DE19923476A1 - Chipförmiger piezoelektrischer Resonator und Verfahren zum Einstellen seiner Resonanzfrequenz - Google Patents

Chipförmiger piezoelektrischer Resonator und Verfahren zum Einstellen seiner Resonanzfrequenz

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Abstract

Ein einen Kondensator enthaltender chipförmiger Resonator (1), der ein sehr feines und äußerst genaues Einstellen der elektrostatischen Kapazität und der Resonanzfrequenz nach der Fertigung des piezoelektrischen Resonators dadurch ermöglicht, daß ein piezoelektrisches Bauteil (2) und ein erstes und zweites dielektrisches Substrat (3, 4) laminiert werden. Der Resonator ist mit auf diesem Laminat angeordneten Außenelektroden (6, 7, 8) versehen. Mehrere Außenelektroden (6, 7, 8) sind so gebildet, daß sie sich von der äußeren Hauptfläche des ersten dielektrischen Substrats (3) zur äußeren Hauptfläche (4b) des zweiten dielektrischen Substrats (4) entlang der ersten und zweiten einander gegenüberliegenden Seitenfläche (5a, 5b) erstrecken. Auf der äußeren Hauptfläche (4b) des zweiten dielektrischen Substrats (4) ist wenigstens eine Außenelektrode (6, 7, 8) in einen ersten und zweiten Elektrodenbereich (6a, 6b; 7a, 7b; 8a, 8b) geteilt (Fig. 1).

Description

Die Erfindung befasst sich mit einem einen Kondensator enthaltenden chipförmigen piezoelektrischen Resonator und einem Verfahren zum Einstellen seiner Reso­ nanzfrequenz. Insbesondere befasst sich die Erfindung mit einem einen Konden­ sator enthaltenden chipförmigen piezoelektrischen Resonator, bei dem ein piezo­ elektrisches Bauteil zwischen dielektrischen Substraten liegt, sowie mit einem Ver­ fahren zum Einstellen seiner Resonanzfrequenz.
In den Fig. 7A und 7B ist ein herkömmlicher, einen Kondensator enthaltender, chipförmiger Resonator dargestellt.
Wie in Fig. 7A gezeigt ist, ist bei einem chipförmigen piezoelektrischen Resonator 51 ein erstes auf einer isolierenden Keramik gebildetes Dichtungssubstrat 53 auf die untere Oberfläche des plattenförmigen piezoelektrischen Bauteils 52 laminiert, während ein zweites auf einer isolierenden Keramik gebildetes Dichtungssubstrat 54 auf die obere Oberfläche des piezoelektrischen Bauteils 52 laminiert ist.
Das piezoelektrische Bauteil 52 ist aus einem plattenförmigen piezoelektrischen Substrat 52a gebildet, das in Dickenrichtung polarisiert ist. Wie in Fig. 7B gezeigt ist, ist eine erste Anregungselektrode 52b so auf der oberen Oberfläche des piezo­ elektrischen Substrats 52a und eine zweite Anregungselektrode 52c so auf der un­ teren Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 52a angeordnet, dass sich die Elektroden 52b und 52c gegenüberliegen, wobei das piezoelektrische Substrat 52a dazwischen liegt.
Die Anregungselektroden 52b und 52c sind jeweils mit Leitungselektroden 52d und 52e verbunden. Die Leitungselektrode 52d ist auf der oberen Oberfläche des pie­ zoelektrischen Substrats 52a so angebracht, dass sie sich zu einer seiner periphe­ ren Kanten erstreckt, während die Leitungselektrode 52e so auf der unteren Ober­ fläche des piezoelektrischen Substrats 52a angeordnet ist, dass sie sich zur seiner anderen peripheren Kante erstreckt, die der peripheren Kante gegenüberliegt, zu der sich die Leitungselektrode 52d erstreckt.
Eine Vertiefung 53a ist in der inneren Oberfläche des Dichtungssubstrats 53 und eine Vertiefung 54a in der inneren Oberfläche des Dichtungssubstrats 54 gebildet. Das piezoelektrische Bauteil 52 ist durch eine nicht gezeigte Klebeschicht mit dem ersten und zweiten Dichtungssubstrat 53 und 54 laminiert, und bildet so eine mono­ lithische Struktur. Außenelektroden 57 bis 59 sind auf der äußeren Oberfläche des so hergestellten Laminats angeordnet. Die Außenelektrode 57 ist in elektrischer Verbindung mit der Anregungselektrode 52b und mit der Leitungselektrode 52d verbunden, während die Außenelektrode 59 in elektrischer Verbindung mit der An­ regungselektrode 52c und mit der Leitungselektrode 52e steht.
Die Außenelektrode 58 ist geerdet. Somit steht der Resonator in Verbindung zwi­ schen den Außenelektroden 57 und 59, und zwischen Erde und den Außenelektro­ den 57 und 59 liegt eine elektrostatische Kapazität. Da das Dichtungssubstrat 54 aus dielektrischer Keramik besteht, wird die oben beschriebene elektrostatische Kapazität hauptsächlich durch das Dichtungssubstrat 54 zwischen der Außenelek­ trode 58 und den Außenelektroden 57 und 59 gebildet.
Bei dem in den Fig. 7A und 7B dargestellten chipförmigen Resonator 51 wer­ den, sobald die Dichtungssubstrate 53 und 54 mit dem piezoelektrischen Bauteil 52 verbunden sind, die obere und die untere Oberfläche im Gegensatz zu den Seiten­ flächen des piezoelektrischen Bauteils 52 durch die Dichtungssubstrate 53 und 54 abgedichtet. Daher muß die Resonanzfrequenz vor der Verbindung des piezoelek­ trischen Bauteils 52 mit den Dichtungssubstraten 53 und 54 eingestellt oder abge­ glichen werden.
