DE19857953C2 - Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit - Google Patents

Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Messen der Konzentration von Ionen, insbesondere von H+-Ionen in einer Meßflüssigkeit mittels mindestens eines Ionen-Sensitiven-Feld- Effekt-Transistors (ISFET), der innerhalb der Vorrichtung in einer elektrischen Schaltung derart integriert ist, daß diese ein Ausgangssignal liefert, das ein Maß für die Konzentration der Ionen in der Meßflüssigkeit ist.
Derartige Vorrichtungen werden üblicherweise zur Messung des pH-Werts der Meßflüssigkeit verwendet. Der pH-Wert wird von einer Vielzahl in der Meßflüssigkeit gelöster Inhaltsstoffe bestimmt, bspw. von der Konzentration der H+- oder der OH-- Ionen.
Bei kommunaler und industrieller Abwasseraufbereitung werden chemische Reaktionen genutzt, um bestimmte Inhaltsstoffe auszufällen, das Wasser zu neutralisieren und zu entgiften. Der pH-Wert spielt für den richtigen Ablauf dieser Reaktionen eine Schlüsselrolle. Die mechanischen Absetzvorgänge in den Kläranlagen können durch saure oder alkalische Abwässer ungünstig beeinflusst werden. Die biologischen Vorgänge bei der Selbstreinigung der Gewässer oder in den aeroben und anaeroben biologischen Stufen der Kläranlagen sind ebenfalls an bestimmte pH-Werte gebunden und werden bei Abweichungen von diesen in ihrem Ablauf gestört. Zur Automatisierung dieser Betriebsabläufe ist eine kontinuierliche Messung des pH-Werts unentbehrlich.
Die Konzentration von H+-Ionen in einer Meßflüssigkeit kann bspw. mittels eines ionensensitiven Feldeffekttransistors (pH- ISFET), insbesondere mittels eines Wasserstoff-ISFET gemessen werden. pH-ISFETs haben gegenüber herkömmlichen Glaselektroden-Meßketten den Vorteil, daß sie alterungsunempfindlich sind und deshalb eine wesentlich höhere Standzeit aufweisen. Der Widerstand des Kanals des pH-ISFETs, und damit das Gatepotential, ändert sich linear zu der Konzentration der H+-Ionen in der Meßflüssigkeit. Damit der pH- ISFET ein Ausgangssignal liefert, das zu der an dem pH-ISFET anliegenden Eingangsspannung proportional ist, liegt an dem pH-ISFET ein konstanter Drain-Strom an. Als Ausgangssignal liefert der pH-ISFET bspw. eine Ausgangsspannung. Diese Ausgangsspannung wird gegen eine von der Konzentration der H+- Ionen nicht beeinflußbare Referenzelektronde gemessen, die ebenfalls in der Meßflüssigkeit angeordnet ist.
Vorrichtungen der eingangs genannten Art sind in unterschiedlichen Ausführungsformen aus dem Stand der Technik bekannt. Die bekannten Vorrichtungen unterscheiden sich untereinander insbesondere in der Art und Weise, wie der pH- ISFET in die Schaltung der Vorrichtung integriert ist. In Analytical and Biomedical Applications of Ion-Selektive Field- Effekt Transistors, P. Bergveld, A. Sibbald, Elsevier Science Publishers B. V., Amsterdam 1988, Chapter 8, ISFET instrumentation, S. 101-107 sind unterschiedliche Arten der Beschaltung eines pH-ISFET in einer Vorrichtung der eingangs genannten Art offenbart.
Dort ist in Fig. 8.3 ein Schaltplan dargestellt, der in Kapitel 8.5 (a. a. O., S. 104f.) näher erläutert wird. Demnach ist der pH-ISFET in einen Elektrometersubtrahierer (mit den Operationsverstärkern A1, A2, A3) integriert, und zwar derart, daß er an Stelle desjenigen Widerstands des Elektrometersubtrahierers in der Schaltung angeordnet ist, durch den der Verstärkungsfaktor des Elektrometersubtrahierers eingestellt werden kann. Der Elektrometersubtrahierer weist eine Energieversorgung auf mit einer Stromquelle, die einen konstanten Strom I liefert, und einer einstellbaren Referenzspannung Vref. Am Eingang des Elektrometersubtrahierers liegt an einem Widerstand R1 eine konstante Spannung I . R1 an. Als Ausgangssignal liefert der Elektrometersubtrahierer eine Ausgangsspannung, die umgekehrt proportional zu dem Widerstand des Kanals des pH-ISFETs ist. Die Ausgangsspannung wird mittels eines Invertierers (A4) invertiert. Schließlich wird die Differenz zwischen der invertierten Ausgangsspannung und der Referenzspannung Vref mittels eines Operationsverstärkers (A5) verstärkt. Der Ausgang des abschließenden Operationsverstärkers (A5) wird an den Eingang des Elektrometersubtrahierers rückgeführt, so daß ein Rückkopplungsstrom über einen Widerstand (R2) fließt. Dadurch können die Source- und Drainspannungen des pE-ISFET gesteuert werden. Aufgrund dieser Steuerung können der Drainstrom (ID) und die Drain-Source-Spannung (VDS) konstant gehalten werden.
