DE1803032A1 - Steuerbares Halbleiterbauelement - Google Patents

Steuerbares Halbleiterbauelement

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DE1803032A1
DE1803032A1 DE19681803032 DE1803032A DE1803032A1 DE 1803032 A1 DE1803032 A1 DE 1803032A1 DE 19681803032 DE19681803032 DE 19681803032 DE 1803032 A DE1803032 A DE 1803032A DE 1803032 A1 DE1803032 A1 DE 1803032A1
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Description

6671-68/ta/* 1 Θ 03032
RCA 59 469
Convention Date:
October 13, 1967
Radio Corporation of America, New York, Kf. Y., V. St. A. Steuerbares Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft ein steuerbares Halbleiterbauelement, insbesondere einen sogenannten Lateraltransistor mit einer Stromsteuerelektrode.
PUr viele Anwendungs zwecke ist es wünschenswert, einen Bipolartransistor zur Verfugung zu haben, dessen Stromverstärkung mittels einer Hilfselektrode steuerbar ist. Derartige verstärkungsgesteuerte Bauelemente sind von sehr großem Nutzen für Anordnungen wie Analog-Digital-Wandler; Misch- oder Umsetzerstufen (bei denen eines der zu mischenden oder umzusetzenden Signale der Verstärkungssteuerelektrode und das andere Signal einer der anderen Elektroden des Transistors zugeführt sind), Frequenzdiskriminatoren sowie Pestkörperschalter.
Es ist bekannt, daß eine gewisse Steuerung des Stromflusses durch einen Planartransistor mit Hilfe einer Steuerelektrode erreicht werden kann, die auf einer Isolierschicht, die entweder den Bnitter-Basis- oder den Basis-Kollektor-pn-Obergang an der Stelle, wo der Obergang an die Halbleiteroberfläche reicht, überlagert, angeordnet ist. Eine derartige Anordnung ist z.B. in der USA-Patentschrift 3 204 160 beschrieben. Bei dieser Anordnung wird mittels der Feldsteuerelektrode die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit in dem Gebiet verändert, wo der planere
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Obergang bis zur Halbleiteroberfläche reicht. Ba jedoch der Stromfluß über den pn-übergang hauptsächlich auf das Innere der Halbleiterhaupt-' masse statt in der Nähe der Oberfläche konzentriert ist, ist bei dieser Anordnung eine Steuerung in nur beschränktem Maße möglich.
Eine andere bereits vorgeschlagene Anordnung arbeitet mit einer Feldsteuerelektrode in Verbindung mit einem üblichen Planartransistor, bei dem ein Hilfsgebiet vom gleichen Leitungstyp wie das Bnittergebiet im Basisgebiet (und im elektrischen Kurzschluß hiermit) vorgesehen ist. Das Hilfsgebiet, ebenso wie das Knittergebiet, reicht bis zur Halbleiteroberfläche, und die Feldsteuerelektrode wird dazu verwendet, den Leitungstyp eines Oberflächenteils des Basisgebietes umzukehren, um das Emittergebiet nach dem Hilfsgebiet "kurzzuschließen", so daß folglich das Bnittergebiet nach dem Basisgebiet kurzgeschlossen wird.
Diese Anordnung, die in verschiedenen Ausführungsformen in den USA-Patentschriften 3 243 669 und 3 271 640 beschrieben ist, ist hauptsächlich für Schalterzwecke gedacht, wobei es wiederum schwierig ist, eine Oberflächensteuerung des Stromflusses im herkömmlichen Planartransistor zu erzielen, da der größte Teil des Stromflusses zwischen den verschiedenen aktiven Gebieten des Transistors auf das Innere des Halbleiterkörpers statt in der Nähe der Oberfläche bei der Feldsteuerelektrode konzentriert ist. ■ .
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement mit einer Feldsteuerelektrode zu schaffen, mit der sich der Stromfluß durch das Bauelement stärker beeinflussen läßt·
Weiter soll ein Transistor mit einer Feldsteuerelektrode geschaffen werden, der entweder als verstärkungsveränderliches oder als Schalterelement betrieben werden kann.
