DE19738149B4 - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselbigen - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen (30),
mit folgenden Schritten:
(a) Herstellen einer elektrisch leitfähigen Mutterplatte (11), die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten (12) herausgeschnitten werden kann,
(b-1) Bilden einer Isolationsschicht (15), die eine Vielzahl von Kontaktlöchern (16) aufweist, auf der Oberseite des Gebiets,
(b-2) Anordnen eines Rahmens (19), in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Kontaktlöchern (16) angeordnet ist,
(b-3) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume,
(b-4) Entfernen des Rahmens (19),
(b-5) Bilden von Chips (21) durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers,
(c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht (23) auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21) in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten (23) elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23) verschiedener Chips (21) unabhängig, voneinander sind,
(d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht (25), welche die Vielzahl an Chips...
(a) Herstellen einer elektrisch leitfähigen Mutterplatte (11), die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten (12) herausgeschnitten werden kann,
(b-1) Bilden einer Isolationsschicht (15), die eine Vielzahl von Kontaktlöchern (16) aufweist, auf der Oberseite des Gebiets,
(b-2) Anordnen eines Rahmens (19), in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Kontaktlöchern (16) angeordnet ist,
(b-3) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume,
(b-4) Entfernen des Rahmens (19),
(b-5) Bilden von Chips (21) durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers,
(c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht (23) auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21) in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten (23) elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23) verschiedener Chips (21) unabhängig, voneinander sind,
(d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht (25), welche die Vielzahl an Chips...
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung und ein Verfahren zur Herstellung derselbigen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine sog. Fest-Elektrolytkondensatoranordnung, in welcher eine Vielzahl von Kondensatorelementen, wovon jedes eine gesinterte Einheit aus einem ventilmetallischen Pulver hat, parallel zueinander angeordnet und integral verpackt sind und ein Verfahren zur Herstellung solcher Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen.
- Beispiele solcher Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen werden in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 4-3406, die am 8. Januar 1992 veröffentlicht wurde und in der
11 der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 6-20891, die am 28. Januar 1994 veröffentlicht wurde, usw., offenbart. - Ein Vorteil solcher Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen liegt darin, dass in dem Fall, in dem eine Vielzahl von Fest-Elektrolytkondensatoren in einer Schaltplatte mit einer elektrischen Ausstattung benutzt werden, es möglich ist, die Anzahl der Schritte zum Befestigen der Kondensatoren auf der Schaltplatte und einen Befestigungszwischenraum, der zum Befestigen der Kondensatoren auf der Schaltplatte notwendig ist, zu reduzieren, im Vergleich zu dem Fall, worin eine Vielzahl von Fest-Elektrolytkondensatoren, wovon jeder nur ein Einzelkondensatorelement hat, auf der Schaltplatte befestigt werden.
- Weiterhin ist es in dem Fall einer Fest-Elektrolytkondensatoranordnung, in welcher eine Vielzahl von Kondensatorelementen parallel mit jedem anderen verbunden sind und integral verpackt sind, möglich, den elektrischen Widerstand an den Kathodenelektroden der Kondensatorelemente zu reduzieren und deshalb ist es ein Vorteil, dass die Impedanz in einem hochfrequenten Bereich im Vergleich zu einem Fall, worin ein Kondensator, der dieselbe Kapazität hat, nur aus einem Einzelkondensatorelement aufgebaut ist, herabgesetzt werden kann.
- Jede der Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen vom Stand der Technik benutzt ein Kondensatorelement A, welches wie folgt hergestellt wird: Als erstes, wie in
1 gezeigt, wird Pulver aus Ventilmetall, wie Tantal, festgestampft und zu einem porösen Chip A1 geformt, von welchem ein Anodendraht A2, der aus einem Metall, wie Tantal, hergestellt ist, hervorstehend ist und danach wird der poröse Chip A1 gesintert. - Als nächstes, wie in
2 gezeigt, wird in einem Zustand, in dem der Chip A1 in eine chemische Konversionsflüssigkeit, wie eine wässrige Lösung aus phosphorischer Säure getaucht wird, ein Gleichstrom zwischen dem Anodendraht A2 und der chemischen Konversionsflüssigkeit angelegt, um so die Eloxierung durchzuführen. Demzufolge wird ein dielektrischer Film A3, wie Ditantalpentaoxid, auf den Oberflächen des metallischen Pulvers oder der Teilchen in dem Chip gebildet. - Dann wird ein Schritt des Brennens des Chips A1 des öfteren wiederholt, nachdem der Chip A1 in einer wässrigen Lösung aus Mangannitrat getaucht, um so die Mangannitratlösung in das Innere des Chips A1 durchdringen zu lassen, und herausgezogen wird. Demzufolge wird eine Fest-Elektrolytschicht A4 auf einer Oberfläche des dielektrischen Films A3 aus Metalloxid, wie Mangandioxid, gebildet.