Aber auch nach dem Bearbeitungsschritt, durch den das piezoelektrische Bauteil 52 mit den Dichtungssubstraten 53 und 54 verbunden wird, neigt die eingestellte Frequenz aufgrund von Faktoren, die sich in den darauffolgenden Bearbeitungs­ schritten ergeben, dazu, sich zu verändern. Somit ist, auch wenn die Resonanzfre­ quenz während der Herstellung des piezoelektrischen Bauteils 52 sehr genau kon­ trolliert wird, die Herstellung eines chipförmigen piezoelektrischen Resonators 51 mit sehr genauer Resonanzfrequenz sehr schwierig. Daher ist der prozentuale An­ teil an fehlerlos funktionierenden chipförmigen Resonatoren 51 ungünstig niedrig. Wenn ein Außenelektrodenbereich des aus dielektrischer Keramik bestehenden Dichtungssubstrats 54 nach der Herstellung des chipförmigen piezoelektrischen Resonators 51 wieder teilweise entfernt wird, verändert sich die elektrostatische Kapazität deutlich, so dass eine Feineinstellung der Resonanzfrequenz sehr schwierig wird.
Außerdem war ein automatisiertes Erkennen der Ober- und Unterseite des Reso­ nators bislang schwierig, da die Form der Außenelektroden, wie man sie von der oberen Oberfläche aus sieht, mit der, wie man sie von der unteren Oberfläche aus sieht, identisch ist.
Ein weiterer herkömmlicher, einen Kondensator enthaltender, chipförmiger piezo­ elektrischer Resonator ist in den Fig. 8A und 8B dargestellt.
Ein chipförmiger piezoelektrischer Resonator 61 weist eine Gehäusestruktur auf, die aus einem dielektrischen Substrat 62 und einer nach unten offenen Kappe 63 gebildet ist.
Wie in den Fig. 8A und 8B dargestellt ist, sind Außenelektroden 64 bis 66 so auf dem dielektrischen Substrat 62 angeordnet, dass sich die Elektroden von der oberen Oberfläche des Substrats über zwei Seitenflächen zu seiner unteren Ober­ fläche erstrecken. Ein piezoelektrisches Bauteil 69 ist durch leitende Klebeschich­ ten 67 und 68 mit den Außenelektroden 64 und 66 verbunden. Das piezoelektrische Bauteil 69 ist aus einem plattenförmigen piezoelektrischen Substrat 69a gebildet. Eine erste Anregungselektrode 69b ist auf der oberen Oberfläche des piezoelektri­ schen Substrats 69a und eine zweite Anregungselektrode 69c auf seiner unteren Oberfläche angeordnet.
Die erste Anregungselektrode 69b ist mit einer Leitungselektrode 69d verbunden. Die Leitungselektrode 69d ist so auf dem piezoelektrischen Substrat 69a angeord­ net, dass sie dessen periphere Kante erreicht und sich weiter über die Seitenfläche zu seiner unteren Oberfläche erstreckt. Die Leitungselektrode 69d ist mit der leiten­ den Klebeschicht 68 an einem Bereich verbunden, an dem die Leitungselektrode 69d die untere Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 69a erreicht.
Die zweite Anregungselektrode 69c ist mit einer Leitungselektrode 69e verbunden, die an der leitenden Klebeschicht 67 befestigt ist.
Die Kappe 63, die eine das oben beschriebene piezoelektrische Bauteil 69 abdek­ kende Öffnung 63a hat, ist auf der oberen Oberfläche des dielektrischen Substrats 62 mit einem in den Fig. 8A und 8B nicht gezeigten isolierenden Kleber befe­ stigt.
Bei diesem chipförmigen piezoelektrischen Resonator 61 stehen die Resonanzbe­ reiche, die jeweils erste und zweite Anregungselektroden 69b und 69c aufweisen, in elektrischer Verbindung zwischen Außenelektroden 64 und 66. Die Außenelek­ trode 65 ist geerdet. Somit ist die dem dielektrischen Substrat 62 zugeordnete elektrostatische Kapazität zwischen den Außenelektroden 65 und jeder der Außen­ elektroden 64 und 66 vorgesehen.
Bei dem in den Fig. 8A und 8B dargestellten chipförmigen piezoelektrischen Resonator 61 kann die Resonanzfrequenz eingestellt werden, bevor man die Kap­ pe 63 am dielektrischen Substrat 62 befestigt, und zwar dann, wenn das piezoelek­ trische Bauteil 69 am dielektrischen Substrat 62 befestigt worden ist. Wenn jedoch nur die Anregungselektroden auf einer Oberfläche des piezoelektrisch Bauteils 69 so bearbeitet werden, dass die Resonanzfrequenz eingestellt werden kann, geht die Symmetrie zwischen den Anregungselektroden 69b und 69c verloren. Somit verstärken sich die von der Asymmetrie der Anregungselektroden 69b und 69c ver­ ursachten Störvibrationen und verschlechtern in nachteiliger Weise die Kennwerte des Resonators.
Alternativ kann die Resonanzfrequenz dadurch eingestellt werden, dass man die Form der Außenelektroden 64 bis 66 auf der unteren Oberfläche des dielektrischen Substrats 62 verändert. Jedoch ist die untere Oberfläche des dielektrischen Sub­ strats 62 eine Oberfläche, die für die Montage dient, und so führt eine Veränderung der Elektroden 64 bis 66 zu unterschiedlichen Montagebedingungen bei den ein­ zelnen chipförmigen Resonatoren 61.
Unter Berücksichtigung des oben Beschriebenen, ist es Aufgabe der Erfindung, einen einen Kondensator enthaltenden chipförmigen piezoelektrischen Resonator bereitzustellen, der ein einfaches und äußerst präzises Einstellen der Resonanzfre­ quenz ermöglicht, ohne dass nach dem Zusammenbau eines piezoelektrischen Bauteils mit einem Gehäusematerial ungünstige, auf die Asymmetrie zwischen den Anregungselektroden zurückzuführende Störvibrationen verstärkt werden.
