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VERWANDTE ANMELDUNG
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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung Nr.
62/868,344 , eingereicht am 28. Juni 2019 unter dem Titel „Referenzspannungserzeugung“, die durch Bezugnahme vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
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STAND DER TECHNIK
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Verbesserungen der Integrationsdichte von Halbleitervorrichtungen führen zu schrumpfenden Abmessungen derartiger Vorrichtungen. Dies kann eine höhere Leistung mit dem Wunsch nach verringertem Energieverbrauch erfordern. Referenzspannungsgeneratoren, wie zum Beispiel Bandlückenreferenzschaltungen (BGR), und Spannungsregler, wie zum Beispiel Regler mit geringer Abfallspannung (LDO, low-dropout), werden in solchen kleiner werdenden Halbleitervorrichtungen häufig verwendet. Zum Beispiel wird ein LDO üblicherweise dazu verwendet, eine gut spezifizierte und stabile Gleichstromspannung (DC-Spannung) bereitzustellen. Im Allgemeinen ist ein LDO-Regler gekennzeichnet durch seine niedrige Abfallspannung, das bedeutet einen geringen Unterschied zwischen der jeweiligen Eingangsspannung und Ausgangsspannung.
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Das Dokument
US 2006 / 0 038 609 A1 beschreibt eine einschaltbare Bandlücken-Referenzschaltung mit einer Bandlückenlogik und einer Bandlücken-Dummy-Logik. Beim Einschalten werden sowohl die Bandlückenlogik als auch die Bandlücken-Dummy-Logik aktiviert und laden die Kapazität einer Bandlückenleitung auf. Wenn ein Ausgang der Bandlückenlogik einen vorgegebenen Wert erreicht, wird die Bandlücken-Dummy-Logik deaktiviert.
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Das Dokument
US 2006 / 0 132 225 A1 betrifft eine Schaltung zur Erzeugung einer Standardspannung mit einer Funktion zum automatischen Stoppen eines Ladevorgangs, wenn eine Standardspannung einen stabilen Spannungspunkt erreicht, indem ein Standardspannungs-Stabilisierungskondensator während des Übergangs von einem Standby-Zustand zu einem normalen Betriebszustand schnell geladen wird. Die Schaltung ist mit einer Funktion zum Vorladen eines Ausgangsanschlusses der Schaltung auf eine Spannung versehen.
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Das Dokument
DE 10 2005 045 695 A1 beschreibt Referenzspannungsgeneratoren, welche Referenzspannungen (VREF1, VREF2) erzeugen, die auf dem Empfang einer externen Spannung bzw. einer internen Spannung basieren. Ein Controller steuert einen Schalter zur Auswahl einer der Referenzspannungen auf der Grundlage eines Vergleichs zwischen dem Ausgang eines Zeitgebers und einem Schwellenwert. Ein Spannungsregler liefert die interne Spannung bei Empfang der ausgewählten Referenzspannung.
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Die Erfindung sieht einen Referenzspannungsgenerator gemäß Anspruch 1, eine Schaltung gemäß Anspruch 9 und ein Verfahren gemäß Anspruch 12 vor. Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Figurenliste
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Aspekte der vorliegenden Offenbarung lassen sich am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass gemäß der branchenüblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu dargestellt sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zugunsten einer klaren Erläuterung willkürlich vergrößert oder verkleinert sein.
- 1 ist ein Blockschaltbild, welches ein beispielhaftes Spannungsreglersystem gemäß einigen Ausführungsformen darstellt.
- 2 ist ein Schaltplan, welcher ein Beispiel des Spannungsreglersystems von 1 gemäß einigen Ausführungsformen darstellt.
- 3 ist ein Zustandsdiagramm, welches verschiedene Spannungspegelzustände von Komponenten der Einschwingschaltung und der Spannungsgeneratorschaltung von 2 gemäß einigen Ausführungsformen zeigt.
