DE19857358A1

DE19857358A1 - Dielektrisches Filter

Info

Publication number: DE19857358A1
Application number: DE19857358A
Authority: DE
Inventors: Myoung Lib Moon; Jong Soo Ha
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 1998-11-03
Filing date: 1998-12-11
Publication date: 2000-05-18
Also published as: SE519534C2; CN1259774A; SE9804295D0; AT410868B; GB9827465D0; FR2785472A1; BR9900035A; FR2785472B1; ATA206398A; TW409458B; GB2343554A; JP2000151212A; US6169464B1; SE9804295L

Abstract

Dielektrisches Duplexfilter, auf dessen mit einem leitenden Material beschichteter Rückfläche ein Öffnungsbereich ausgebildet ist, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um eine Verbesserung der Filtereigenschaften und eine Miniaturisierung des Filters zu ermöglichen. Dabei werden Kopplungskapazitäten und Kopplungsinduktivitäten zwischen Resonanzlöchern der Rückfläche des dielektrischen Blocks gebildet. Weiterhin sind Leitermuster auf der Vorderfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um Kopplungskapazitäten zwischen den Resonanzlöchern der Vorderfläche zu bilden und um Ladekapazitäten zu den entsprechenden Resonanzlöchern vorzusehen.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein dielektrisches Filter. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein dielektrisches Filter, bei dem ein Öffnungsbereich ohne einem darauf aufgebrachten leitenden Material an der Rückfläche eines dielektrischen Blocks mit einem darauf aufgebrachten leitenden Material ausgebildet ist, um eine Verbesserung der Filtereigenschaften des Filters und eine Miniaturisierung des Filters zu ermöglichen.

Gegenwärtig wird das drahtgebundene Kommunikationssystem durch ein mobiles Kommunikationssystem ersetzt, das das Hochfrequenzband (HF-Band) verwendet. Dementsprechend steigt der Bedarf an mobilen Kommunikationseinrichtungen stark an, deren Entwicklung rasch vorangetrieben wird. Die besondere Eigenschaft des mobilen Kommunikationssystems besteht darin, daß der Benutzer das Endgerät überallhin mit sich trägt. Es ist deshalb erforderlich, daß die Leistung der mobilen Kommunikationseinrichtung verbessert wird und daß eine Miniaturisierung sowie ein geringes Gewicht erzielt werden.

Um gleichzeitig eine Verbesserung der Leistung sowie eine kompakte Form und ein geringes Gewicht zu erhalten, muß jede Komponente der mobilen Kommunikationseinrichtung miniaturisiert werden. Deshalb wird häufig eine dielektrische Filtereinheit verwendet. Allgemein sind in dem dielektrischen Filter eine Vielzahl von dielektrischen Blöcken miteinander verbunden, auf denen jeweils ein koaxialer Resonator vorgesehen ist, um die gewünschten Durchlaßeigenschaften des HF-Bandes zu erhalten. Bei der verwendeten dielektrischen Filtereinheit sind eine Vielzahl von koaxialen Resonatoren zu einem einzigen dielektrischen Block vereinigt, um die Durchlaßeigenschaften zu erhalten. Diese dielektrische Filtereinheit ist sowohl am Empfängerteil wie am Sendeteil vorgesehen, um die gesendeten und empfangenen Hochfrequenzwellen zu filtern. Der erforderliche Durchlaßbereich umfaßt ungefähr 20 bis 30 MHz.

Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer herkömmlichen dielektrischen Filtereinheit. Wie in der Zeichnung gezeigt, umfaßt das dielektrische Filter: eine erste Fläche 5 und eine gegenüber derselben angeordnete zweite Fläche 7, die einen sechsflächigen dielektrischen Block 1 mit Seitenflächen zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten Fläche 7 definieren. In dem dielektrischen Block 1 sind eine Vielzahl von Resonanzlöchern 3 ausgebildet, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche 5 und die zweite Fläche 7 erstrecken. Die sich zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten Fläche 7 erstreckenden Seitenflächen sind mit einem leitenden Material beschichtet, um eine Erdelektrode zu bilden. Die erste Fläche 5 des dielektrischen Blocks 1 bildet einen Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist. Weiterhin sind die Innenflächen der Resonanzlöcher 3 mit einem leitenden Material beschichtet, um Innenelektroden zu bilden.

Um jedes der Resonanzlöcher 3 in der ersten Fläche 5 ist ein Leitermuster 8 mit einer bestimmten Breite ausgebildet. Das Leitermuster 8 ist mit der Innenelektrode des Resonanzloches 3 verbunden, um eine Ladekapazität und eine Kopplungskapazität zu bilden. Die Resonanzfrequenz des Resonators wird durch das Resonanzloch 3 und durch die Ladekapazität bestimmt, während die Kopplungskapazität die zwei Resonatoren miteinander verbindet. Weiterhin sind an den Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten Fläche 7 erstrecken, Eingangs-/Ausgangsanschlüsse 12a und 12b vorgesehen.

Bei dem oben beschriebenen Filter variieren die Filtereigenschaften in Abhängigkeit von der Kopplungskapazität und der Resonanzfrequenz des Resonators, die durch die Ladungskapazität und das Resonanzloch 3 bestimmt werden. Deshalb werden die Filtereigenschaften durch die Größe des Leitermusters 8 bestimmt, das die Ladekapazität und die Kopplungskapazität bildet. Die Ladekapazität wird hauptsächlich durch den Abstand zwischen der Seitenfläche des dielektrischen Blocks 1 und dem Leitermuster 8 der ersten Fläche 5 bestimmt. Um also die Filtereigenschaften der dielektrischen Filtereinheit zu bestimmen, muß der Zwischenraum zwischen der Erdelektrode und dem Leitermuster 8 sowie der Zwischenraum zwischen den benachbarten Leitermustern 8 angepaßt werden, indem die Größe des Leitermusters 8 angepaßt wird.

Dabei muß jedoch die Größe der mobilen Kommunikationseinrichtung auf ein Minimum reduziert werden, um den Tragekomfort zu erhöhen. Aus diesem Grund muß auch das dielektrische Filter so weit wie möglich miniaturisiert werden, wobei auch das Volumen des dielektrischen Blocks 1 reduziert werden muß. Um das Volumen zu reduzieren, muß der Abstand zwischen den Resonanzlöchern 3 sowie zwischen den Löchern 3 und der Seitenfläche reduziert werden, was jedoch auch bedeutet, daß die Fläche der ersten Fläche 5 reduziert werden muß.