Die Beschaltung des pH-ISFET in einem Elektrometersubtrahierer hat jedoch den Nachteil, daß eine solche Schaltung sehr aufwendig zu realisieren ist. Insbesondere benötigt sie eine große Anzahl von Bauelementen, z. B. drei Operationsverstärker (A1, A2, A3) und sechs ohmsche Widerstände (R3, R4, R5, R6, R7, R8). Aufgrund der großen Anzahl von Bauelementen ist die Herstellung der Schaltung zeitaufwendig und kompliziert. Die bekannte Beschaltung des pH-ISFET ist zudem äußerst anfällig gegenüber einer Temperaturdrift.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art dahingehend auszugestalten und weiterzubilden, daß ein pH-ISFET in einer möglichst einfachen Schaltung, die insbesondere wenige Bauelemente aufweist, integriert ist, die zudem bezüglich einer Temperaturdrift wenig anfällig ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung vor, daß der mindestens eine pH-ISFET zusammen mit mindestens drei Widerständen in einer Brückenschaltung geschaltet ist.
Auf diese Weise ist der pH-ISFET in einer besonders einfach aufgebauten Schaltung integriert. Die Schaltung besteht aus einer äußerst geringen Anzahl von Bauteilen und kann somit kostengünstig hergestellt werden. Trotz des einfachen Aufbaus der Schaltung, weist die erfindungsgemäße Vorrichtung alle notwendigen Merkmale auf, um eine einwandfreie Funktion des pH-ISFET sicherzustellen. So liefert der in der Schaltung betriebene pH-ISFET bspw. ein Ausgangssignal, das zu der an dem pH-ISFET anliegenden Eingangsspannung proportional ist. Zudem ist das Ausgangssignal ein zuverlässiges Maß für die Konzentration an Ionen in der Meßflüssigkeit und damit für den pH-Wert der Meßflüssigkeit. Zwischen dem dekadischen Logarithmus der H+-Ionenkonzentration in der Meßflüssigkeit und dem Ausgangssignal der Vorrichtung besteht vorzugsweise ein linearer Zusammenhang.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlagen, daß an Einspeisestellen der Brückenschaltung eine Brückenspeisespannung anliegt und daß die Diagonalspannung der Brückenschaltung zwischen einem p-Eingang und einem n-Eingang eines ersten Operationsverstärkers anliegt, dessen Ausgang über zwei Widerstände der Brückenschaltung zu den Eingängen des ersten Operationsverstärkers rückgekoppelt ist.
Die an dem pH-ISFET anliegende Drain-Source-Spannung UDS wird mit Hilfe der Brückenspeisespannung UBSS und der Widerstände R2 und R3 eingestellt, über die der Ausgang des ersten Operationsverstärkers zu den Eingängen des ersten Operationsverstärkers rückgekoppelt ist. Dabei gilt der folgende Zusammenhang:
Der Drain-Source-Strom IDS kann dann mittels der Drain-Source- Spannung UDS und des Widerstands R1 eingestellt werden, über den der Ausgang des ersten Operationsverstärkers zu den Eingängen des ersten Operationsverstärkers rückgekoppelt ist. Dabei gilt der folgende Zusammenhang:
Mittels dieser Zusammenhänge kann der Arbeitspunkt des pH- ISFET auf einfache Weise ohne Änderung der Brückenspeisespannung UBSS eingestellt werden.
Vorteilhafterweise ist der Ausgang des ersten Operationsverstärkers über einen Kondensator auf den n-Eingang des ersten Operationsverstärkers zurückgeführt. Dadurch können Schwingungen der Vorrichtung unterdrückt werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Widerstände als ohmsche Widerstände ausgebildet. Es ist aber auch denkbar, die Widerstände, über die der Ausgang des Operationsverstärkers zu den Eingängen des ersten Operationsverstärkers rückgekoppelt ist, durch Stromquellen zu ersetzen. Eine Stromquelle kann durch einen in der Sättigung betriebenen Feldeffekttransistro realisiert werden.
Vorteilhafterweise ist das Ausgangssignal als das Drain- Potential des pH-ISFET ausgebildet. Das Drain-Potential folgt der durch eine Änderung des pH-Werts hervorgerufenen Änderung des Gate-Potentials linear, da der Operationsverstärker als P- Regler arbeitet. Der Regelkreis hat die Übertragungsfunktion
In einem eingeregelten Zustand der Schaltung ist die Brücke abgeglichen, d. h. die Diagonalspannung Ud = 0. In dem abgeglichenen Zustand der Brücke liegt zwischen den beiden in Reihe geschalteten Widerständen auf der einen Seite der Brücke das gleiche Potential an wie zwischen dem Widerstand und dem Drain des pH-ISFET auf der anderen Seite der Brücke. Deshalb kann in dem abgeglichenen Zustand der Brücke das Ausgangssignal auch zwischen den beiden in Reihe geschalteten Widerständen auf der einen Brückenseite abgegriffen werden.