Eine andere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Einstellen der Resonanzfrequenz des Resonators anzugeben.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung stellt einen einen Kondensator enthaltenden chipförmigen Resonator bereit, der ein piezoelektrisches Bauteil, das ein piezoelektrisches Substrat mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche; erste und zweite Anregungselektroden, die jeweils auf der ersten und zweiten Hauptflä­ che des piezoelektrischen Substrats einander gegenüberliegend angeordnet sind und das piezoelektrische Substrat zwischen sich haben; und eine erste und zweite Leitungselektrode umfasst, die jeweils mit der ersten und zweiten Anregungselek­ trode verbunden sind und sich zu jeweiligen peripheren Kanten des piezoelektri­ schen Substrats hin erstrecken; erste und zweite dielektrische Substrate, die das piezoelektrische Bauteil zwischen sich einschließen und ein Laminat bilden; und mehrere Außenelektroden aufweist, die so vorgesehen sind, dass sie sich von der äußeren Hauptfläche des ersten dielektrischen Substrats zur äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats längs der einander gegenüberliegenden er­ sten und zweiten Seitenflächen des Laminats erstrecken; wobei die erste und zweite Leitungselektrode des piezoelektrischen Bauteils jeweils mit irgendeiner der Außenelektroden verbunden ist; und wobei wenigstens eine der mehreren Au­ ßenelektroden auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats in einen ersten Elektrodenbereich, der mit einem auf der ersten Seitenfläche gebilde­ ten Außenelektrodenbereich verbunden ist, und in einen zweiten Elektrodenbereich geteilt ist, der mit einem auf der zweiten Seitenfläche gebildeten Außenelektroden­ bereich verbunden ist.
Bei dem oben beschriebenen chipförmigen piezoelektrischen Resonator ist wenig­ stens eine Außenelektrode auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats in einen ersten mit einem auf der ersten Seitenfläche gebildeten Au­ ßenelektrodenbereich verbundenen Elektrodenbereich und einen zweiten mit einem auf der zweiten Seitenfläche gebildeten Außenelektrodenbereich verbundenen Elektrodenbereich geteilt. Daher kann die elektrostatische Kapazität dadurch ein­ gestellt werden, dass man wenigstens den ersten oder den zweiten Elektrodenbe­ reich teilweise entfernt.
In diesem Fall kann, da der erste und zweite Elektrodenbereich auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats gebildet sind, der Vorgang der teilweisen Entfernung der Elektroden zum Einstellen der elektrostatischen Kapazität nach der Fertigung des chipförmigen piezoelektrischen Resonators durchgeführt werden. Ferner ist es zum Einstellen der Frequenz nicht notwendig, die Außene­ lektrode auf der äußeren Hauptfläche des ersten dielektrischen Substrats zu bear­ beiten. Somit können, wenn die äußere Hauptfläche des ersten dielektrischen Sub­ strats als Montage-Oberfläche dient, die Kapazität und somit die Resonanzfrequenz eingestellt werden, ohne dass die für die Montage dienende Struktur der Außene­ lektroden auf der Oberfläche verändert werden muss.
Da der erste und zweite Elektrodenbereich teilweise auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats liegen, ist es außerdem möglich, die Feinein­ stellung der elektrostatischen Kapazität und damit der Resonanzfrequenz dadurch erreichen, dass ein Teil des ersten und/oder zweiten Elektrodenbereichs wieder entfernt wird.
Mit dem oben beschriebenen einen Kondensator enthaltenden chipförmigen piezo­ elektrischen Resonator ist es möglich, die Resonanzfrequenz einfach und genau einzustellen, ohne die Symmetrie der Anregungselektroden eines piezoelektrischen Bauteils zu stören, d. h., ohne die unerwünschten Störvibrationen zu verstärken, die sonst durch die Asymmetrie zwischen den Anregungselektroden nach der Montage des piezoelektrischen Bauteils und den dielektrischen Substraten verursacht wür­ den. Auf diese Weise kann man den Anteil der fehlerfreien chipförmigen Resonato­ ren erhöhen und die Herstellungskosten senken.
In einer bevorzugten Ausführungsform des oben beschriebenen chipförmigen pie­ zoelektrischen Resonator ist die relative Dielektrizitätskonstante des das erste die­ lektrische Substrat bildenden dielektrischen Materials größer als die relative Die­ lektrizitätskonstante des das zweite dielektrische Substrat bildenden dielektrischen Materials. Daher ist die elektrostatische Kapazität, die dem zweiten dielektrischen Substrat zugeordnet ist, auf dem der erste und zweite Elektrodenbereich vorgese­ hen sind, relativ klein. Dieses Merkmal ermöglicht ein genauere Einstellung der elektrostatischen Kapazität, indem wenigstens der erste und/oder der zweite Elek­ trodenbereich teilweise entfernt wird. Somit kann die Resonanzfrequenz mit höhe­ rer Präzision eingestellt werden.
Bevorzugt weisen beim oben beschriebenen piezoelektrischen Resonator die er­ sten und zweiten Elektrodenbereiche jeweils einen verengten Bereich auf, dessen Breite schmaler ist als die Breite des restlichen Teils der Außenelektrode. Durch die Bearbeitung der verengten Bereiche, kann die elektrostatische Kapazität und damit die Resonanzfrequenz genauer eingestellt werden.
Bevorzugt weisen beim oben beschriebenen piezoelektrischen Resonator die meh­ reren Außenelektroden eine erste und zweite Außenelektrode, die jeweils mit der ersten und zweiten Leitungselektrode verbunden sind, und eine dritte Außenelek­ trode auf, die geerdet ist.
Dieses Merkmal ermöglicht die Herstellung eines einen Kondensator enthaltenden piezoelektrischen Resonators mit drei Anschlüssen, dessen Resonanzfrequenz mit hoher Präzision fein eingestellt werden kann.
Bevorzugt sind beim oben beschriebenen piezoelektrischen Resonator die erste und zweite Außenelektrode in erste und zweite Elektrodenbereiche geteilt.
In diesem Fall kann die Resonanzfrequenz mit hoher Präzision fein eingestellt wer­ den, indem man wenigstens einen der ersten und/oder zweiten Elektrodenbereiche der ersten und zweiten Außenelektrode teilweise entfernt.
Bevorzugt ist in dem einen Kondensator enthaltenden piezoelektrischen Resonator mit drei Anschlüssen die dritte Außenelektrode in einen ersten und zweiten Elektro­ denbereich geteilt, während die erste und zweite Außenelektrode nicht in erste und zweite Elektrodenbereiche geteilt aber auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats so angeordnet sind, dass sie die erste Seitenfläche mit der zweiten Seitenfläche verbinden.
In diesem Fall können die elektrostatische Kapazität und die Resonanzfrequenz mit hoher Präzision fein eingestellt werden, indem man wenigstens einen der ersten und/oder zweiten Elektrodenbereiche der dritten Außenelektrode teilweise entfernt. Außerdem sind die elektrostatischen Kapazitäten, die auf den der dritten Außene­ lektrode gegenüberliegenden Seiten vorgesehen sind, so eingestellt, dass sie gleich sind.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung stellt ein Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz des oben beschriebenen chipförmigen piezo­ elektrischen Resonators vor, bei dem die Resonanzfrequenz dadurch eingestellt wird, dass teilweise wenigstens einer der ersten und/oder zweiten Elektrodenberei­ che entfernt wird, die dadurch gebildet sind, dass die Außenelektroden auf der äu­ ßeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats geteilt sind.
Somit kann die elektrostatische Kapazität des Resonators fein und einfach und da­ mit in gleicher Weise auch die Resonanzfrequenz eingestellt werden. Weiterhin können, da die Resonanzfrequenz nach der Fertigung eines chipförmigen piezo­ elektrischen Resonators eingestellt werden kann, die Ausbeute erhöht und die Pro­ duktionskosten verringert werden.
Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschrei­ bung der Erfindung deutlich, die sich auf die beigefügte Zeichnung bezieht.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines chipförmigen piezoelektrischen Resonators gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 ist eine perspektivische Explosionsansicht des in Fig. 1 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonators;
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht einer ersten Modifikation des in Fig. 1 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonators;
Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht einer zweiten Modifikation des in Fig. 1 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonators;
Fig. 5 ist eine perspektivische Ansicht einer dritten Modifikation des in Fig. 1 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonators;
Fig. 6 ist eine perspektivische Außenansicht des in Fig. 1 gezeigten chipför­ migen piezoelektrischen Resonators, bei dem die Resonanzfrequenz dadurch ein­ gestellt wurde, dass die ersten und zweiten Elektrodenbereiche auf der oberen Oberfläche vollständig entfernt wurden;
Fig. 7A ist eine perspektivische Ansicht eines herkömmlichen chipförmigen piezoelektrischen Resonators und Fig. 7B eine vertikale Querschnittsansicht des in Fig. 7A gezeigten Resonators; und
Fig. 8A ist eine perspektivische Ansicht eines weiteren herkömmlichen chipförmigen piezoelektrischen Resonators und Fig. 8B eine perspektivische Ex­ plosionsansicht des in Fig. 8A gezeigten Resonators.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht eines einen Kondensator enthaltenden chipförmigen piezoelektrischen Resonators gemäß einer bevorzugten Ausfüh­ rungsform der Erfindung, und Fig. 2 ist eine perspektivische Explosionsansicht des­ selben.
In einem chipförmigen piezoelektrischen Resonator 1 ist ein erstes dielektrisches Substrat 3 auf die untere Oberfläche des plattenförmigen piezoelektrischen Bauteils 2 laminiert, während ein zweites dielektrisches Substrat 4 auf die obere Oberfläche des piezoelektrischen Bauteils 2 laminiert ist. Auf diese Weise wird aus dem piezo­ elektrischen Bauteil 2 und den dielektrischen Substraten 3 und 4 ein Laminat 5 ge­ bildet.
Das piezoelektrische Bauteil 2 wird aus einem rechteckigen piezoelektrischen Sub­ strat 2a gebildet. Das piezoelektrische Substrat 2a besteht aus einer piezoelektri­ schen Keramik, wie einer Bleititanat-Zirconat-Keramik, und ist in Dickenrichtung polarisiert. Eine kreisrunde erste Anregungselektrode 2b liegt auf der oberen Ober­ fläche in der Mitte des piezoelektrischen Substrats 2a und eine zweite Anregungs­ elektrode 2c auf der unteren Oberfläche in der Mitte des piezoelektrischen Sub­ strats 2a, so dass die Elektroden 2b und 2c einander gegenüberliegen.
Die erste Anregungselektrode 2b ist mit einer ersten auf der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2a angeordneten Leitungselektrode 2d verbunden, die so gestaltet ist, dass sie sich zu einer der peripheren Kanten des piezoelektrischen Substrats 2a erstreckt, und eine zweite Anregungselektrode 2c ist mit einer auf der unteren Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2a gebildeten zweiten Lei­ tungselektrode 2e verbunden, die so auf der unteren Oberfläche des piezoelektri­ schen Substrats 2a liegt, dass sie sich zu einer seiner peripheren Kanten erstreckt. Die Anregungselektroden 2b und 2c können die Form eines Kreises, eines Recht­ ecks usw. aufweisen.
Das erste dielektrische Substrat 3, das plattenförmig ist, besteht aus dielektrischer Keramik, deren relative Dielektrizitätskonstante größer ist als die der dielektrischen Keramik, die das zweite dielektrische Substrat 4 bildet.
Eine Vertiefung 3a ist in der oberen Oberfläche des ersten dielektrischen Substrats 3 gebildet, um einen Raum zu schaffen, in dem ein zwischen der ersten und zwei­ ten Anregungselektrode 2b und 2c gebildeter Resonanzbereich schwingen kann.