Die Erfindung geht aus von einem Halbleiterbauelement, bei dem an einer gemeinsamen Halbleiteroberfläche ein mittleres Gebiet, ein Basisgebiet und ein äußeres Gebiet angebracht sind, wobei die Breite des Basisgebietes an der gemeinsamen Oberfläche so bemessen ist, daß der größte Teil des Stromflusses durch das Basisgebiet im wesentlichen auf den Bereich unmittelbar an der gemeinsamen Oberfläche beschränkt ist. Er-
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fiadungsgeaäß ist vorgesehen· daß eine Steuerelektrode mindestens einen Teil des Basisgebietes an der gemeinsamen Oberfläche überlagert und hiervon durch eine Isolierschicht getrennt ist. Me Steuerelektrode ist zwecks Steuerung des Stromflusses durch das Basisgebiet durch Anlegen einer Spannungsdifferenz zwischen ihr und dem Basisgebiet vorspannbar.
In der Zeichnung zeigent Figur 1 einen Querschnitt eines erfindungsgemäßen Lateraltransistors ;
Figur 2 einen Grundriß des Transistors nach Figur 1, wobei die Schicht 15 so dargestellt ist, als wäre sie durchsichtig; und
Figur 3 einen Querschnitt eines Lateraltransistors gemäß einer anderen AusfUhrungsform der Erfindung.
Der in Figur 1 gezeigte Transistor 1 ist auf einem p-leitenden Siliciumsubstrat 2 aufgebaut. Auf der einen Oberfläche des Substrats 2 ist eine η-leitende epitaktische SiIiciumschient 3, die eine Dicke in der Größenordnung von 10 Mikron haben kann, angebracht.
Vor dem Aufbringen der epitaktischen Schicht 3 wird durch Eindiffundieren eines geeigneten Donatorstoffes in diejenige Oberfläche des Substrats 2, auf der die epitaktische Schicht 3 gebildet werden soll, ein stark dotiertes η-leitendes Gebiet 4 niedrigen spezifischen Widerstands gebildet. Die epitaktische Schicht 3 kann einen spezifischen Widerstand in der Größenordnung von 1 Ohmzentimeter haben.
Ein p-leitender Isolierring 5 relativ niedrigen spezifischen Widerstands wird dadurch gebildet, daß ein geeigneter Akzeptorstoff gänzlich durch die epitaktische Schicht 3 hindurchdiffundiert wird, so daß innerhalb der epitaktischen Schicht 3 ein isoliertes η-Gebiet entsteht. Der Sing 5 sorgt zusammen mit dem Substrat 2 dafür, daß das innerhalb des diffundierten Singes befindliche η-Gebiet von anderen Halbleiterelementen, die in anderen Teilen der epitaktischen Schicht 3 angebracht werden können, isoliert wird.
Als nächstes werden durch Eindiffundieren eines geeigneten Akzeptorstoffes in die freiliegende Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 P-leitende Emitter- und Kollektorgebiete 6 bzw. 7 gebildet. Das Bnitter-
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gebiet 6 hat die Form eines zentralen Quadrats und ist von einem ringförmigen Teil 8 der epitaktischen Schicht, der als aktives Basisgebiet des Transistors 1 dient, umgeben.
Das Emittergebiet 6 und das Kollektorgebiet 7 haben einen Flächenwiderstand in der Größenordnung von 200 Ohm pro Flücheneinheit und eine Tiefe von ungefähr 2 Mikron, gemessen von der freiliegenden Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 aus. Die spezifischen Widerstände der Gebiete 4 und 5 können 20 bzw. 5 Ohm pro Flächeneinheit betragen.
Das Kollektorgebiet 7 hat die Form eines asymmetrischen Quadratringes, der das ringförmige Basisgebiet δ umgibt. Bine £ollektorelektrode ™ 9 in Form eines aufgebrachten Aluminiurafilms erstreckt sich über eine Is£
Iierschient 15 und kontaktiert durch diese hindurch den relativ breiten Teil des Eollektorgebiets 7. In ähnlicher Weise wird das Bnittergebiet β durch eine Emitterelektrode 10 in Form eines weiteren Aluminiumfilmes elektrisch kontaktiert. Ein η-leitendes U-förraiges Gebist 11 relativ niedrigen spezifischen Widerstands ist in den isolierten Teil der epitaktischen Schicht 3 eindiffundiert, so daß sich ein guter ohmscher Kontakt mit diesem Schichtteil ergibt.
