AT310813B - Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang

Info

Publication number
AT310813B
AT310813B AT66671A AT66671A AT310813B AT 310813 B AT310813 B AT 310813B AT 66671 A AT66671 A AT 66671A AT 66671 A AT66671 A AT 66671A AT 310813 B AT310813 B AT 310813B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
junction
producing
gallium arsenide
arsenide crystal
crystal
Prior art date
Application number
AT66671A
Other languages
German (de)
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT310813B publication Critical patent/AT310813B/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C30B19/106—Controlling or regulating adding crystallising material or reactants forming it in situ to the liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/061—Tipping system, e.g. by rotation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
AT66671A 1970-02-03 1971-01-27 Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang AT310813B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2004849A DE2004849B2 (de) 1970-02-03 1970-02-03 Verfahren zum Herstellen eines mit Silicium oder Germanium dotierten Galliumarsenidkristalls durch Kristallisation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT310813B true AT310813B (de) 1973-10-25

Family

ID=5761308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT66671A AT310813B (de) 1970-02-03 1971-01-27 Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3756955A (enExample)
AT (1) AT310813B (enExample)
CA (1) CA955156A (enExample)
CH (1) CH558205A (enExample)
DE (1) DE2004849B2 (enExample)
FR (1) FR2078062A5 (enExample)
GB (1) GB1282249A (enExample)
NL (1) NL7101381A (enExample)
SE (1) SE360022B (enExample)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4371420A (en) * 1981-03-09 1983-02-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for controlling impurities in liquid phase epitaxial growth
US5183767A (en) * 1991-02-14 1993-02-02 International Business Machines Corporation Method for internal gettering of oxygen in iii-v compound semiconductors
US5272373A (en) * 1991-02-14 1993-12-21 International Business Machines Corporation Internal gettering of oxygen in III-V compound semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
CH558205A (de) 1975-01-31
US3756955A (en) 1973-09-04
DE2004849A1 (de) 1971-08-19
DE2004849B2 (de) 1975-06-05
CA955156A (en) 1974-09-24
FR2078062A5 (enExample) 1971-11-05
SE360022B (enExample) 1973-09-17
GB1282249A (en) 1972-07-19
NL7101381A (enExample) 1971-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH485973A (de) Verfahren zum Verbinden eines Rohres mit einem Fitting
CH415856A (de) Verfahren zum Herstellen eines pn-Übergangs in einer Halbleiteranordnung
AT341245B (de) Verfahren zum herstellen einer modulierten bezugsgitteraufzeichnung eines objektes
CH533889A (de) Verfahren zum Herstellen eines Kabels
AT252314B (de) Verfahren zum Herstellen eines Quarzkristall-Bauelementes
CH532842A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH525497A (de) Verfahren zum Herstellen eines Hologrammes
CH498490A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
CH534024A (de) Verfahren zum Verbinden eines ersten Werkstückes mit einem zweiten Werkstück
AT317136B (de) Verfahren zum Herstellen eines textilähnlichen Schichtstoffes
CH421309A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement
CH516476A (de) Verfahren zum Herstellen eines Kristalls einer Halbleiterverbindung
CH525027A (de) Verfahren zum epitaktischen Niederschlagen einer Halbleiterverbindung
AT321991B (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelementes mit einer schottky-sperrschicht
AT310813B (de) Verfahren zum Herstellen eines Galliumarsenidkristalls mit einem pn-Übergang
CH522291A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
AT304408B (de) Verfahren zum Herstellen eines Reißverschlusses
AT320481B (de) Verfahren zum Erzeugen eines spannungsfreien Garnkörpers
CH457630A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterdetektors
CH462338A (de) Anordnung mit einem lichtempfindlichen Halbleiter-Bauelement und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung
AT310465B (de) Verfahren zum Herstellen eines selbsteinstellenden Tragelements mit einem Magnetkopf
CH533732A (de) Verfahren zum Herstellen eines Erdankers mit erweitertem Ankerfuss
CH479163A (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
CH536197A (de) Verfahren zum Abdichten einer Oberfläche
CH523594A (de) Verfahren zum Herstellen einer Planardiode oder eines Planartransistors

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee