DE19747124C2 - Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung - Google Patents

Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung

Info

Publication number
DE19747124C2
DE19747124C2 DE19747124A DE19747124A DE19747124C2 DE 19747124 C2 DE19747124 C2 DE 19747124C2 DE 19747124 A DE19747124 A DE 19747124A DE 19747124 A DE19747124 A DE 19747124A DE 19747124 C2 DE19747124 C2 DE 19747124C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
transistor
current
reference voltage
current detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE19747124A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19747124A1 (de
Inventor
Dae Jeong Kim
Yoon-Cherl Shin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MagnaChip Semiconductor Ltd
Original Assignee
LG Semicon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Semicon Co Ltd filed Critical LG Semicon Co Ltd
Publication of DE19747124A1 publication Critical patent/DE19747124A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19747124C2 publication Critical patent/DE19747124C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2/00Networks using elements or techniques not provided for in groups H03H3/00 - H03H21/00
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Einschaltstromdetek­ torschaltung für eine Referenzspannungsschaltung, die bei­ spielsweise in einem DRAM verwendet wird, und insbesondere eine verbesserte Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung, die eine Referenzspannungsschal­ tung neu starten kann, wenn Störungen oder eine Schwankung der Systemspannung die Referenzspannungsschaltung abgeschal­ tet haben.
Fig. 1 ist ein Schaltschema einer herkömmlichen Referenz­ spannungsschaltung.
Wie daraus ersichtlich ist, enthält eine Hochfahrschaltung 10 für eine herkömmliche Referenzspannungsschaltung 20 einen Inverter 11 zum Invertieren eines Reset-Signals RESET, einen NMOS-Transistor 12, dessen Gate den Ausgang des Inverters 11 erhält, und einen NMOS-Transistor 13, dessen Drain mit der Source des NMOS-Transistors 12, dessen Gate mit dem Drain und dessen Source mit einer Massespannung Vss verbunden ist.
Die Referenzspannungsschaltung 20 enthält einen PMOS-Transi­ stor 21, dessen Gate und Drain gemeinsam am Knoten N20 mit dem Drain des NMOS-Transistors 12 verbunden sind, wobei die Source des Transistors 21 mit der Spannung Vcc verbunden ist, einen PMOS-Transistor 22, dessen Source mit Vcc und dessen Gate mit dem Gate des PMOS-Transistors 21 unter Bildung eines Stromspiegels mit dem PMOS-Transistor 21 verbunden ist, einen NMOS-Transistor 23, dessen Drain am Knoten N20 mit dem Drain des PMOS-Transistors 21 verbunden ist, einen Widerstand 24, der zwischen dem NMOS-Transistor 23 und der Massespannung in Reihe geschaltet ist, und einen NMOS-Transistor 25, der mit dem NMOS-Transistor 23 einen Stromspiegel bildet, wobei Gate und Drain des NMOS-Transistors 25 mit dem Drain des PMOS- Transistors 22 und dem Gate des NMOS-Transistors 23 verbunden sind.
Die Funktionsweise der Hochfahrschaltung 10 der herkömmlichen Referenzspannungsschaltung 20 wird nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläutert.
Wenn eine Versorgungsspannung erstmals an die Schaltung ange­ legt wird, bleibt das Reset-Signal RESET über ein erstes Intervall, während dem die Systemspannung von Vss nach Vcc an­ steigt, auf einem niedrigen Pegel, und das auf einem niedri­ gen Pegel liegende Signal RESET wird durch den Inverter 11 zu einem auf einem hohen Pegel liegenden Signal gewandelt. Der NMOS-Transistor 12 wird deshalb eingeschaltet, obwohl das elektrische Potential am Knoten N20 abzusinken beginnt, bis die PMOS-Transistoren 21 und 22 eingeschaltet werden. Nachdem RESET auf den Pegel "High" gegangen ist, wird der NMOS-Tran­ sistor 12 ausgeschaltet, und die Referenzspannungsschaltung 20 beginnt sich in ihrem Ruhezustand zu stabilisieren. Auf diese Weise hält die Referenzspannungsschaltung einen vorge­ gebenen Wert aufrecht, d. h. sie erreicht ihren Ruhezustand.
Die Systemspannung schwankt. Manchmal handelt es sich bei der Schwankung um einen starken Abfall, der im allgemeinen von kurzer Dauer ist, d. h. die Systemspannung kann kurzeitig weit unter Vcc abfallen. Ein solcher Abfall der Systemspannung kann bewirken, daß der Transistor 22 ausgeschaltet wird, was bewirkt, daß Vref von ihrem Ruhewert bis herunter zu Vss ent­ laden wird.