Jeder der drei Widerstände der Brückenschaltung kann selbstverständlich auch durch eine Vielzahl von in Reihe oder parallel geschalteter Widerstände ersetzt werden. Das Ausgangssignal kann an beliebigen Stellen zwischen diesen Widerständen abgegriffen werden. Je nach der Größe der einzelnene Widerstände ist das derart abgegriffene Ausgangssignal um eine Offsetspannung gegenüber dem ursprünglich zwischen den beiden in Reihe geschalteten Widerständen auf der einen Seite der Brückenschaltung bzw. zwischen dem Drain des pH-ISFET und dem Widerstand auf der anderen Seite der Brückenschaltung abgegriffenen Ausgangssignal verschoben. Auf diese Weise kann der Nullpunkt der Schaltung (in der Regel bei pH 7) unabhängig von den übrigen Betriebsgrößen des pH-ISFET (insbesondere Drain- Source-Spannung UDS und Drain-Source-Strom IDS) eingestellt werden.
Vorzugsweise ist das Ausgangssignal der Vorrichtung unabhängig von Temperatureinflüssen. Dazu wird gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung vorgeschlagen, daß die Vorrichtung eine Referenzelektrode aufweist, die ebenfalls in der Meßflüssigkeit angeordnet ist, wobei das Ausgangssignal als eine Ausgangsspannung ausgebildet ist, die aus der Differenz des Drain-Potentials des pH-ISFET und eines Referenzpotentials der Referenzeleketrode gebildet ist.
Damit das Ausgangssignal der Vorrichtung unabhängig von Temperatureinflüssen ist, wird gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung des weiteren vorgeschlagen, daß die Vorrichtung einen Referenz-ISFET aufweist, der ebenfalls in der Meßflüssigkeit angeordnet ist, wobei das Ausgangssignal als eine Ausgangsspannung ausgebildet ist, die aus der Differenz des Drain-Potentials des pH-ISFET und des Drain-Potentials des Referenz-ISFET gebildet ist. Der Referenz-ISFET ist vorteilhafterweise in einer Brückenschaltung beschaltet, wie der pH-ISFET der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Gemäß dieser Weiterbildung wird nicht nur die herkömmliche Glaselektrode zum Messen der Ionenkonzentration durch einen pH-ISFET ersetzt. Vielmehr wird auch die als herkömmliche Glaselektrode ausgebildete Referenzelektrode durch einen ISFET ersetzt.
Damit die Vorrichtung ein Ausgangssignal liefert, das eine möglichst geringe Lichtempfindlichkeit aufweist, wird gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung vorgeschlagen, daß das Drain-Potential des pH-ISFET und ein Pseudoreferenzpotential einer Potentialableitelektrode ein erstes Differenzsignal bilden und das Drain-Potential des Referenz-ISFET und das Pseudoreferenzpotential ein zweites Differenzsignal bilden, wobei das Ausgangssignal als die Differenz aus dem ersten und dem zweiten Differenzsignal ausgebildet ist, und an den Gate-Regionen des pH-ISFET und des Referenz-ISFET gleiche Lichtverhältnisse herrschen. Die Potentialableitelektrode ist vorzugsweise als ein Metallstift ausgebildet, der mit einer Silber- bzw. einer Silberchloridbeschichtung versehen ist. Der Referenz-ISFET ist in einer Meßkammer mit konstantem pH-Wert (z. B. pH = 7) angeordnet. Die Meßkammer steht über ein Diaphragma mit der Meßflüssigkeit in Verbindung.
Bei dieser Vorrichtung werden der pH-ISFET und der Referenz- ISFET in einem sogenannten Differenzmode gegen das Pseudoreferenzpotential der Potentialableitelektrode betrieben. Aufgrund der Differenzenbildung sind die lichtabhängigen Signalanteile des pH-ISFET und des Referenz- ISFET in den beiden Differenzsignale fast vollständig kompensiert. Somit ist auch das Ausgangssignal weitestgehend unabhängig, bei identischen Lichtverhältnissen an den Gate- Regionen des pH-ISFET und des Referenz-ISFET sogar vollständig unabhängig, von den Lichtverhältnissen.
Auch bei dieser Vorrichtung, die in dem Differenzmode gegen das Pseudoreferenzpotential der Potentialableitelektrode betrieben wird, ist der pH-ISFET zusammen mit mindestens drei Widerständen vorteilhafterweise in einer Brückenschaltung geschaltet. Der Betrieb der Vorrichtung gegen das Pseudoreferenzpotential der Potentialableitelektrode hat die angegebenen Vorteile aber auch ohne diese Merkmale des Kennzeichens des Patentanspruchs 1. Der Schutz des Patentes soll sich deshalb auch auf Vorrichtungen der zuletzt genannten Art beziehen, bei denen die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale fehlen.
