DE19857358A1 - Dielektrisches Filter - Google Patents
Dielektrisches FilterInfo
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Abstract
Dielektrisches Duplexfilter, auf dessen mit einem leitenden Material beschichteter Rückfläche ein Öffnungsbereich ausgebildet ist, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um eine Verbesserung der Filtereigenschaften und eine Miniaturisierung des Filters zu ermöglichen. Dabei werden Kopplungskapazitäten und Kopplungsinduktivitäten zwischen Resonanzlöchern der Rückfläche des dielektrischen Blocks gebildet. Weiterhin sind Leitermuster auf der Vorderfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um Kopplungskapazitäten zwischen den Resonanzlöchern der Vorderfläche zu bilden und um Ladekapazitäten zu den entsprechenden Resonanzlöchern vorzusehen.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein dielektrisches
Filter. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein
dielektrisches Filter, bei dem ein Öffnungsbereich ohne einem
darauf aufgebrachten leitenden Material an der Rückfläche eines
dielektrischen Blocks mit einem darauf aufgebrachten leitenden
Material ausgebildet ist, um eine Verbesserung der
Filtereigenschaften des Filters und eine Miniaturisierung des
Filters zu ermöglichen.
Gegenwärtig wird das drahtgebundene Kommunikationssystem
durch ein mobiles Kommunikationssystem ersetzt, das das
Hochfrequenzband (HF-Band) verwendet. Dementsprechend steigt
der Bedarf an mobilen Kommunikationseinrichtungen stark an,
deren Entwicklung rasch vorangetrieben wird. Die besondere
Eigenschaft des mobilen Kommunikationssystems besteht darin,
daß der Benutzer das Endgerät überallhin mit sich trägt. Es ist
deshalb erforderlich, daß die Leistung der mobilen
Kommunikationseinrichtung verbessert wird und daß eine
Miniaturisierung sowie ein geringes Gewicht erzielt werden.
Um gleichzeitig eine Verbesserung der Leistung sowie eine
kompakte Form und ein geringes Gewicht zu erhalten, muß jede
Komponente der mobilen Kommunikationseinrichtung miniaturisiert
werden. Deshalb wird häufig eine dielektrische Filtereinheit
verwendet. Allgemein sind in dem dielektrischen Filter eine
Vielzahl von dielektrischen Blöcken miteinander verbunden, auf
denen jeweils ein koaxialer Resonator vorgesehen ist, um die
gewünschten Durchlaßeigenschaften des HF-Bandes zu erhalten.
Bei der verwendeten dielektrischen Filtereinheit sind eine
Vielzahl von koaxialen Resonatoren zu einem einzigen
dielektrischen Block vereinigt, um die Durchlaßeigenschaften zu
erhalten. Diese dielektrische Filtereinheit ist sowohl am
Empfängerteil wie am Sendeteil vorgesehen, um die gesendeten
und empfangenen Hochfrequenzwellen zu filtern. Der
erforderliche Durchlaßbereich umfaßt ungefähr 20 bis 30 MHz.
Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer
herkömmlichen dielektrischen Filtereinheit. Wie in der
Zeichnung gezeigt, umfaßt das dielektrische Filter: eine erste
Fläche 5 und eine gegenüber derselben angeordnete zweite Fläche
7, die einen sechsflächigen dielektrischen Block 1 mit
Seitenflächen zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten
Fläche 7 definieren. In dem dielektrischen Block 1 sind eine
Vielzahl von Resonanzlöchern 3 ausgebildet, die sich parallel
zueinander und durch die erste Fläche 5 und die zweite Fläche 7
erstrecken. Die sich zwischen der ersten Fläche 5 und der
zweiten Fläche 7 erstreckenden Seitenflächen sind mit einem
leitenden Material beschichtet, um eine Erdelektrode zu bilden.
Die erste Fläche 5 des dielektrischen Blocks 1 bildet einen
Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material
beschichtet ist. Weiterhin sind die Innenflächen der
Resonanzlöcher 3 mit einem leitenden Material beschichtet, um
Innenelektroden zu bilden.
Um jedes der Resonanzlöcher 3 in der ersten Fläche 5 ist
ein Leitermuster 8 mit einer bestimmten Breite ausgebildet. Das
Leitermuster 8 ist mit der Innenelektrode des Resonanzloches 3
verbunden, um eine Ladekapazität und eine Kopplungskapazität zu
bilden. Die Resonanzfrequenz des Resonators wird durch das
Resonanzloch 3 und durch die Ladekapazität bestimmt, während
die Kopplungskapazität die zwei Resonatoren miteinander
verbindet. Weiterhin sind an den Seitenflächen, die sich
zwischen der ersten Fläche 5 und der zweiten Fläche 7
erstrecken, Eingangs-/Ausgangsanschlüsse 12a und 12b
vorgesehen.
Bei dem oben beschriebenen Filter variieren die
Filtereigenschaften in Abhängigkeit von der Kopplungskapazität
und der Resonanzfrequenz des Resonators, die durch die
Ladungskapazität und das Resonanzloch 3 bestimmt werden.
Deshalb werden die Filtereigenschaften durch die Größe des
Leitermusters 8 bestimmt, das die Ladekapazität und die
Kopplungskapazität bildet. Die Ladekapazität wird hauptsächlich
durch den Abstand zwischen der Seitenfläche des dielektrischen
Blocks 1 und dem Leitermuster 8 der ersten Fläche 5 bestimmt.
Um also die Filtereigenschaften der dielektrischen
Filtereinheit zu bestimmen, muß der Zwischenraum zwischen der
Erdelektrode und dem Leitermuster 8 sowie der Zwischenraum
zwischen den benachbarten Leitermustern 8 angepaßt werden,
indem die Größe des Leitermusters 8 angepaßt wird.
Dabei muß jedoch die Größe der mobilen
Kommunikationseinrichtung auf ein Minimum reduziert werden, um
den Tragekomfort zu erhöhen. Aus diesem Grund muß auch das
dielektrische Filter so weit wie möglich miniaturisiert werden,
wobei auch das Volumen des dielektrischen Blocks 1 reduziert
werden muß. Um das Volumen zu reduzieren, muß der Abstand
zwischen den Resonanzlöchern 3 sowie zwischen den Löchern 3 und
der Seitenfläche reduziert werden, was jedoch auch bedeutet,
daß die Fläche der ersten Fläche 5 reduziert werden muß.
Dazu muß das Leitermuster 8 auf der ersten Fläche 5
reduziert werden. Die Reduktion der Größe des Leitermusters 8
macht die Herstellung des Filters mit den erforderlichen
Filtereigenschaften schwierig. Um den dielektrischen Filter zu
miniaturisieren, muß der Zwischenraum zwischen den
Leitermustern 8 reduziert werden. Allgemein werden die
Erdelektrode und das Leitermuster 8 der ersten Fläche 5 durch
ein Siebdruckverfahren hergestellt. Das Siebdruckverfahren
weist einen Fehlerbereich von 25 bis 30 µm in der Linienbreite
auf. Wenn also die Leitermuster 8 um zwei Resonanzlöcher 3
herum ausgebildet werden, um ein miniaturisiertes Filter zu
bilden, dann stößt die Größenreduktion des Leitermusters 8
sowie des Zwischenraums zwischen dem Leitermuster 8 und der
Grundelektrode auf eine Grenze, weshalb die gewünschte Größe
der Ladekapazität nicht erreicht werden kann. Wenn weiterhin
der Zwischenraum zwischen den Leitermustern 8 durch die
Reduktion des Bereichs der ersten Fläche 5 klein gemacht wird,
können die Leitermuster 8 aufgrund der Fehler des
Siebdruckverfahrens kurzgeschlossen werden.
Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein
dielektrisches Duplexfilter zum Filtern der
Sendeempfangssignale der mobilen Kommunikationseinrichtung
zeigt. Wie die dielektrische Filtereinheit umfaßt das
dielektrische Duplexfilter dielektrische Filter: eine erste
Fläche 5 und eine zweite Fläche 7 sowie einen sechsflächigen
Block 1 mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche
5 und der zweiten Fläche 7 erstrecken. Im dielektrischen Block
1 sind eine Vielzahl von Resonanzlöchern 3 ausgebildet, die
sich parallel zueinander sowie durch die erste Fläche 5 und die
zweite Fläche 7 erstrecken. Auf der zweiten Fläche 7 und den
Seitenflächen sind beschichtete Erdelektroden vorgesehen (nicht
in der Zeichnung gezeigt). Weiterhin ist eine Innenelektrode
auf der Innenfläche des Resonanzloches 3 ausgebildet, um einen
Resonator zu bilden. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich auf der
zweiten Fläche 7 ausgebildet, der nicht mit einem leitenden
Material beschichtet ist.
Um jedes der Resonanzlöcher 3 in der ersten Fläche 5 ist
ein Leitermuster 8 mit einer bestimmten Breite ausgebildet.
Eine Ladekapazität ist zwischen der Erdelektrode und dem
Leitermuster 8 gebildet, während eine Kopplungskapazität
zwischen den Leitermustern der benachbarten Resonanzlöcher 3
gebildet ist. Weiterhin ist die erste Fläche 5 mit einem
Antennenanschluß 13 und Empfangs- und Sendeanschlüssen 12a und
12b vorgesehen.
In dem dielektrischen Duplexfilter der Zeichnung sind die
drei Resonanzlöcher des linken Teils der ersten Fläche 5
Empfangs-Enden zum Empfangen von HF-Signalen von außen, während
die vier Resonanzlöcher der rechten Teils Sende-Enden zum
Senden von HF-Signalen nach außen sind. So bilden die
entsprechenden Resonanzlöcher 3 Resonatoren und bilden die
Ladekapazitäten.
Allgemein ist bei dem dielektrischen Duplexfilter das HF-
Band der Sendeanschlüsse niedriger als das HF-Band der
Empfangsanschlüsse. Deshalb wirkt ein elektrischen Feldeffekt
zwischen den Resonanzlöchern 3 der Empfangsanschlüsse, während
ein magnetischer Feldeffekt zwischen den Resonanzlöchern 3 der
Sendeanschlüsse wirkt. Deshalb bilden die Resonatoren der
Empfangsanschlüsse eine kapazitive Kopplung, während die
Resonatoren der Sendeanschlüsse eine induktive Kopplung bilden.
Bei dem dielektrischen Duplexfilter variiert wie bei dem
dielektrischen Filter von Fig. 1 die Kopplung zwischen den
Resonatoren und die Bestimmung der Resonanzfrequenz in
Abhängigkeit von der Größe des Leitermusters 8 der ersten
Fläche 5. Das heißt, daß die Eigenschaften des dielektrischen
Duplexfilters in Abhängigkeit von dem Zwischenraum zwischen dem
Leitermuster 8 und der Grundelektrode sowie von dem
Zwischenraum zwischen den Leitermustern 8 variieren. Um wie bei
dem dielektrischen Filter von Fig. 1 ein miniaturisiertes
Filter zu bilden, muß die Dicke des dielektrischen Blocks 1
dünn gemacht werden und müssen die Zwischenräume zwischen den
Resonanzlöchern 3 ebenfalls schmal gemacht werden. Bei einem
derartig miniaturisierten Filter wird jedoch die Fläche der
ersten Fläche 5 reduziert, weshalb die Reduktion des
Zwischenraums zwischen dem Leitermuster 8 sowie die Reduktion
der Zwischenräume zwischen benachbarten Leitermustern 8 auf
eine Grenze stoßen, so daß die gewünschten Filtereigenschaften
nicht erhalten werden können.
Die vorliegende Erfindung bezweckt, die oben beschriebenen
Nachteile der herkömmlichen Techniken zu überwinden.
Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
ein dielektrisches Filter anzugeben, bei dem ein
Öffnungsbereich auf einer Rückfläche des dielektrischen Blocks
mit einer Erdelektrode ausgebildet ist, um eine,
Kopplungskapazität und eine Kopplungsinduktion zu bilden,
wodurch ein miniaturisiertes Filter hergestellt werden kann und
wodurch die Filtereigenschaften einfach kontrolliert werden
können.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
dielektrisches Duplexfilter vorzusehen, bei dem ein
Öffnungsbereich auf der Rückfläche des eine Erdelektrode
umfassenden dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine
Kopplungskapazität und eine Kopplungsinduktion zu bilden,
wodurch ein miniaturisiertes Filter hergestellt werden kann und
wodurch die Filtereigenschaften einfach kontrolliert werden
können.
Um die oben genannten Aufgaben zu erfüllen, umfaßt das
dielektrische Filter der vorliegenden Erfindung in
Übereinstimmung mit einem ersten Aspekt der vorliegenden
Erfindung: einen dielektrischen Block mit einer erste Fläche
und mit einer zweiten Fläche sowie mit Seitenflächen, die sich
zwischen der ersten und der zweiten Fläche erstrecken, wobei
die zweite Fläche und die Seitenflächen mit einem leitenden
Material beschichtet sind; eine Vielzahl von Resonanzlöchern,
die sich parallel zueinander und durch die erste und die zweite
Fläche erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher mit einem
leitenden Material beschichtet sind; Eingangs- und
Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode
und dem leitenden Material der Seitenflächen des dielektrischen
Blocks bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem
Resonanzloch zu bilden; und wenigstens einen Öffnungsbereich,
der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf
der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist,
um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten
Resonatoren zu bilden.
Der Öffnungsbereich umfaßt: wenigstens einen ersten
Bereich oberhalb oder unterhalb der Vielzahl von ersten
Resonanzlöchern entlang einer Anordnungsrichtung der
Resonanzlöcher; und wenigstens einen zweiten Bereich auf der zu
der Vielzahl von zweiten Resonanzlöchern gegenüberliegenden
Seite entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher. Der
erste und der zweite Bereich sind dafür vorgesehen, eine
Kopplungsinduktivität mit benachbarten Resonatoren zu bilden,
wobei sie separat auf der zweiten Fläche ausgebildet sein
können. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich zum Anpassen der
Resonanzfrequenz des Resonators auf der zweiten Fläche
ausgebildet. Der Öffnungsbereich zum Anpassen der
Resonanzfrequenz ist zwischen einem Ende des Resonanzloches und
der Seitenfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um das
Anpassen der Resonanzfrequenz auf eine gewünschte Höhe zu
ermöglichen.
Eine Vielzahl von Leitermustern sind auf der ersten Fläche
des dielektrischen Blocks ausgebildet, um eine zusätzliche
Induktivität zu den Resonatoren hinzuzufügen und um eine
Kopplungskapazität mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
Weiterhin dient ein Leitermuster, das sich von dem leitenden
Material auf der Seitenfläche zu einem Ende des Resonanzloches
erstreckt, als eine Einrichtung zum Anpassen der
Resonanzfrequenz des Resonators, wobei die Resonanzfrequenz
angepaßt wird, indem die Fläche des Leitermusters oder der
Zwischenraum zwischen dem Leitermuster und dem Ende des
Resonanzloches angepaßt wird.
In Übereinstimmung mit einem anderen Aspekt der
vorliegenden Erfindung umfaßt das dielektrische Duplexfilter in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung: einen
dielektrischen Block mit einer ersten und mit einer zweiten
Fläche sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten
und der zweiten Fläche erstrecken, wobei die zweite Fläche und
die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet
sind; einen ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem
Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern
aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste und
die zweite Fläche des dielektrischen Blocks erstrecken, wobei
die Innenflächen der Löcher mit einem leitenden Material
beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von
ersten Eingangssignalen dient; einen zweiten Filterbereich, der
aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von
Resonanzlöchern aufweist, die sich parallel zueinander und
durch die erste und die zweite Fläche des dielektrischen Blocks
erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher mit einem
leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite
Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient;
Eingangs- und Ausgangsanschlüsse, die jeweils aus einer
isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den
Seitenflächen des dielektrischen Blocks bestehen, um eine
elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch zu bilden; und
wenigstens einen Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden
Material beschichtet ist und auf dem ersten Filterbereich der
zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um
eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren
zu bilden.