- 4 ist ein Ablaufdiagramm, welches ein Beispiel eines Verfahrens zum Erzeugen einer Referenzspannung gemäß einigen Ausführungsformen darstellt.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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Die folgende Offenbarung stellt viele unterschiedliche Ausführungsformen, oder Beispiele, zur Umsetzung verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands bereit. Nachfolgend sind spezifische Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Dies sind natürlich nur Beispiele, und sollen keinesfalls einschränkend wirken. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen umfassen, in welchen das erste und das zweite Merkmal in direktem Kontakt miteinander gebildet sind, können jedoch auch Ausführungsformen umfassen, in welchen zusätzliche Merkmale derart zwischen dem ersten Merkmal und dem zweiten Merkmal gebildet sein können, dass das erste und das zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt miteinander sein können. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung Bezugsziffern und/oder -Zeichen in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Vereinfachung und Klarheit, und schreibt für sich selbst keine Beziehung zwischen den verschiedenen erörterten Ausführungsformen und/oder Konfigurationen vor.
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Ferner können Begriffe räumlicher Beziehungen, wie zum Beispiel „unter“, „darunter“, „niedriger“, „über“, „obere/r/s“ und dergleichen hierin zum Zweck einer einfacheren Beschreibung der Beziehung eines in den FIG. dargestellten Elements oder Merkmals zu (einem) anderen Element(en) oder Merkmal(en) verwendet werden. Die Begriffe räumlicher Beziehungen sollen dazu dienen, verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung bei der Verwendung oder im Betrieb zusätzlich zur in den FIG. abgebildeten Ausrichtung einzuschließen. Die Vorrichtung kann anders ausgerichtet sein (um 90 Grad gedreht oder in anderen Ausrichtungen) und die hierin verwendeten Begriffe räumlicher Beziehungen können somit auch dementsprechend ausgelegt werden.
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Referenzspannungsgeneratoren, wie zum Beispiel Bandlückenreferenzschaltungen (BGR), und Spannungsregler, wie zum Beispiel Regler mit geringer Abfallspannung (LDO = low-dropout), werden in solchen schrumpfenden Halbleitervorrichtungen häufig verwendet. Zum Beispiel wird ein LDO üblicherweise dazu verwendet, eine gut spezifizierte und stabile Gleichstromspannung (DC-Spannung) bereitzustellen. Im Allgemeinen ist ein LDO-Regler gekennzeichnet durch seine niedrige Abfallspannung, das bedeutet einen geringen Unterschied zwischen der jeweiligen Eingangsspannung und Ausgangsspannung. Der Einfachheit halber wird der Begriff „ Spannungsgenerator“ hierin im weitesten Sinne zur Bezugnahme auf irgendeine der vorgenannten Arten von Vorrichtungen, ob nun einen Spannungsgenerator oder einen Regler, verwendet. Somit wird der Begriff „ Spannungsgenerator“ hierin im weitesten Sinne zur Bezugnahme auf einen Spannungsgenerator oder einen Spannungsregler verwendet.
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Während des Einschaltens eines Chips hängt die Aufwachgeschwindigkeit eines Referenzspannungsgenerators von einer Einschwingzeit einer Operationsverstärkerausgabe (OP-Amp-Ausgabe) ab. Wenn bei einigen bekannten Referenzgeneratorvorrichtungen ein Freigabesignal für die Übergänge der Vorrichtung von einem niedrigen logischen Wert zu einem hohen logischen Wert wechselt, wird ein OP-Amp-Ausgangssignal erzeugt, und aufgrund einer schweren RC-Last langsam auf einen Zielbetriebspegel sinken, und eine Rückkopplungsspannung (VFB) wird langsam auf einen Zielpegel ansteigen. Dies kann zu einer langen Einschaltzeit führen und zusätzlichen Stromverbrauch für die Chipverwendung mit sich bringen.