- Zuletzt wird, nachdem eine Graphitschicht auf einer Oberfläche der Fest-Elektrolytschicht A4 des Chips A1 gebildet wird, eine Kathodenelektrode A5 aus einem metallischen Film, wie Silber, Nickel usw. gebildet, wodurch das Kondensatorelement A erhalten werden kann.
- Wie oben beschrieben, ist in dem Fest-Elektrolytkondensator beim Herstellen des Kondensatorelements A der Anodendraht A2, der aus dem Chip A1 hervorsteht, unentbehrlich, und deshalb kann der Anodendraht A2 nicht eliminiert werden.
- Deshalb sollen im Stand der Technik, nachdem eine Vielzahl von Kondensatorelemente A, wovon jedes so hergestellt wird, parallel zueinander angeordnet werden, wobei die Kondensatorelemente A integral durch eine Verpackungseinheit, die aus synthetischem Harz hergestellt ist, in einer derartigen Weise geformt werden, dass die Verpackungseinheit nicht nur die Chips der Kondensatorelemente, sondern ebenso die Anodendrähte A2, die aus den Chips hervorstehen, abdeckt.
- Deshalb ist die Größe der Verpackungseinheit im Vergleich zu der Größe des Chips A1 des Kondensatorelements A um einen Anteil des Anodendrahtes A2, der aus dem Chip A1 hervorsteht, groß, und deshalb ist der Volumenbetrag des Chips A1 des Kondensatorelements A im Hinblick auf ein Volumen des gesamten Kondensators und entsprechend der Volumenwirkungsgrad niedrig. Weiterhin wird ein effektives Volumen des Chips A1 des Kondensatorelements A klein, da ein Anteil des Anodendrahtes A2 in dem Chip A1 eingebettet wird.
- Aus diesen Gründen gab es in dem Stand der Technik dadurch ein Problem, dass es schwierig ist, eine Kapazität pro Einheitsvolumen groß zu machen, und somit wird ein Gewicht des Kondensators ebenso groß. Weiterhin wirkt im Stand der Technik beim Formen der Vielzahl von Kondensatorelementen A durch die Verpackungseinheit aus dem synthetischen Harz eine große Spannung auf dem Chip A1 des Kondensatorelements A und deshalb gibt es viele Möglichkeiten, dass ein Lochstrom (LC) sich erhöht und ein Isolationsdefekt auftritt. Dementsprechend ist beim Herstellen des Kondensators die Häufigkeit der schlechten Produkte hoch und somit ist die Gewinnrate niedrig.
- Weiterhin werden im Stand der Technik in dem Fall, in dem die Vielzahl von Kondensatorelementen A gleichzeitig hergestellt werden sollen, die Anodendrähte A2, welche jeweils aus der Vielzahl von den gesinterten Chips hervorstehen, aus einem Metallstab, wie Tantal, gefertigt und in diesem Zustand wird ein Schritt zum Bilden der Fest-Elektrolytschicht A4 in der wässrigen Lösung aus Mangannitrat, ein Schritt zum Bilden der Graphitschicht und ein Schritt zum Bilden der Kathodenelektrode A5 durchgeführt und dann werden die jeweiligen Kondensatorelemente A aus dem Metallstab herausgeschnitten. Deshalb ist die Anzahl der Kondensatorelemente A, die durch Benutzen eines einzelnen Metallstabes hergestellt werden können, begrenzt, und es ist unmöglich, die Anzahl der Kondensatorelemente A wesentlich zu erhöhen, weshalb es schwierig ist, die Kondensatorelemente durch Massenproduktion herzustellen. Weiterhin ist es notwendig, einen Schritt zum Einbauen einer Vielzahl von Kondensatorelementen A, die so hergestellt werden, in einer Einzelkomponente zu liefern und deshalb gab es das Problem, dass nicht nur eine Gewinnrate niedrig ist, sondern dass sich ebenso die Herstellungskosten sich weitestgehend erhöhen.