Das zweite dielektrische Substrat 4 ist plattenförmig und besteht aus einer dielektri­ schen Keramik, die eine relative Dielektrizitätskonstante von 20 oder mehr hat. Eine Vertiefung 4a ist in der unteren Oberfläche des zweiten dielektrischen Substrats 4 gebildet, um einen Raum zu schaffen, in dem der zwischen der ersten und zweiten Anregungselektrode 2b und 2c gebildete Resonanzbereich schwingen kann.
Das erste und zweite dielektrische Substrat 3 und 4 sind mit einem nicht darge­ stellten isolierenden Kleber mit dem piezoelektrischen Bauteil 2 verbunden und bil­ den so das oben beschriebene Laminat 5.
Erste bis dritte Außenelektroden 6 bis 8 sind auf der äußeren Oberfläche des Lami­ nats 5 angeordnet. Wie aus den Fig. 1 und 2 deutlich wird, sind die erste bis dritte Außenelektrode 6 bis 8 so gebildet, dass sie sich von der unteren zur oberen Oberfläche des Laminats 5, d. h. zur äußeren Hauptfläche 4b des zweiten dielektri­ schen Substrats 4 über die erste und zweite Seitenfläche 5a und 5b, die einander gegenüberliegen, erstrecken.
Auf der äußeren Hauptfläche 4b des zweiten dielektrischen Substrats 4 sind die erste bis dritte Außenelektrode 6 bis 8 so gebildet, dass jede Elektrode in erste und zweite Elektrodenbereiche, d. h. in Bereiche 6a, 6b, 7a, 7b, 8a und 8b geteilt ist. Beispielsweise weist die erste Außenelektrode 6 den auf der äußeren Hauptfläche 4b des zweiten dielektrischen Substrats 4 liegenden ersten und zweiten Elektro­ denbereich 6a und 6b auf, wobei der erste Elektrodenbereich 6a so vorgesehen ist, dass er mit einem auf der ersten Seitenfläche 5a angeordneten Außen­ elektrodenbereich verbunden ist und der zweite Elektrodenbereich 6b in einem festgelegten Abstand zum ersten Elektrodenbereich 6a so liegt, dass der zweite Elektrodenbereich 6b mit einem auf der zweiten Seitenfläche 5b angeordneten Au­ ßenelektrodenbereich verbunden ist.
Ebenso weisen die zweite und dritte Außenelektrode 7 und 8 erste und zweite Elektrodenbereiche 7a, 7b, 8a und 8b auf.
Die erste Außenelektrode 6 ist elektrisch mit der Leitungselektrode 2d und die zweite Außenelektrode 7 mit der Leitungselektrode 2e verbunden. Auf diese Weise ist der Resonator, der die Anregungselektroden 2b und 2c aufweist, mit den Au­ ßenelektroden 6 und 7 verbunden. Die Außenelektrode 8 ist geerdet.
Die obige Anordnung stellt einen einen Kondensator enthaltenden chipförmigen piezoelektrischen Resonator dar, der drei Verbindungsanschlüsse, d. h. die Au­ ßenelektroden 6, 7 und 8 aufweist. In diesem Fall wird die elektrostatische Kapazi­ tät zwischen der Außenelektrode 8 und der Außenelektrode 6 oder 7 erzeugt.
Genauer gesagt stehen eine elektrostatische Kapazität, die von den Bereichen der dielektrischen Substrate 3 und 4 gebildet wird, die zwischen den Außenelektroden 6 und 8 liegen, und eine weitere elektrostatische Kapazität zur Verfügung, die von den Bereichen des dielektrischen Substrate 3 und 4 gebildet wird, die zwischen den Außenelektroden 7 und 8 liegen.
Beim chipförmigen piezoelektrischen Resonator 1 dieser Ausführungsform sind die ersten und zweiten Elektrodenbereiche 6a bis 8b auf der oberen Oberfläche des Laminats 5, d. h. der äußeren Hauptfläche 4b des zweiten dielektrischen Substrats 4, angeordnet und gestatten so durch eine Modifikation der Form der Elektrodenbe­ reiche 6a bis 8b einen einfachen Abgleich der erwähnten elektrostatischen Kapa­ zität. Kurz gesagt, wird die Resonanzfrequenz des chipförmigen piezoelektrischen Resonators 1 einfach dadurch abgeglichen, dass man den in Fig. 1 dargestellten chipförmigen piezoelektrischen Resonator 1 herstellt und dann, beispielsweise durch Lasertrimmung, einen Teil der oben beschriebenen geteilten Elektrodenbe­ reiche 6a bis 8b entfernt. Da der Frequenzabgleich vorgenommen werden kann, nachdem das piezoelektrische Bauteil 2 zusammen mit den dielektrischen Sub­ straten 3 und 4 laminiert wurde, und nachdem die Außenelektroden 6 bis 8 auf dem erzeugten Laminat angeordnet wurden, erhält man auf einfache Weise und mit ho­ her Präzision einen chipförmigen piezoelektrischen Resonator 1, dessen Reso­ nanzfrequenz im gewünschten Abgleichsbereich liegt.
Bei der bevorzugten Ausführungsform ist die relative Dielektrizitätskonstante einer das dielektrische Substrat 3 bildenden dielektrischen Keramik größer als die der das dielektrische Substrat 4 bildenden dielektrischen Keramik. Ferner erstrecken sich die Außenelektrode 8, die der Außenelektrode 6 oder 7 gegenüber liegt, und die Außenelektrode 6 und 7 weiter über das dielektrische Substrat 3 als über das dielektrische Substrat 4. Daher hängt die elektrostatische Kapazität des Laminats 5 in hohem Maße von der elektrostatischen Kapazität ab, die die Bereiche zwischen den Außenelektroden 8 und 6 und zwischen den Außenelektroden 8 und 7 des dielektrischen Substrats 3 erzeugen.