Wenn Vref deutlich unter ihren Ruhewert abfällt, fließt sehr wenig Strom von der Spannung Vcc über die Transistoren 22 und 25 nach Masse. Vref kann deshalb nur dann zu ihrem Ruhewert zurückkehren, wenn RESET mit einem negativen Impuls beauf­ schlagt wird. Dies kann jedoch nur dann geschehen, wenn die Systemspannung abgeschaltet und wieder angelegt wird, um eine Einschaltinitialisierung auszulösen. Die herkömmliche Hoch­ fahrschaltung 10 ist also nicht in der Lage, die Referenz­ spannungsschaltung 20 neu zu starten, wenn ein Abfall der Systemspannung ausreichend groß ist, um Vref nach Vss zu ent­ laden.
Aus DE 44 34 053 ist eine Referenzspannungsschaltung bekannt, die eine Referenzspannung erzeugt, die der Anstiegscharakte­ ristik einer externen Stromversorgungsspannung folgt. Beim Einschalten der Versorgungsspannung wird, solange die Versor­ gungsspannung unter einem vorbestimmten Pegel liegt, ein Steuersignal erzeugt, das eine Schaltungsanordnung, die einen mit der Schaltung 20 von Fig. 1 vergleichbaren Aufbau hat, so ansteuert, daß eine Referenzspannung erzeugt wird, deren An­ stiegscharakteristik der Anstiegscharakteristik der externen Versorgungsspannung folgt. Übersteigt die Versorgungsspannung den vorbestimmten Pegel, wird das Steuersignal ausgeschaltet und stattdessen ein Signal verwendet, das von weiteren Bau­ teilen dieser Schaltung erzeugt wird, die durch die über dem vorbestimmten Pegel liegende Versorgungsspannung eingeschal­ tet werden. Da bei dieser bekannten Schaltung die Referenz­ spannung an einem Knoten vorliegt, der mit einem zwischen den Transistoren 22 und 25 der Schaltung 20 von Fig. 1 liegenden Knoten vergleichbar ist, erzeugt jede Schwankung der externen Versorgungsspannung eine entsprechende Schwankung der erzeug­ ten Referenzspannung. Die Erzeugung einer stabilen Referenz­ spannung auch für kleine Schwankungen der externen Versor­ gungsspannung ist hier nicht möglich.
Aus der US-5 203 000 ist eine Schaltungsanordnung zur Steue­ rung der Leistungsversorgung eines integrierten Schaltkreises beschrieben, die ein Interrupt-Signal an den integrierten Schaltkreis ausgibt, wenn eine Versorgungsspannung auf einen ersten Pegel abfällt und den integrierten Schaltkreis zurück­ setzt, wenn die Versorgungsspannung beim Wiederansteigen ei­ nen zweiten Pegel erreicht. Des weiteren erlaubt es diese Schaltung, den integrierten Schaltkreis zurückzusetzen, wenn die Versorgungsspannung abfällt. Mit dieser bekannten Schal­ tung ist es möglich, Steuersignale für einen integrierten Schaltkreis, aber keine Referenzspannung zu erzeugen.
Demzufolge ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung bereitzustellen, die die oben genannten dem Stand der Technik anhaftenden Probleme überwindet und die eine Referenzspannungsschaltung neu startet, wenn die Referenzspannung um einen vorgegebenen Pegel abfällt, d. h. aufgrund von Störungen oder Spannungs­ schwankungen abgeschaltet wird.
Zur Lösung der obigen Aufgabe wird eine Einschaltstromde­ tektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt.
Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschrei­ bung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen; es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltschema einer herkömmlichen Referenzspan­ nungsschaltung; und
Fig. 2 ein Schaltschema einer Einschaltstromdetektorschal­ tung für eine Referenzspannungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 ist ein Schaltschema einer Einschaltstromdetektor­ schaltung für eine Referenzspannungsschaltung gemäß der vor­ liegenden Erfindung.
Wie daraus ersichtlich ist, enthält die Einschaltstromdetek­ torschaltung für eine Referenzspannungsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Referenzspannungsschaltung 20, eine Stromdetektorschaltung 30 und eine Hochfahrschaltung 40.