Das U-f8rmige diffundierte Gebiet 11 und damit der isolierte Teil der epitaktischen Schicht 3 sowie das ringförmig« Basisgebiet 8 sind durch eine Basiselektrode 12 in Form eines dritten aufgebrachten Alurai- - niumfilms elektrisch kontaktiert«
Das zentrale Bnittergebiet S bildet mit' dein Basisgebiet 8 einen pnübergang mit einem ringförmigen Teil 13* Ebenso bildet das äußere Kollektorgebiet 7 einen weiteren ringförmigen pn-übergang 14 mit dem Basisgebiet 8. Der Abstand zwischen dem Bnittar-Basisiibergang 13 und dem Basis-KollektorUbergang 14 (d.h. die Breite des Basisgebiets 8) bei der Ausführungsform nach Figur 1 beträgt in der Größenordnung von 4 Mikron. (Die Ausdrücke "zentral" und "außen" bzw. "äußeres" sollen hier lediglich die relativen Lagen der betreffenden Gebiete anaeigen. Das Bnittergebiet 6 braucht dabei nicht unbedingt im geometrischen Zentrum des isolierten Teils der epitaktischen Schicht 3 innerhalb des Isolierrings 5 zu liegen.)
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Selbstverständlich können die verschiedenen Gebiete auch mit entsprechend umgekehrtem Leitungstyp ausgebildet werden. Das Substrat 2, das im vorliegenden Fall den entgegengesetzten Leitungstyp vie die epitaktische Schicht 3 hat, kann stattdessen auch den gleichen Leitungstyp wie diese Schicht haben, wenn eine Isolation nicht erforderlich ist oder auf andere Weise hergestellt wird. Während im vorliegenden Fall das Bnittergebiet 6 "zentral" und das Tollektorgebiet 7 peripher angeordnet sind, kann man diese Gebiete in ihrer Funktion auch umkehren, derart, daß das äußere Gebiet 7 als Baitter und das zentrale Gebiet 6 als Kollektor des Transistors arbeitet. Die Erfindung ist auch auf Bauelemente mit anderweitigen geometrischen Anordnungen, z.B. sternförmigen oder kammartig verzahnten Anordnungen anwendbar.
Da die Teile der pn-übergänge 13 und 14 am ringförmigen Basisgebiet 8, verglichen mit den anderen Teilen dieser Übergänge, verhältnismäßig dicht beieinander sind, ist klar, daß der Stromfluß zwischen dem Bnittergebiet 6 und dem Kollektorgebiet 7 auf einen Bereich unmittelbar an der freiliegenden Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 konzentriert wird und im wesentlichen parallel zu dieser freiliegenden Oberfläche erfolgt.
Die bisher beschriebene (unvollständige) Anordnung ähnelt der des sogenannten Lateraltransistors, von dem Ausführungsbeispiele in den USA-Patentschriften 3 246 214 und 3 328 214 beschrieben sind.
Der effektive Seri«widerstand zwischen dem Basisarbeitsgebiet 8 und der Basiselektrode 12 wird durch das subepitaktische diffundierte Gebiet 4 niedrigen spezifischen Widerstands verringert.
Die Schicht 15 besteht aus auf die freiliegende Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 thermisch aufgewachsenem Siliciumdioxyd. Die Siliciumdioxyd-Isolierschicht 15 kann (nach dem RLnätzen von geeigneten öffnungen oder Durchbrüchen) als Diffusionsmaske für das Anbringen des Bnittergebietes 6, des Kollektorgebietes 7 und des Basiskontaktgebietes 11 verwendet werden, oder man kann nach der Bildung dieser Gebiete eine neue Oxydschicht aufwachsen lassen.
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Ein Teil der Siliciumdioxyd-Isolierschicht 15 überlagert das ringförmige Basisgebiet 8. Auf diesem Teil der Isolierschicht 15 ist eine U-fÖrmige 8 teuer elektrode 16 in Form einer aufgebrachten Üuminiumschicht angebracht. Me Steuerelektrode 16 überlappt voraugsweisa Teile des Emitter-Basisübergangs 13 und des Basis-Kollektorübergangs 14·
Die hier verwendete U-Form der Steuerelektrode 16 dient lediglich dazu, das Metallisierungsmuster für den Aluminiumfilm zu vereinfachen, der auf die Isolierschicht 15 zum Kontaktieren des Emitte?gebiets 6 aufgebracht wird. Dies wird aus Figur 2 deutlich), wo der Transistor 1 im Grundriß, gesehen in Sichtung der Isolierschicht 15, geneigt ist. Die Steuerelektrode 16 kann noch e'twas wirksamer bzw» leistungsfähiger ausgestaltet werden, indem man ihr die Form eines das gesamte ringförmige Basisgebiet 8 überlagernden Ringes gibt, in welchem Falle eine geeignete Überkreuzung sswischen der Bnitterkontaktleitung und der Steuerelektrode 16 vorgesehen werden muß.
Im Betrieb werden die Gitterelektrode 10» die Basiselektrode 12 und die Kollektorelektrode 9 in der gleichen Weise wie bei einem üblichen Bipolartransistor angeschlossen. Es erfolgt dann zwischen den pn-übergängen 13 und 14 durch das ringförmige Basisgebiet 8 ein Stromfluß» der durch eine mittels der veränderlichen Vorspann«luelle 17 an die Steuerelektrode 16 gelegten Spannung beeinflußt, d.h. gesteuert werden kann.
Wenn die Spannungsquelle 17 so gepolt ist, daß die Steuerelektrode 16 positiv gegenüber dem Basisgebiet 8 wird, ergeben sich in dem unmittelbar an der oxydbeschichteten Oberfläche der epitaktischen Schicht 3 befindlichen Teil des Basisgebiets 8 verschiedene Wirkungen, nämlich;
1. Durch das ringförmige Basisgebiet 8 fließende Minoritätsträger (Löcher) werden von der Halbleiteroberfläche zurückgestoßen, so daß die effektive Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit des Basisgebiets 8 verringert und die effektive Lebensdauer der Minoritatsträger im Basisgebiet erhöht wird, was die Tendenz einer Erhöhung der effektiven Stromverstärkung des Transistors 1 zur Folge hat.
2. Das durch die Potentialdifferenz zwischen der Steuerelektrode und dem Basisgebiet 8 erzeugte elektrische Feld sieht Elektronen in -
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Richtung zur Halbleiteroberfläche an, so daß ein dünnes Oberflächengebiet (mit einer typischen Dicke in der Größenordnung von einigen hundert % oder weniger) relativ hoher Leitfähigkeit entsteht. Durch diese erhöhte Leitfähigkeit eines Oberflächenteils des Basisgebiets 8 wird der Emitter-Wirkungsgrad, d.h. der Wirkungsgrad, mit dem Hinoritatsträger (Löcher) aus dem Emittergebiet in das Basisgebiet 8 über den pn-übergang 13 injiziert werden, erniedrigt, was die Tendenz einer Erniedrigung der effektiven Stromverstärkung des Transistors zur Folge hat.
3· Bei genügend hoher Steuerelektrodenvorspannung kehrt sich der Leitungstyp von Teilen des Bnitter- und des lollektorgebietes um, d.h. das gesamte Halbleitermaterial innerhalb der gestrichelten Linien 18 weist n-Leitung auf, so daß die gestrichelte Linie 18 die Grenze dessen darstellt, was jetzt effektiv Bestandteil des Basisgebiets 8 ist. Durch diesen ümkehrungseffekt oder Inversionseffekt wird die effektive Breite des Basisgebiets vergrößert, was die Tendenz einer Erniedrigung der effektiven Stromverstärkung des Transistors zur Folge hat»
Welcher der drei oben genannten Effekte überwiegt, hängt von den jeweiligen physikalischen Parametern des betreffenden Bauelements sowie vom Wert der angelegten Vorspannung (mit der resultierenden Normalkomponente der elektrischen Feldstärke an der Halbleiteroberfläche) ab. Bei einigen getesteten Bauelementen wurde festgestellt, daß niedrige Vorspannungen anfänglich eine Erhöhung der Stromverstärkung zur Folge haben (was offenbar anzeigt, daß die Erniedrigung der Oberflächenrekombination der vorherrschende Effekt ist), während bei weiterer Erhöhung der Vorspannung die Stromverstärkung abzufallen beginnt. Bei anderen getesteten Bauelementen ergaben sich andersartige Stromverstärkungs/Steuerelektrodenspannungs-Charakteristiken, und zwar wahrscheinlich aufgrund eines anders verteilten Beitrags der drei genannten Effekte zur Gesamtwirkung.
Bei Erhöhung der Potentialdifferenz zwischen Basiselektrode 12 und Steuerelektrode 16 von O auf 140 Volt wurde festgestellt, daß die Emitters tromverstärkung bei dem oben beschriebenen speziellen Bauelement von 8,3 auf 11,6 ansteigt. Eine weitere Erhöhung der Vorspannung führte zu einer Abnahme der Stromverstärkung.