- Das Dokument
US 4,599,788 beschreibt eine Anordnung von Fest-Elektrolytkondensatoren, die durch Schablonendruck erstellt werden können. Die Fest-Elektrolytkondensatoren sind hierbei auf einer Mutterplatte angeordnet, wobei durch Zerschneiden einzelne Fest-Elektrolytkondensatoren hergestellt werden können. In den DokumentenUS 4,853,827 ,US 4,616,290 sowieEP 0 739 030 A2 werden ferner weitere Fest-Elektrolytkondensatorenanordnungen beschreiben, wobei insbesondere eine Reihen- bzw. Parallelschaltung mehrerer Kondensatorelemente offenbart ist. - Beim o. g. Stand der Technik wird zwar beschrieben, dass einzelne Fest-Elektrolytkondensatoren durch Herausschneiden aus einer Mutterplattenanordnung entstehen können, wie aber besondere Probleme dabei zu berücksichtigen bzw. zu vermeiden sind, wird nicht im Stand der Technik dargelegt.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, eine neue Fest-Elektrolytkondensatoranordnung zur Verfügung zu stellen, die insbesondere auf die Probleme beim Herausschneiden von einzelnen Fest-Elektrolytkondensatoren eingeht und hierzu Verfahren und Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen liefert.
- Die Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche 1, 7, 13 und 17 gelöst.
- Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen umfasst hierbei folgende Schritte:
- (a) Herstellen einer elektrisch leitfähigen Mutterplatte, die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten herausgeschnitten werden kann,
- (b-1) Bilden einer Isolationsschicht, die eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist, auf der Oberseite des Gebiets,
- (b-2) Anordnen eines Rahmens, in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Kontaktlöchern angeordnet ist,
- (b-3) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume,
- (b-4) Entfernen des Rahmens,
- (b-5) Bilden von Chips durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers,
- (c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten verschiedener Chips unabhängig, voneinander sind,
- (d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht, welche die Vielzahl an Chips in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten freigelegt sind,
- (e) Bilden von mindestens einer Kathodenelektrode in der Abdeckkunstharzschicht, wobei die mindestens eine Kathodenelektrode elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten verbunden ist,
- (f) Bilden einer Anodenelektrode auf der Unterseite jedes Substrats,
- (h) Ausschneiden der Vielzahl von Substraten aus dem Gebiet der Mutterplatine entlang von Schneidelinien.
- Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen umfasst folgende Schritte:
- (a) Herstellen einer Mutterplatte aus einem isolierenden Material, die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten, die eine Oberseite und Unterseite haben, herausgeschnitten werden kann,
- (b-1) Bilden einer Vielzahl von Füllungsdurchgangslöchern, die von der Oberseite zur Unterseite der Substrate verlaufen,
- (b-2) Bilden eines Films auf den Unterseiten der Mutterplatte, um die Füllungsdurchgangslöcher abzudichten,
- (b-3) Anordnen eines Rahmens, in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Füllungsdurchgangslöchern angeordnet ist,
- (b-4) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume,
- (b-5) Entfernen des Rahmens,
- (b-6) Bilden von Chips durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers,
- (c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten verschiedener Chips unabhängig voneinander sind,
- (d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht, welche die Vielzahl an Chips in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten freigelegt sind,
- (e) Bilden von mindestens einer Kathodenelektrode in der Abdeckkunstharzschicht, wobei die mindestens eine Katodenelektrode elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten verbunden ist,
- (f) Entfernen des Films auf der Unterseite der Mutterplatte, um die unteren Abschnitte des metallischen Pulvers der Chips an der Unterseite der Substrate freizulegen,
- (g) Bilden von mindestens einer Anodenelektrode auf der Unterseite eines Substrates, wobei die mindestens eine Anodenelektrode elektrisch mit den freigelegten unteren Abschnitten des metallischen Pulvers der Chips verbunden ist.
- (h) Ausschneiden der Vielzahl von Substraten aus dem Gebiet der Mutterplatine entlang der Schneidelinien.