Der Öffnungsbereich umfaßt: wenigstens einen ersten
Bereich oberhalb oder unterhalb der Vielzahl von ersten
Resonanzlöchern entlang einer Anordnungsrichtung der
Resonanzlöcher; und wenigstens einen zweiten Bereich, der bei
einer anderen Gruppe der Vielzahl von zweiten Resonanzlöchern
entlang der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher ausgebildet
ist. Der erste und der zweite Bereich sind dafür vorgesehen,
eine Kopplungsinduktivität zwischen benachbarten Resonatoren zu
bilden, wobei sie separat auf der zweiten Fläche ausgebildet
sein können. Weiterhin ist ein Öffnungsbereich zum Anpassen der
Resonanzfrequenz des Resonators auf der zweiten Fläche
ausgebildet. Der Öffnungsbereich zum Anpassen der
Resonanzfrequenz ist zwischen einem Ende des Resonanzloches und
der Seitenfläche des dielektrischen Blocks gebildet, um das
Anpassen der Resonanzfrequenz auf eine gewünschte Höhe zu
ermöglichen.
Eine Vielzahl von Leitermustern sind auf der ersten Fläche
des dielektrischen Blocks ausgebildet, um eine zusätzliche
Induktivität zu den Resonatoren hinzuzufügen und um eine
Kopplungskapazität mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
Weiterhin dient ein Leitermuster, das sich von dem leitenden
Material auf der Seitenfläche zu einem Ende des Resonanzloches
erstreckt, als eine Einrichtung zum Anpassen der
Resonanzfrequenz des Resonators. Die Resonanzfrequenz wird
angepaßt, indem die Fläche des Leitermusters oder der
Zwischenraum zwischen dem Leitermuster und dem Ende des
Resonanzloches angepaßt wird.
Diese und andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden
Erfindung werden durch die folgende ausführliche Beschreibung
bevorzugter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit
Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht der herkömmlichen
dielektrischen Filtereinheit,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht des herkömmlichen
dielektrischen Duplexfilters zum Filtern der
Sendeempfangssignale der mobilen Kommunikationseinrichtung,
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform
der dielektrischen Filtereinheit in Übereinstimmung mit der
vorliegenden Erfindung,
Fig. 4 die zweite Fläche des Filters von Fig. 3,
Fig. 5 die erste Fläche des Filters von Fig. 3,
Fig. 6 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die
dielektrische Filtereinheit von Fig. 3,
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht einer anderen
Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung,
Fig. 8 die zweite Fläche des Filters von Fig. 7,
Fig. 9 die erste Fläche des Filters von Fig. 7,
Fig. 10 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die
dielektrische Filtereinheit von Fig. 7,
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht des dielektrischen
Duplexfilters einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung,
Fig. 12 die zweite Fläche des Filters von Fig. 11,
Fig. 13 die erste Fläche des Filters von Fig. 11, und
Fig. 14 ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des
dielektrischen Duplexfilters von Fig. 11.
Um das Frequenzband einer dielektrischen Filtereinheit
oder eines dielektrischen Duplexfilters fein anzupassen, muß
der Zwischenraum zwischen der Erdelektrode der Seitenfläche des
dielektrischen Blocks und dem Leitermuster der Vorderfläche des
dielektrischen Blocks (mit der Innenelektrode in den
Resonanzlöchern verbunden) angepaßt werden. Bei einem
miniaturisierten dielektrischen Filter werden die Größen des
dielektrischen Blocks und der Bereiche auf den Vorder- und
Rückflächen reduziert, weshalb herkömmlicherweise die Anpassung
der Größe des mit der Innenelektrode des Resonanzloches
verbundenen Leitermusters auf Grenzen stößt. Deshalb ist die
Größe des dielektrischen Blocks der vorliegenden Erfindung im
Vergleich zu der herkömmlichen weiter reduziert, wobei die mit
den Innenelektroden der Resonanzlöcher verbundenen Leitermuster
auf der Vorderfläche im Vergleich zu den herkömmlichen mit
einer reduzierten Größe ausgebildet sind. Weiterhin ist ein
Bereich zur Anpassung der Induktivität auf der Rückfläche
ausgebildet. Auf diese Weise wird ein miniaturisierter
dielektrisches Filter mit geringem Gewicht realisiert.
Weiterhin sind in einem dielektrischen Filter oder in
einem dielektrischen Duplexfilter, in dem drei oder mehr
Resonanzlöcher ausgebildet sind, ein Bereich zum Anpassen der
Induktivität und ein Bereich zum Anpassen der Kapazität auf der
Rückfläche des dielektrischen Blocks ausgebildet. Auf diese
Weise werden nicht nur eine Kopplungsinduktivität und eine
Kopplungskapazität, sondern auch eine
Kreuzkopplungsinduktivität mit nicht benachbarten Resonatoren
gebildet, um die Filtereigenschaften zu kontrollieren.
Diese Anpassungsbereiche umfassen: einen ersten
Anpassungsbereich zum Wählen der Größe der
Kopplungsinduktivität und zum Bilden der
Kreuzkopplungsinduktivität; und einen zweiten Anpassungsbereich
(einen Resonanzfrequenz-Abstimmungsbereich) zum Feinanpassen
der Größe der Ladekapazität.
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht einer
Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit der
vorliegenden Erfindung. Fig. 4 zeigt die zweite Fläche, d. h.
die Rückfläche des Filters von Fig. 3. Fig. 5 zeigt die erste
Fläche, d. h. die Vorderfläche des Filters von Fig. 3.
Wie in Fig. 3 gezeigt, weist die dielektrische
Filtereinheit in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung
eine erste Fläche 105 und zweite Fläche 107 auf, die einander
gegenüberliegen und eine im wesentlichen sechsflächige Form
definieren. Die zweite Fläche 107 und die Seitenflächen
zwischen der ersten Fläche 105 und der zweiten Fläche 107 sind
mit einem leitenden Material beschichtet, um eine Erdelektrode
zu bilden. Im dielektrischen Block sind zwei Resonanzlöcher 103
ausgebildet, die sich parallel zueinander sowie durch die erste
Fläche 105 und die zweite Fläche 107 erstrecken, um Resonatoren
zu bilden. Die nicht in den Zeichnungen sichtbaren Innenflächen
der Resonanzlöcher 103 sind mit einem leitenden Material
beschichtet, um Innenelektroden zu bilden.
Die erste Fläche, d. h. die Vorderfläche des dielektrischen
Blocks ist ein Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden
Material beschichtet ist. Um jedes der Resonanzlöcher 103 ist
ein Leitermuster 108 gebildet. Eine Ladekapazität ist zwischen
dem Leitermuster 108 und der Erdelektrode gebildet, um die
Resonanzfrequenz zu bestimmen. Eine Kopplungskapazität ist
zwischen dem Leitermuster 108 gebildet, um die Bandbreite des
Filters zu bestimmen.
Wie in Fig. 4 gezeigt, ist auf der zweiten Fläche 107,
d. h. der Rückfläche des dielektrischen Blocks wenigstens ein
Öffnungsbereich 120 gebildet, der separat zu den
Resonanzlöchern 103 vorgesehen ist, wobei der Öffnungsbereich
120 nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist. Zum
Bilden des Öffnungsbereichs 120 wird eine Maske verwendet, wenn
das leitende Material mit Hilfe eines Siebdruckverfahrens
aufgebracht wird, damit der relevante Bereich abgedeckt wird,
um den Öffnungsbereich 120 zu bilden. Der Öffnungsbereich 120
kann also während des Auftragens des leitenden Materials
ausgebildet werden.
Fig. 4A bis 4B stellen Beispiele des Öffnungsbereichs dar.