Die Brückenspeisespannung ist vorzugsweise konstant. Die konstante Brückenspeisespannung dient dem Operationsverstärker der Schaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung dazu, eine möglichst stabile Ausgangsspannung zu erzeugen. Die Stabilität der Ausgangsspannung kann nicht besser sein als die der Brückenspeisespannung. Um die Brückenspeisespannung möglichst stabil zu halten, kommt es deshalb auf eine möglichst stabile Spannungsquelle an.
Es sind verschiedene Möglichkeiten bekannt, eine konstante Spannung zu erzeugen. Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird vorgeschlagen, daß die Brückenspeisespannung als eine Bandabstands-Spannung einer sog. Bandgap-Diode ausgebildet ist.
Vorzugsweise ist die Drain-Source-Spannung des pH-ISFET während des Meßvorgangs konstant. Zusätzlich oder alternativ ist der Drain-Source-Strom des pH-ISFET während des Meßvorgangs konstant. Der Betriebszustand, in dem sowohl die Drain-Source-Spannung als auch der Drain-Source-Strom konstant sind wird auch als Constant-Charge-Mode (CCM) bezeichnet. Das Gate des ISFET stellt einen Kondensator dar. Durch einen Betrieb des ISFET im CCM bleibt die Ladung des Kondensator konstant, wodurch keine Umladevorgänge auftreten. Dadurch kann der ISFET schneller ansprechen und liefert einen genaueren Meßwert, da auch keine Hystereeffekte auftreten können.
Im folgenden werden zwei bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schaltplan einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform, und
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform.
In Fig. 1 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung in ihrer Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 1 bezeichnet. Die Vorrichtung 1 weist eine elektronische Schaltung auf, in der ein ionensensitiver Feldeffekttransistor (pH-ISFET) 2 integriert ist. Mittels des pH-ISFET 2 kann die Konzentration von Ionen in einer Meßflüssigkeit gemessen werden. Aus der Ionenkonzentration kann dann der pH-Wert der Meßflüssigkeit ermittelt werden.
Der pH-ISFET 2 ist zusammen mit drei Widerständen (R1, R2, R3) in einer Brückenschaltung geschaltet. Über zwei Einspeisestellen 3 liegt eine konstante Brückenspeisespannung UBSS an der Brückenschaltung. Die Diagonalspannung UD der Brückenschaltung liegt zwischen einem p-Eingang 4 und einem n- Eingang 5 eines ersten Operationsverstärkers OP an. Der Ausgang des Operationsverstärkers OP ist über zwei der drei Widerstände (R1, R2) der Brückenschaltung zu den Eingängen 4, 5 des Operationsverstärkers OP rückgekoppelt. An dem n-Eingang 5 des Operationsverstärkers OP liegt das Drain-Potential ϕD des pH-ISFET 2 an. Der Operationsverstärker OP arbeitet als P- Regler in der Schaltung. Aus diesem Grund folgt das Drain- Potential ϕD dem Gate-Potential ϕG. Der erste Operationsverstärker OP ist symmetrisch beschaltet, d. h. an dessen Eingängen 4, 5 liegt in etwa die gleiche Impedanz bzgl. Masse an. Das hat den Vorteil, daß Gleichtaktstörungen an den Eingängen 4, 5, auch aufgrund von temperaturbedingten Widerstandsänderungen, besser kompensiert werden, was zu einer besseren Linearität des Operationsverstärkers OP führt.
Durch eine Änderung des pH-Wertes der Meßflüssigkeit verändert sich das Gate-Potential ϕG des pH-ISFET 2. Das führt zu einer Änderung des Kanal-Widerstands und damit auch zu einer Änderung des Drain-Potentials ϕD. Der n-Eingang 5 des Operationsverstärkers OP mit dem Drain-Potential ϕD wird aus der Vorrichtung 1 herausgeführt. Die Differenz zwischen dem Drain-Potential ϕD und einem Referenzpotential ϕREF wird als Ausgangsspannung UpH bezeichnet. Die Ausgangsspannung UpH ist das Ausgangssignal der Vorrichtung 1 und ist proportional zu dem pH-Wert der Meßflüssigkeit. Die Ausgangsspannung UpH der Schaltung ist aufgrund des symmetrischen Aufbaus der Schaltung weitgehend unabhängig von der Temperatur. In der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung 1 wird das Referenzpotential ϕREF mittels einer Referenzelektrode 6 erzeugt, die ebenfalls in der Meßflüssigkeit angeordnet ist. Es ist aber auch denkbar, die Referenzelektrode 6 durch eine weitere erfindungsgemäße Vorrichtung (vgl. Fig. 2) zu ersetzen. Dann könnte das Drain- Potential der weiteren erfindungsgemäßen Vorrichtung als Referenzpotential ϕREF verwendet werden.