- Eine erfindungsgemäße Fest-Elektrolytkondensanordnordnung umfasst:
ein Substrat, das eine Oberseite und eine Unterseite hat, wobei das Substrat elektrisch leitfähig ist,
eine Isolationsschicht, die eine Vielzahl von Kontaktlöchern aufweist, die auf der Oberseite des Substrats angeordnet sind,
eine Vielzahl von Chips mit festgelegtem Abstand, die durch Sintern von metallischem Pulver gebildet sind, wobei je ein Chip an je einem Kontaktloch angeordnet ist,
eine Fest-Elektrolytschicht, die auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips gebildet ist und elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert ist, wobei die Fest-Elektrolytschichten verschiedener Chips unabhängig voneinander sind,
eine Abdeckkunstharzschicht, welche die Vielzahl an Chips in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten freigelegt sind,
mindestens eine Kathodenelektrode, die in der Abdeckkunstharzschicht gebildet ist und die elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten verbunden ist und
eine Anodenelektrode, die von dem Substrat gebildet ist und elektrisch mit dem metallischen Pulver der Vielzahl von Chips verbunden ist. - Eine alternative erfindungsgemäße Fest-Elektrolytkondensatoranordnung umfasst:
ein Substrat, das eine Oberseite und eine Unterseite hat, wobei das Substrat aus isolierendem Material ist und eine Vielzahl von Durchgangslöchern aufweist, die von der Oberseite zur Unterseite des Substrats verlaufen,
eine Vielzahl von Chips, die an der Oberseite des Substrats mit einem festgelegten Abstand angeordnet sind, wobei die Chips durch Sintern von metallischem Pulver gebildet sind und wobei je ein Chip an je einem Durchgangsloch so angeordnet ist, dass der untere Abschnitt des metallischen Pulvers eines Chips an der Unterseite des Substrats freigelegt ist,
eine Fest-Elektrolytschicht, die auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips gebildet ist und elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert ist, wobei die Fest-Elektrolytschichten verschiedener Chips unabhängig voneinander sind,
eine Abdeckkunstharzschicht, welche die Vielzahl an Chips in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten freigelegt sind,
mindestens eine Kathodenelektrode, die in der Abdeckkunstharzschicht gebildet ist und die elektrisch mit den freiliegenden Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten verbunden ist und
mindestens eine Anodenelektrode, die auf der Unterseite des Substrates gebildet ist und elektrisch mit den freigelegten unteren Abschnitten des metallischen Pulvers der Vielzahl von Chips verbunden ist. - Entsprechend der Erfindung ist es möglich, den Anodendraht, der in dem Stand der Technik benutzt wird, zu eliminieren und deshalb wird ein effektives Volumen des Chips des Kondensatorelements nicht durch den Anodendraht reduziert und dementsprechend kann der Betrag des Volumens des Chips mit Bezug auf das gesamte Volumen der Kondensatoranordnung sicher im Vergleich zum Stand der Technik erhöht werden und deshalb ist es möglich, die drastische Erhöhung einer Volumeneffektivität und der Miniaturisierung zu implementieren.
- Es können Füllvertiefungsanteile auf dem Substrat angeordnet werden und das metallische Pulver zum Bilden des Chips kann in die Füllvertiefungsanteile gefüllt werden. In solch einem Fall wird das Volumen des Chips erhöht und deshalb kann der volumetrische Wirkungsgrad erhöht werden und entsprechend eine Kapazität pro Einheitsvolumen kann in der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung vergrößert werden. Insbesondere in einem Fall, in dem die Füllvertiefungsanteile aus Durchgangslöchern gebildet sind, ist es möglich, das Volumen des Chips weiterhin zu vergrößern und die Anodenelektrode, die auf der unteren Oberfläche des Substrates gebildet ist, kann direkt in Kontakt mit dem metallischen Pulver, das in die Durchgangslöcher gefüllt ist, gebracht werden, und deshalb ist es möglich, die Zuverlässigkeit der elektrischen Leitfähigkeit zwischen dem metallischen Pulver der Chips und der Anodenelektrode zu erhöhen.