Wie in Fig. 4A gezeigt, ist der Öffnungsbereich 120 parallel zu
der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 ausgebildet. Wie
in Fig. 4B gezeigt, ist der Öffnungsbereich parallel zu der
Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 ausgebildet, wobei
sich der Öffnungsbereich jedoch mit einer T-Form zwischen die
Resonanzlöcher 103 hinein erstreckt. Wie in Fig. 4C gezeigt,
sind zwei Öffnungsbereiche 120 parallel zu der
Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 103 oberhalb und
unterhalb zu den Resonanzlöchern ausgebildet. Wie in Fig. 4D
gezeigt, sind zwei kurze Öffnungsbereiche 120 zum Anpassen der
Frequenz jeweils über den Resonanzlöchern 103 ausgebildet.
Fig. 6 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm für die
dielektrische Filtereinheit von Fig. 3. In der Zeichnung geben
die Bezugszeichen R1 und R2 jeweils Resonatoren an, während C01
und C02 Kopplungskapazitäten angeben, die zwischen den
Eingangs-/Ausgangsanschlüssen 112a und 112b gebildet sind. Das
Bezugszeichen C12 gibt eine Kopplungskapazität zwischen den
Resonatoren R1 und R2 an, und M12 gibt eine
Kopplungsinduktivität zwischen den Resonatoren R1 und R2 an.
Die Kopplungskapazität C12 ist zwischen den Leitermustern 108
gebildet, die auf der ersten Fläche 105 des dielektrischen
Blocks 101 ausgebildet sind. Die Kopplungsinduktivität M12 wird
durch den Öffnungsbereich der zweiten Fläche 107 gebildet. Wenn
in dieser äquivalenten Schaltung Eingangssignale in den
Eingangsanschluß 112b eingegeben werden, dann werden
elektrische Felder in den zwei Resonanzlöchern 103 erzeugt,
wodurch die Resonatoren aktiviert werden. Wegen des
Öffnungsbereichs 120 der zweiten Fläche 107, wird die
Kopplungsinduktivität M12 größer. Die Erhöhungsrate der
Kopplungsinduktivität M12 wird durch das Variieren der Länge
und der Breite des Öffnungsbereichs 120 angepaßt. Wenn die
Länge und die Breite des Öffnungsbereichs 120 größer gewählt
werden, wird die Kopplungsinduktivität größer.
Wenn der Öffnungsbereich 120 wie in Fig. 4B gezeigt
zwischen den Resonanzlöchern 103 ausgebildet ist, veranlaßt der
Öffnungsbereich 120 eine Erhöhung der Kopplungsinduktivität M12
zwischen den zwei Resonanzlöchern 103, wodurch die
Eigenschaften des dielektrischen Filters erhöht werden.
Zusätzlich zu der Kopplungskapazität C12 zwischen den
Leitermustern 108 wird die Kopplungsinduktivität M12 durch den
Öffnungsbereich 120 vorgesehen. Durch das Anpassen der Länge
und der Breite des Öffnungsbereichs 120 kann die Größe der
Kopplungsinduktivität M12 kontrolliert werden, so daß die
Kontrolle der Kapazität und der Induktivität ermöglicht wird,
was bei den herkömmlichen Filtern nicht möglich war.
Die Öffnungsbereiche 125 von Fig. 4D dienen dagegen zum
feinen Anpassen der Resonanzfrequenz. Wie in Fig. 4A bis 4C
werden diese Öffnungsbereiche 125 während des Auftragens des
leitenden Materials unter Verwendung einer Maske ausgebildet.
In der Zeichnung sind die Öffnungsbereiche 125 nur oberhalb der
Resonanzlöcher 103 ausgebildet, wobei aber ihre Positionen
nicht auf die in der Zeichnung gezeigten beschränkt sind. Sie
können auch unterhalb der Resonanzlöcher 103 oder seitlich zu
den Resonanzlöchern 103 ausgebildet sein. Dabei können die
Öffnungsbereiche 125 für die Abstimmung mit den Innenelektroden
der Resonanzlöcher verbunden sein; sie können aber auch von den
Innenelektroden isoliert sein und sich entlang der
Seitenflächen des dielektrischen Blocks 101 erstrecken.
Weiterhin können sie mit den seitlichen Erdelektroden verbunden
sein.
Auch die Position des Öffnungsbereichs 120 von Fig. 4A ist
nicht auf die in der Zeichnung gezeigte beschränkt. Der
Öffnungsbereich 120 kann auch unterhalb der Resonanzlöcher 103
angeordnet sein.
Die Beispiele von Fig. 4A bis 4D sind also nicht auf die
in den Zeichnungen gezeigten beschränkt. Die Öffnungsbereiche
zum Anpassen der Frequenz von Fig. 4D können unabhängig
voneinander oder gleichzeitig mit denjenigen von Fig. 4A bis 4C
ausgebildet werden.
Fig. 5A bis 5D sind Beispiele für den Aufbau der ersten
Fläche des dielektrischen Filters von Fig. 3, der in
Kombination mit dem Aufbau der zweiten Fläche von Fig. 4Aa bis
4D vielfach variiert werden kann.
Im folgenden wird der Aufbau der zweiten Fläche mit Bezug
auf Fig. 5 erläutert. Fig. 5A zeigt ein Leitermuster 130 mit
einer bestimmten Breite, das parallel zu der Anordnungsrichtung
der darüberliegenden Resonanzlöcher 103 der ersten Fläche 105
ausgebildet ist. Das Leitermuster 130 ist mit einem bestimmten
Abstand zu den Resonanzlöchern 103 angeordnet, um eine
Kopplungskapazität zu dem benachbarten Resonator zu bilden,
wodurch die Kontrolle der Eigenschaften des dielektrischen
Filters ermöglicht wird. Dabei kann das Leitermuster 130
oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher 103 ausgebildet
sein.
Wie in Fig. 5B gezeigt, ist ein Leitermuster 131 zwischen
den Resonanzlöchern 103 ausgebildet. Das Leitermuster 131
bildet Kopplungskapazitäten mit entsprechenden Resonatoren, um
eine neue Kopplungskapazität zu dem gesamten dielektrischen
Filter vorzusehen. Das Leitermuster 132 von Fig. 5c ist mit den
Erdelektroden des dielektrischen Blocks verbunden. Fig. 5D
zeigt Leitermuster 135 zum Anpassen der Resonanzfrequenz wie in
Fig. 4D. Die Resonanzfrequenz wird angepaßt, indem die
Gesamtflächen der Leitermuster 135 angepaßt werden oder indem
deren Abstand von den Resonanzlöchern 103 variiert wird. Dabei
ist deren Aufbau nicht auf den in den Zeichnungen gezeigten
beschränkt. Sie können oberhalb oder unterhalb der
Resonanzlöcher 103 oder seitlich zu den Resonanzlöchern 103
ausgebildet sein. Weiterhin können sie mit den Erdelektroden
der Seitenflächen verbunden oder von denselben isoliert sein.
Obwohl die Leitermuster 135 mit den Leitermustern 108 verbunden
sein können, sollten sie vorzugsweise voneinander getrennt
sein.
In der wie oben beschriebenen vorliegenden Erfindung kann
das Dämpfungsverhältnis des Dämpfungspunktes kontrolliert
werden, indem ein Öffnungsbereich 120 auf der zweiten Fläche
107, d. h. auf der Rückfläche des dielektrischen Filters,
ausgebildet wird, so daß die Filtereigenschaften leicht
kontrolliert werden können. Weiterhin sind eine Vielzahl von
Leitermustern mit einer kleinen Größe auf der ersten Oberfläche
105 des dielektrischen Blocks ausgebildet, um die Kapazität und
die Vielzahl des dielektrischen Filters zu kontrollieren.
Dadurch wird im Vergleich zu den herkömmlichen Einrichtungen
nicht nur eine Miniaturisierung erreicht, sondern es können
auch auf Druckfehler zurückzuführende Defekte beseitigt werden.