Dazu muß das Leitermuster 8 auf der ersten Fläche 5 reduziert werden. Die Reduktion der Größe des Leitermusters 8 macht die Herstellung des Filters mit den erforderlichen Filtereigenschaften schwierig. Um den dielektrischen Filter zu miniaturisieren, muß der Zwischenraum zwischen den Leitermustern 8 reduziert werden. Allgemein werden die Erdelektrode und das Leitermuster 8 der ersten Fläche 5 durch ein Siebdruckverfahren hergestellt. Das Siebdruckverfahren weist einen Fehlerbereich von 25 bis 30 µm in der Linienbreite auf. Wenn also die Leitermuster 8 um zwei Resonanzlöcher 3 herum ausgebildet werden, um ein miniaturisiertes Filter zu bilden, dann stößt die Größenreduktion des Leitermusters 8 sowie des Zwischenraums zwischen dem Leitermuster 8 und der Grundelektrode auf eine Grenze, weshalb die gewünschte Größe der Ladekapazität nicht erreicht werden kann. Wenn weiterhin der Zwischenraum zwischen den Leitermustern 8 durch die Reduktion des Bereichs der ersten Fläche 5 klein gemacht wird, können die Leitermuster 8 aufgrund der Fehler des Siebdruckverfahrens kurzgeschlossen werden.

Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein dielektrisches Duplexfilter zum Filtern der Sendeempfangssignale der mobilen Kommunikationseinrichtung zeigt. Wie die dielektrische Filtereinheit umfaßt das dielektrische Duplexfilter dielektrische Filter: eine erste Fläche 5 und eine zweite Fläche 7 sowie einen sechsflächigen Block 1 mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten Fläche 7 erstrecken. Im dielektrischen Block 1 sind eine Vielzahl von Resonanzlöchern 3 ausgebildet, die sich parallel zueinander sowie durch die erste Fläche 5 und die zweite Fläche 7 erstrecken. Auf der zweiten Fläche 7 und den Seitenflächen sind beschichtete Erdelektroden vorgesehen (nicht in der Zeichnung gezeigt). Weiterhin ist eine Innenelektrode auf der Innenfläche des Resonanzloches 3 ausgebildet, um einen Resonator zu bilden. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich auf der zweiten Fläche 7 ausgebildet, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist.

Um jedes der Resonanzlöcher 3 in der ersten Fläche 5 ist ein Leitermuster 8 mit einer bestimmten Breite ausgebildet. Eine Ladekapazität ist zwischen der Erdelektrode und dem Leitermuster 8 gebildet, während eine Kopplungskapazität zwischen den Leitermustern der benachbarten Resonanzlöcher 3 gebildet ist. Weiterhin ist die erste Fläche 5 mit einem Antennenanschluß 13 und Empfangs- und Sendeanschlüssen 12a und 12b vorgesehen.

In dem dielektrischen Duplexfilter der Zeichnung sind die drei Resonanzlöcher des linken Teils der ersten Fläche 5 Empfangs-Enden zum Empfangen von HF-Signalen von außen, während die vier Resonanzlöcher der rechten Teils Sende-Enden zum Senden von HF-Signalen nach außen sind. So bilden die entsprechenden Resonanzlöcher 3 Resonatoren und bilden die Ladekapazitäten.

Allgemein ist bei dem dielektrischen Duplexfilter das HF- Band der Sendeanschlüsse niedriger als das HF-Band der Empfangsanschlüsse. Deshalb wirkt ein elektrischen Feldeffekt zwischen den Resonanzlöchern 3 der Empfangsanschlüsse, während ein magnetischer Feldeffekt zwischen den Resonanzlöchern 3 der Sendeanschlüsse wirkt. Deshalb bilden die Resonatoren der Empfangsanschlüsse eine kapazitive Kopplung, während die Resonatoren der Sendeanschlüsse eine induktive Kopplung bilden.

Bei dem dielektrischen Duplexfilter variiert wie bei dem dielektrischen Filter von Fig. 1 die Kopplung zwischen den Resonatoren und die Bestimmung der Resonanzfrequenz in Abhängigkeit von der Größe des Leitermusters 8 der ersten Fläche 5. Das heißt, daß die Eigenschaften des dielektrischen Duplexfilters in Abhängigkeit von dem Zwischenraum zwischen dem Leitermuster 8 und der Grundelektrode sowie von dem Zwischenraum zwischen den Leitermustern 8 variieren. Um wie bei dem dielektrischen Filter von Fig. 1 ein miniaturisiertes Filter zu bilden, muß die Dicke des dielektrischen Blocks 1 dünn gemacht werden und müssen die Zwischenräume zwischen den Resonanzlöchern 3 ebenfalls schmal gemacht werden. Bei einem derartig miniaturisierten Filter wird jedoch die Fläche der ersten Fläche 5 reduziert, weshalb die Reduktion des Zwischenraums zwischen dem Leitermuster 8 sowie die Reduktion der Zwischenräume zwischen benachbarten Leitermustern 8 auf eine Grenze stoßen, so daß die gewünschten Filtereigenschaften nicht erhalten werden können.

Die vorliegende Erfindung bezweckt, die oben beschriebenen Nachteile der herkömmlichen Techniken zu überwinden.

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein dielektrisches Filter anzugeben, bei dem ein Öffnungsbereich auf einer Rückfläche des dielektrischen Blocks mit einer Erdelektrode ausgebildet ist, um eine, Kopplungskapazität und eine Kopplungsinduktion zu bilden, wodurch ein miniaturisiertes Filter hergestellt werden kann und wodurch die Filtereigenschaften einfach kontrolliert werden können.

Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein dielektrisches Duplexfilter vorzusehen, bei dem ein Öffnungsbereich auf der Rückfläche des eine Erdelektrode umfassenden dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine Kopplungskapazität und eine Kopplungsinduktion zu bilden, wodurch ein miniaturisiertes Filter hergestellt werden kann und wodurch die Filtereigenschaften einfach kontrolliert werden können.

Um die oben genannten Aufgaben zu erfüllen, umfaßt das dielektrische Filter der vorliegenden Erfindung in Übereinstimmung mit einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung: einen dielektrischen Block mit einer erste Fläche und mit einer zweiten Fläche sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten und der zweiten Fläche erstrecken, wobei die zweite Fläche und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind; eine Vielzahl von Resonanzlöchern, die sich parallel zueinander und durch die erste und die zweite Fläche erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher mit einem leitenden Material beschichtet sind; Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material der Seitenflächen des dielektrischen Blocks bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch zu bilden; und wenigstens einen Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

Der Öffnungsbereich umfaßt: wenigstens einen ersten Bereich oberhalb oder unterhalb der Vielzahl von ersten Resonanzlöchern entlang einer Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher; und wenigstens einen zweiten Bereich auf der zu der Vielzahl von zweiten Resonanzlöchern gegenüberliegenden Seite entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher. Der erste und der zweite Bereich sind dafür vorgesehen, eine Kopplungsinduktivität mit benachbarten Resonatoren zu bilden, wobei sie separat auf der zweiten Fläche ausgebildet sein können. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich zum Anpassen der Resonanzfrequenz des Resonators auf der zweiten Fläche ausgebildet. Der Öffnungsbereich zum Anpassen der Resonanzfrequenz ist zwischen einem Ende des Resonanzloches und der Seitenfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um das Anpassen der Resonanzfrequenz auf eine gewünschte Höhe zu ermöglichen.

