DE2010448A1 - - Google Patents

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DE2010448A1
DE2010448A1 DE19702010448 DE2010448A DE2010448A1 DE 2010448 A1 DE2010448 A1 DE 2010448A1 DE 19702010448 DE19702010448 DE 19702010448 DE 2010448 A DE2010448 A DE 2010448A DE 2010448 A1 DE2010448 A1 DE 2010448A1
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silicon
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P50/644—
    • H10P54/00—
    • H10W40/10—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01H2239/00—Miscellaneous
    • H01H2239/052—Strain gauge
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0012861A1 (de) * 1978-12-29 1980-07-09 International Business Machines Corporation Verfahren zum selektiven Feststellen von durch Polieren verursachten Fehlern auf der Oberfläche von Siliziumplättchen
US5264074A (en) * 1991-05-17 1993-11-23 Sony Corporation Flattening method for interlayer insulating film

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4203128A (en) 1976-11-08 1980-05-13 Wisconsin Alumni Research Foundation Electrostatically deformable thin silicon membranes
IT1212404B (it) * 1979-02-22 1989-11-22 Rca Corp Metodo comportante un singolo attacco per la formazione di un mesa presentante una parete a piu'gradini.
US4234361A (en) 1979-07-05 1980-11-18 Wisconsin Alumni Research Foundation Process for producing an electrostatically deformable thin silicon membranes utilizing a two-stage diffusion step to form an etchant resistant layer
US4605919A (en) * 1982-10-04 1986-08-12 Becton, Dickinson And Company Piezoresistive transducer
US4498229A (en) * 1982-10-04 1985-02-12 Becton, Dickinson And Company Piezoresistive transducer
JPS59136977A (ja) * 1983-01-26 1984-08-06 Hitachi Ltd 圧力感知半導体装置とその製造法
GB2145875B (en) * 1983-08-12 1986-11-26 Standard Telephones Cables Ltd Infra-red-detector
GB2146697B (en) * 1983-09-17 1986-11-05 Stc Plc Flexible hinge device
GB2209245A (en) * 1987-08-28 1989-05-04 Gen Electric Co Plc Method of producing a three-dimensional structure

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3099591A (en) * 1958-12-15 1963-07-30 Shockley William Semiconductive device
NL256986A (enExample) * 1960-01-04
FR1472688A (fr) * 1965-03-31 1967-03-10 Westinghouse Electric Corp Circuits intégrés à semi-conducteurs et procédé de fabrication correspondant
FR1483890A (fr) * 1965-04-26 1967-06-09 Siemens Ag Procédé de fabrication de circuits à semi-conducteurs

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0012861A1 (de) * 1978-12-29 1980-07-09 International Business Machines Corporation Verfahren zum selektiven Feststellen von durch Polieren verursachten Fehlern auf der Oberfläche von Siliziumplättchen
US5264074A (en) * 1991-05-17 1993-11-23 Sony Corporation Flattening method for interlayer insulating film

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FR2034731B1 (enExample) 1975-09-26
GB1211499A (en) 1970-11-04
JPS4834454B1 (enExample) 1973-10-22
FR2034731A1 (enExample) 1970-12-11

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