Fig. 7 ist eine perspektivische Ansicht einer anderen
Ausführungsform der dielektrischen Filtereinheit in
Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. Fig. 8 stellt
die zweite Fläche des Filters von Fig. 7 dar. Der dielektrische
Block 201 von Fig. 7 ist mit dem von Fig. 3 identisch, wobei
jedoch die Anzahl der Resonanzlöcher 203 reduziert ist. Es wird
hier auf eine Beschreibung des identischen Aufbaus verzichtet.
Fig. 8A bis 8C stellen Beispiele von Öffnungsbereichen
dar, die auf einer zweiten Fläche 207 des dielektrischen Blocks
201 ausgebildet sind. Wie in Fig. 8A gezeigt, ist ein erster
Öffnungsbereich 220 auf der zweiten Fläche 207 parallel zu der
Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 203 über den Löchern
ausgebildet. Weiterhin sind die zweiten Öffnungsbereiche 225a
und 225b senkrecht zu dem ersten Öffnungsbereich ausgebildet.
Der zweite Öffnungsbereich 225a kann einstückig mit dem ersten
Öffnungsbereich 220 ausgebildet sein oder nicht. Die zweiten
Öffnungsbereiche 225a und 225b dienen zum Anpassen der
Resonanzfrequenz, wobei durch das Anpassen ihrer Länge die
Ladekapazität und damit die Resonanzfrequenz angepaßt werden
kann.
Der erste Öffnungsbereich 220 und die zweiten
Öffnungsbereiche 225a und 225b werden gleichzeitig mit der
Erdelektrode ausgebildet, indem ein leitendes Material bei der
Ausbildung der Erdelektrode auf der zweiten Fläche 207
aufgebracht wird, wobei bestimmte Bereiche durch eine Maske
abgedeckt sind.
Wie in Fig. 8A werden der erste Öffnungsbereich 220 und
die zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b der einfacheren
Darstellung halber gleichzeitig ausgebildet. Es ist jedoch
möglich, nur den ersten Öffnungsbereich 220 oder die zweiten
Öffnungsbereiche 225a und 225b auszubilden. Weiterhin sind
keine Beschränkungen bezüglich der Größe, Form und Anzahl der
zweiten Öffnungsbereiche 225a und 225b zum Anpassen der
Resonanzfrequenz vorgegeben.
Wie in Fig. 8B gezeigt, sind die Öffnungsbereiche 220a und
220b jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 203
parallel zu der Anordnungsrichtung der Löcher 203 ausgebildet.
Wie in Fig. 8C gezeigt, sind die Öffnungsbereiche 220a und 220b
jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 203 derart
ausgebildet, daß der Öffnungsbereich 220a über dem linken und
dem mittleren Loch 203 ausgebildet ist, während der
Öffnungsbereich 220b unter dem mittleren und dem rechten Loch
203 ausgebildet ist. Obwohl nicht in Fig. 8B und 8C
dargestellt, ist es möglich, die Öffnungsbereiche zum Anpassen
der Resonanzfrequenz wie in Fig. 8A gezeigt auszubilden.
Durch die Anordnungen von Fig. 8B und 8C wird derselbe
Effekt wie in Fig. 8A erhalten, wobei der einzige Unterschied
in der Größendifferenz der Kopplungsinduktivität besteht.
Fig. 10 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der
dielektrischen Filtereinheit von Fig. 7. Auch wenn sich die
Formen der Öffnungsbereiche 220 voneinander unterscheiden,
weist die äquivalente Schaltung denselben Aufbau auf, weshalb
sie hier mit Bezug auf die Beispiele von Fig. 8A bis 8C
erläutert wird.
Der Aufbau der Schaltungen von Fig. 10 und von Fig. 6 ist
bis auf die Kapazität C13 und die Induktivität M13 identisch.
Deshalb wird hier auf eine Beschreibung des Gesamtaufbaus
verzichtet. Der erste Öffnungsbereich 220 von Fig. 8A bildet
nicht nur die Kopplungsinduktivitäten M12 und M23 mit den
benachbarten Resonatoren, sondern auch die
Kreuzkopplungsinduktivitäten M13 mit den nicht benachbarten
Resonatoren. Dieser Kreuzkopplungsinduktivitäten verursachen
zusammen mit den Kopplungsinduktivitäten M12 und M23 eine
Erhöhung der Gesamtinduktivität des dielektrischen Filters.
Deshalb kann die Gesamtinduktivität des dielektrischen Filters
durch das Kontrollieren der Größe des ersten Öffnungsbereichs
220 kontrolliert werden, so daß die Eigenschaften des
dielektrischen Filters leicht kontrolliert werden können. Wenn
vier oder mehr Resonatoren vorgesehen sind, werden die
Kreuzkopplungsinduktivitäten M13 mit allen nicht benachbarten
Resonatoren gebildet, so daß mehr Kreuzkopplungsinduktivitäten
erhalten werden können.
Der zweite Öffnungsbereich von Fig. 8A erhöht die
Ladekapazitäten C1, C2 und C3 der Resonatoren R1, R2 und R3.
Diese dienen dazu, die Resonanzfrequenz des mit einem
bestimmten Durchgangsloch assoziierten Resonators zu senken.
Die Resonanzfrequenz kann also durch das Anpassen der Größe des
zweiten Öffnungsbereichs 225 angepaßt werden.
Die Größen der Kopplungsinduktivitäten M12 und M23 und der
Kreuzkopplungsinduktivitäten M13 erhöhen sich proportional zu
den Breiten und Längen der ersten Öffnungsbereiche 220, während
die Resonanzfrequenz proportional zu den Flächen der zweiten
Öffnungsbereiche 225 gesenkt wird.
Fig. 9 stellt den Aufbau der ersten Fläche des
dielektrischen Blocks dar, wobei diese erste Fläche denselben
Aufbau wie die erste Fläche von Fig. 5 aufweist. Wie in Fig. 9A
und 9B dargestellt, dienen die Leitermuster 230 und 231 zum
Bilden von Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren.
Wie in Fig. 9C gezeigt, dient ein Leitermuster 235 zum Anpassen
der Resonanzfrequenz. Die Resonanzfrequenz des Resonators kann
also angepaßt werden, indem die Fläche des Leitermusters 235
und der Abstand zwischen dem Leitermuster 235 und dem Ende des
Resonanzloches 203 angepaßt wird. Dabei sind die Form und die
Position des Leitermusters nicht auf die in den Zeichnungen
gezeigten beschränkt, sondern können andersartig vorgesehen
sein.
Fig. 11 ist eine perspektivische Ansicht des
dielektrischen Duplexfilters einer weiteren Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung. Fig. 12 stellt die zweite Fläche des
Filters von Fig. 11 dar. Fig. 13 stellt die erste Fläche des
Filters von Fig. 11 dar.
Wie in Fig. 11 gezeigt, umfaßt das dielektrische
Duplexfilter: eine erste Fläche 305 und eine zweite Fläche 307,
die einander gegenüberliegend angeordnet sind und im
wesentlichen einen sechsflächigen dielektrischen Block 301
definieren. Durch den dielektrischen Block 301 erstrecken sich
eine Vielzahl von Resonanzlöchern 303 parallel zueinander von
der ersten Fläche 305 zu der zweiten Fläche 307. Es sind
Erdelektroden auf der zweiten Fläche 307 und auf den
Seitenflächen zwischen der ersten Fläche 305 und der zweiten
Fläche 307 ausgebildet. Es sind Innenelektroden an den
Innenflächen der Resonanzlöcher 303 ausgebildet, um Resonatoren
zu bilden. Weiterhin ist die erste Fläche 305 mit
Öffnungsbereichen vorgesehen, auf denen kein leitendes Material
aufgebracht ist.
Um die Resonanzlöcher 303 der ersten Fläche 305 sind
Leitermuster 308 ausgebildet, die jeweils mit den
Innenelektroden der Resonanzlöcher 303 verbunden sind, um
Ladekapazitäten mit den Erdelektroden des dielektrischen Blocks
301 zu bilden und um Kopplungskapazitäten mit den Leitermustern
308 zu bilden. Weiterhin ist die erste Fläche 305 mit Sende-
und Empfangsanschlüssen 312a und 312b sowie mit einem
Antennenanschluß 314 versehen.