Eine Vielzahl von Leitermustern sind auf der ersten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet, um eine zusätzliche Induktivität zu den Resonatoren hinzuzufügen und um eine Kopplungskapazität mit benachbarten Resonatoren zu bilden. Weiterhin dient ein Leitermuster, das sich von dem leitenden Material auf der Seitenfläche zu einem Ende des Resonanzloches erstreckt, als eine Einrichtung zum Anpassen der Resonanzfrequenz des Resonators, wobei die Resonanzfrequenz angepaßt wird, indem die Fläche des Leitermusters oder der Zwischenraum zwischen dem Leitermuster und dem Ende des Resonanzloches angepaßt wird.

In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt das dielektrische Duplexfilter in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung: einen dielektrischen Block mit einer ersten und mit einer zweiten Fläche sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten und der zweiten Fläche erstrecken, wobei die zweite Fläche und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind; einen ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste und die zweite Fläche des dielektrischen Blocks erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient; einen zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste und die zweite Fläche des dielektrischen Blocks erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient; Eingangs- und Ausgangsanschlüsse, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch zu bilden; und wenigstens einen Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf dem ersten Filterbereich der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

Der Öffnungsbereich umfaßt: wenigstens einen ersten Bereich oberhalb oder unterhalb der Vielzahl von ersten Resonanzlöchern entlang einer Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher; und wenigstens einen zweiten Bereich, der bei einer anderen Gruppe der Vielzahl von zweiten Resonanzlöchern entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher ausgebildet ist. Der erste und der zweite Bereich sind dafür vorgesehen, eine Kopplungsinduktivität zwischen benachbarten Resonatoren zu bilden, wobei sie separat auf der zweiten Fläche ausgebildet sein können. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich zum Anpassen der Resonanzfrequenz des Resonators auf der zweiten Fläche ausgebildet. Der Öffnungsbereich zum Anpassen der Resonanzfrequenz ist zwischen einem Ende des Resonanzloches und der Seitenfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um das Anpassen der Resonanzfrequenz auf eine gewünschte Höhe zu ermöglichen.

Eine Vielzahl von Leitermustern sind auf der ersten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet, um eine zusätzliche Induktivität zu den Resonatoren hinzuzufügen und um eine Kopplungskapazität mit benachbarten Resonatoren zu bilden. Weiterhin dient ein Leitermuster, das sich von dem leitenden Material auf der Seitenfläche zu einem Ende des Resonanzloches erstreckt, als eine Einrichtung zum Anpassen der Resonanzfrequenz des Resonators. Die Resonanzfrequenz wird angepaßt, indem die Fläche des Leitermusters oder der Zwischenraum zwischen dem Leitermuster und dem Ende des Resonanzloches angepaßt wird.

Diese und andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden durch die folgende ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht der herkömmlichen dielektrischen Filtereinheit,

Fig. 2 eine perspektivische Ansicht des herkömmlichen dielektrischen Duplexfilters zum Filtern der Sendeempfangssignale der mobilen Kommunikationseinrichtung,

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 die zweite Fläche des Filters von Fig. 3,

Fig. 5 die erste Fläche des Filters von Fig. 3,

Fig. 6 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die dielektrische Filtereinheit von Fig. 3,

Fig. 7 eine perspektivische Ansicht einer anderen Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung,

Fig. 8 die zweite Fläche des Filters von Fig. 7,

Fig. 9 die erste Fläche des Filters von Fig. 7,

Fig. 10 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die dielektrische Filtereinheit von Fig. 7,

Fig. 11 eine perspektivische Ansicht des dielektrischen Duplexfilters einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 12 die zweite Fläche des Filters von Fig. 11,

Fig. 13 die erste Fläche des Filters von Fig. 11, und

Fig. 14 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des dielektrischen Duplexfilters von Fig. 11.

Um das Frequenzband einer dielektrischen Filtereinheit oder eines dielektrischen Duplexfilters fein anzupassen, muß der Zwischenraum zwischen der Erdelektrode der Seitenfläche des dielektrischen Blocks und dem Leitermuster der Vorderfläche des dielektrischen Blocks (mit der Innenelektrode in den Resonanzlöchern verbunden) angepaßt werden. Bei einem miniaturisierten dielektrischen Filter werden die Größen des dielektrischen Blocks und der Bereiche auf den Vorder- und Rückflächen reduziert, weshalb herkömmlicherweise die Anpassung der Größe des mit der Innenelektrode des Resonanzloches verbundenen Leitermusters auf Grenzen stößt. Deshalb ist die Größe des dielektrischen Blocks der vorliegenden Erfindung im Vergleich zu der herkömmlichen weiter reduziert, wobei die mit den Innenelektroden der Resonanzlöcher verbundenen Leitermuster auf der Vorderfläche im Vergleich zu den herkömmlichen mit einer reduzierten Größe ausgebildet sind. Weiterhin ist ein Bereich zur Anpassung der Induktivität auf der Rückfläche ausgebildet. Auf diese Weise wird ein miniaturisierter dielektrisches Filter mit geringem Gewicht realisiert.

Weiterhin sind in einem dielektrischen Filter oder in einem dielektrischen Duplexfilter, in dem drei oder mehr Resonanzlöcher ausgebildet sind, ein Bereich zum Anpassen der Induktivität und ein Bereich zum Anpassen der Kapazität auf der Rückfläche des dielektrischen Blocks ausgebildet. Auf diese Weise werden nicht nur eine Kopplungsinduktivität und eine Kopplungskapazität, sondern auch eine Kreuzkopplungsinduktivität mit nicht benachbarten Resonatoren gebildet, um die Filtereigenschaften zu kontrollieren.

Diese Anpassungsbereiche umfassen: einen ersten Anpassungsbereich zum Wählen der Größe der Kopplungsinduktivität und zum Bilden der Kreuzkopplungsinduktivität; und einen zweiten Anpassungsbereich (einen Resonanzfrequenz-Abstimmungsbereich) zum Feinanpassen der Größe der Ladekapazität.

Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit der vorliegenden Erfindung. Fig. 4 zeigt die zweite Fläche, d. h. die Rückfläche des Filters von Fig. 3. Fig. 5 zeigt die erste Fläche, d. h. die Vorderfläche des Filters von Fig. 3.