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Im Einklang mit einigen Beispielaspekten der vorliegenden Offenbarung wird ein OP-Amp-Ausgabeeinschwingschema für Spannungsgeneratorschaltungen, wie zum Beispiel BGRs, Spannungsreferenzschaltungen für interne Mehrfachspannungsanforderungen, Spannungsabwärtswandler oder Regler (z.B. LDOs) für Speicher mit geringer Leistungsaufnahme, etc., offenbart. In einigen Beispielen kann die Einschwingzeit für Spannungsreferenz- oder Reglerschaltungen verkürzt werden. Ferner können auch Schwierigkeiten mit internem Vorspannungsüberschwingen und der Spannungsbelastung von Vorrichtungen behoben werden.
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Im Einklang mit einigen hierin offenbarten Beispielausführungsformen kann eine Einschwingschaltung gemäß einem Aspekt hierin beim Einschalten eines Chips derart betrieben werden, dass sie eine OP-Amp-Ausgabe vom Strom vor der Stabilisierung auf einen Schwellenabfall einschwingt. Die Einschwingschaltung ist beim Einschalten des Chips aktiv. Zum Stromsparen und für bessere Stabilität kann ein Selbststeuerungsschema eingesetzt werden. Die Einschwingschaltung kann durch Selbsterkennung ausgeschaltet werden, nachdem die internen Spannungen einen Zielpegel erreicht haben. Dies kann die analoge interne Spannungsaufwachzeit eines Chips verkürzen. Das rasche Einschwingverhalten kann zusätzlichen Stromverbrauch für (einen) Chip(s), welche(r) in einer System-auf-einem-Chip-Einschaltsequenz (SOC-Einschaltsequenz) verwendet wird/werden, senken.
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1 ist ein Blockschaltbild, welches ein Beispiel eines Spannungsreglersystems 10 gemäß Aspekten der vorliegenden Offenbarung darstellt. Der Spannungsregler 10 weist eine Spannungsgeneratorschaltung 100 und ein Einschwingschema oder eine Einschwingschaltung 200 auf.
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Die Einschwingschaltung 200 weist einen Spannungspegeldetektor 217 auf, welcher eine Spannung einer Last 108 der Spannungsgeneratorschaltung 100 erfasst, und stellt den erfassten Spannungspegel einem Schalter 220 bereit, welcher eine Stromquelle 244 aufweist, und welchem von einer Stromversorgungsvorrichtung („Stromversorgungsvorrichtung 2“) 241 Strom zugeführt wird. Sowohl eine Ausgabe des Schalters 220 als auch eine Ausgabe der Stromversorgungsvorrichtung 241 werden an einen Knoten 230 der Einschwingschaltung 200 und einen Knoten 112 der Spannungsgeneratorschaltung 100 gekoppelt.
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Die Spannungsgeneratorschaltung 100 weist einen Operationsverstärker 104 aufweisend eine nicht invertierende Eingangsquelle 322 und eine invertierende Eingangsquelle 324 auf, wobei der Operationsverstärker 104 ein Signal (auch bezeichnet als eine „Spannung“) Nop,out an einem Ausgangsknoten 112 des Operationsverstärkers 104 erzeugen kann. Eine Stromversorgungsvorrichtung („Stromversorgungsvorrichtung 1“) 115 weist einen Eingang auf, welcher durch den Knoten 112 mit dem Ausgang des Operationsverstärkers 104 gekoppelt ist. Ein Ausgang der Stromversorgungsvorrichtung 115 weist die an ihn gekoppelte, oben erwähnte Last 108 auf, und die Spannung von dieser Last 108 wird zur Erfassung zu einem Eingang des Spannungspegeldetektors 217 zurückgeführt.
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Die Spannungsgeneratorschaltung 100 ist steuerbar durch einen Ausgang der Einschwingschaltung 200 (z.B. einen Ausgang von der Stromversorgungsvorrichtung 241), um zu bewirken, dass die Spannung Nop,out rascher auf einen vorbestimmten Spannungspegel einschwingt, als es der Fall wäre, wenn keine Einschwingschaltung 200 eingesetzt würde. Die Art und Weise, in welcher die Einschwingschaltung 200 und die Spannungsgeneratorschaltung 100 funktionieren, wird im Folgenden näher erörtert.
