dem als Kollektor wirkenden Ring 16 gesammelt und dieser Strom kann über den Kollektorkontakt 11 abgeleitet werden. Dabei führt auch die vergrabene Schicht 7 ein elektrisches Feld im Gebiet zwischen der Schicht 7 und der Zone 9 herbei, wodurch die injizierten Lb'cher einer vom Substratgebiet 4 abgewandten Kraft unterworfen werden, so dass endgültig praktisch keine Lb'cher zu dem Substrat als Leckstrom abfliessen werden·
Die Dotierung des Gebietes 6 ist derartig, dass die grösste Dicke, die die Erschöpfungsschicht an den pn-Uebergängen 15 oder 17 im Gebiet 6 erreichen kann, etwa 3 Am beträgt. Der Abstand zwischen den Zonen 9 und 16 betragt 10/zm und ist daher erheblich grosser als die Dicke der erwähnten Erschöpfungsschicht im Betriebszustand. Die Diffusionslänge für Löcher im Material der epitaktischen Schicht 6 beträgt etwa 25^m. Der Abstand zwischen den Zonen 9 und 16 ist somit kleiner als die erwähnt« Diffusionalänge, so dass die durch die Zonen 9f 6 und 16 gebildete Struktur einen verhältnismässig guten lateralen Transistor bildet. '
Die beschriebene Halbleiteranordnung kann durch allgemein übliche planare Techniken hergestellt werden. Die Zonen 10 und 14 sind durch Diffusion von Phosphor erhalten und haben eine Eindringtiefe von 2/iiB, Die Zonen 9 und 16 sind durch eine Bordiffusion erhalten und haben eine Eindringtiefe von etwa 2,7JLLm,
Pig. 5 zeigt eine Draufsicht auf und Fig. 4 schematisch einen querschnitt längs der Linie IV-IV der Fig. 3 durch einen Teil einer
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integrierten monolithischen Schaltung, die einen Transistor der im vorangehenden Beispiel beschriebene Art und einige Widerstände enthält. Der Transistor (6,9,10) hat praktisch die gleiche Bauart und die gleichen Abmessungen wie der Transistor nach den Figuren 1 und 2. Die ringförmige Zone 16 ist in diesem Falle aber, im Gegensatz zu dem vorangehenden Beispiel, nicht mit der Kollektorzone 6 verbunden, sondern ist (siehe Fig.3) über Kontaktfenster 31 und 32 und eine auf der Oxydschicht 3 liegende Aluminiumschicht 33 elektrisch mit einem ausserhalb der Insel (6,7) liegenden Schaltungselement in Form eines Widerstandes 35 und ausserdem mit einer auf der Oxydschicht liegenden Aluminiumköntaktfläche 36 verbunden. Dieser Widerstand wird durch eine in einer anderen n-leitenden Insel 37 angebrachte diffundierte p-leitende Zone gebildet (siehe auch Fig. 4)· Die Emitterzone ist mit einem Widerstand 3Ö und die Kollektorzone ist mit einem Widerstand 39 verbunden. Die Widerstände 35 und 38 sind an ihrem anderen Ende mit einer auf der Oxydschicht 3 liegenden Aluminiumkontaktfläche 40 verbunden, während der Kollektorwiderstand mit einer Kontaktfläche 41 verbunden ist, die über das Kontaktfenster und eine unterliegende diffundierte η -Kontaktzone mit der Insel 37 verbunden ist.
Wenn die Kontaktflache 40 geerdet und die Kontaktfläche auf ein festes positives Potential gebracht wird, wird, wenn der Basisstrom einen bestimmten Grenzwert überschreitet, der Transistor in den SSttigungezustand gesteuert, so dass der Basis-Kollektor-Uebergang 15 in der Durchlassrichtung polarisiert wird. Die dabei durch den Uebergang 15 in die Basiszone 9 injizierten Löcher werden von der ringförmigen Zone 16 gesammelt, während der entsprechende Strom über dem Widerstand 35 einen Spannungsabfall herbeiführen wird. Dieser Spannungsabfall kann
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ζ..B. zwischen den Kontaktflächen 40 und 36 entnommen und erforderlichenfalls mittels eines (nicht dargestellten) Rückkopplungskreises zur Korrektur der Einstellung des Transistors verwendet werden, so dass der Basis-Kollektor-Uebergang wieder in der Sperrichtung polarisiert wird und der Transistor.in den ungesSttigten Zustand zurückkehrt.