Die Stromdetektorschaltung 30 enthält einen PMOS-Transistor 31, der mit einem PMOS-Transistor 21 der Referenzspannungs­ schaltung 20 einen Stromspiegel bildet, deren Sources mit einer an einem Knoten N10 anliegenden elektrischen Versor­ gungsspannung Vcc verbunden sind, während die Gates der Tran­ sistoren 31 und 21 mit einem Knoten N20 verbunden sind, an dem eine Lesespannung Vsense anliegt, einen NMOS-Transistor 33, dessen Gate und Source mit einem Knoten N30 verbunden sind, einen optionalen MOS-Kondensator C, der zwischen dem Knoten N30 und Masse geschaltet ist, einen NMOS-Transistor 34, dessen Gate mit der Lesespannung am Knoten N20 und dessen Drain mit der Source des Transistors 34 verbunden ist, und einen Inverter 32, dessen Eingang mit dem Knoten N30 verbunden ist.
Die Hochfahrschaltung 40 enthält einen NMOS-Transistor 41, dessen Drain mit dem Knoten N20 verbunden ist und dessen Gate den Ausgang des Inverters 32 am Knoten N40 erhält, und einen NMOS-Transistor 42, dessen Drain und Gate mit der Source des NMOS-Transistors 41 in Reihe geschaltet sind, d. h. Gate und Drain des NMOS-Transistors 42 sind miteinander verbunden, während die Source des Transistors 42 mit der Massespannung verbunden ist.
Da die Referenzspannungsschaltung 20 die gleichen Elemente aufweist wie die herkömmliche Referenzspannungsschaltung 20, sind identische Bezugszeichen verwendet worden.
Die Funktionsweise der Einschaltstromdetektorschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf Fig. 2 erläutert.
Wenn bei normalem Betrieb erstmals die Versorgungsspannung an die Schaltung angelegt wird, wird den Gates der PMOS- Transistoren 21 und 31 über den Knoten N20 ein hier nicht gezeigtes, mit dem Signal RESET aus Fig. 1 vergleichbares Signal mit einem hohen Pegel zugeführt, um die Transistoren 21 und 31 einzuschalten. Dieses hier nicht gezeigte Signal wird abgeschaltet, wenn die Transistoren 21 und 31 eingeschaltet sind. Damit wird aus den PMOS-Transsitoren 21 und 31 ein Stromspiegel gebildet.
Nach Abschluß der Einschaltinitialisierung beträgt die Lese­ spannung Vsense am Knoten N20 Vsense < Vcc - |VTP|, wobei |VTP| der Absolutwert der Schwellenspannung des PMOS-Transistors ist. Dadurch wird der Stromfluß durch die Transistoren 23 und 25 aufrechterhalten und Vref in ihrem Ruhezustand gehalten.
Durch den Stromspiegel-Transistor 31 fließt der gleiche Strom wie durch den Transistor 21. Folglich fließt ein hoher Strom durch den Knoten N30, um den Kondensator C zu laden, da der Transistor 34 nahezu gesperrt ist. Das Gate des Transistors 34 ist mit Vsense verbunden, die hinreichend niedrig ist, um den Transistor 34 auszuschalten.
Der hohe Strom durch N30 hebt die Spannung am Knoten N30 nahezu auf Vcc an. Der Knoten N40 wird dadurch zum Inversen von Vcc, d. h. zu Vss. Der niedrige Wert am Knoten N40 schaltet den Transistor 41 aus, so daß wenig oder kein Strom durch den Transistor 42 nach Masse fließt.
Wenn die Systemspannung kurzzeitig von Vcc auf Vss abfällt, wird der Referenzspannungsgenerator 20 wie oben beschrieben ausgeschaltet. Die Lesespannung Vsense steigt auf nahezu Vcc an, so daß Vcc - Vsense < |VtP| (Transistoren 21 und 22) und diese nicht mehr leitend sind. Die Referenzspannung beträgt Vref < Vt (Transistor 25), so daß Vref von ihrem Ruhepegel auf Vss entladen wird. Dadurch werden die Transistoren 23 und 25 ausgeschaltet.
Gleichzeitig mit dem Ausschalten der Transistoren 23 und 25 wird der Transistor 31 ausgeschaltet; der Transistor 34 ist jedoch eingeschaltet, da Vsense nahezu den Pegel von Vcc hat. Ist der Transistor 34 eingeschaltet, wird der Knoten N30 über ihn und den Transistor 33 entladen. Ist der optionale Konden­ sator C nicht vorhanden, entladen sich nur die zum Knoten N30 gehörigen parasitären Kapazitäten auf diese Weise. Wenn die Spannung des Knotens N30 auf nahezu Vt (Transistor 33) ab­ fällt, unterschreitet sie die logische Schwelle des Inverters 32. Dies veranlaßt den Inverter 32, die Spannung am Knoten N40 auf Vcc anzuheben.