Mit anderen Worten ist die elektrostatische Kapazität, die von den Bereichen zwi­ schen den Außenelektroden 8 und 6 und zwischen den Außenelektroden 8 und 7 des dielektrischen Substrats 4 erzeugt wird, kleiner als die entsprechende elek­ trostatische Kapazität des dielektrischen Substrats 3. Daher kann die Resonanzfre­ quenz genau eingestellt werden, indem wenigstens ein Teil von wenigstens einem der Bereiche, ausgewählt aus den oben beschriebenen ersten und zweiten Elektro­ denbereichen 6a bis 8b, entfernt wird. So kann bei dem chipförmigen piezoelektri­ schen Resonator 1 dieser Ausführungsform zusätzlich dazu, dass die Resonanz­ frequenz nach der Herstellung des Resonators auf einfache Weise abgeglichen werden kann, der Abgleich der Resonanzfrequenz auch mit hoher Präzision aus­ geführt werden, da man die elektrostatische Kapazität des Resonators fein einstel­ len kann.
Das dielektrische Substrat 4 besteht aus einer dielektrischen Keramik mit einer re­ lativen Dielektrizitätskonstanten von mindestens 20. Wenn man eine dielektrische Keramik mit einer relativen Dielektrizitätskonstanten von weniger als 20 verwendet, ist die erhaltene elektrostatische Kapazität zu klein, um eine praktische Einstellung der Resonanzfrequenz durchführen zu können.
Obwohl sich die relative Dielektrizitätskonstante einer für das erste dielektrische Substrat 3 verwendeten dielektrischen Keramik von der relativen Dielektrizitätskon­ stanten der für das zweite dielektrische Substrat 4 verwendeten dielektrischen Ke­ ramik, wie oben beschrieben, unterscheidet, können bei dieser Erfindung die bei­ den dielektrischen Substrate 3 und 4 auch dieselbe relative Dielektrizitätskonstante aufweisen. Mit der Struktur dieser Ausführungsform läßt sich, wie gewünscht, die Feineinstellung der Resonanzfrequenz durch die Bearbeitung jeder der ersten und zweiten Elektrodenbereiche 6a bis 8b erreichen.
Wenn die obige Einstellung der Resonanzfrequenz vorgenommen wird, müssen nicht notwendigerweise alle erste und zweite Elektrodenbereiche 6a bis 8b bear­ beitet werden, aber wenigstens ein Elektrodenbereich wird bearbeitet, um die Ein­ stellung durchzuführen. Bevorzugt sind die elektrostatischen Kapazitäten auf den gegenüberliegenden Seiten der Außenelektrode 8 gleich eingestellt. Somit wird ein Verfahren, bei dem zum Frequenzabgleich wenigstens ein Bereich aus den ersten und zweiten Elektrodenbereichen 8a und 8b bearbeitet wird, bevorzugt. Alternativ wird ein Verfahren bevorzugt, bei dem zum Frequenzabgleich wenigstens ein Be­ reich der ersten und zweiten Elektrodenbereiche 6a und 6b bearbeitet und gleich­ mäßig der (die) entsprechende(n) Bereich(e) der ersten und zweiten Elektrodenbe­ reiche 7a und 7b entsprechend bearbeitet wird (werden).
Obwohl in der oben beschriebenen Ausführungsform die ersten und zweiten Elek­ trodenbereiche 6a bis 8b alle dieselbe rechteckige Form aufweisen, können die Formen der ersten und zweiten Elektrodenbereiche geeignet geändert werden. Beispiele für solche veränderten Formen der Elektrodenbereiche sind in den Fig. 3 bis 5 dargestellt.
Bei einem in Fig. 3 dargestellten chipförmigen piezoelektrischen Resonator 11 wei­ sen erste und zweite Elektrodenbereiche 16a und 16b einer ersten Außenelektrode 16 und erste und zweite Elektrodenbereiche 17a und 17b einer zweiten Außene­ lektrode 17 Aussparungen 12 auf, die auf den Seiten der Elektrodenbereiche gebil­ det sind, die den Elektrodenbereichen 18a und 18b gegenüberliegen. Wenn man solche Aussparungen 12 vorsieht, wird ein mit einer solchen Aussparung versehe­ ner Bereich relativ schmaler als der Rest des Elektrodenbereichs. Zum Beispiel werden im ersten Elektrodenbereich 16a der Außenelektrode 16 durch die Bildung einer Aussparung 12 schmalere Bereiche 16a1 und 16a2 auf den der Aussparung 12 gegenüberliegenden Seiten gebildet. Somit wird der Bereich 16a1 und/oder der Bereich 16a2 entfernt, um so die elektrostatische Kapazität auf einfache Weise und genauer einzustellen.
Bei dem in Fig. 4 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonator 21 sind die ersten und zweiten Elektrodenbereiche 26a, 26b, 27a, 27b L-förmig gestaltet. Da­ durch kann eine teilweise Entfernung der L-förmigen ersten und zweiten Elektro­ denbereiche 26a bis 27b problemlos durchgeführt werden, um so die elektrostati­ sche Kapazität leicht und genauer einzustellen.
Bei dem in Fig. 5 gezeigten chipförmigen piezoelektrischen Resonator 31 sind die an einer dritten Außenelektrode 38 gebildeten ersten und zweiten Elektrodenberei­ che 38a und 38b T-förmig gestaltet. Dadurch kann eine teilweise Entfernung der ersten und zweiten Elektrodenbereiche 38a bis 38b problemlos durchgeführt wer­ den, um so die elektrostatische Kapazität genauer einzustellen.
Obwohl die ersten und zweiten Elektrodenbereiche, wie oben beschrieben, ent­ sprechend der gewünschten Resonanzfrequenz wenigstens teilweise entfernt wer­ den, können, wie in Fig. 6 gezeigt ist, im äußersten Fall die Elektrodenbereiche zur Gänze entfernt werden, um so die Resonanzfrequenz einzustellen.