Das dielektrische Duplexfilter umfaßt zwei Filterbereiche.
Wenn ein erster Filterbereich Empfangssignale aus dem
Antennenanschluß filtert, filtert ein zweiter Filterbereich
über den Antennenanschluß gesendete Sendesignale. Allgemein
brauchen der Empfangsbereich und der Sendebereich nicht
speziell unterschieden zu werden. Bei dielektrischen
Duplexfiltern mit demselben Aufbau können der Empfangsbereich
und der Sendebereich je nach dem Produkt unterschiedlich
vorgesehen sein. In der vorliegenden Erfindung sind er
Empfangsbereich und der Sendebereich mit spezifischen Formen
dargestellt, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf
dieselben beschränkt ist.
Bei dem dielektrischen Filter von Fig. 11, bilden die drei
Resonanzlöcher links vom Antennenanschluß 314 den
Empfangsfilterbereich zum Empfangen von HF-Signalen von außen,
während die vier Resonanzlöcher rechts vom Antennenanschluß 314
den Sendefilterbereich zum Ausgeben einer Hochfrequenz bilden.
Der Empfangsfilterbereich weist die Durchlaßeigenschaft für die
Empfangsfrequenz auf, während er die Sendefrequenz sperrt. Der
Sendefilterbereich dagegen weist die Durchlaßeigenschaft der
Sendefrequenz auf, während er die Empfangsfrequenz sperrt.
Fig. 12A bis 12D stellt Beispiele für die Öffnungsbereiche
der zweiten Fläche 307 dar. Wie in Fig. 12A gezeigt, sind
zwischen den Resonanzlöchern 303 des Empfangsfilterbereichs
erste Öffnungsbereiche 327 mit einer bestimmten Breite und
Länge ausgebildet, auf denen kein leitendes Material
aufgebracht ist. Unter dem am weitesten rechts angeordneten
Resonanzloch 303 der Empfangsfilterbereichs ist ein zweiter
Öffnungsbereich 328 ausgebildet. Die ersten Öffnungsbereiche
327 und der zweite Öffnungsbereich 328 sind mit einem
bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern 303 angeordnet, um
von den Löchern 303 elektrisch isoliert zu sein. Dabei kann der
zweite Öffnungsbereich 328 oberhalb oder unterhalb des
Resonanzloches 303 angeordnet sein.
Oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 303 des
Sendefilterbereichs sind jeweils parallel zu der
Anordnungsrichtung der Löcher 303 dritte Öffnungsbereiche 320a
und 320b mit einem bestimmten Abstand zu den Löchern 303
ausgebildet. Die Positionen der dritten Öffnungsbereiche 320a
und 320b sind nicht auf die zweite Fläche 307 beschränkt; die
dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b können entweder auf der
zweiten Fläche oder auf den Seitenflächen angeordnet sein.
Alternativ dazu können die dritten Öffnungsbereiche oberhalb
oder unterhalb der Löcher 303 angeordnet sein.
Fig. 14 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des
dielektrischen Duplexfilters von Fig. 11. Mit Bezug auf diese
Zeichnung wird im folgenden das dielektrische Duplexfilter von
Fig. 12A beschrieben.
Wie in den Zeichnungen gezeigt, dienen die ersten
Öffnungsbereiche 327 zwischen den Resonanzlöchern des
Empfangsfilterbereichs zum Erhöhen der Kopplungskapazitäten C12
und C23 mit den Resonatoren des Empfangsfilterbereichs. Wenn
die Flächen der ersten Öffnungsbereiche 327 erhöht werden,
werden auch die Kopplungskapazitäten erhöht. Die gewünschten
Filtereigenschaften können also durch das Anpassen der
Kopplungskapazitäten C12 und C23 erhalten werden, indem die
Flächen der ersten Öffnungsbereiche angepaßt werden. Weiterhin
kann die Resonanzfrequenz angepaßt werden, indem die Fläche des
zweiten Öffnungsbereichs 328 variiert wird. Wenn dabei die
Fläche des zweiten Öffnungsbereichs 328 erhöht wird, wird die
Resonanzfrequenz herabgesetzt. Die Bildung des zweiten
Öffnungsbereichs 328 weist denselben Effekt auf wie die
Vergrößerung des Leitermusters 308 der ersten Fläche 305, das
mit der Innenelektrode des Resonanzloches 303 des
Empfangsfilterbereichs verbunden ist. Dabei wird die Länge des
Resonators verlängert, wodurch die Resonanzfrequenz
herabgesetzt wird.
Wie bei den dielektrischen Filtern von Fig. 3 und 7,
bilden die dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b des
Sendefilterbereichs nicht nur die Kopplungsinduktivitäten M45,
M46 und M47 mit den benachbarten Resonatoren, sondern auch die
Kreuzkopplungsinduktivitäten M46 und M47. In Fig. 13 ist eine
Kreuzkopplungsinduktivität für einen bestimmten Resonator R4
dargestellt, wobei die Kreuzkopplungsinduktivitäten aber für
alle Resonatoren R4, R5, R6 und R7 vorgesehen werden, so daß
die Gesamtkopplungsinduktivität am Sendeanschluß stark erhöht
wird. Wenn dabei die Flächen der dritten Öffnungsbereiche 320a
und 320b vergrößert werden und die Abstände zwischen den
dritten Öffnungsbereichen 320a und 320b und den Resonanzlöchern
verkleinert werden, wird die Kopplungsinduktivität erhöht.
Deshalb können wie bei dem Empfangsfilterbereich die
gewünschten Eigenschaften erhalten werden, indem die Flächen
der dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b angepaßt werden und
indem die oben genannten Abstände angepaßt werden.
Fig. 12B zeigt ein anderes Beispiel der Öffnungsbereiche.
Dabei sind die dritten Öffnungsbereiche 320a und 320b oberhalb
der Resonanzlöcher 303 als zwei parallel zu der
Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher 303 ausgerichtete
Bereiche ausgebildet, während ein vierter Öffnungsbereich 330
zwischen den Resonanzlöchern 303 ausgebildet ist. Auf diese
Weise wird die Kopplungsinduktivität für die Resonatoren in
Nachbarschaft zu dem vierten Öffnungsbereich 330 stark erhöht.
Wie in Fig. 12C gezeigt, ist der dritte Öffnungsbereich
320 in einem Stück oberhalb der Resonanzlöcher 303 des
Sendefilterbereichs parallel zu der Anordnungsrichtung der
Resonanzlöcher 303 desselben Bereichs ausgebildet. Weiterhin
sind wie in Fig. 8A fünfte Öffnungsbereiche 325a und 325b
jeweils oberhalb und unterhalb der Resonanzlöcher 303 des
Sendefilterbereichs ausgebildet. Die fünften Öffnungsbereiche
325a und 325b dienen für die Feinanpassung der Resonanzfrequenz
und werden gleichzeitig ausgebildet, wenn die Erdelektrode
durch das Auftragen von leitendem Material gebildet wird, wobei
wie für die ersten bis vierten Öffnungsbereiche eine Maske
verwendet wird. Die Resonanzfrequenz kann fein angepaßt werden,
indem die Größe des Musters und der Abstand zwischen dem Ende
des Resonanzloches und dem Muster angepaßt wird. Wie bei den
anderen Beispielen können die fünften Öffnungsbereiche 325a und
325b zum Anpassen der Resonanzfrequenz einzeln auf der zweiten
Fläche oder oberhalb oder unterhalb der Löcher 303 ausgebildet
werden. Sie können weiterhin seitlich zu den Resonanzlöchern
303 ausgebildet werden. Die Positionen der fünften
Öffnungsbereiche sind also nicht auf bestimmte Positionen
beschränkt. Weiterhin können die fünften Öffnungsbereiche 325a
und 325b wie in der Zeichnung gezeigt mit den Erdelektroden der
Seiten des dielektrischen Blocks verbünden oder von denselben
isoliert sein.