Wie in Fig. 3 gezeigt, weist die dielektrische Filtereinheit in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung eine erste Fläche 105 und zweite Fläche 107 auf, die einander gegenüberliegen und eine im wesentlichen sechsflächige Form definieren. Die zweite Fläche 107 und die Seitenflächen zwischen der ersten Fläche 105 und der zweiten Fläche 107 sind mit einem leitenden Material beschichtet, um eine Erdelektrode zu bilden. Im dielektrischen Block sind zwei Resonanzlöcher 103 ausgebildet, die sich parallel zueinander sowie durch die erste Fläche 105 und die zweite Fläche 107 erstrecken, um Resonatoren zu bilden. Die nicht in den Zeichnungen sichtbaren Innenflächen der Resonanzlöcher 103 sind mit einem leitenden Material beschichtet, um Innenelektroden zu bilden.

Die erste Fläche, d. h. die Vorderfläche des dielektrischen Blocks ist ein Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist. Um jedes der Resonanzlöcher 103 ist ein Leitermuster 108 gebildet. Eine Ladekapazität ist zwischen dem Leitermuster 108 und der Erdelektrode gebildet, um die Resonanzfrequenz zu bestimmen. Eine Kopplungskapazität ist zwischen dem Leitermuster 108 gebildet, um die Bandbreite des Filters zu bestimmen.

Wie in Fig. 4 gezeigt, ist auf der zweiten Fläche 107, d. h. der Rückfläche des dielektrischen Blocks wenigstens ein Öffnungsbereich 120 gebildet, der separat zu den Resonanzlöchern 103 vorgesehen ist, wobei der Öffnungsbereich 120 nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist. Zum Bilden des Öffnungsbereichs 120 wird eine Maske verwendet, wenn das leitende Material mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens aufgebracht wird, damit der relevante Bereich abgedeckt wird, um den Öffnungsbereich 120 zu bilden. Der Öffnungsbereich 120 kann also während des Auftragens des leitenden Materials ausgebildet werden.

Fig. 4A bis 4B stellen Beispiele des Öffnungsbereichs dar. Wie in Fig. 4A gezeigt, ist der Öffnungsbereich 120 parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 ausgebildet. Wie in Fig. 4B gezeigt, ist der Öffnungsbereich parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 ausgebildet, wobei sich der Öffnungsbereich jedoch mit einer T-Form zwischen die Resonanzlöcher 103 hinein erstreckt. Wie in Fig. 4C gezeigt, sind zwei Öffnungsbereiche 120 parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 oberhalb und unterhalb zu den Resonanzlöchern ausgebildet. Wie in Fig. 4D gezeigt, sind zwei kurze Öffnungsbereiche 120 zum Anpassen der Frequenz jeweils über den Resonanzlöchern 103 ausgebildet.

Fig. 6 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die dielektrische Filtereinheit von Fig. 3. In der Zeichnung geben die Bezugszeichen R1 und R2 jeweils Resonatoren an, während C₀₁ und C₀₂ Kopplungskapazitäten angeben, die zwischen den Eingangs-/Ausgangsanschlüssen 112a und 112b gebildet sind. Das Bezugszeichen C₁₂ gibt eine Kopplungskapazität zwischen den Resonatoren R1 und R2 an, und M12 gibt eine Kopplungsinduktivität zwischen den Resonatoren R1 und R2 an. Die Kopplungskapazität C₁₂ ist zwischen den Leitermustern 108 gebildet, die auf der ersten Fläche 105 des dielektrischen Blocks 101 ausgebildet sind. Die Kopplungsinduktivität M₁₂ wird durch den Öffnungsbereich der zweiten Fläche 107 gebildet. Wenn in dieser äquivalenten Schaltung Eingangssignale in den Eingangsanschluß 112b eingegeben werden, dann werden elektrische Felder in den zwei Resonanzlöchern 103 erzeugt, wodurch die Resonatoren aktiviert werden. Wegen des Öffnungsbereichs 120 der zweiten Fläche 107, wird die Kopplungsinduktivität M₁₂ größer. Die Erhöhungsrate der Kopplungsinduktivität M₁₂ wird durch das Variieren der Länge und der Breite des Öffnungsbereichs 120 angepaßt. Wenn die Länge und die Breite des Öffnungsbereichs 120 größer gewählt werden, wird die Kopplungsinduktivität größer.

Wenn der Öffnungsbereich 120 wie in Fig. 4B gezeigt zwischen den Resonanzlöchern 103 ausgebildet ist, veranlaßt der Öffnungsbereich 120 eine Erhöhung der Kopplungsinduktivität M₁₂ zwischen den zwei Resonanzlöchern 103, wodurch die Eigenschaften des dielektrischen Filters erhöht werden.

Zusätzlich zu der Kopplungskapazität C₁₂ zwischen den Leitermustern 108 wird die Kopplungsinduktivität M₁₂ durch den Öffnungsbereich 120 vorgesehen. Durch das Anpassen der Länge und der Breite des Öffnungsbereichs 120 kann die Größe der Kopplungsinduktivität M₁₂ kontrolliert werden, so daß die Kontrolle der Kapazität und der Induktivität ermöglicht wird, was bei den herkömmlichen Filtern nicht möglich war.

Die Öffnungsbereiche 125 von Fig. 4D dienen dagegen zum feinen Anpassen der Resonanzfrequenz. Wie in Fig. 4A bis 4C werden diese Öffnungsbereiche 125 während des Auftragens des leitenden Materials unter Verwendung einer Maske ausgebildet. In der Zeichnung sind die Öffnungsbereiche 125 nur oberhalb der Resonanzlöcher 103 ausgebildet, wobei aber ihre Positionen nicht auf die in der Zeichnung gezeigten beschränkt sind. Sie können auch unterhalb der Resonanzlöcher 103 oder seitlich zu den Resonanzlöchern 103 ausgebildet sein. Dabei können die Öffnungsbereiche 125 für die Abstimmung mit den Innenelektroden der Resonanzlöcher verbunden sein; sie können aber auch von den Innenelektroden isoliert sein und sich entlang der Seitenflächen des dielektrischen Blocks 101 erstrecken.

Weiterhin können sie mit den seitlichen Erdelektroden verbunden sein.

Auch die Position des Öffnungsbereichs 120 von Fig. 4A ist nicht auf die in der Zeichnung gezeigte beschränkt. Der Öffnungsbereich 120 kann auch unterhalb der Resonanzlöcher 103 angeordnet sein.

Die Beispiele von Fig. 4A bis 4D sind also nicht auf die in den Zeichnungen gezeigten beschränkt. Die Öffnungsbereiche zum Anpassen der Frequenz von Fig. 4D können unabhängig voneinander oder gleichzeitig mit denjenigen von Fig. 4A bis 4C ausgebildet werden.

Fig. 5A bis 5D sind Beispiele für den Aufbau der ersten Fläche des dielektrischen Filters von Fig. 3, der in Kombination mit dem Aufbau der zweiten Fläche von Fig. 4Aa bis 4D vielfach variiert werden kann.