Es ist einleuchtend, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschrankt, sondern dass im Rahmen der Erfindung viele Abarten möglich sind. So kann z.B. die Erfindung auch vorteilhaft bei einer Diode angewandt werden, die z.B. dadurch erhalten wird, dass in den beschriebenen Beispielen die Emitterzone 10 fortgelassen wird. Die Zone 16 kann auch direkt mit einem ausserhalb des Halbleiterkörper liegenden Schaltungselement verbunden werden. Die Erfindung ist naturgemäß s ebenfalls bei den komplementären Strukturen anwendbar, die dadurch erhalten werden, dass die erwähnten Leitungstype durch die entgegengesetzten ersetzt werden. Als Halbleitermaterial können andere Materialien als Silicium, z.B. Germanium oder AIIIBV-Verbindungen verwendet werden, während die Oxydschicht 3 ebenfalls aus anderen Materialien, wie z.B. Siliciumnitrid oder Kombinationen derselben bestehen kann. Auch kann erforderlichenfalls eine Vorspannung in der Sperrichtung zwischen der Zone 16 und dem Gebiet 6 zur Verbesserung der Kollektorwirkung der Zone 16 angelegt werden.

Claims (9)

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    PATENTANSPRÜCHE!
    \1· ) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen praktisch ebenen Oberfläche, einem an diese Oberfläche grenzenden Substratgebiet von einem ersten Leitungstyp und einem gleichfalls an diese Oberfläche grenzenden inseiförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp, das im Halbleiterkörper völlig vom Substratgebiet umgeben ist und mit diesem einen als elektrische Isolierung zwischen den erwähnten Gebieten dienenden pn-Uebergang bildet, wobei in dem inseiförmigen Gebiet mindestens eine an die Oberfläche grenzende völlig vom inselförmigen Gebiet umgebene erste Zone vom ersten Leitungstyp angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass neben der erwähnten ersten Zone eine an die Oberfläche grenzende innerhalb des Halbleiterkörpers völlig von dem inselförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp umgebene zweite Zone vom ersten Leitungstyp angebracht ist, die die erste Zone praktisch völlig umgibt und die mit einem Anschlussleiter versehen ist.
  2. 2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der ersten Zone von der zweiten Zone, parallel zu der Oberfläche gemessen, grosser als die Dicke der Erschöpfungsschicht ist, die sich im Betriebszustand zwischen der ersten und der zweiten Zone erstreckt,
  3. 3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der ersten Zone von der zweiten Zone, parallel zu der Oberfläche gemessen, höchstens gleich der Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger im inselförmigen Gebiet vom zweiten Leitungetyp ist.
  4. 4. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb der ersten i^one
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    eine an die Oberfläche grenzende Zone vom zweiten Leitungstyp angebracht ist, die völlig von der ersten Zone umgeben ist und die Emitterzone eines Transistors bildet, dessen Basiszone durch die erste Zone und dessen Kollektorzone durch das inselförmige Gebiet gebildet wird.
  5. 5· Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone elektrisch mit dem inseiförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp verbunden ist.
  6. 6. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Zone elektrisch mit einem ausserhalb des ihselförmigen Gebietes liegenden weiteren Schaltungselement verbunden ist.
  7. 7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das erwähnte weitere Schaltungselement im Halbleiterkörper angebracht und über eine teilweise auf der Isolierschicht liegende Metallschicht mit der zweiten Zone verbunden ist.
  8. 8. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden AnsprUche, dadurch gekennzeichnet, dass das inselförmige Gebiet unter der ersten Zone eine an das Substratgebiet grenzende vergrabene Schicht vom zweiten Leitungstyp enthält, die praktisch parallel zu der Oberfläche verläuft und eine höhere Dotierung als der übrige Teil des inselförmigen Gebietes aufweist.
  9. 9. Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorstehenden AnsprUche, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe der pn-üebergang zwischen der ersten Zone und dem inselförmigen Gebiet wenigstens zeitweilig in der Durchlassrichtung polarisiert werden
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