Nachdem der Knoten N40 nach Vcc zurückgekehrt ist, wird der Transistor 41 eingeschaltet und dann ein Strompfad nach Masse gebildet. Dieser Strompfad verläuft durch den Transistor 21 (über die diodenartige Verbindung zwischen seines Drain und seiner Source), den Transistor 41 und den Transistor 42. Außerdem fließt Strom durch die Transistoren 21, 23 und den Widerstand 24. Analog fließt Strom durch die Transistoren 22 und 25.
Diese drei Strompfade bewirken, daß Vsense beginnt, unter Vcc abzufallen. Dies veranlaßt den Transistor 34, wesentlich we­ niger Strom zu leiten, so daß die Spannung am Knoten N30 auf Vcc zurückkehrt, wodurch die Spannung am Knoten N40 nach Vss geht. Beträgt die Gate-Spannung Vss, wird der Transistor 41 ausgeschaltet. Die Hochfahrschaltung 40 ist ausgeschaltet, und die Referenzspannung Vref schwingt sich nun auf ihren Ruhewert ein.
Bei normalem Betrieb der Referenzspannungsschaltung 20, d. h. wenn die Hochfahrschaltung 30 ausgeschaltet ist oder sich im Bereitschaftsmodus befindet, wird kein Leerlauf-Verluststrom von der Hochfahrschaltung 30 erzeugt. Ein solcher Strom müßte durch die Transistoren 31, 33 und 34 fließen. Die Transisto­ ren 31 und 34 arbeiten jedoch wie komplementäre Schalter. Ist der Transistor 31 eingeschaltet, dann ist der Transistor 34 ausgeschaltet und umgekehrt. Folglich bildet sich kein Strom­ pfad, über den der Leerlaufstrom von Vcc nach Masse fließen könnte. Dies ist von großem Vorteil, wenn die vorliegende Er­ findung in einem Gerät verwendet wird, bei dem eine minimale Leistungsaufnahme ein wichtiges Kriterium ist.
Anders als beim Stand der Technik, kann die vorliegende Er­ findung erkennen, wenn Vref auf Vss abfällt, z. B. aufgrund eines Abfalls der Systemspannung. Die vorliegende Erfindung kann dann automatisch das Äquivalent zum Auslösen eines RESET-Impulses wie beim Stand der Technik ausführen, ohne daß die Systemspannung abgeschaltet werden muß.
Wie oben beschrieben erkennt die Hochfahrschaltung 30 gemäß der vorliegenden Erfindung den an die Referenzspannungsschal­ tung 20 angelegten Strom und startet die Referenzspannungs­ schaltung 20, wenn diese aufgrund von Störungen oder dergl. ausgeschaltet worden ist, um auf diese Weise eine normale Referenzspannung zu generieren.

Claims (10)

1. Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenz­ spannungsschaltung (20), die folgendes aufweist:
  • 1. eine Stromdetektorschaltung (30) zum Detektieren eines in die Referenzspannungsschaltung (20) fließenden Stroms und zum Ausgeben eines Steuersignals, das einen Pegel des detektierten Stromes angibt, und
  • 2. eine Hochfahrschaltung (40), die zum Empfang des Steuer­ signals mit der Stromdetektorschaltung (30) verbunden ist, zum Neustarten der Referenzspannungsschaltung (20), wenn das Steu­ ersignal angibt, daß der von der Stromdetektorschaltung (30) detektierte Strom unterhalb eines vorgegebenen Pegels liegt.
2. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Stromdetektorschal­ tung (30) folgendes aufweist:
einen ersten Transistor, der zusammen mit einem Teil der Referenzspannungsschaltung (20) einen Stromspiegel bildet, wobei die Source des ersten Transistors mit der Systemspan­ nung (Vcc) verbunden ist;
einen zweiten Transistor des gegenüber dem ersten Transistor entgegengesetzten Leitfähigkeittyps, wobei die Gates des ersten und zweiten Transistors jeweils mit der gleichen Span­ nung verbunden sind; und
einen Inverter (32) zum Invertieren eines Ausgangssignals des ersten und zweiten Transistors.