Die Widerstände R4, R5 und die übrige Schaltung 7 der Vorrichtung 1 wirken als Spannungsteiler. Zwischen den Einspeisestellen 3 kann sich somit eine von der Betriebsspannung +UB, -UB verschiedene Spannung (Brückenspeisespannung UBSS) einstellen. Die Brückenspeisespannung UBSS ist als eine sog. floatende Spannungsreferenz ohne festes Bezugspotential ausgebildet. An der oberen Einspeisestelle 3 der übrigen Schaltung 7 kann sich ein Potential zwischen +UB - UR4 und -UB + UBSS + UR5 einstellen. An der unteren Einspeisestelle 3 der übrigen Schaltung 7 kann sich ein Potential zwischen +UB - UBSS - UR4 und -UB + UR5 einstellen.
Zwischen den beiden Einspeisestellen 3 liegt jedoch stets die Brückenspeisespannung UBSS an.
In Fig. 2 ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung 1 dargestellt, bei der die Referenzelektrode 6 als ein Referenz-ISFET 8 ausgebildet ist. Damit die Vorrichtung 1 aus Fig. 2 ein Ausgangssignal UpH liefert, das eine möglichst geringe Lichtempfindlichkeit aufweist, bilden das Drain-Potential ϕD des pH-ISFET 2 und ein Pseudoreferenzpotential einer Potentialableitelektrode 9 ein erstes Differenzsignal Udiff1, und das Drain-Potential ϕREF des Referenz-ISFET 8 und das Pseudoreferenzpotential bilden ein zweites Differenzsignal Udiff2. Das Ausgangssignal UpH ist als die Differenz aus dem ersten Differenzsignal Udiff1 und dem zweiten Differenzsignal Udiff2 ausgebildet. An den Gate-Regionen des pH-ISFET 2 und des Referenz-ISFET 8 herrschen vorzugsweise die gleichen Lichtverhältnisse. Die Potentialableitelektrode 9 ist vorzugsweise als ein Metallstift ausgebildet, der mit einer Silber- bzw. einer Silberchloridbeschichtung versehen ist. Der Referenz-ISFET 8 ist in einer Meßkammer 10 angeordnet, in der sich eine Referenzlösung 13 mit einem konstanten pH-Wert (z. B. pH = 7) befindet. Die Meßkammer 10 steht über ein Diaphragma 11 mit der Meßflüssigkeit 12 in Verbindung.

Claims (11)

1. Vorrichtung (1) zum Messen der Konzentration von Ionen, insbesondere von Wasserstoff (H+)-Ionen, in einer Meßflüssigkeit (12) mittels mindestens eines Ionen- Sensitiven-Feld-Effekt-Transistors (pH-ISFET) (2), der innerhalb der Vorrichtung (1) in einer elektrischen Schaltung derart integriert ist, daß diese ein Ausgangssignal liefert, das ein Maß für die Konzentration der Ionen in der Meßflüssigkeit (12) ist, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine pH-ISFET (2) zusammen mit mindestens drei Widerständen (R1, R2, R3) in einer Brückenschaltung geschaltet ist.
2. Vorrichtung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an Einspeisestellen (3) der Brückenschaltung eine Brückenspeisespannung (UBSS) anliegt und daß die Diagonalspannung (Ud) der Brückenschaltung zwischen einem p-Eingang (4) und einem n-Eingang (5) eines ersten Operationsverstärkers (OP) anliegt, dessen Ausgang über zwei Widerstände (R1, R2) der Brückenschaltung zu den Eingängen (4, 5) des ersten Operationsverstärkers (OP) rückgekoppelt ist.
3. Vorrichtung (1) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausgang des ersten Operationsverstärkers (OP) über einen Kondensator auf den n-Eingang (5) des ersten Operationsverstärkers (OP) zurückgeführt ist.
4. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (R1, R2, R3) als ohmsche Widerstände ausgebildet sind.
5. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal als das Drain- Potential (ϕD) des pH-ISFET (2) ausgebildet ist.
6. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (1) eine Referenzelektrode (6) aufweist, die ebenfalls in der Meßflüssigkeit (12) angeordnet ist, wobei das Ausgangssignal als eine Ausgangsspannung (UpH) ausgebildet ist, die aus der Differenz des Drain-Potentials (ϕD) des pH-ISFET (2) und eines Referenzpotentials (ϕREF) der Referenzeleketrode (6) gebildet ist.
7. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (1) einen Referenz- ISFET (8) aufweist, der ebenfalls in der Meßflüssigkeit (12) angeordnet ist, wobei das Ausgangssignal als eine Ausgangsspannung (UpH) ausgebildet ist, die aus der Differenz des Drain-Potentials (ϕD) des pH-ISFET (2) und des Drain-Potentials (ϕREF) des Referenz-ISFET (8) gebildet ist.
