DE2004849B2 - Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation

Info

Publication number
DE2004849B2
DE2004849B2 DE2004849A DE2004849A DE2004849B2 DE 2004849 B2 DE2004849 B2 DE 2004849B2 DE 2004849 A DE2004849 A DE 2004849A DE 2004849 A DE2004849 A DE 2004849A DE 2004849 B2 DE2004849 B2 DE 2004849B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gallium arsenide
silicon
germanium
solution
crystallization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2004849A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2004849A1 (de
Inventor
Wolfgang Dipl.-Phys.Dr. 8000 Muenchen Touchy
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2004849A priority Critical patent/DE2004849B2/de
Priority to CH120271A priority patent/CH558205A/xx
Priority to AT66671A priority patent/AT310813B/de
Priority to SE01278/71A priority patent/SE360022B/xx
Priority to US00111853A priority patent/US3756955A/en
Priority to NL7101381A priority patent/NL7101381A/xx
Priority to FR7103392A priority patent/FR2078062A5/fr
Priority to CA104,370A priority patent/CA955156A/en
Priority to GB20614/71A priority patent/GB1282249A/en
Publication of DE2004849A1 publication Critical patent/DE2004849A1/de
Publication of DE2004849B2 publication Critical patent/DE2004849B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C30B19/106—Controlling or regulating adding crystallising material or reactants forming it in situ to the liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DE2004849A 1970-02-03 1970-02-03 Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation Pending DE2004849B2 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2004849A DE2004849B2 (de) 1970-02-03 1970-02-03 Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation
CH120271A CH558205A (de) 1970-02-03 1971-01-27 Verfahren zum herstellen eines galliumarsenidkristalls aus einer mit silicium oder germanium dotierten schmelze.
AT66671A AT310813B (de) 1970-02-03 1971-01-27 Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang
SE01278/71A SE360022B (enExample) 1970-02-03 1971-02-02
US00111853A US3756955A (en) 1970-02-03 1971-02-02 S in gadoped with silicon or germanium method of producing a gallium arsenide crystal from a solution of gaa
NL7101381A NL7101381A (enExample) 1970-02-03 1971-02-02
FR7103392A FR2078062A5 (enExample) 1970-02-03 1971-02-02
CA104,370A CA955156A (en) 1970-02-03 1971-02-03 Process for the manufacture of a gallium-arsenide crystal from a solution of ga as in ga, doped with silicon and germanium
GB20614/71A GB1282249A (en) 1970-02-03 1971-04-19 Improvements in or relating to the production of gallium arsenide crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2004849A DE2004849B2 (de) 1970-02-03 1970-02-03 Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2004849A1 DE2004849A1 (de) 1971-08-19
DE2004849B2 true DE2004849B2 (de) 1975-06-05

Family

ID=5761308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2004849A Pending DE2004849B2 (de) 1970-02-03 1970-02-03 Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3756955A (enExample)
AT (1) AT310813B (enExample)
CA (1) CA955156A (enExample)
CH (1) CH558205A (enExample)
DE (1) DE2004849B2 (enExample)
FR (1) FR2078062A5 (enExample)
GB (1) GB1282249A (enExample)
NL (1) NL7101381A (enExample)
SE (1) SE360022B (enExample)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371420A (en) * 1981-03-09 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth
US5183767A (en) * 1991-02-14 1993-02-02 International Business Machines Corporation Method for internal gettering of oxygen in iii-v compound semiconductors
US5272373A (en) * 1991-02-14 1993-12-21 International Business Machines Corporation Internal gettering of oxygen in III-V compound semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
CH558205A (de) 1975-01-31
US3756955A (en) 1973-09-04
DE2004849A1 (de) 1971-08-19
AT310813B (de) 1973-10-25
CA955156A (en) 1974-09-24
FR2078062A5 (enExample) 1971-11-05
SE360022B (enExample) 1973-09-17
GB1282249A (en) 1972-07-19
NL7101381A (enExample) 1971-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2609907C2 (de) Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von einkristallinem Galliumnitrid auf einem Substrat
DE69325764T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer verbesserte Solarzelle aus säulenförmigem, körnigem, polycrystallinem Silizium
DE2927086C2 (de) Verfahren zum Herstellen von platten- oder bandförmigen Siliziumkristallkörpern mit Säulenstruktur für Solarzellen
DE1803731C3 (de) Verfahren zum Kristallisieren einer binären Halbleiterverbindung
DE112009000328B4 (de) Verfahren zum Aufwachsen eines Siliziumcarbideinkristalls
DE2508803A1 (de) Neuartige siliciumkristalle und verfahren zu ihrer herstellung
DE1135671B (de) Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs und/oder eines Gradienten eines elektrisch wirksamen Elements in einem Halbleiterkristall
DE2006189A1 (de) Verfahren zum Aufbringen aufeinanderfolgender Epitaxialschichten aus kristallinem Halbleitermaterial auf ein Substrat aus der Flüssigkeitsphase
EP1754809A2 (de) Grossvolumige orientierte Einkristalle mit homogener Brechzahl und geringer Spannungsdoppelbrechung
DE2450930A1 (de) Thermische wanderung metallreicher fluessiger draehte durch halbleitermaterialien
DE1282602B (de) Verfahren zur Herstellung von eine oder mehrere Hohlkehlen aufweisenden Zwillingskristallen in einer Schmelze
DE2004849B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation
DE2914506A1 (de) Verfahren zum herstellen von grossflaechigen, plattenfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur
DE2346399A1 (de) Verfahren zum zuechten von epitaxialschichten
DE1913565B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kristalls einer halbleitenden A"1 Bv -Verbindung
DE69006823T2 (de) Borquelle für Molekularstrahlepitaxie.
US3058854A (en) Semiconductor alloys and method of preparing the same
DE1963131B2 (de) Verfahren zum herstellen eines aus einer p-leitenden epitaktisch gewachsenen galliumarsenid-schicht und einer einkristallinen n-leitenden galliumarsenidunterlage bestehenden halbleiterkoerpers
DE3030538A1 (de) Verfahren zum planar-epitaxialen auffuellen unter fluessigphasen-epitaxie
DE1254607B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase
DE2728314C3 (de) Verfahren zum Ziehen eines Gadolinium-Gallium-Granat-Einkristalls aus einer Schmelze
DE2422251A1 (de) Verfahren und vorrichtumg zum herstellen von dotierten cadmiumtellurideinkristallen
DE3720750C2 (enExample)
DE2364015A1 (de) Verfahren zum herstellen von n-dotierten siliciumeinkristallen mit einem einstellbaren dotierungsprofil
DE1667604C (de) Verfahren zur Herstellung von kristallinem Cadmiumtellurid