Im folgenden wird der Aufbau der zweiten Fläche mit Bezug auf Fig. 5 erläutert. Fig. 5A zeigt ein Leitermuster 130 mit einer bestimmten Breite, das parallel zu der Anordnungsrichtung der darüberliegenden Resonanzlöcher 103 der ersten Fläche 105 ausgebildet ist. Das Leitermuster 130 ist mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern 103 angeordnet, um eine Kopplungskapazität zu dem benachbarten Resonator zu bilden, wodurch die Kontrolle der Eigenschaften des dielektrischen Filters ermöglicht wird. Dabei kann das Leitermuster 130 oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher 103 ausgebildet sein.

Wie in Fig. 5B gezeigt, ist ein Leitermuster 131 zwischen den Resonanzlöchern 103 ausgebildet. Das Leitermuster 131 bildet Kopplungskapazitäten mit entsprechenden Resonatoren, um eine neue Kopplungskapazität zu dem gesamten dielektrischen Filter vorzusehen. Das Leitermuster 132 von Fig. 5c ist mit den Erdelektroden des dielektrischen Blocks verbunden. Fig. 5D zeigt Leitermuster 135 zum Anpassen der Resonanzfrequenz wie in Fig. 4D. Die Resonanzfrequenz wird angepaßt, indem die Gesamtflächen der Leitermuster 135 angepaßt werden oder indem deren Abstand von den Resonanzlöchern 103 variiert wird. Dabei ist deren Aufbau nicht auf den in den Zeichnungen gezeigten beschränkt. Sie können oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher 103 oder seitlich zu den Resonanzlöchern 103 ausgebildet sein. Weiterhin können sie mit den Erdelektroden der Seitenflächen verbunden oder von denselben isoliert sein. Obwohl die Leitermuster 135 mit den Leitermustern 108 verbunden sein können, sollten sie vorzugsweise voneinander getrennt sein.

In der wie oben beschriebenen vorliegenden Erfindung kann das Dämpfungsverhältnis des Dämpfungspunktes kontrolliert werden, indem ein Öffnungsbereich 120 auf der zweiten Fläche 107, d. h. auf der Rückfläche des dielektrischen Filters, ausgebildet wird, so daß die Filtereigenschaften leicht kontrolliert werden können. Weiterhin sind eine Vielzahl von Leitermustern mit einer kleinen Größe auf der ersten Oberfläche 105 des dielektrischen Blocks ausgebildet, um die Kapazität und die Vielzahl des dielektrischen Filters zu kontrollieren. Dadurch wird im Vergleich zu den herkömmlichen Einrichtungen nicht nur eine Miniaturisierung erreicht, sondern es können auch auf Druckfehler zurückzuführende Defekte beseitigt werden.

Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht einer anderen Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. Fig. 8 stellt die zweite Fläche des Filters von Fig. 7 dar. Der dielektrische Block 201 von Fig. 7 ist mit dem von Fig. 3 identisch, wobei jedoch die Anzahl der Resonanzlöcher 203 reduziert ist. Es wird hier auf eine Beschreibung des identischen Aufbaus verzichtet.

Fig. 8A bis 8C stellen Beispiele von Öffnungsbereichen dar, die auf einer zweiten Fläche 207 des dielektrischen Blocks 201 ausgebildet sind. Wie in Fig. 8A gezeigt, ist ein erster Öffnungsbereich 220 auf der zweiten Fläche 207 parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 203 über den Löchern ausgebildet. Weiterhin sind die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b senkrecht zu dem ersten Öffnungsbereich ausgebildet. Der zweite Öffnungsbereich 225a kann einstückig mit dem ersten Öffnungsbereich 220 ausgebildet sein oder nicht. Die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b dienen zum Anpassen der Resonanzfrequenz, wobei durch das Anpassen ihrer Länge die Ladekapazität und damit die Resonanzfrequenz angepaßt werden kann.

Der erste Öffnungsbereich 220 und die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b werden gleichzeitig mit der Erdelektrode ausgebildet, indem ein leitendes Material bei der Ausbildung der Erdelektrode auf der zweiten Fläche 207 aufgebracht wird, wobei bestimmte Bereiche durch eine Maske abgedeckt sind.

Wie in Fig. 8A werden der erste Öffnungsbereich 220 und die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b der einfacheren Darstellung halber gleichzeitig ausgebildet. Es ist jedoch möglich, nur den ersten Öffnungsbereich 220 oder die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b auszubilden. Weiterhin sind keine Beschränkungen bezüglich der Größe, Form und Anzahl der zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b zum Anpassen der Resonanzfrequenz vorgegeben.

Wie in Fig. 8B gezeigt, sind die Öffnungsbereiche 220a und 220b jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 203 parallel zu der Anordnungsrichtung der Löcher 203 ausgebildet. Wie in Fig. 8C gezeigt, sind die Öffnungsbereiche 220a und 220b jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 203 derart ausgebildet, daß der Öffnungsbereich 220a über dem linken und dem mittleren Loch 203 ausgebildet ist, während der Öffnungsbereich 220b unter dem mittleren und dem rechten Loch 203 ausgebildet ist. Obwohl nicht in Fig. 8B und 8C dargestellt, ist es möglich, die Öffnungsbereiche zum Anpassen der Resonanzfrequenz wie in Fig. 8A gezeigt auszubilden.

Durch die Anordnungen von Fig. 8B und 8C wird derselbe Effekt wie in Fig. 8A erhalten, wobei der einzige Unterschied in der Größendifferenz der Kopplungsinduktivität besteht.

Fig. 10 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der dielektrischen Filtereinheit von Fig. 7. Auch wenn sich die Formen der Öffnungsbereiche 220 voneinander unterscheiden, weist die äquivalente Schaltung denselben Aufbau auf, weshalb sie hier mit Bezug auf die Beispiele von Fig. 8A bis 8C erläutert wird.

Der Aufbau der Schaltungen von Fig. 10 und von Fig. 6 ist bis auf die Kapazität C₁₃ und die Induktivität M₁₃ identisch. Deshalb wird hier auf eine Beschreibung des Gesamtaufbaus verzichtet. Der erste Öffnungsbereich 220 von Fig. 8A bildet nicht nur die Kopplungsinduktivitäten M₁₂ und M₂₃ mit den benachbarten Resonatoren, sondern auch die Kreuzkopplungsinduktivitäten M₁₃ mit den nicht benachbarten Resonatoren. Dieser Kreuzkopplungsinduktivitäten verursachen zusammen mit den Kopplungsinduktivitäten M₁₂ und M₂₃ eine Erhöhung der Gesamtinduktivität des dielektrischen Filters. Deshalb kann die Gesamtinduktivität des dielektrischen Filters durch das Kontrollieren der Größe des ersten Öffnungsbereichs 220 kontrolliert werden, so daß die Eigenschaften des dielektrischen Filters leicht kontrolliert werden können. Wenn vier oder mehr Resonatoren vorgesehen sind, werden die Kreuzkopplungsinduktivitäten M₁₃ mit allen nicht benachbarten Resonatoren gebildet, so daß mehr Kreuzkopplungsinduktivitäten erhalten werden können.