- Das Substrat kann aus einem Material hergestellt werden, das eine Leitfähigkeit zumindest in Richtung der Dicke hat, und das metallische Pulver der Chips kann elektrisch mit dem Substrat verbunden werden, auf welchem die Anodenelektrode gebildet ist. In diesem Fall funktioniert das Substrat selber als der Anodendraht in dem Stand der Technik und ist wirkungsvoll beim Erhöhen des volumetrischen Wirkungsgrades. Weiterhin, wenn eine Isolationsschicht auf dem Substrat in einer Weise gebildet wird, dass die Isolationsschicht eine Peripherie von jedem der Chips umrundet, ist es möglich, das Substrat an einer Seite der Anodenelektrode und die Fest-Elektrolytschicht an einer Seite der Kathodenelektrode voneinander zu isolieren, und deshalb ist es möglich, einen Kurzschluss, der dazwischen auftritt, sicher zu verhindern.
- Ein Verfahren zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen entsprechend der vorliegenden Erfindung umfasst die Schritte:
- (a) Herstellen einer Mutterplatte, die ein Gebiet hat, das dazu geeignet ist, eine Vielzahl von Substraten herauszuschneiden;
- (b) Bilden einer Vielzahl von Chips auf der Vielzahl von Substraten, die in der Mutterplatte jeweils beinhaltet sind, wobei jeder der Chips durch Sintern von metallischem Pulver gebildet wird;
- (c) Bilden einer Vielzahl von Fest-Elektrolytschichten auf den Oberflächen der Vielzahl von Chips in einer Weise, so dass die Vielzahl von elektrolytischen Schichten elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Vielzahl von Fest-Elektrolytschichten unabhängig voneinander sind;
- (d) Bilden einer Abdeckharzschicht, welche die Vielzahl von Chips in einer Weise abdeckt, so dass Anteile von der Vielzahl der Fest-Elektrolytschichten jeweils freistehend sind;
- (e) Bilden einer Vielzahl von Kathodenelektroden auf der Abdeckharzschicht in einer Weise, so dass die Vielzahl an Kathodenelektroden elektrisch mit der Vielzahl von Fest-Elektrolytschichten jeweils verbunden sind;
- (f) Bilden einer Vielzahl von Anoden auf einer unteren Oberfläche der Mutter platte in einer solchen Weise, dass die Vielzahl von Anodenelektroden elektrisch mit dem metallischen Pulver der Vielzahl von Chips jeweils verbunden sind; und
- (g) Ausschneiden der Vielzahl an Substraten aus der Mutterplatte.
- Entsprechend dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung können die jeweiligen Chips gleichzeitig auf dem jeweiligen Substrat gebildet werden. Weiterhin kann die Bildung der Fest-Elektrolytschichten, die Bilden der Abdeckharzschicht, die Bildung der Anodenelektrode und die Bildung der Kathodenelektroden kontinuierlich in einem Zustand durchgeführt werden, in welchem die Vielzahl der Chips auf der Mutterplatte gebildet werden. Dann kann durch letztendliches Herausschneiden aus der Mutterplatte für jedes der Substrate zwischen den jeweiligen Chips eine Vielzahl von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen gleichzeitig hergestellt werden. Deshalb ist im Vergleich zu dem Stand der Technik, der eine Vielzahl von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen separat herstellt, das Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung für Massenproduktion geeignet.
- Die oben beschriebenen Ziele und andere Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung offensichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen benutzt werden.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Kondensatorelement vom Stand der Technik zeigt; -
2 ist eine longitudinale Schnittvorderansicht der1 , welche das Kondensatorelement ist; -
3 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Mutterplatte zeigt, welche in einer ersten Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung benutzt wird; -
4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin eine Isolationsschicht auf einer oberen Oberfläche der Mutterplatte gebildet wird; -
5 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kontaktlöcher in der Isolationsschicht auf der Mutterplatte gebildet werden; -
5A ist eine vergrößerte Schnittansicht an der Linie VA-VA in5 ; -
5B ist eine vergrößerte Schnittansicht an der Linie VB-VB in5 ; -
6 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Dünnfilme, die aus Tantalsilicid hergestellt sind, in den Kontaktlöchern der ersten Ausführungsform gebildet werden; -
6A ist eine Schnittansicht an der Linie VIA-VIA in6 ; -
7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die metallischen Kontaktschichten auf den Dünnfilmen, die aus Tantalsilicid hergestellt sind, gebildet werden; -