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Nunmehr bezugnehmend auf 2 ist ein Schaltplan gezeigt, welcher ein Beispiel der Einschwingschaltung 200 und der Spannungsgeneratorschaltung 100 zum Bilden des Spannungsreglers 10 gemäß einer Beispielausführungsform hierin darstellt. In einem nicht einschränkenden Beispiel kann die Spannungsgeneratorschaltung 100 eine BGR-Schaltung oder eine LDO-Schaltung bilden.
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Die Spannungsgeneratorschaltung 100 weist einen Knoten 130 auf, welcher mit einem Ausgang der Einschwingschaltung 200 gekoppelt ist. Die dargestellte Spannungsgeneratorschaltung 100 weist ferner einen PMOS-Transistor 102, einen Operationsverstärker 104, einen Widerstand 106, einen Kondensator 105, einen PMOS-Transistor 110 und eine Last 108 gekoppelt an einen Erdungsanschluss GND auf.
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Der Operationsverstärker 104 weist einen Freigabeeingangsanschluss zum Empfangen eines Freigabesignals EN, einen nicht invertierenden Eingangsanschluss zum Empfangen einer Referenzspannung VREF und einen invertierenden Eingangsanschluss zum Empfangen einer Rückkopplungsspannung VFB von der Last 108 auf. Ein Ausgangsanschluss des Operationsverstärkers 104 stellt das Ausgangssignal Nop,out an einem Knoten 112 bereit. Im aktivierten Zustand funktioniert der Operationsverstärker 104 im Allgemeinen derart, dass er einen Unterschied zwischen den an den invertierenden und den nicht invertierenden Eingängen angelegten Spannungen bestimmt, und den Unterschied um einen Verstärkungsfaktor verstärkt.
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Der PMOS-Transistor 102 weist einen Gate-Anschluss verbunden zum Empfangen des Freigabesignals EN, einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit einem Spannungsanschluss, welcher die Versorgungsspannung VPWR zuführt, und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit dem Knoten 130 auf. Der Widerstand 106 ist zwischen den Knoten 112 und den Kondensator 105, welcher zwischen den Widerstand 106 und die Last 108 geschaltet ist, geschaltet.
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Der PMOS-Transistor 110 weist einen Gate-Anschluss verbunden mit dem Knoten 112, einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit dem VPWR-Anschluss und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit der Last auf. Im dargestellten Beispiel bilden die PMOS-Transistoren 102 und 110, der Widerstand 106 und der Kondensator 105 die Stromversorgungsvorrichtung 115, welche in 1 gezeigt ist.
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Die Einschwingschaltung 200 weist einen Freigabeanschluss 203 eingerichtet zum Empfangen des Freigabesignals EN auf. Ein PMOS-Transistor 202 weist einen Gate-Anschluss gekoppelt zum Empfangen des Freigabesignals EN, einen Source-/Drain zum VPWR-Anschluss und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit einem Knoten 212 auf. Ein NMOS-Transistor 206 weist einen Gate-Anschluss gekoppelt zum Empfangen des Freigabesignals EN, einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit dem Knoten 212 und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit einem Source-/Drain-Anschluss eines NMOS-Transistors 207 auf. Der Gate-Anschluss des Transistors 207 empfängt die Referenzspannung VR, welche von der Last 108 der Spannungsgeneratorschaltung 100 zurückgeführt wird. Ein Source-/Drain-Anschluss des Transistors 207 ist mit dem NMOS-Transistor 206 gekoppelt, und der andere Source-/Drain-Anschluss des Transistors 207 ist mit dem Erdungsanschluss GND gekoppelt.