Der zweite Öffnungsbereich von Fig. 8A erhöht die Ladekapazitäten C1, C2 und C3 der Resonatoren R1, R2 und R3. Diese dienen dazu, die Resonanzfrequenz des mit einem bestimmten Durchgangsloch assoziierten Resonators zu senken. Die Resonanzfrequenz kann also durch das Anpassen der Größe des zweiten Öffnungsbereichs 225 angepaßt werden.

Die Größen der Kopplungsinduktivitäten M₁₂ und M₂₃ und der Kreuzkopplungsinduktivitäten M₁₃ erhöhen sich proportional zu den Breiten und Längen der ersten Öffnungsbereiche 220, während die Resonanzfrequenz proportional zu den Flächen der zweiten Öffnungsbereiche 225 gesenkt wird.

Fig. 9 stellt den Aufbau der ersten Fläche des dielektrischen Blocks dar, wobei diese erste Fläche denselben Aufbau wie die erste Fläche von Fig. 5 aufweist. Wie in Fig. 9A und 9B dargestellt, dienen die Leitermuster 230 und 231 zum Bilden von Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren. Wie in Fig. 9C gezeigt, dient ein Leitermuster 235 zum Anpassen der Resonanzfrequenz. Die Resonanzfrequenz des Resonators kann also angepaßt werden, indem die Fläche des Leitermusters 235 und der Abstand zwischen dem Leitermuster 235 und dem Ende des Resonanzloches 203 angepaßt wird. Dabei sind die Form und die Position des Leitermusters nicht auf die in den Zeichnungen gezeigten beschränkt, sondern können andersartig vorgesehen sein.

Fig. 11 ist eine perspektivische Ansicht des dielektrischen Duplexfilters einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Fig. 12 stellt die zweite Fläche des Filters von Fig. 11 dar. Fig. 13 stellt die erste Fläche des Filters von Fig. 11 dar.

Wie in Fig. 11 gezeigt, umfaßt das dielektrische Duplexfilter: eine erste Fläche 305 und eine zweite Fläche 307, die einander gegenüberliegend angeordnet sind und im wesentlichen einen sechsflächigen dielektrischen Block 301 definieren. Durch den dielektrischen Block 301 erstrecken sich eine Vielzahl von Resonanzlöchern 303 parallel zueinander von der ersten Fläche 305 zu der zweiten Fläche 307. Es sind Erdelektroden auf der zweiten Fläche 307 und auf den Seitenflächen zwischen der ersten Fläche 305 und der zweiten Fläche 307 ausgebildet. Es sind Innenelektroden an den Innenflächen der Resonanzlöcher 303 ausgebildet, um Resonatoren zu bilden. Weiterhin ist die erste Fläche 305 mit Öffnungsbereichen vorgesehen, auf denen kein leitendes Material aufgebracht ist.

Um die Resonanzlöcher 303 der ersten Fläche 305 sind Leitermuster 308 ausgebildet, die jeweils mit den Innenelektroden der Resonanzlöcher 303 verbunden sind, um Ladekapazitäten mit den Erdelektroden des dielektrischen Blocks 301 zu bilden und um Kopplungskapazitäten mit den Leitermustern 308 zu bilden. Weiterhin ist die erste Fläche 305 mit Sende- und Empfangsanschlüssen 312a und 312b sowie mit einem Antennenanschluß 314 versehen.

Das dielektrische Duplexfilter umfaßt zwei Filterbereiche. Wenn ein erster Filterbereich Empfangssignale aus dem Antennenanschluß filtert, filtert ein zweiter Filterbereich über den Antennenanschluß gesendete Sendesignale. Allgemein brauchen der Empfangsbereich und der Sendebereich nicht speziell unterschieden zu werden. Bei dielektrischen Duplexfiltern mit demselben Aufbau können der Empfangsbereich und der Sendebereich je nach dem Produkt unterschiedlich vorgesehen sein. In der vorliegenden Erfindung sind er Empfangsbereich und der Sendebereich mit spezifischen Formen dargestellt, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf dieselben beschränkt ist.

Bei dem dielektrischen Filter von Fig. 11, bilden die drei Resonanzlöcher links vom Antennenanschluß 314 den Empfangsfilterbereich zum Empfangen von HF-Signalen von außen, während die vier Resonanzlöcher rechts vom Antennenanschluß 314 den Sendefilterbereich zum Ausgeben einer Hochfrequenz bilden. Der Empfangsfilterbereich weist die Durchlaßeigenschaft für die Empfangsfrequenz auf, während er die Sendefrequenz sperrt. Der Sendefilterbereich dagegen weist die Durchlaßeigenschaft der Sendefrequenz auf, während er die Empfangsfrequenz sperrt.

Fig. 12A bis 12D stellt Beispiele für die Öffnungsbereiche der zweiten Fläche 307 dar. Wie in Fig. 12A gezeigt, sind zwischen den Resonanzlöchern 303 des Empfangsfilterbereichs erste Öffnungsbereiche 327 mit einer bestimmten Breite und Länge ausgebildet, auf denen kein leitendes Material aufgebracht ist. Unter dem am weitesten rechts angeordneten Resonanzloch 303 der Empfangsfilterbereichs ist ein zweiter Öffnungsbereich 328 ausgebildet. Die ersten Öffnungsbereiche 327 und der zweite Öffnungsbereich 328 sind mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern 303 angeordnet, um von den Löchern 303 elektrisch isoliert zu sein. Dabei kann der zweite Öffnungsbereich 328 oberhalb oder unterhalb des Resonanzloches 303 angeordnet sein.

Oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 303 des Sendefilterbereichs sind jeweils parallel zu der Anordnungsrichtung der Löcher 303 dritte Öffnungsbereiche 320a und 320b mit einem bestimmten Abstand zu den Löchern 303 ausgebildet. Die Positionen der dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b sind nicht auf die zweite Fläche 307 beschränkt; die dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b können entweder auf der zweiten Fläche oder auf den Seitenflächen angeordnet sein. Alternativ dazu können die dritten Öffnungsbereiche oberhalb oder unterhalb der Löcher 303 angeordnet sein.

Fig. 14 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des dielektrischen Duplexfilters von Fig. 11. Mit Bezug auf diese Zeichnung wird im folgenden das dielektrische Duplexfilter von Fig. 12A beschrieben.