3. Schaltung nach Anspruch 2, bei der der erste Transistor ein PMOS-Transistor (31) ist und die Hochfahrschaltung (40) folgendes enthält: einen ersten NMOS-Transistor, dessen Drain mit dem Gate des PMOS-Transistors der Stromdetektorschaltung (30) verbunden ist, wobei das Gate des NMOS-Transistors den Ausgang des Inverters (32) der Stromdetektorschaltung (30) erhält.
4. Schaltung nach Anspruch 3, bei der die Stromdetektorschal­ tung (30) des weiteren folgendes enthält: einen zweiten NNOS-Transistor, der mit dem ersten NMOS-Tran­ sistor in Reihe geschaltet ist, wobei die Gates und Drains der MNOS-Transistoren jeweils miteinander verbunden sind.
5. Schaltung nach Anspruch 2, bei der der erste Transistor ein PMOS-Transistor und der zweite Transistor ein NMOS-Tran­ sistor ist.
6. Schaltung nach Anspruch 2, bei der der erste und der zweite Transistor mit einem Eingang des Inverters (32) ver­ bunden sind, und bei der die Stromdetektorschaltung (30) des weiteren einen mit dem Eingang des Inverters (32) verbundenen Kondensator (C) enthält.
7. Schaltung nach Anspruch 2, bei der die Stromdetektorschal­ tung (30) des weiteren einen dritten Transistor (21) mit einer diodenartigen Konfiguration enthält, der zwischen den ersten und zweiten Transistor geschaltet ist.
8. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Referenzspannungs­ schaltung (20) einen Stromspiegel enthält und der von der Stromdetektorschaltung (30) erkannte Strom der durch den Stromspiegel fließende Strom ist.
9. Schaltung nach Anspruch 1, bei der die Referenzspannungs­ schaltung (20) einen ersten Stromspiegel und die Stromdetek­ torschaltung (30) ein Paar komplementäre Schalter (31, 34) enthält, wobei der erste der komplementären Schalter (31, 34) außerdem als ein zweiter Stromspiegel des ersten Stromspie­ gels in der Referenzspannungsschaltung (20) arbeitet.
10. Schaltung nach Anspruch 9, bei der der zweite der komple­ mentären Schalter (31, 34) von der gleichen Spannung gesteu­ ert wird, die den ersten und zweiten Stromspiegel steuert.
DE19747124A 1996-10-24 1997-10-24 Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung Expired - Lifetime DE19747124C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960047882A KR100237623B1 (ko) 1996-10-24 1996-10-24 기준 전압 회로의 전류 감지 스타트 업 회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19747124A1 DE19747124A1 (de) 1998-05-07
DE19747124C2 true DE19747124C2 (de) 2000-02-24

Family

ID=19478659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19747124A Expired - Lifetime DE19747124C2 (de) 1996-10-24 1997-10-24 Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5969549A (de)
JP (1) JP3286226B2 (de)
KR (1) KR100237623B1 (de)
DE (1) DE19747124C2 (de)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3399433B2 (ja) 2000-02-08 2003-04-21 松下電器産業株式会社 基準電圧発生回路
JP3578043B2 (ja) 2000-04-14 2004-10-20 松下電器産業株式会社 電源電圧検出回路
US6404252B1 (en) 2000-07-31 2002-06-11 National Semiconductor Corporation No standby current consuming start up circuit
JP3423282B2 (ja) * 2000-10-18 2003-07-07 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体集積回路
JP3820913B2 (ja) * 2001-05-16 2006-09-13 ヤマハ株式会社 パワー・オン/オフ・リセット回路
US6759852B1 (en) * 2002-09-24 2004-07-06 Xilinx, Inc. VDD detection path in power-up circuit
JP3811141B2 (ja) * 2003-06-06 2006-08-16 東光株式会社 出力可変型定電流源回路
US7339410B1 (en) * 2003-12-15 2008-03-04 National Semiconductor Corporation Method and system for providing startup delay
US7265529B2 (en) 2004-08-19 2007-09-04 Micron Technologgy, Inc. Zero power start-up circuit
JP2006121448A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流源回路
KR100783042B1 (ko) * 2006-02-13 2007-12-07 창원대학교 산학협력단 스타트-업 회로
SG135975A1 (en) * 2006-03-07 2007-10-29 St Microelectronics Asia Circuit and method for fast switching of a current mirror with large mosfet size
US7659705B2 (en) * 2007-03-16 2010-02-09 Smartech Worldwide Limited Low-power start-up circuit for bandgap reference voltage generator