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Die Transistoren 202 und 206 stellen ein anfängliches Freigabesignal ENB-I am Knoten 212 bereit, welches durch die Inverter 214 und 216 empfangen wird. Die Inverter 214 und 216 fungieren als Verzögerungselemente, und stellen das verzögerte Signal ENB-I einem Eingang des Schalters 220 als ein zweites Freigabesignal ENB bereit. Der Schalter 220 weist einen ersten und einen zweiten NMOS-Schalttransistor 222, 224 auf, welche im Folgenden näher erörtert werden. Die Einschwingschaltung 200 weist auch einen Kondensator 219 aufweisend einen ersten Anschluss gekoppelt mit dem Knoten 212 und einen zweiten Anschluss gekoppelt mit der Erde GND, auf. In der dargestellten Ausführungsform bilden die Transistoren 202, 206 und 207, der Kondensator 219 und die Inverter 214 und 216 den Spannungspegeldetektor 217, der in 1 gezeigt ist.
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Die Einschwingschaltung 200 weist auch einen PMOS-Transistor 240, dessen erster Gate-Anschluss mit dem Knoten 130 gekoppelt ist, einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit der Spannungsquelle VPWR und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit einem Source-/Drain-Anschluss des zweiten Schalttransistors 224 auf. In einer Beispielausführungsform hierin bilden der PMOS-Transistor 240 und der Spannungsanschluss, welcher die VPWR-Spannung zuführt, die Stromversorgungsvorrichtung 241, welche in 1 gezeigt ist.
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Wie oben erwähnt, weist der Schalter 220 den ersten Schalttransistor 222 und den zweiten Schalttransistor 224 sowie einen NMOS-Transistor 242 auf. Der erste Schalttransistor 222 weist einen Gate-Anschluss gekoppelt mit dem Gate-Anschluss des zweiten Schalttransistors 224, welcher das vom Inverter 216 ausgegebene ENB-Signal empfängt, auf. Ein Source-/Drain-Anschluss des ersten Schalttransistors 222 ist mit dem Knoten 130 gekoppelt, welcher wie oben beschrieben auch mit dem Gate-Anschluss des PMOS-Transistors 240 gekoppelt ist. Die zweiten Source-/Drain-Anschlüsse des ersten und des zweiten Schalttransistors 222, 224 sind beide mit einem Source-/Drain-Anschluss des Transistors 242 gekoppelt. Der Transistor 242 weist ferner einen Gate-Anschluss gekoppelt mit dem Freigabeanschluss 203 zum Empfangen des Freigabesignals EN und einen Source-/Drain-Anschluss gekoppelt mit einer Stromquelle 244 auf.
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3 ist ein Zustandsdiagramm, welches verschiedene Signalpegelzustände in Verbindung mit einem Beispiel des Spannungsreglers 10 zeigt. Die Art und Weise, in welcher die Einschwingschaltung 200 funktioniert, um die Schaltung 100 zu steuern, wird nun unter Bezugnahme auf die 2 und 3 beschrieben. Zunächst weist die Spannung des Freigabesignals EN einen niedrigen logischen Wert auf, und mit dem Freigabesignal EN in diesem Zustand befindet sich die Einschwingschaltung 200 in einem ausgeschalteten Zustand. Das niedrige EN-Signal schaltet den Operationsverstärker 104 und den NMOS-Transistor 242 aus, und schaltet den PMOS-Transistor 102 ein. Das Signal Nop,out am Knoten 112 befindet sich somit auf dem Pegel der VPWR-Quellenspannung, welche den PMOS-Transistor 110 im ausgeschalteten Zustand hält. Die VR- und VFB-Signale von der Last 108 sind folglich beide niedrig.
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Da das am NMOS-Transistor 207 empfangene VR-Signal unter dessen Schwellenspannung Vth,MNi liegt, ist der Transistor 207 ausgeschaltet. Das PMOS/NMOS-Transistorpaar 202, 206 dient dazu, das niedrige EN-Signal zu invertieren, wodurch sich die Signale ENB_I und ENB in einem hohen Zustand befinden, welcher den ersten und den zweiten Schalttransistor 222, 224 einschaltet.