Bei den obigen chipförmigen Resonatoren 1, 11, 21 und 31 sind die ersten und zweiten Außenelektroden alle in entsprechenden erste und zweite Elektrodenberei­ che geteilt. Jedoch kann man in der Erfindung die Feineinstellung der Frequenz durch teilweises Entfernen eines ersten Elektrodenbereichs und/oder eines zweiten Elektrodenbereichs bewirken, solange wenigstens eine Außenelektrode auf der Hauptfläche des dielektrischen Substrats 4 in einen ersten und zweiten Elektroden­ bereich unterteilt ist.
Alternativ ist bei dem chipförmigen piezoelektrischen Resonator 1, der eine erste bis dritte Außenelektrode 6 bis 8 aufweist, die dritte Außenelektrode 8 in den ersten und zweiten Elektrodenbereich 8a und 8b geteilt, und die erste und zweite Au­ ßenelektrode 6 und 7 sind ungeteilt auf der äußeren Hauptfläche 4a des dielektri­ schen Substrats 4 angeordnet, d. h., die beiden Außenelektroden haben keine ge­ teilten Elektrodenbereiche 6a, 6b, 7a und 7b, um so eine identische elektrostatische Kapazität in den von der dritten Außenelektrode 8 geteilten Bereichen zu schaffen. Wenn wenigstens der erste und/oder der zweite Elektrodenbereich 8a oder 8b der dritten Außenelektrode 8 zum Einstellen der Resonanzfrequenz teilweise entfernt wird (werden), sind die elektrostatischen Kapazitäten der durch die dritte Außene­ lektrode 8 geteilten Bereiche sicher so eingestellt, dass sie gleich sind.
In weiterer Abänderung kann man die dritte Außenelektrode 8 auf der äußeren Hauptfläche 4b so anbringen, dass sie nicht in erste und zweite Elektrodenbereiche 8a und 8b geteilt ist, und die erste und zweite Außenelektrode 6 und 7 kann, wie in Fig. 1 in geteiltem Zustand ausgebildet sein. In diesem Fall kann bevorzugt, wenn einer der ersten und zweiten Elektrodenbereiche 6a bis 7b der ersten oder zweiten Außenelektrode 6 und 7 teilweise entfernt wird, ein gleichartiger Elektrodenbereich der ersten Außenelektrode 6 und der zweiten Außenelektrode 7 in entsprechender Weise entfernt werden.
Während die Erfindung nunmehr im einzelnen dargestellt und bezugnehmend auf ihre bevorzugten Ausführungsformen beschrieben wurde, ist es für den Fachmann unzweifelhaft, dass die vorstehenden und andere Änderungen in Form und Einzel­ heiten durchgeführt werden können, ohne dass der durch die beiliegenden Ansprü­ che definierte Umfang der Erfindung verlassen wird.

Claims (7)

1. Einen Kondensator enthaltender chipförmiger Resonator, der aufweist:
ein piezoelektrisches Bauteil (2), das aufweist:
ein piezoelektrisches Substrat (2a) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche; erste und zweite Anregungselektroden (2b, 2c), die jeweils auf der ersten und zweiten Hauptfläche des piezoelektrischen Substrats (2a) ein­ ander gegenüberliegend angeordnet sind und das piezoelektrische Substrat (2a) zwischen sich haben; und eine erste und zweite Leitungselektrode (2d, 2e), die jeweils mit der ersten und zweiten Anregungselektrode (2b, 2c) ver­ bunden sind und sich zu jeweiligen peripheren Kanten des piezoelektrischen Substrats (2a) hin erstrecken;
erste und zweite dielektrische Substrate (3, 4), die das piezoelektrische Bau­ teil (2) zwischen sich einschließen und ein Laminat bilden;
mehrere Außenelektroden (6, 7, 8; 16, 17, 18; 26, 27, 38), die so vorgesehen sind, dass sie sich von der äußeren Hauptfläche des ersten dielektrischen Substrats (3) zur äußeren Hauptfläche (4b) des zweiten dielektrischen Sub­ strats (4) längs der einander gegenüberliegenden ersten und zweiten Seiten­ flächen (5a, 5b) des Laminats (5) erstrecken;
wobei die erste und zweite Leitungselektrode (2d, 2e) des piezoelektrischen Bauteils (2) jeweils mit irgendeiner der Außenelektroden (6, 8) verbunden ist; und
wobei wenigstens eine der mehreren Außenelektroden (6, 7, 8; 16, 17, 18; 26, 27, 38) auf der äußeren Hauptfläche (4b) des zweiten dielektrischen Substrats (4) in einen ersten Elektrodenbereich (6a, 7a, 8a; 16a, 17a, 18a; 26a, 27a, 38a), der mit einem auf der ersten Seitenfläche (5a) gebildeten Außenelektro­ denbereich verbunden ist, und in einen zweiten Elektrodenbereich (6b, 7b, 8b; 16b, 17b, 18b; 26b, 27b, 38b) geteilt ist, der mit einem auf der zweiten Seiten­ fläche (5b) gebildeten Außenelektrodenbereich verbunden ist.
2. Chipförmiger piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die relative Dielektrizitätskonstante des das erste dielektrische Substrat (3) bildenden dielektrischem Materials größer ist, als die des das zweite dielektrische Substrat (49) bildenden dielektrischen Materials.
3. Chipförmiger piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten und zweiten Elektrodenbereiche (16a, 17a, 16b, 17b, 26a, 26b, 27a, 27b, 38a, 38b) jeweils einen schmaleren Bereich auf­ weisen, dessen Breite schmaler ist als die Breite des restlichen Teils der Au­ ßenelektrode.
4. Chipförmiger piezoelektrischer Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mehreren Außenelektroden (6, 7, 8) eine erste und zweite Außenelektrode (6, 7; 16, 17; 26, 27) aufweisen, die jeweils mit der ersten und zweiten Leitungselektrode (2d, 2e) verbunden sind, und ei­ ne dritte Außenelektrode(8, 18, 38), die geerdet ist.
5. Chipförmiger piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die erste und zweite Außenelektrode (16, 17) erste und zweite Elektrodenbereiche (16a1, 16a2) aufweisen.