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Die genauen Leistungsdaten eines speziellen Bauelements hängen sehr stark von der Dicke und der genauen chemischen Zusammensetzung (und Stöchiometrie) des zwischen der Steuerelektrode 16 und dem Basisgebiet 8 liegenden Teils der Isolierschicht 15 ab. Bei der oben beschriebenen Ausführungsform des Bauelements wird eine thermisch aufgewachsene SiIiciumdioxyd-Isolierschicht mit einer Dicke in der Größenordnung von 0,1 1,0 Mikron verwendet·
Bei einer alternativen Betriebsweise des Bauelements wird die Polarität der Voripannquelfi 17 umgekehrt, so daß die Steuerelektrode 16 jetzt ^ negativ gegenüber dem Basisgebiet 8 gespannt ist. Der Transistor 1 kann
bei dieser Betriebsart als gesteuerter Schalter arbeiten, indem ein effektiver "Kurzschluß" hergestellt wird, wenn die Steuerelektrode 16 genügend negativ vorgespannt ist, um den Leittmgstyp des Oberflächenteils des Basisgebiets 8 (unter Bildung eines p-leitenden "Kanals") umzukehren, so daß eine Direktleitung vom Bnittergebiet 6 zum Kollektorgebiet 7 für Majorititsträger (Löcher) dieser Gebiete besteht.
Whrend bei der Anordnung nach Figur 1 die Steuerelektrode 16 !Teile sowohl .des Bnitter-Basisübergangs 13 als auch des Basis-Kollektorübergangs 14 überlagert, ist eine wirksame Steuerung selbst dann möglich, vetrn die Elektrode 16 nur einen dieser Übergänge überlagert. Die Anordnung nach Figur 3 ermöglicht außer der Erzielung einer verhältnismäßig hohen Stromverstärkung eine gewisse Lockerung der erforderlichen ObIeranzen bei der Ausrichtung der verschiedenen Masken, die für die Herstellung der Bnitter- und Kollektorgebiete 6 und 7 sowi© der Steuerelektrode 16 verwendet werden.
Die in Figur 3 gezeigte alternative Ausführungsfom des erfindungsgemäßen gesteuerten Lateraltransistors ist der Ausführungsform nach Figur 1 ähnlich, mit Ausnahme der Tatsache, daß das Bnittergebiet 6 und das Kollektor gebiet 7 ziemlich flach, mit einer maximalen Hefe in der Größenordnung von 3ÖOO % ausgebildet sind und entlang einem noch flacheren Grenzgebiet, das den Mittelteil der Steuerelektrode 16 unterlagert, aneinanderstoßen.
·. Bei der Anordnung nach Figur 3 sind das Bnittergebiet 6 und das
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Kollektorgebiet 7 längs einer die Steuerelektrode 16 unterlagernden ringförmigen Grenzzone bei Abwesenheit der Vorspannquelle 17 direkt untereinander verbunden. Venn dagegen die Vorspannquelle 17 so eingestellt wird» daß die Potentialdifferenz zwischen den Elektroden 12 und 16 so groß wird, daß unter der (positiv geladenen) Steuerelektrode 16 eine nleitende ringförmige Inversionsschicht 8' entsteht, werden das Bnittergebiet 6 und das Kollektorgebiet 7 elektrisch voneinander getrennt, indem das invertierte (η-leitende) Gebiet 81 als Basisarbeitsgebiet (mit einer effektiven Breite w) des transistors 1 dient. Mit dieser Anordnung lassen sich relativ schmale Basisgebiete und entsprechend hohe Stromverstärkungen im Transistor erreichen.
Da3 Smittergebiet 6 und das Kollektorgebiet 7 des Transistors nach Figur 3 können durch Plachdiffusion gebildet werden, derart, daß die Bander dieser Gebiete sehr allmählich oder sanft gegen die Halbleiteroberfläche zu verlaufen. Die Gebiete 6 und 7 können in solchem Abstand voneinander angebracht werden, daß die Grenzzone zwischen ihnen extrem flach, mit einer Tiefe in der Größenordnung von einigen hundert % unter der Halbleiteroberfläche, wird, so daß das durch Anlegen der Vorspannung von der Quelle 17 an die Steuerelektrode 16 erzeugte Inversionsgebiet 81 mindestens einen Teil der Grenzzone zwischen den Emitter- und Kollektorgebieten 6 und 7 vollständig durchdringen kann.