7A ist eine Schnittansicht an der Linie VIIA-VIIA in7 ; -
8 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin eine bildende Rahmenschicht auf der Mutterplatte von der Ausführungsform der1 gebildet wird; -
8A ist eine vergrößerte Schnittansicht an der Linie VIIIA-VIIIA in8 ; -
8B ist eine vergrößerte Schnittansicht an der Linie VIIIB-VIIIB in8 ; -
9 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Bildungslöcher oder die Zwischenräume in der bildenden Rahmenschicht gebildet sind; -
9A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie IXA-IXA in9 ; -
9B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie IXB-IXB in9 ; -
10 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Chips durch Festdrücken des Tantalpulvers in die Bildungslöcher der bildenden Rahmenschicht gebildet werden; -
10A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XA-XA in10 ; -
10B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XB-XB in10 ; -
11 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin die bildende Rahmenschicht entfernt wird, nachdem die Chips festgedrückt und gebildet sind; -
11A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XIA-XIA in11 ; -
11B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XIB-XIB in11 ; -
12 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die dielektrischen Filme auf den jeweiligen Chips in der ersten Ausführungsform gebildet werden; -
12A ist eine Schnittansicht bei der Linie XIIA-XIIA in12 . -
13 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Fest-Elektrolytschichten auf den jeweiligen Chips in der ersten Ausführungsform gebildet sind; -
13A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XIIIA-XIIIA in13 ; -
14 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin eine Abdeckharzschicht auf die Mutterplatte in der ersten Ausführungsform angewendet wird; -
14A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XIVA-XIVA in14 ; -
14B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei der Linie XIVB-XIVB in14 ; -
15 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Fenster auf der Abdeckharzschicht in der ersten Ausführungsform gebildet sind; -
15A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XVA-XVA in15 ; -
15B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XVB-XVB in15 ; -
16 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kathodenelektroden und eine Anodenelektrode in der ersten Ausführungsform gebildet sind; -
16A ist eine Schnittansicht nach einer Linie XVIA-XVIA in16 ; -
17 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung, die in der ersten Ausführungsform hergestellt ist, zeigt; -
17A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XVIIA-XVIIA in17 ; -
17B ist eine Schnittansicht bei einer Linie XVIIB-XVIIB in17 ; -
18 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung, die in der ersten Ausführungsform hergestellt ist; -
19 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung eines modifizierten Beispiels von der ersten Ausführungsform zeigt; -
19A ist eine Schnittansicht einer Linie XIXA-XIXA in19 ; -
20 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm des modifizierten Beispiels der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung; -
21 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die eine Mutterplatte zeigt, die in einer zweiten Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung benutzt wird; -
21A ist eine Schnittansicht bei der Linie XXIA-XXIA in21 ; -
22 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kontaktlöcher in einer Isolationsschicht der zweiten Ausführungsform gebildet sind; -
22A ist eine Schnittansicht bei der Linie XXIIA-XXIIA in22 ; -
23 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Chips festgedrückt und gebildet sind und dann die dielektrischen Filme und die Fest-Elektrolytschichten auf den Chips in der zweiten Ausführungsform gebildet sind; -
23A ist eine Schnittansicht bei der Linie XXIIIA-XXIIIA in23 ; -
24 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin eine Abdeckharzschicht auf die Chips in der zweiten Ausführungsform angewendet wird; -
24A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXIVA-XXIVA in24 ; -
25 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kathodenelektroden und eine Anodenelektrode in der zweiten Ausführungsform gebildet sind; -
25A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXVA-XXVA in25 ; -
26 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung entsprechend der zweiten Ausführungsform zeigt; -
26A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXVIA-XXVIA in26 ; -