6. Chipförmiger piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, dass die dritte Außenelektrode (38) in einen ersten und zweiten Elektrodenbereich (38a, 38b) geteilt ist, wobei die erste und zweite Außene­ lektrode nicht in erste und zweite Elektrodenbereich geteilt aber auf der äuße­ ren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats so angeordnet sind, dass sie die erste Seitenfläche mit der zweiten Seitenfläche verbinden.
7. Verfahren zur Einstellung der Resonanzfrequenz eines chipförmigen piezo­ elektrischen Resonators nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch ge­ kennnzeichnet, daß die Resonanzfrequenz dadurch eingestellt wird, daß teilweise wenigstens einer der ersten und zweiten Elektrodenbereiche (6a, 6b, 7a, 7b, 8a, 8b; 16a, 16b, 17a, 17b, 18a, 18b; 26a, 26b, 27a, 27b, 38a, 38b) entfernt wird, die dadurch gebildet sind, dass die Außenelektroden auf der äußeren Hauptfläche des zweiten dielektrischen Substrats geteilt sind.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11346138A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Murata Mfg Co Ltd チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法
TW474063B (en) * 1999-06-03 2002-01-21 Tdk Corp Piezoelectric device and manufacturing method thereof
JP2001102893A (ja) * 1999-09-27 2001-04-13 Murata Mfg Co Ltd チップ型電子部品及びチップ型電子部品の実装構造
JP3475876B2 (ja) * 1999-10-15 2003-12-10 株式会社村田製作所 容量内蔵型圧電共振部品
JP3438689B2 (ja) * 1999-12-20 2003-08-18 株式会社村田製作所 圧電共振子及び圧電発振子
DE10063265A1 (de) * 1999-12-20 2001-07-05 Murata Manufacturing Co Äußeres Überzugsubstrat für ein elektronisches Bauteil und ein piezoelektrisches Resonanzbauteil
JP3438698B2 (ja) * 2000-05-02 2003-08-18 株式会社村田製作所 圧電共振部品
KR20020075814A (ko) * 2001-03-24 2002-10-07 주식회사 코아텍 콘덴서 내장 표면실장형 압전 부품
US6842148B2 (en) 2001-04-16 2005-01-11 Skycross, Inc. Fabrication method and apparatus for antenna structures in wireless communications devices
KR20030005743A (ko) * 2001-07-10 2003-01-23 삼성전기주식회사 어레이형 칩부품의 제조방법
US6741212B2 (en) 2001-09-14 2004-05-25 Skycross, Inc. Low profile dielectrically loaded meanderline antenna
US6597321B2 (en) 2001-11-08 2003-07-22 Skycross, Inc. Adaptive variable impedance transmission line loaded antenna
US6812891B2 (en) * 2002-11-07 2004-11-02 Skycross, Inc. Tri-band multi-mode antenna
TWI281782B (en) 2002-12-25 2007-05-21 Quanta Comp Inc Portable wireless device
JP3783235B2 (ja) 2003-06-16 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器
TWI270332B (en) * 2004-04-20 2007-01-01 Murata Manufacturing Co Multilayer ceramic board, manufacturing method thereof and piezoelectric resonant component
JP2006074289A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子の周波数調整方法
JP4149444B2 (ja) * 2005-01-12 2008-09-10 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ
US20060255691A1 (en) * 2005-03-30 2006-11-16 Takahiro Kuroda Piezoelectric resonator and manufacturing method thereof
CN101160719B (zh) * 2005-04-27 2010-12-08 京瓷株式会社 压电部件及其制造方法
KR101243868B1 (ko) 2009-12-14 2013-03-20 한국전자통신연구원 가변 축전층이 내장된 능동형 압전 에너지변환 소자 및 그 제조 방법
KR20130058956A (ko) * 2011-11-28 2013-06-05 삼성전기주식회사 초음파 센서 및 이의 제조방법
US9160305B1 (en) * 2012-10-10 2015-10-13 University Of South Florida Capacitively and piezoelectrically transduced micromechanical resonators
CN109075761B (zh) * 2016-09-16 2022-06-24 株式会社大真空 压电振动器件
US10751754B2 (en) * 2017-07-31 2020-08-25 Texas Instruments Incorporated Micromachined ultrasound transducer
CN115632628A (zh) * 2022-09-30 2023-01-20 锐石创芯(重庆)科技有限公司 滤波器结构及其制作方法、滤波器芯片及电子设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3766616A (en) * 1972-03-22 1973-10-23 Statek Corp Microresonator packaging and tuning
US4837475A (en) * 1987-10-02 1989-06-06 Quartztronics, Inc. Crystal resonator with low acceleration sensitivity and method of manufacture thereof
JPH03240311A (ja) * 1990-02-17 1991-10-25 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子
JP3209762B2 (ja) * 1991-09-09 2001-09-17 株式会社村田製作所 圧電共振子
JP3158742B2 (ja) * 1992-02-25 2001-04-23 株式会社村田製作所 チップ型発振子およびこの発振子を用いた発振回路
JP3089851B2 (ja) * 1992-09-16 2000-09-18 株式会社村田製作所 チップ型圧電共振子の製造方法
JPH06318839A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Murata Mfg Co Ltd コンデンサ内蔵型圧電部品
US5648746A (en) * 1993-08-17 1997-07-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Stacked diezoelectric resonator ladder-type filter with at least one width expansion mode resonator
JPH1127078A (ja) * 1997-07-08 1999-01-29 Sumitomo Metal Ind Ltd チップ型圧電振動部品
JPH11346138A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Murata Mfg Co Ltd チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法

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KR100303434B1 (ko) 2001-10-29
KR20000005837A (ko) 2000-01-25
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US6215229B1 (en) 2001-04-10
DE19923476C2 (de) 2001-09-20
TW466827B (en) 2001-12-01
JPH11346138A (ja) 1999-12-14
CN1132308C (zh) 2003-12-24

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