Wie in den Zeichnungen gezeigt, dienen die ersten Öffnungsbereiche 327 zwischen den Resonanzlöchern des Empfangsfilterbereichs zum Erhöhen der Kopplungskapazitäten C₁₂ und C₂₃ mit den Resonatoren des Empfangsfilterbereichs. Wenn die Flächen der ersten Öffnungsbereiche 327 erhöht werden, werden auch die Kopplungskapazitäten erhöht. Die gewünschten Filtereigenschaften können also durch das Anpassen der Kopplungskapazitäten C₁₂ und C₂₃ erhalten werden, indem die Flächen der ersten Öffnungsbereiche angepaßt werden. Weiterhin kann die Resonanzfrequenz angepaßt werden, indem die Fläche des zweiten Öffnungsbereichs 328 variiert wird. Wenn dabei die Fläche des zweiten Öffnungsbereichs 328 erhöht wird, wird die Resonanzfrequenz herabgesetzt. Die Bildung des zweiten Öffnungsbereichs 328 weist denselben Effekt auf wie die Vergrößerung des Leitermusters 308 der ersten Fläche 305, das mit der Innenelektrode des Resonanzloches 303 des Empfangsfilterbereichs verbunden ist. Dabei wird die Länge des Resonators verlängert, wodurch die Resonanzfrequenz herabgesetzt wird.

Wie bei den dielektrischen Filtern von Fig. 3 und 7, bilden die dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b des Sendefilterbereichs nicht nur die Kopplungsinduktivitäten M₄₅, M₄₆ und M₄₇ mit den benachbarten Resonatoren, sondern auch die Kreuzkopplungsinduktivitäten M₄₆ und M₄₇. In Fig. 13 ist eine Kreuzkopplungsinduktivität für einen bestimmten Resonator R4 dargestellt, wobei die Kreuzkopplungsinduktivitäten aber für alle Resonatoren R4, R5, R6 und R7 vorgesehen werden, so daß die Gesamtkopplungsinduktivität am Sendeanschluß stark erhöht wird. Wenn dabei die Flächen der dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b vergrößert werden und die Abstände zwischen den dritten Öffnungsbereichen 320a und 320b und den Resonanzlöchern verkleinert werden, wird die Kopplungsinduktivität erhöht. Deshalb können wie bei dem Empfangsfilterbereich die gewünschten Eigenschaften erhalten werden, indem die Flächen der dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b angepaßt werden und indem die oben genannten Abstände angepaßt werden.

Fig. 12B zeigt ein anderes Beispiel der Öffnungsbereiche. Dabei sind die dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b oberhalb der Resonanzlöcher 303 als zwei parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 303 ausgerichtete Bereiche ausgebildet, während ein vierter Öffnungsbereich 330 zwischen den Resonanzlöchern 303 ausgebildet ist. Auf diese Weise wird die Kopplungsinduktivität für die Resonatoren in Nachbarschaft zu dem vierten Öffnungsbereich 330 stark erhöht.

Wie in Fig. 12C gezeigt, ist der dritte Öffnungsbereich 320 in einem Stück oberhalb der Resonanzlöcher 303 des Sendefilterbereichs parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 303 desselben Bereichs ausgebildet. Weiterhin sind wie in Fig. 8A fünfte Öffnungsbereiche 325a und 325b jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 303 des Sendefilterbereichs ausgebildet. Die fünften Öffnungsbereiche 325a und 325b dienen für die Feinanpassung der Resonanzfrequenz und werden gleichzeitig ausgebildet, wenn die Erdelektrode durch das Auftragen von leitendem Material gebildet wird, wobei wie für die ersten bis vierten Öffnungsbereiche eine Maske verwendet wird. Die Resonanzfrequenz kann fein angepaßt werden, indem die Größe des Musters und der Abstand zwischen dem Ende des Resonanzloches und dem Muster angepaßt wird. Wie bei den anderen Beispielen können die fünften Öffnungsbereiche 325a und 325b zum Anpassen der Resonanzfrequenz einzeln auf der zweiten Fläche oder oberhalb oder unterhalb der Löcher 303 ausgebildet werden. Sie können weiterhin seitlich zu den Resonanzlöchern 303 ausgebildet werden. Die Positionen der fünften Öffnungsbereiche sind also nicht auf bestimmte Positionen beschränkt. Weiterhin können die fünften Öffnungsbereiche 325a und 325b wie in der Zeichnung gezeigt mit den Erdelektroden der Seiten des dielektrischen Blocks verbünden oder von denselben isoliert sein.

Wie in Fig. 12D gezeigt, ist der dritte Öffnungsbereich 320a oberhalb des am weitesten links angeordneten Resonanzloches 303 angeordnet, während der dritte Öffnungsbereich 320b unterhalb des am weitesten rechts angeordneten Resonanzloches 303 parallel zu der Anordnungsrichtung der Löcher 303 angeordnet ist. In diesem Fall ist keine Kopplungsinduktivität vorgesehen, wobei aber die Kopplungsinduktivität für die benachbarten Resonanzlöcher 303 erhöht wird, so daß die gewünschten Eigenschaften erhalten werden können. Obwohl nicht in Fig. 12B und 12D dargestellt, kann zusätzlich zu den zweistückigen Öffnungsbereichen ein sich entlang von drei Resonanzlöchern 303 erstreckender Öffnungsbereich vorgesehen werden, so daß Kopplungsinduktivitäten mit den benachbarten Resonatoren und Kreuzkoplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren erhalten werden können.

Der in Fig. 13 gezeigte Aufbau der ersten Fläche des dielektrischen Blocks ist mit demjenigen von Fig. 5 und 9 identisch, wobei jedoch die Leitermuster um und in der Nähe jedes Resonanzloches 303 des Empfangsfilterbereichs und des Sendefilterbereichs ausgebildet sind. Es wird deshalb hier auf eine Beschreibung des Aufbaus der ersten Fläche verzichtet. Die entsprechenden in Fig. 13A und 13B dargestellten Beispiele können mit dem in Fig. 12A bis 12D dargestellten Aufbau kombiniert werden, so daß verschiedene Filterstrukturen gebildet werden können.

Die oben beschriebenen Öffnungsbereiche sind nicht auf bestimmte Positionen, Formen und Größen beschränkt. Die oben beschriebenen Beispiele dienen lediglich zur Erläuterung der vorliegenden Erfindung und schränken die vorliegende Erfindung keineswegs ein. Weiterhin besteht keine Beschränkung bezüglich der Anzahl der Resonanzlöcher.

In Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Erfindung umfaßt der dielektrische Block mit den darauf ausgebildeten Erdelektroden Öffnungsbereiche (die keine Elektrodenfunktionen vorsehen), um Kapazitäten und Induktivitäten vorzusehen.

Deshalb kann die Größe der um die Resonanzlöcher vorgesehenen Leitermuster reduziert werden, wobei durch die Reduktion der Größe keine Druckfehler verursacht werden. Dementsprechend kann das dielektrische Filter miniaturisiert und mit einem leichten Gewicht hergestellt werden. Durch eine Anpassung der Größe der auf der Rückfläche vorgesehenen Öffnungsbereiche können weiterhin die Größen der Kapazität und der Induktivität kontrolliert werden, wodurch die gewünschten Filtereigenschaften erhalten werden. Durch das Vorsehen der Öffnungsbereiche zum Anpassen der Resonanzfrequenz kann weiterhin die Resonanzfrequenz fein angepaßt werden.