27 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Mutterplatte zeigt, welche in einer dritten Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung benutzt wird; -
27A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XXVIIA-XXVIIA in27 ; -
27B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XXVIIB-XXVIIB in27 ; -
28 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Chips festgedrückt und gebildet in einer dritten Ausführungsform sind; -
28A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXVIIIA-XXVIIIA in28 ; -
29 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die dielektrischen Filme und die Fest-Elektrolytschichten auf den Chips in der dritten Ausführungsform gebildet sind; -
29A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXIXA-XXIXA in29 ; -
30 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kathodenelektroden und eine Anodenelektrode in der dritten Ausführungsform gebildet sind; -
30A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXA-XXXA in30 ; -
31 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung entsprechend der dritten Ausführungsform zeigt; -
31A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXIA-XXXIA in31 ; -
32 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Mutterplatte zeigt, welche in einer vierten Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung benutzt wird; -
32A ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XXXIIA-XXXIIA in32 ; -
32B ist eine vergrößerte Schnittansicht bei einer Linie XXXIIB-XXXIIB in32 ; -
33 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Chips in der vierten Ausführungsform fest gedrückt und gebildet sind; -
33A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXIIIA-XXXIIIA in33 ; -
34 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die dielektrischen Schichten und die Fest-Elektrolytschichten auf den jeweiligen Chips in der vierten Ausführungsform gebildet sind; -
34A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXIVA-XXXIVA in34 ; -
35 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, worin die Kathodenelektroden und eine Anodenelektrode in der vierten Ausführungsform gebildet sind; -
35A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXVA-XXXVA in35 ; -
36 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung entsprechend der vierten Ausführungsform zeigt; -
36A ist eine Schnittansicht bei einer Linie XXXVIA-XXXVIA in36 ; -
37 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung entsprechend der vierten Ausführungsform; -
38 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittansicht, die eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung eines modifizierten Beispiels der vierten Ausführungsform zeigt; -
38A ist eine Schnittansicht der Linie XXXVIIIA-XXXVIIIA in38 ; -
39 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung von38 ; -
40 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine feste Fest-Elektrolytkondesatoranordnung von einem weiteren modifizierten Beispiel der vierten Ausführungsform zeigt; -
40A ist eine Abschnittsansicht einer Linie XXXXA-XXXXA in40 ; -
41 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der festen Fest-Elektrolytkondensatoranordnung in40 ; -
42 ist eine vergrößerte longitudinale Schnittvorderansicht, die eine feste Fest-Elektrolytkondensatoranordnung entsprechend eines noch weiteren modifizierten Beispiels der vierten Ausführungsform zeigt; -
42A ist eine Schnittansicht einer Linie XXXXIIA-XXXXIIA in42 ; und -
43 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung von42 . - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- In einer ersten Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung, die in
3 bis18 gezeigt wird, wird durch Benutzen einer Mutterplatten, die aus Silicium hergestellt ist, eine Tantal-Fest-Elektrolytkondensatoranordnung30 , die in17 bis18 gezeigt wird, hergestellt. - In der ersten Ausführungsform wird, wie in
3 gezeigt, eine Mutterplatte11 , welche so verarbeitet ist, dass sie elektrische Leitfähigkeit zumindest in Richtung der Dicke hat, und aus Silicium hergestellt ist, hergestellt. Die Mutterplatte11 hat eine Größe, welche eine Vielzahl von Substraten12 beinhaltet, wovon jedes eine rechtwinklige Form hat, die eine Breite W und eine Länge S hat, d.h., die Mutterplatte11 hat ein Gebiet, das zum Ausschneiden der Vielzahl an Substraten12 geeignet ist. Wie später beschrieben, liefert die Mutterplatte11 die Vielzahl an Substraten, wenn die Mutterplatte11 in einem letzten Arbeitsschritt entlang einer longitudinalen Schnittlinie13 und einer lateralen Schnittlinie14 ausgeschnitten ist. - Als nächstes, wie in