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Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1.Steuerbares Halbleiterbauelement mit einem Körper aus Halbleiter-' material, in dem in lateraler Anordnung ein mittleres und ein äußeres Gebiet gleichen Leitungstyps,, die durch eis daswisciienliegendes, angrenzendes Basisgebiet getrennt-sind» ausgebildet atnd, wobei diese Gebiete an eine geraeinsame Oberfläche des Körpers reichen uad das Basisgebiet eine so klein® Breite hat, daß der Stromfluß zwischen den beiden anderen Gebieten im wesentlichen auf einen Bereich des Basisgebiets unmittelbar an der genannten Oberfläche beschränkt wirds dadurch g e kennzeichnet, daß zusätzlich zu den Anschlußelektroden (1O, 9» 12) für die genannten Gebiete (6„ 7$ 8) eine Steuerelektrode (16) vorgesehen ist, die mindestens eines Teil des Basisgebiets (8) an der genannten Oberfläche überlagert und davon durch eine Isolierschicht (15) getrennt ist» derart, daß durch Vorspannung dieser Steuerelektrode der Stromfluß in dem an die Oberfläche angrenzenden Bereich des Basisgebiets steuerbar ist.
    2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Basisgebiet bei fehlender Vorspannung vom entgegengesetzten Leitungstyp ist, derart, daß das Bauelement als Transistor arbeitet, bei dem die beiden anderen Gebiete ein Bnittergebiet (6) und ein lollektergebiet (7) bilden.
    3· Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode mindestens einen Teil mindestens eines der pn-übergänge (13, 14) zwischen dem Basisgebiet und den beiden anderen Gebieten überlagert.
    4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch g e k e η nz e i c h η e t , daß die Steuerelektrode mindestens einen Teil jedes der beiden pn-übergänge überlagert.
    3. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an die Steuer-
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    elektrode eine Vorspanneinrichtung (17) angeschlossen ist, die eine Vorspannung solcher Polarität an die Steuerelektrode legt, daß Minoritätsträger des Basisgebiets von der genannten Oberfläche weggestoßen werden und dadurch die Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit des Basisgebiets erniedrigt wird.
    6* Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, in Ausbildung als Transistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die angelegte Vorspannung ausreicht, um die Leitfähigkeit mindestens eines Teils des an die Oberfläche angrenzenden Bereichs des Basisgebiets erheblich zu erhöhen und dadurch den Bnitter-Injektionswirkungsgrad des Transistors zu erniedrigen.
    7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 oder 6 in Ausbildung als Transistor nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzei chn e t , daß die angelegte Vorspannung ausreicht, um den Leitungstyp eines an den überlagerten pn-übergang angrenzenden Teils des Gebietes, zwischen welchem und dem Basisgebiet dieser Obergang besteht, umzukehren und dadurch die effektive Breite des Basisgebiets zu vergrößern.
    8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gek en η ζ ei chnet , daß an die Steuerelektrode eine Vorspanneinrichtung in solcher Polung angeschlossen ist, daß MinoritatstrKger des Basisgebiets gegen die genannte Oberfläche angezogen werden, wobei die angelegte Vorspannung ausreicht, um den Leitungstyp mindestens eines Teils des an die Oberfläche angrenzenden Bereichs des Basisgebiets umzukehren, derart, daß ein direkter Leitungsweg zwischen den beiden anderen Gebieten (6, 7) für Majoritatsträger in diesen Gebieten gebildet wird.
    9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jedes der genannten Gebiete nur bis zu der einen genannten Oberfläche des Halbleiterkörpers reicht.
    10.· Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch g e -
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    kennzeichnet, daß das mittlere und das äußere Gebiet durch eine dazwischen befindliche Grenzzone untereinander verbunden sind» welche das Basisgebiet bildet und bei fehlender Vorspannung den gleichen Leitungstyp wie die beiden anderen Gebiete hat, wobei die Steuerelektrode diese Basisgrenzzone überlagert und mit einer Vorspanneinrichtung ver*- bunden ist, von der sie mit einer Vorspannung solcher Polarität beaufschlagt wird, daß der Leitungstyp der Basisgrenzzone umgekehrt wird und dadurch pn-Obergänge zwischen ihr und den beiden anderen Gebieten entstehen.
    11. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das mittlere und das äußere Gebiet durch Eindiffundieren eines den Leitungstyp umkehrenden Dotierungsstoffes in -lateral beabstandete Gebiete eines Körpers vom entgegengesetzten Leitungstyp gebildet sind.
    ORIGINAL INSPECTED
    90982.370.7.6
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