8. Vorrichtung (1) zum Messen der Konzentration von Ionen, insbesondere von Wasserstoff (H+)-Ionen, in einer Meßflüssigkeit (12) mittels mindestens eines Ionen- Sensitiven-Feld-Effekt-Transistors (pH-ISFET) (2), der innerhalb der Vorrichtung (1) in einer elektrischen Schaltung derart integriert ist, daß diese ein Ausgangssignal liefert, das ein Maß für die Konzentration der Ionen in der Meßflüssigkeit (12) ist, insbesondere nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Drain- Potential (ϕD) des pH-ISFET (2) und ein Pseudoreferenzpotential einer Potentialableitelektrode (9) ein erstes Differenzsignal (Udiff1) bilden und das Drain-Potential (ϕREF) des Referenz-ISFET (8) und das Pseudoreferenzpotential ein zweites Differenzsignal (Udiff2) bilden, wobei das Ausgangssignal (UpH) als die Differenz aus dem ersten Differenzsignal (Udiff1) und dem zweiten Differenzsignal (Udiff2) ausgebildet ist und an den Gate-Regionen des pH-ISFET (2) und des Referenz-ISFET (8) gleiche Lichtverhältnisse herrschen.
9. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Brückenspeisespannung (UBSS) als eine Bandabstands-Referenzspannung einer Bandgap-Diode ausgebildet ist.
10. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Source-Spannung (UDS) des pH-ISFET (2) während des Meßvorgangs konstant ist.
11. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Drain-Source-Strom (IDS) des pH-ISFET (2) während des Meßvorgangs konstant ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010062224A1 (de) 2010-11-30 2012-05-31 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. KG Messvorrichtung zur Bestimmung einer Konzentration einer vorgegebenen Ionenart in einer Messflüssigkeit
DE102012105283A1 (de) 2011-06-24 2012-12-27 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Messaufnehmer zur Bestimmung einer einen Gehalt von H+- und/oder OH--Ionen in einem Messmedium repräsentierenden Messgröße

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2165809B1 (es) * 2000-06-21 2003-02-16 Univ Valencia Estudi General Sistema de medida basado en sensores isfets/memfets que permite variar el punto de operacion del sensor y determinar la concentracion de iones en un medio liquido.
JP4658342B2 (ja) * 2001-01-23 2011-03-23 エフアイエス株式会社 水質チェッカ回路
DE10233905A1 (de) * 2002-07-25 2004-02-12 Testo Gmbh & Co Messsonde zur Messung einer Ladungsträgerkonzentration und Verfahren zu ihrem Betrieb
TWI235236B (en) * 2003-05-09 2005-07-01 Univ Chung Yuan Christian Ion-sensitive circuit
DE10352917A1 (de) * 2003-11-11 2005-06-16 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensoranordnung mit mehreren potentiometrischen Sensoren
US8536661B1 (en) 2004-06-25 2013-09-17 University Of Hawaii Biosensor chip sensor protection methods
US7785785B2 (en) 2004-11-12 2010-08-31 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Charge perturbation detection system for DNA and other molecules
US20070096165A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Lipisko Bruce A In-situ wet chemical process monitor
DE102005062387B4 (de) * 2005-12-23 2014-02-27 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Potentiometrischer Sensor mit Zustandsüberwachung
US8262900B2 (en) 2006-12-14 2012-09-11 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
US8349167B2 (en) 2006-12-14 2013-01-08 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for detecting molecular interactions using FET arrays
EP2653861B1 (de) 2006-12-14 2014-08-13 Life Technologies Corporation Verfahren zur Nukleinsäure-Sequenzierung mittels großer FET-Arrays
US11339430B2 (en) 2007-07-10 2022-05-24 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes using large scale FET arrays
WO2009088280A2 (en) * 2008-01-04 2009-07-16 Mimos Berhad Adaptable analog read-out interface circuit for isfet based sensor
JP5016552B2 (ja) * 2008-05-13 2012-09-05 出光興産株式会社 潤滑油劣化度評価装置
CN102203282B (zh) 2008-06-25 2014-04-30 生命技术公司 使用大规模fet阵列测量分析物的方法和装置
US20100301398A1 (en) 2009-05-29 2010-12-02 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US20100137143A1 (en) 2008-10-22 2010-06-03 Ion Torrent Systems Incorporated Methods and apparatus for measuring analytes
US8436621B2 (en) * 2009-01-16 2013-05-07 Kyungpook National University Industry-Academic Corporation Foundation pH measurement system using glass pH sensor
US8776573B2 (en) 2009-05-29 2014-07-15 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
US8673627B2 (en) 2009-05-29 2014-03-18 Life Technologies Corporation Apparatus and methods for performing electrochemical reactions
US20120261274A1 (en) 2009-05-29 2012-10-18 Life Technologies Corporation Methods and apparatus for measuring analytes