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Wie in 3 gezeigt, liegt das am nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 104 empfangene VFB-Signal unter der Referenzspannung. Zu einem Zeitpunkt ti wechselt das EN-Signal von niedrig auf hoch. Dies aktiviert den Operationsverstärker 104. In der Abwesenheit der Einschwingschaltung 200 würde der Operationsverstärker 104 seinen Zielwert erzeugen und aufgrund der RC-Last langsam auf diesen absinken, wie durch das Signal 260 dargestellt. Das VFB-Signal würde in der Abwesenheit der Einschwingschaltung langsam bis auf seinen Zielwert ansteigen, wie durch das Signal 262 dargestellt.
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Die Einschwingschaltung 200 dient dazu, zu bewirken, dass sich beim Einschalten der Vorrichtung die Ausgabe Nop,out der Spannungsgeneratorschaltung 100 rascher einschwingt. Das hohe Freigabesignal EN zum Zeitpunkt ti schaltet den NMOS-Transistor 206 ein und schaltet den PMOS-Transistor 202 aus, und schaltet zusätzlich den NMOS-Transistor 242 ein. Das VR-Signal beginnt zu steigen, jedoch bleibt es aus, bis es die Schwellenspannung Vth,MN1 des Transistors 207 erreicht, wodurch es das ENB_I-Signal sowie das ENB-Signal hoch hält. Somit bleiben die Schalttransistoren 222 und 224 des Schalters 220 eingeschaltet. Wie oben erwähnt, ist aufgrund des hohen EN-Signals zum Zeitpunkt ti auch der NMOS-Transistor 242 eingeschaltet. Somit schwingt sich die Spannung Nop,out rasch auf einen Pegel der VPWR-Spannung abzüglich der Schwellenspannung des Schalters 220 ein, wie durch das Signal 270 in 3 dargestellt. Dieses Pegel liegt nahe dem Zielspannungspegel, welcher bei 270 angezeigt ist.
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Wenn das VR-Signal über die Schwellenspannung Vth,MN1 des Transistors 207 hinaus ansteigt, wie bei Zeitpunkt t2 in 3 dargestellt, wird bewirkt, dass die ENB_I- und ENB-Signale auf niedrig wechseln und die NMOS-Transistoren 222 und 224 des Schalters 220 ausgeschaltet werden, wodurch die Einschwingschaltung 200 ausgeschaltet wird. Folglich wird der Knoten Nop,out durch die Ausgabe des Operationsverstärkers 104 geregelt.
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Dank der Einschwingschaltung 200 kann somit während des Einschaltens des Chips die Spannung Nop,out vor der Stabilisierung des Operationsverstärkers 104 auf einen Schwellenabfall vom VPWR eingeschwungen werden. Ferner kann die Einschwingschaltung 200 durch Selbsterkennung, zum Beispiel durch den Spannungspegeldetektor 217 (Transistor 207) ausgeschaltet werden, nachdem eine interne Spannung (z.B. die Spannung VR) einen Zielpegel erreicht oder eine Schwelle (z.B. Vth,MN1) überschreitet. Dies stellt Energieeinsparung und Stabilität bereit. Zum Beispiel können Merkmale wie die oben beschriebenen eine analoge interne Spannungsaufwachzeit eines Chips verkürzen, und das rasche Einschwingverhalten kann den Gesamtstromverbrauch für (einen) Chip(s), welche(r) in einer System-auf-einem-Chip-Einschaltsequenz (SOC-Einschaltsequenz) verwendet wird/werden, verringern.
