DE2014155A1 - Verfahren zur Herstellung einer Halb leiterstruktur sowie nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterstruktur - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halb leiterstruktur sowie nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterstruktur

Info

Publication number
DE2014155A1
DE2014155A1 DE19702014155 DE2014155A DE2014155A1 DE 2014155 A1 DE2014155 A1 DE 2014155A1 DE 19702014155 DE19702014155 DE 19702014155 DE 2014155 A DE2014155 A DE 2014155A DE 2014155 A1 DE2014155 A1 DE 2014155A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mask
layer
zone
semiconductor body
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702014155
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Charles Frank Scottsdale Ariz Myers (V St A ) M
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE2014155A1 publication Critical patent/DE2014155A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W74/43—
    • H10P95/00—
    • H10W20/40—

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
DE19702014155 1969-04-03 1970-03-24 Verfahren zur Herstellung einer Halb leiterstruktur sowie nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterstruktur Pending DE2014155A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US81310569A 1969-04-03 1969-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2014155A1 true DE2014155A1 (de) 1971-04-15

Family

ID=25211462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702014155 Pending DE2014155A1 (de) 1969-04-03 1970-03-24 Verfahren zur Herstellung einer Halb leiterstruktur sowie nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiterstruktur

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS505915B1 (enExample)
BE (1) BE748240A (enExample)
DE (1) DE2014155A1 (enExample)
FR (1) FR2038223B1 (enExample)
GB (1) GB1300727A (enExample)
NL (1) NL7004130A (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2729171A1 (de) * 1976-06-28 1977-12-29 Motorola Inc Verfahren zur herstellung von integrierten schaltungen

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3200019A (en) * 1962-01-19 1965-08-10 Rca Corp Method for making a semiconductor device
FR1520515A (fr) * 1967-02-07 1968-04-12 Radiotechnique Coprim Rtc Circuits intégrés comportant des transistors de types opposés et leurs procédésde fabrication

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2729171A1 (de) * 1976-06-28 1977-12-29 Motorola Inc Verfahren zur herstellung von integrierten schaltungen

Also Published As

Publication number Publication date
NL7004130A (enExample) 1970-10-06
BE748240A (fr) 1970-09-30
FR2038223A1 (enExample) 1971-01-08
FR2038223B1 (enExample) 1977-03-18
GB1300727A (en) 1972-12-20
JPS505915B1 (enExample) 1975-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0001550B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung für eine Bauelementstruktur mit kleinen Abmessungen und zugehöriges Herstellungsvefahren
DE2618445C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors
DE2615754C2 (enExample)
EP0001574B1 (de) Halbleiteranordnung für Widerstandsstrukturen in hochintegrierten Schaltkreisen und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleiteranordnung
DE2707693C3 (de) Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation
DE2744059A1 (de) Verfahren zur gemeinsamen integrierten herstellung von feldeffekt- und bipolar-transistoren
DE2521568A1 (de) Verfahren zum herstellen von integrierten halbleiterbauelementen
EP0010633A1 (de) Verfahren zur Herstellung sehr schmaler Dosierungsgebiete in einem Halbleiterkörper sowie Verwendung dieses Verfahrens bei der Erzeugung von voneinander isolierten Halbleiterkörperbereichen, Bipolar-Halbleiteranordnungen, integrieten Injektionslogikschaltungen und doppelt diffundierten FET-Halbleiteranordnungen
DE7233274U (de) Polykristalline siliciumelektrode fuer halbleiteranordnungen
EP0025854A1 (de) Verfahren zum Herstellen von bipolaren Transistoren
DE2019655C2 (de) Verfahren zur Eindiffundierung eines den Leitungstyp verändernden Aktivators in einen Oberflächenbereich eines Halbleiterkörpers
DE3242736A1 (de) Verfahren zum herstellen feldgesteuerter elemente mit in vertikalen kanaelen versenkten gittern, einschliesslich feldeffekt-transistoren und feldgesteuerten thyristoren
DE2449012A1 (de) Verfahren zur herstellung von dielektrisch isolierten halbleiterbereichen
DE2813673A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE2633714C2 (de) Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2640981C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen durch Ionenimplantation
DE2615438A1 (de) Verfahren zur herstellung von schaltungskomponenten integrierter schaltungen in einem siliziumsubstrat
DE2617293C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE2718449A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE4240205A1 (en) High breakdown voltage device esp. bipolar transistor - has low impurity concn. link layer between base and external base layers
DE1814747C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Feldefekttransistoren
DE2616857A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE2738961A1 (de) Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung mit luftisolation
DE2111633A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors
DE2752335A1 (de) Verfahren zur herstellung eines sperrschicht-feldeffekttransistors