DE102009055297A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG, 70839 Verfahren zum Betreiben eines ISFET-Sensors
US9164070B2 (en) * 2010-06-30 2015-10-20 Life Technologies Corporation Column adc
TWI624665B (zh) 2010-06-30 2018-05-21 生命技術公司 離子感測電荷累積電路及方法
CN103080739B (zh) 2010-06-30 2016-12-21 生命科技公司 用于测试isfet阵列的方法和装置
US11307166B2 (en) 2010-07-01 2022-04-19 Life Technologies Corporation Column ADC
TWI527245B (zh) 2010-07-03 2016-03-21 生命技術公司 具有微摻雜汲極之化學感測器
EP2617061B1 (de) 2010-09-15 2021-06-30 Life Technologies Corporation Verfahren und vorrichtung zur analytmessung
EP2619564B1 (de) 2010-09-24 2016-03-16 Life Technologies Corporation Transistorschaltungen mit zusammengehörigen paaren
US9970984B2 (en) 2011-12-01 2018-05-15 Life Technologies Corporation Method and apparatus for identifying defects in a chemical sensor array
US8821798B2 (en) 2012-01-19 2014-09-02 Life Technologies Corporation Titanium nitride as sensing layer for microwell structure
US8747748B2 (en) 2012-01-19 2014-06-10 Life Technologies Corporation Chemical sensor with conductive cup-shaped sensor surface
US8786331B2 (en) 2012-05-29 2014-07-22 Life Technologies Corporation System for reducing noise in a chemical sensor array
DE102012111811A1 (de) 2012-12-05 2014-06-05 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Elektrochemischer Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration in einem Messmedium
DE102012111813A1 (de) 2012-12-05 2014-06-05 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration
US9080968B2 (en) 2013-01-04 2015-07-14 Life Technologies Corporation Methods and systems for point of use removal of sacrificial material
US9841398B2 (en) 2013-01-08 2017-12-12 Life Technologies Corporation Methods for manufacturing well structures for low-noise chemical sensors
US8962366B2 (en) 2013-01-28 2015-02-24 Life Technologies Corporation Self-aligned well structures for low-noise chemical sensors
US8963216B2 (en) 2013-03-13 2015-02-24 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall spacer sensor surface
US8841217B1 (en) 2013-03-13 2014-09-23 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
US9116117B2 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with sidewall sensor surface
US20140264471A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Life Technologies Corporation Chemical device with thin conductive element
US9835585B2 (en) 2013-03-15 2017-12-05 Life Technologies Corporation Chemical sensor with protruded sensor surface
WO2014149778A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical sensors with consistent sensor surface areas
WO2014149780A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Life Technologies Corporation Chemical sensor with consistent sensor surface areas
US20140336063A1 (en) 2013-05-09 2014-11-13 Life Technologies Corporation Windowed Sequencing
US10458942B2 (en) 2013-06-10 2019-10-29 Life Technologies Corporation Chemical sensor array having multiple sensors per well
DE102013106032A1 (de) 2013-06-11 2014-12-11 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration
DE102013013601A1 (de) 2013-08-19 2015-03-12 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration
CN107250784B (zh) 2014-12-18 2020-10-23 生命科技公司 具有发送器配置的高数据率集成电路
US10077472B2 (en) 2014-12-18 2018-09-18 Life Technologies Corporation High data rate integrated circuit with power management
EP3234575B1 (de) 2014-12-18 2023-01-25 Life Technologies Corporation Vorrichtung zur messung von analyten unter verwendung von grossflächigen fet-arrays
DE102015122608A1 (de) 2015-12-22 2017-06-22 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration eines Mediums und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102016103158A1 (de) 2015-12-22 2017-06-22 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Sensor zur Erfassung einer Analytkonzentration eines Mediums
DE102017103684A1 (de) 2017-02-23 2018-08-23 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Messeinrichtung zur messtechnischen Erfassung einer Konzentration eines in einem Fluid enthaltenen Analyten
DE102017112225A1 (de) 2017-06-02 2018-12-06 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines Gehäuse und Gehäuse für eine elektrochemische Bezugshalbzelle
DE102017116504A1 (de) 2017-07-21 2019-01-24 Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg Modulares Messsystem
KR102325436B1 (ko) * 2020-02-18 2021-11-12 한국전자기술연구원 가스 감지 센서
US11592420B2 (en) * 2020-07-17 2023-02-28 Robert Bosch Gmbh Closed-loop PH control with differential sensor