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4 stellt ein Beispielverfahren 300 gemäß offenbarten Ausführungsformen dar. Bei Schritt 302 wird ein Spannungsgenerator, wie zum Beispiel die in 1 gezeigte Spannungsgeneratorschaltung 100, bereitgestellt. Die Spannungsgeneratorschaltung 100 weist unter anderem einen Operationsverstärker 104 auf. Der Operationsverstärker 104 ist eingerichtet, eine erste Referenzspannung auszugeben. Bei Schritt 304 wird eine Einschwingschaltung, wie zum Beispiel die Einschwingschaltung 200, bereitgestellt. Die Einschwingschaltung 200 ist eingerichtet, eine zweite Referenzspannung auszugeben. Im Entscheidungsblock 306 wird ein Rückkopplungssignal, wie zum Beispiel das Rückkopplungssignal VR von der Last 108, mit einer vorbestimmten Spannung verglichen. Bei Schritt 308 wird die zweite Referenzspannung von der Einschwingschaltung als Reaktion darauf, dass das Rückkopplungssignal von der Last unter dem vorbestimmten Spannungspegel liegt, zur Last ausgeben. Bei Schritt 310 wird die erste Referenzspannung vom Spannungsgenerator als Reaktion darauf, dass das Rückkopplungssignal von der Last über dem vorbestimmten Spannungspegel liegt, ausgeben.
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Es ist anzumerken, dass die Arten von Transistoren, deren Verwendung in der Einschwingschaltung 200 und der Spannungsgeneratorschaltung 100 oben beschrieben wird, als Beispiele dienen, und dass in anderen Beispielausführungsformen hierin stattdessen andere Arten von Transistoren benutzt werden können, um der Einschwingschaltung 200 zu ermöglichen, die Spannungsgeneratorschaltung 100 zu steuern.
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Offenbarte Ausführungsformen weisen somit einen Referenzspannungsgenerator auf, welcher einen Eingangsanschluss, welcher zum Empfangen eines Eingangssignals eingerichtet ist, und einen Ausgangsanschluss, welcher zum Bereitstellen eines Ausgangssignals eingerichtet ist, aufweist. Eine Spannungsgeneratorschaltung ist derart gestaltet, dass sie ein erstes Ausgangsspannungssignal erzeugt. Eine Einschwingschaltung ist derart gestaltet, dass sie ein zweites Ausgangsspannungssignal erzeugt. Die Einschwingschaltung ist eingerichtet, das zweite Ausgangsspannungssignal am Ausgangsanschluss als Reaktion auf das am Eingangsanschluss empfangene Freigabesignal bereitzustellen, und nach einer ersten Zeitdauer das erste Ausgangsspannungssignal am Ausgangsanschluss bereitzustellen.
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Im Einklang mit weiteren Aspekten weist eine Schaltung einen Eingangsanschluss auf, welcher zum Empfangen eines Freigabesignals eingerichtet ist. Eine Spannungsdetektorschaltung ist eingerichtet, ein Lastrückkopplungssignal zu empfangen. Ein Schalter ist zwischen einen Spannungsgeneratorausgang und eine Stromquelle geschaltet. Der Schalter reagiert auf die Spannungsdetektorschaltung, um den Spannungsgeneratorausgang selektiv mit der Stromquelle zu koppeln.
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Im Einklang mit noch weiteren Aspekten umfasst ein Verfahren das Bereitstellen eines Spannungsgenerators aufweisend einen Operationsverstärker, welcher dafür ausgelegt ist, eine erste Referenzspannung auszugeben, und das Bereitstellen einer Einschwingschaltung, welche dafür ausgelegt ist, eine zweite Referenzspannung auszugeben. Die zweite Referenzspannung wird als Reaktion darauf, dass ein Rückkopplungssignal von der Last unter einem vorbestimmten Spannungspegel liegt, zur Last ausgeben. Die erste Referenzspannung wird als Reaktion darauf, dass das Rückkopplungssignal von der Last über dem vorbestimmten Spannungspegel liegt, ausgeben.
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Diese Offenbarung stellt verschiedenste Ausführungsformen dar, sodass Fachleute die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Fachleute sollten verstehen, dass sie die vorliegende Offenbarung problemlos als eine Grundlage zum Entwerfen oder Modifizieren weiterer Prozesse und Strukturen zum Ausführen derselben Zwecke und/oder zum Erlangen derselben Vorteile der hierin vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute sollten auch erkennen, dass derartige äquivalente Konstruktionen nicht vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen, und dass sie verschiedenste Änderungen, Ersetzungen und Neugestaltungen daran vornehmen können, ohne vom Geist und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