Claims

1. Dielektrisches Filter, mit
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

2. Dielektrisches Filter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungsbereiche (120) durch das Abdecken von relevanten Bereichen während des Auftragens eines leitenden Materials auf der zweiten Fläche (107) und den Seitenflächen gebildet werden.

3. Dielektrisches Filter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein erstes Leitermuster (108) auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist, das mit den Innenelektroden verbunden ist, um eine Ladekapazität zu bilden und um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

4. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zweites Leitermuster (130) auf der ersten Fläche (105) des dielektrisches Blocks (101) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (103)und mit einem bestimmten Abstand zu den Löchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

5. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein drittes Leitermuster (131) auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks (101) zwischen den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

6. Dielektrisches Filter nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Leitermuster (132) mit einem Material verbunden ist, das auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) aufgebracht ist.

7. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein viertes Leitermuster (135) auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist, das sich von dem leitenden Material der Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) zu den Enden der Resonanzlöcher (103) erstreckt, um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen zu ermöglichen.

8. Dielektrisches Filter nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonanzfrequenz angepaßt wird, indem die Flächen des vierten Leitermustern (135) und die Abstände zwischen den Resonanzlöchern (103) und den vierten Leitermustern (135) angepaßt werden.

9. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich (120) wenigstens einen ersten Öffnungsbereich (120a, 120b) mit einer bestimmten Größe umfaßt, um eine Kopplungsinduktivität mit einem benachbarten Resonator zu bilden und um eine Kreuzkopplungsinduktivität mit einem nicht benachbarten Resonator zu bilden.

10. Dielektrisches Filter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (120a, 120b) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (103) und mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist.

11. Dielektrisches Filter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (120a, 120b) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (103) oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher (103) angeordnet ist.

12. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich (120) einen zweiten Öffnungsbereich mit einer bestimmten Größe auf der zweiten Fläche (107) umfaßt, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um eine Kopplungskapazität mit einem benachbarten Resonator zu bilden.

13. Dielektrisches Filter nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Öffnungsbereich zwischen den Resonanzlöchern angeordnet ist.

14. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich (120) umfaßt:
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

15. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich (120) einen dritten Öffnungsbereich umfaßt, der auf der zweiten Fläche (107) mit einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher (103) ausgebildet ist, um eine Anpassung der Resonanzfrequenz der Resonatoren zu ermöglichen.

16. Dielektrisches Filter nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Öffnungsbereich zwischen den Enden der Resonanzlöcher (103) und einer Seite des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist.

17. Dielektrisches Filter mit:
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

18. Dielektrisches Filter mit:
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um die Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.

19. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (305) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf dem ersten Filterbereich der zweiten Fläche (207) des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

20. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnungsbereiche durch das Abdecken relevanter Bereiche während des Auftragens eines leitenden Materials auf die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen gebildet werden.

21. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 19 oder 20, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein erstes Leitermuster (308) auf der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, das mit den Innenelektroden der Resonanzlöcher verbunden ist, um eine Ladekapazität zu bilden und um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

22. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zweites Leitermuster (330) auf der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) und mit einem bestimmten Abstand zu den Löchern (303) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

23. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein drittes Leitermuster (331) auf der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) zwischen den Resonanzlöchern (303) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

24. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Leitermuster (331) mit dem leitenden Muster verbunden ist, das auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks aufgebracht ist.

25. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß ein viertes Leitermuster (335) auf der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist und sich von dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) zu den Enden der Resonanzlöcher (303) erstreckt, um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen zu ermöglichen.

26. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Resonanzfrequenz angepaßt wird, indem die Fläche des vierten Leitermusters (335) und der Abstand zwischen den Resonanzlöchern (303) und dem vierten Leitermuster (335) angepaßt wird.

27. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich (320) wenigstens einen ersten Öffnungsbereich (320a, 320b) mit einer bestimmten Größe umfaßt, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden.

28. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (320a, 320b) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) und mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (303) angeordnet ist.

29. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (320a, 320b) parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) und oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher (303) angeordnet ist.

30. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich wenigstens einen auf der zweiten Fläche (307) ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich (327) mit einer bestimmten Größe umfaßt, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um eine Kopplungskapazität mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

31. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Öffnungsbereich (327) zwischen den Resonanzlöchern ausgebildet ist.

32. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich umfaßt:
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

33. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 19 bis 33, dadurch gekennzeichnet, daß der Öffnungsbereich weiterhin einen dritten Öffnungsbereich (328) umfaßt, der auf der zweite Fläche (307) ausgebildet ist und mit einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher (303) angeordnet ist, um das Anpassen der Resonanzfrequenz der Resonatoren zu ermöglichen.

34. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Öffnungsbereich (325a, 325b) zwischen den Enden der Resonanzlöcher und einer Seitenfläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist.

35. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.

36. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der mit einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher auf der zweiten Fläche ausgebildet ist, um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.

37. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, um Resonatoren zu bilden, und
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Einrichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.

38. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung wenigstens ein Leitermuster ist, das um die Resonanzlöcher (303) herum gebildet und mit dem leitenden Material auf den Innenflächen der Resonanzlöcher (303) verbunden ist.

39. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 37 oder 38, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung wenigstens eine leitende Fläche ist, die sich von dem leitenden Material auf der Seite des dielektrischen Blocks (301) zwischen zwei der Resonanzlöcher (303) der ersten Fläche (305) erstreckt.

40. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 37 bis 39, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Einrichtung eine lineare Elektrode ist, die sich parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) der ersten Fläche (305) erstreckt und nicht mit dem leitenden Material der Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) verbunden ist.

41. Dielektrisches Duplexfiltern nach, wenigstens einem der Ansprüche 37 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Einrichtung ein Öffnungsbereich ist, der zwischen den Resonanzlöchern (303) der zweiten Fläche (305) ausgebildet und nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist.

42. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Einrichtung wenigstens ein leitender Bereich auf der ersten Fläche (305) ist, der sich von dem leitenden Material der Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) zu wenigstens einem der Resonanzlöcher (303) der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) erstreckt.

43. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Einrichtung wenigstes ein Öffnungsbereich ist, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und der sich auf der zweiten Fläche (307) zwischen den Resonanzlöchern (303) und dem leitenden Material der Seitenfläche des dielektrischen Blocks (301) erstreckt.

44. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der in einem ersten Teil des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um erste Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem zweiten Filterbereich, der in einem zweiten Teil des dielektrischen Blocks (301) in Nachbarschaft zu dem ersten Filterbereich ausgebildet ist, um zweite Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Eirichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.