DE102022131978A1 (de) * 2022-12-02 2024-06-13 pg40 Consulting Group GmbH Aktive Messschaltung und Verfahren zum Betreiben einer aktiven Messschaltung

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3706649A (en) * 1970-06-29 1972-12-19 Beckman Instruments Inc Electrochemical electrode
US4020830A (en) * 1975-03-12 1977-05-03 The University Of Utah Selective chemical sensitive FET transducers
DE2641101C3 (de) * 1976-09-13 1980-08-21 Dulger, Viktor, 6900 Heidelberg Einrichtung zum Regeln des pH-Wertes oder eines vergleichbaren Wertes einer Lösung
JPS5825221B2 (ja) * 1977-12-12 1983-05-26 株式会社クラレ Ｆｅｔ比較電極
JPS5498677A (en) * 1978-01-11 1979-08-03 Citizen Watch Co Ltd Electronic watch
JPS5539042A (en) * 1978-09-14 1980-03-18 Tokyo Daigaku Ion selecting field-effect sensor
JPS5639454A (en) * 1979-09-10 1981-04-15 Olympus Optical Co Ltd Chemical suybstance detector by using chemical sensitive element with structure of insulated-gate field-effect transistor
US4334880A (en) * 1980-10-20 1982-06-15 Malmros Mark K Analytical device having semiconductive polyacetylene element associated with analyte-binding substance
JPS57136158A (en) * 1981-02-17 1982-08-23 Sumitomo Electric Ind Ltd Ph electrode
US4411741A (en) * 1982-01-12 1983-10-25 University Of Utah Apparatus and method for measuring the concentration of components in fluids
US4488556A (en) * 1982-06-03 1984-12-18 Critikon, Inc. AC Mode operation of chemfet devices
NL8303792A (nl) * 1983-11-03 1985-06-03 Cordis Europ Inrichting voorzien van een op een isfet gebaseerd meetcircuit; voor toepassing in het meetcircuit geschikte isfet en werkwijze ter vervaardiging van een in het meetcircuit toe te passen isfet.
EP0155725A1 (de) * 1984-02-27 1985-09-25 Sentron v.o.f. Vorrichtung zur Messung einer ionischen Konzentration mittels eines Messfeldeffekttransistors und eines Referenzfeldeffekttransistors, die beide für dasselbe Ion empfindlich sind
US4592824A (en) * 1985-09-13 1986-06-03 Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Miniature liquid junction reference electrode and an integrated solid state electrochemical sensor including the same
US4776944A (en) * 1986-03-20 1988-10-11 Jiri Janata Chemical selective sensors utilizing admittance modulated membranes
US4963815A (en) * 1987-07-10 1990-10-16 Molecular Devices Corporation Photoresponsive electrode for determination of redox potential
EP0315788B1 (de) * 1987-10-13 1992-12-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Ionensensor
US5078855A (en) * 1987-10-13 1992-01-07 Taiyo Yuden Co., Ltd. Chemical sensors and their divided parts
CH675181A5 (de) * 1988-05-19 1990-08-31 Siemens Ag Albis
DE3827314C1 (de) * 1988-08-11 1989-10-19 Christoff Prof. Dr. Braeuchle
GB8909561D0 (en) * 1989-04-26 1989-06-14 Kodak Ltd Radiation-sensitive composition and use thereof in the preparation of electrochemical ion sensors
JPH0366384A (ja) * 1989-08-04 1991-03-22 Senjiyu Seiyaku Kk 生理活性物質放出制御システム
WO1994026029A1 (en) * 1993-04-26 1994-11-10 Unifet Incorporated Method and apparatus for multiplexing devices having long thermal time constants
US5719033A (en) 1995-06-28 1998-02-17 Motorola, Inc. Thin film transistor bio/chemical sensor
JP3241279B2 (ja) * 1996-11-14 2001-12-25 株式会社日立製作所 保護機能付きスイッチ回路
JP3542886B2 (ja) * 1997-04-18 2004-07-14 有限会社バイテックス 温度補償水晶発振器
US5911873A (en) * 1997-05-02 1999-06-15 Rosemount Analytical Inc. Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points
US6008685A (en) * 1998-03-25 1999-12-28 Mosaic Design Labs, Inc. Solid state temperature measurement

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Analytiacal and Biomedical Applications of Ion- Selektive Field-Effekt Transistors, P. Bergveld, A. Sibbald, Elsevier Science Publishers B.V., Amsterdam 1988, Chapter 8, ISFET instrumentation, S. 101-107 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010062224A1 (de) 2010-11-30 2012-05-31 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik GmbH + Co. KG Messvorrichtung zur Bestimmung einer Konzentration einer vorgegebenen Ionenart in einer Messflüssigkeit
DE102012105283A1 (de) 2011-06-24 2012-12-27 Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG Messaufnehmer zur Bestimmung einer einen Gehalt von H+- und/oder OH--Ionen in einem Messmedium repräsentierenden Messgröße

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002532716A (ja) 2002-10-02
ATE289064T1 (de) 2005-02-15
DE19857953A1 (de) 2000-07-06
WO2000036408A1 (de) 2000-06-22
DE59911621D1 (de) 2005-03-17
EP1153286B1 (de) 2005-02-09
EP1153286A1 (de) 2001-11-14
US6624637B1 (en) 2003-09-23
CA2354424A1 (en) 2000-06-22

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