Wie in Fig. 12D gezeigt, ist der dritte Öffnungsbereich
320a oberhalb des am weitesten links angeordneten
Resonanzloches 303 angeordnet, während der dritte
Öffnungsbereich 320b unterhalb des am weitesten rechts
angeordneten Resonanzloches 303 parallel zu der
Anordnungsrichtung der Löcher 303 angeordnet ist. In diesem
Fall ist keine Kopplungsinduktivität vorgesehen, wobei aber die
Kopplungsinduktivität für die benachbarten Resonanzlöcher 303
erhöht wird, so daß die gewünschten Eigenschaften erhalten
werden können. Obwohl nicht in Fig. 12B und 12D dargestellt,
kann zusätzlich zu den zweistückigen Öffnungsbereichen ein sich
entlang von drei Resonanzlöchern 303 erstreckender
Öffnungsbereich vorgesehen werden, so daß
Kopplungsinduktivitäten mit den benachbarten Resonatoren und
Kreuzkoplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren
erhalten werden können.
Der in Fig. 13 gezeigte Aufbau der ersten Fläche des
dielektrischen Blocks ist mit demjenigen von Fig. 5 und 9
identisch, wobei jedoch die Leitermuster um und in der Nähe
jedes Resonanzloches 303 des Empfangsfilterbereichs und des
Sendefilterbereichs ausgebildet sind. Es wird deshalb hier auf
eine Beschreibung des Aufbaus der ersten Fläche verzichtet. Die
entsprechenden in Fig. 13A und 13B dargestellten Beispiele
können mit dem in Fig. 12A bis 12D dargestellten Aufbau
kombiniert werden, so daß verschiedene Filterstrukturen
gebildet werden können.
Die oben beschriebenen Öffnungsbereiche sind nicht auf
bestimmte Positionen, Formen und Größen beschränkt. Die oben
beschriebenen Beispiele dienen lediglich zur Erläuterung der
vorliegenden Erfindung und schränken die vorliegende Erfindung
keineswegs ein. Weiterhin besteht keine Beschränkung bezüglich
der Anzahl der Resonanzlöcher.
In Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Erfindung
umfaßt der dielektrische Block mit den darauf ausgebildeten
Erdelektroden Öffnungsbereiche (die keine Elektrodenfunktionen
vorsehen), um Kapazitäten und Induktivitäten vorzusehen.
Deshalb kann die Größe der um die Resonanzlöcher vorgesehenen
Leitermuster reduziert werden, wobei durch die Reduktion der
Größe keine Druckfehler verursacht werden. Dementsprechend kann
das dielektrische Filter miniaturisiert und mit einem leichten
Gewicht hergestellt werden. Durch eine Anpassung der Größe der
auf der Rückfläche vorgesehenen Öffnungsbereiche können
weiterhin die Größen der Kapazität und der Induktivität
kontrolliert werden, wodurch die gewünschten
Filtereigenschaften erhalten werden. Durch das Vorsehen der
Öffnungsbereiche zum Anpassen der Resonanzfrequenz kann
weiterhin die Resonanzfrequenz fein angepaßt werden.
Claims (44)
1. Dielektrisches Filter, mit
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
2. Dielektrisches Filter nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Öffnungsbereiche (120) durch das
Abdecken von relevanten Bereichen während des Auftragens eines
leitenden Materials auf der zweiten Fläche (107) und den
Seitenflächen gebildet werden.
3. Dielektrisches Filter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß wenigstens ein erstes Leitermuster (108)
auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks (101)
ausgebildet ist, das mit den Innenelektroden verbunden ist, um
eine Ladekapazität zu bilden und um eine elektromagnetische
Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
4. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche 1
bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zweites
Leitermuster (130) auf der ersten Fläche (105) des
dielektrisches Blocks (101) parallel zu der Anordnungsrichtung
der Resonanzlöcher (103)und mit einem bestimmten Abstand zu den
Löchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische
Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
5. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche
1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein drittes Leitermuster
(131) auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks
(101) zwischen den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um
eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren
zu bilden.
6. Dielektrisches Filter nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das dritte Leitermuster (132) mit einem
Material verbunden ist, das auf den Seitenflächen des
dielektrischen Blocks (101) aufgebracht ist.
7. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der Ansprüche
1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein viertes Leitermuster
(135) auf der ersten Fläche (105) des dielektrischen Blocks
(101) ausgebildet ist, das sich von dem leitenden Material der
Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) zu den Enden der
Resonanzlöcher (103) erstreckt, um eine Anpassung der
Resonanzfrequenzen zu ermöglichen.
8. Dielektrisches Filter nach Anspruch 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Resonanzfrequenz angepaßt wird, indem
die Flächen des vierten Leitermustern (135) und die Abstände
zwischen den Resonanzlöchern (103) und den vierten
Leitermustern (135) angepaßt werden.
9. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der
vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich (120) wenigstens einen ersten Öffnungsbereich
(120a, 120b) mit einer bestimmten Größe umfaßt, um eine
Kopplungsinduktivität mit einem benachbarten Resonator zu
bilden und um eine Kreuzkopplungsinduktivität mit einem nicht
benachbarten Resonator zu bilden.
10. Dielektrisches Filter nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (120a, 120b)
parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (103) und
mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103)
ausgebildet ist.
11. Dielektrisches Filter nach Anspruch 9, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (120a, 120b)
parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (103)
oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher (103) angeordnet
ist.
12. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der
vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich (120) einen zweiten Öffnungsbereich mit einer
bestimmten Größe auf der zweiten Fläche (107) umfaßt, auf dem
kein leitendes Material aufgebracht ist, um eine
Kopplungskapazität mit einem benachbarten Resonator zu bilden.
13. Dielektrisches Filter nach Anspruch 12, dadurch
gekennzeichnet, daß der zweite Öffnungsbereich zwischen den
Resonanzlöchern angeordnet ist.
14. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der
vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich (120) umfaßt:
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche (107) ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
15. Dielektrisches Filter nach wenigstens einem der
vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich (120) einen dritten Öffnungsbereich umfaßt, der
auf der zweiten Fläche (107) mit einem bestimmten Abstand zu
den Enden der Resonanzlöcher (103) ausgebildet ist, um eine
Anpassung der Resonanzfrequenz der Resonatoren zu ermöglichen.
16. Dielektrisches Filter nach Anspruch 15, dadurch
gekennzeichnet, daß der dritte Öffnungsbereich zwischen den
Enden der Resonanzlöcher (103) und einer Seite des
dielektrischen Blocks (101) ausgebildet ist.
17. Dielektrisches Filter mit:
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
18. Dielektrisches Filter mit:
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um die Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.
einem dielektrischen Block (101) mit einer ersten Fläche (105) und mit einer zweiten Fläche (107) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (105) und der zweiten Fläche (107) erstrecken, wobei die zweite Fläche (107) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (103), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (105) und die zweite Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (103) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (112a, 112b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (101) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (103) zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (120), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf der zweiten Fläche (107) des dielektrischen Blocks (101) mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (103) ausgebildet ist, um die Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.
19. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (305) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf dem ersten Filterbereich der zweiten Fläche (207) des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (305) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich, der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und auf dem ersten Filterbereich der zweiten Fläche (207) des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
20. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 19, dadurch
gekennzeichnet, daß die Öffnungsbereiche durch das Abdecken
relevanter Bereiche während des Auftragens eines leitenden
Materials auf die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen
gebildet werden.
21. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 19 oder 20,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein erstes Leitermuster
(308) auf der ersten Fläche (305) des dielektrischen Blocks
(301) ausgebildet ist, das mit den Innenelektroden der
Resonanzlöcher verbunden ist, um eine Ladekapazität zu bilden
und um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten
Resonatoren zu bilden.
22. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein
zweites Leitermuster (330) auf der ersten Fläche (305) des
dielektrischen Blocks (301) parallel zu der Anordnungsrichtung
der Resonanzlöcher (303) und mit einem bestimmten Abstand zu
den Löchern (303) ausgebildet ist, um eine elektromagnetische
Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
23. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein
drittes Leitermuster (331) auf der ersten Fläche (305) des
dielektrischen Blocks (301) zwischen den Resonanzlöchern (303)
ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit
benachbarten Resonatoren zu bilden.
24. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 23, dadurch
gekennzeichnet, daß das dritte Leitermuster (331) mit dem
leitenden Muster verbunden ist, das auf den Seitenflächen des
dielektrischen Blocks aufgebracht ist.
25. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß ein viertes
Leitermuster (335) auf der ersten Fläche (305) des
dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist und sich von dem
leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen
Blocks (301) zu den Enden der Resonanzlöcher (303) erstreckt,
um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen zu ermöglichen.
26. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 25, dadurch
gekennzeichnet, daß die Resonanzfrequenz angepaßt wird, indem
die Fläche des vierten Leitermusters (335) und der Abstand
zwischen den Resonanzlöchern (303) und dem vierten Leitermuster
(335) angepaßt wird.
27. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich (320) wenigstens einen ersten Öffnungsbereich
(320a, 320b) mit einer bestimmten Größe umfaßt, um
Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden
und um Kopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten
Resonatoren zu bilden.
28. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 27, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (320a, 320b)
parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) und
mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern (303)
angeordnet ist.
29. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 28, dadurch
gekennzeichnet, daß der erste Öffnungsbereich (320a, 320b)
parallel zu der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) und
oberhalb oder unterhalb der Resonanzlöcher (303) angeordnet
ist.
30. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich wenigstens einen auf der zweiten Fläche (307)
ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich (327) mit einer
bestimmten Größe umfaßt, auf dem kein leitendes Material
aufgebracht ist, um eine Kopplungskapazität mit benachbarten
Resonatoren zu bilden.
31. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 30, dadurch
gekennzeichnet, daß der zweite Öffnungsbereich (327) zwischen
den Resonanzlöchern ausgebildet ist.
32. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich umfaßt:
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten ersten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden und um Kreuzkopplungsinduktivitäten mit nicht benachbarten Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einen auf der zweiten Fläche ausgebildeten zweiten Öffnungsbereich, auf dem kein leitendes Material aufgebracht ist, um Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
33. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 19 bis 33, dadurch gekennzeichnet, daß der
Öffnungsbereich weiterhin einen dritten Öffnungsbereich (328)
umfaßt, der auf der zweite Fläche (307) ausgebildet ist und mit
einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher (303)
angeordnet ist, um das Anpassen der Resonanzfrequenz der
Resonatoren zu ermöglichen.
34. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 33, dadurch
gekennzeichnet, daß der dritte Öffnungsbereich (325a, 325b)
zwischen den Enden der Resonanzlöcher und einer Seitenfläche
des dielektrischen Blocks ausgebildet ist.
35. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist und mit einem bestimmten Abstand zu den Resonanzlöchern der zweiten Fläche des dielektrischen Blocks ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit benachbarten Resonatoren zu bilden.
36. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der mit einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher auf der zweiten Fläche ausgebildet ist, um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der erste Filterbereich zum Filtern von ersten Eingangssignalen dient,
einem zweiten Filterbereich, der aus wenigstens einem Resonator besteht, der eine Vielzahl von Resonanzlöchern (303) aufweist, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, wobei der zweite Filterbereich zum Filtern von zweiten Eingangssignalen dient,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen, die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden, und
wenigstens einem Öffnungsbereich (320), der mit einem bestimmten Abstand zu den Enden der Resonanzlöcher auf der zweiten Fläche ausgebildet ist, um eine Anpassung der Resonanzfrequenzen der Resonatoren zu ermöglichen.
37. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, um Resonatoren zu bilden, und
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Einrichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303), die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) des dielektrischen Blocks (301) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind, um Resonatoren zu bilden, und
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks (301) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Einrichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.
38. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 37, dadurch
gekennzeichnet, daß die erste Einrichtung wenigstens ein
Leitermuster ist, das um die Resonanzlöcher (303) herum
gebildet und mit dem leitenden Material auf den Innenflächen
der Resonanzlöcher (303) verbunden ist.
39. Dielektrisches Duplexfilter nach Anspruch 37 oder 38,
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Einrichtung wenigstens
eine leitende Fläche ist, die sich von dem leitenden Material
auf der Seite des dielektrischen Blocks (301) zwischen zwei der
Resonanzlöcher (303) der ersten Fläche (305) erstreckt.
40. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 37 bis 39, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte
Einrichtung eine lineare Elektrode ist, die sich parallel zu
der Anordnungsrichtung der Resonanzlöcher (303) der ersten
Fläche (305) erstreckt und nicht mit dem leitenden Material der
Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) verbunden ist.
41. Dielektrisches Duplexfiltern nach, wenigstens einem der
Ansprüche 37 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte
Einrichtung ein Öffnungsbereich ist, der zwischen den
Resonanzlöchern (303) der zweiten Fläche (305) ausgebildet und
nicht mit einem leitenden Material beschichtet ist.
42. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Einrichtung wenigstens ein leitender Bereich auf der ersten
Fläche (305) ist, der sich von dem leitenden Material der
Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) zu wenigstens
einem der Resonanzlöcher (303) der ersten Fläche (305) des
dielektrischen Blocks (301) erstreckt.
43. Dielektrisches Duplexfilter nach wenigstens einem der
Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte
Einrichtung wenigstes ein Öffnungsbereich ist, der nicht mit
einem leitenden Material beschichtet ist und der sich auf der
zweiten Fläche (307) zwischen den Resonanzlöchern (303) und dem
leitenden Material der Seitenfläche des dielektrischen Blocks
(301) erstreckt.
44. Dielektrisches Duplexfilter mit:
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der in einem ersten Teil des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um erste Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem zweiten Filterbereich, der in einem zweiten Teil des dielektrischen Blocks (301) in Nachbarschaft zu dem ersten Filterbereich ausgebildet ist, um zweite Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Eirichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.
einem dielektrischen Block (301) mit einer ersten Fläche (305) und mit einer zweiten Fläche (307) sowie mit Seitenflächen, die sich zwischen der ersten Fläche (305) und der zweiten Fläche (307) erstrecken, wobei die zweite Fläche (307) und die Seitenflächen mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem ersten Filterbereich, der in einem ersten Teil des dielektrischen Blocks (301) ausgebildet ist, um erste Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
einem zweiten Filterbereich, der in einem zweiten Teil des dielektrischen Blocks (301) in Nachbarschaft zu dem ersten Filterbereich ausgebildet ist, um zweite Eingangssignale zu filtern, und der aus wenigstens einem Resonator mit einer Vielzahl von Resonanzlöchern (303) besteht, die sich parallel zueinander und durch die erste Fläche (305) und die zweite Fläche (307) erstrecken, wobei die Innenflächen der Löcher (303) mit einem leitenden Material beschichtet sind,
Eingangs- und Ausgangsanschlüssen (312a, 312b), die jeweils aus einer isolierten Elektrode und dem leitenden Material auf den Seitenflächen des dielektrischen Blocks (301) bestehen, um eine elektromagnetische Kopplung mit dem Resonanzloch (303) zu bilden,
einem Antennenanschluß (314), der aus einem isolierten Bereich besteht, der von dem leitenden Material isoliert ist und zwischen dem ersten Filterbereich und dem zweiten Filterbereich angeordnet ist, um eine elektromagnetische Kopplung mit den Resonatoren zu bilden,
wobei die erste Fläche (305) des dielektrischen Blocks wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, und wobei die zweite Fläche (307) wenigstens eine erste Einrichtung, eine zweite Einrichtung, eine dritte Einrichtung und/oder eine vierte Einrichtung umfaßt, wobei die erste Eirichtung Ladekapazitäten zu entsprechenden Resonatoren bildet und Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, wobei die zweite Einrichtung Kopplungsinduktivitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, die dritte Einrichtung Kopplungskapazitäten mit benachbarten Resonatoren bildet, und wobei die vierte Einrichtung eine Einrichtung zum Bestimmen der Resonanzfrequenz der Resonatoren ist.
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