TW200901608A (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
TW200903213A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
EP2450768B1 (de) 2010-09-20 2013-11-13 Dialog Semiconductor GmbH Starterschaltung für Selbstversorgungsspannungsregler
JP2012252508A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体集積回路
KR101394537B1 (ko) * 2012-08-06 2014-05-19 (주)샌버드 스타트업 회로
KR101417617B1 (ko) * 2013-03-29 2014-07-09 한양대학교 산학협력단 기준전압 발생기
WO2024006158A1 (en) * 2022-06-27 2024-01-04 Texas Instruments Incorporated Fast power-up scheme for current mirrors
US20230418321A1 (en) * 2022-06-27 2023-12-28 Texas Instruments Incorporated Fast power-up scheme for current mirrors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5203000A (en) * 1988-12-09 1993-04-13 Dallas Semiconductor Corp. Power-up reset conditioned on direction of voltage change
DE4434053C2 (de) * 1993-10-29 1996-08-01 Mitsubishi Electric Corp Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342926A (en) * 1980-11-17 1982-08-03 Motorola, Inc. Bias current reference circuit
KR960004573B1 (ko) * 1994-02-15 1996-04-09 금성일렉트론주식회사 기동회로를 갖는 기준전압발생회로
KR0143344B1 (ko) * 1994-11-02 1998-08-17 김주용 온도의 변화에 대하여 보상 기능이 있는 기준전압 발생기

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5203000A (en) * 1988-12-09 1993-04-13 Dallas Semiconductor Corp. Power-up reset conditioned on direction of voltage change
DE4434053C2 (de) * 1993-10-29 1996-08-01 Mitsubishi Electric Corp Referenzspannungserzeugungsschaltung für Halbleiterspeichervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10133758A (ja) 1998-05-22
KR100237623B1 (ko) 2000-01-15
DE19747124A1 (de) 1998-05-07
JP3286226B2 (ja) 2002-05-27
US5969549A (en) 1999-10-19
KR19980028714A (ko) 1998-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19747124C2 (de) Einschaltstromdetektorschaltung für eine Referenzspannungsschaltung
DE4437757C2 (de) Referenzspannungserzeugungsschaltung
DE69512001T2 (de) Spannungsreferenzschaltung
DE4037206C2 (de) Versorgungsspannungs-Steuerschaltkreis mit der Möglichkeit des testweisen Einbrennens (&#34;burn-in&#34;) einer internen Schaltung
DE69227432T2 (de) Spannungsgenerator für eine Speicher-Anordnung
DE69123538T2 (de) Einschalt-Rücksetzschaltung
DE4039524C2 (de) Substratspannungserzeuger für eine Halbleitereinrichtung und Verfahren zum Erzeugen einer Substratspannung
DE4423546C2 (de) Chip-Initialisierungssignal-Erzeugungsschaltkreis zum Initialisieren von Schaltkreisen einer Halbleiter-Speichervorrichtung
DE19618752C2 (de) Einschaltrücksetzsignal-Erzeugungsschaltkreis einer Halbleitervorrichtung
DE69122541T2 (de) Statischer Schalter für mittlere Spannung
DE19812096A1 (de) Ladepumpenschaltung für ein Halbleiterspeichergerät
DE112006001377T5 (de) Energieversorgungssteuerung und Halbleitervorrichtung
DE102020111598B4 (de) Referenzspannungsgenertator, schaltung und verfahren
DE2933854C2 (de) Oszillatorschaltung
DE60100318T2 (de) Referenzspannungsquelle mit Anlaufschaltkreis
DE2143093C2 (de) Mehrphasenfeldeffekttransistor- Steuerungsschaltung
DE69518813T2 (de) Eine Referenzspannungsschaltung
DE69025875T2 (de) Leseverstärker
DE3630679C2 (de)
DE19630913B4 (de) Schaltung zur Erfassung sowohl eines Normalbetriebs als auch eines Einbrennbetriebs einer Halbleitervorrichtung
DE102009031144A1 (de) Oszillatorschaltung und Verfahren zum Erzeugen eines Taktsignals
DE19619923C2 (de) Spannungserhöhungsschaltung für eine Halbleiterspeichervorrichtung sowie Wortleitungstreiber für eine Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Spannungserhöhungsschaltung
DE69430525T2 (de) Niedrige Verlustleistungsinitialisierungsschaltung, insbesondere für Speicherregister
DE69738366T2 (de) Pull-Up-Schaltung und damit ausgerüstete Halbleitervorrichtung
DE19650149C2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit Zwischenpotential-Erzeugungsschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR

R071 Expiry of right