4 gezeigt, wird ein Isolationsfilm15 , wie Siliciumoxid oder Siliciumnitrid, durch thermische Oxidation, PV-Sputtern, Plasma-CVD oder dergleichen gebildet. - Dann werden, wie in
5 ,5A und5B gezeigt, eine Vielzahl von (zwei in dieser Ausführungsform gezeigt) Kontaktlöchern16 auf dem Isolationsfilm15 an Positionen, die mit jedem der Substrate12 korrespondieren, durch eine bekannte Photolithographietechnik gebildet. - In der Photolithographietechnik wird ein Photowiderstandsfilm (nicht gezeigt) zuerst auf einer oberen Oberfläche des Isolationsfilms
15 gebildet. Eine Photomaske (nicht gezeigt), welche mit Fenstern ausgestattet ist, die dieselben Formen wie die Kontaktlöcher16 haben, wird auf den Photowiderstandsfilm gelegt. Nach Freilegen des Photowiderstandsfilms, der so maskiert ist, wird der Photowiderstandsfilm entwickelt, wodurch die Anteile, die mit den Fenstern des Photowiderstandsfilms korrespondieren, entfernt werden. In solch einem Zustand werden durch Ätzen des Isolationsfilms15 die Anteile des Isolationsfilms15 , die mit den Fenstern des Photowiderstandsfilms korrespondieren, gelöst und durch eine Ätzflüssigkeit entfernt und demzufolge werden die Kontaktlöcher gebildet. - Dann werden, wie in
6 und6A gezeigt, dünne Filme17 , wie aus Tantalsilicid, auf Anteile innerhalb der Kontaktlöcher16 auf dem Substrat12 der Mutterplatte11 durch Besprühen usw. gebildet. - Als nächstes werden, wie in
7 und7A gezeigt, als Kontaktschichten die metallischen Kontaktschichten18 auf dem jeweiligen Dünnfilm17 aus Tantal durch Besprühen usw. gebildet. - Dann wird, wie in
8 ,8A und8B gezeigt, eine bildende Rahmenschicht19 auf der Oberseite der Mutterplatte11 als ein Ganzes mit einer relativ großen Dicke durch synthetisches Harz usw. gebildet. - Als nächstes werden, wie in
9 ,9A ,9B gezeigt, Bildungszwischenräume20 auf der bildenden Rahmenschicht19 an Teilen gebildet, wovon jeder mit jedem Kontaktloch16 auf dem Substrat12 korrespondiert, durch eine Photolithographietechnik gebildet. Zusätzlich kann anstelle der Arbeitsschritte, die in8 bis8B gezeigt werden, eine bildende Rahmenschicht19 , auf welcher die Bildungsabstände20 gebildet sind, im voraus auf die Mutterplatte11 angehaftet werden. - Weiterhin werden, wie in
10 ,10A und10B gezeigt, ein geeigneter Betrag an Tantalpulver, in welchem Bindemittel im voraus vermischt werden, in die jeweiligen Bildungsabstände20 der bildenden Rahmenschicht19 gefüllt und durch Festdrücken des Tantalpulvers werden die porösen Chips21 gebildet. Danach wird ein Entbindungsprozess zum Entfernen der Bindemittel durch Erhitzen oder dergleichen durchgeführt. - Als nächstes, wie in den
11 ,11A und11B gezeigt, werden durch Entfernen der bildenden Rahmenschicht19 durch eine geeignete Einrichtung, wie Ätzen oder dergleichen, eine Vielzahl an porösen Chips21 auf jeden der Substrate12 , die auf der Mutterplatte11 eingeschlossen sind, gebildet. Zusätzlich kann der oben beschriebene Entbindungsprozess nach einem Schritt zum Entfernen der bildenden Rahmenschicht19 durchgeführt werden. - Dann wird die Mutterplatte
11 mit verbundenen Anteilen, die auf der Mutterplatte11 gebildet sind, in einem Vakuumerwärmungsofen (nicht gezeigt) gelegt und auf eine Sintertemperatur des Tantals in Vakuum erwärmt. Als ein Ergebnis wird das Tantalpulver, das in den jeweiligen Chips21 enthalten ist, gesintert und zur gleichen Zeit werden die Chips21 auf die metallischen Kontaktschichten18 , die aus Tantal hergestellt sind, schmelzangehaftet und deshalb sind die jeweiligen Chips21 mit den jeweiligen Substraten12 der Mutterplatte11 elektrisch verbunden. - In diesem Sinterschritt durchlaufen die Dünnfilme
17 , welche aus Tantalsilicid hergestellt sind und als Unterlagenschichten für die metallischen Kontaktschichten18 , die aus Tantal hergestellt sind, funktionieren, Aktionen und Funktionen wie folgt: wenn es keine Ausstattung mit Dünnfilmen17 aus Tantalsilicid gibt, wird aufgrund der Erwärmung in dem Sinterschritt das Tantal innerhalb der metallischen Kontaktschichten18 in die Siliciummutterplatte11 unnormal verringert und deshalb wird eine Verbindung, eine Paarung oder haftende Festigkeit von jedem der Chips21 , die aus Tantalpulver hergestellt sind, an der Siliziummutterplatte11 wesentlich verringert. Im Gegensatz dazu wird durch Einsetzen der Dünnfilme17 aus Tantalsilizid die Diffusion des Tantals von den metallischen Kontaktschichten18 in die Mutterplatte11 verhindert und deshalb ist es möglich, die Zuverlässigkeit und Stabilität der Verbindungen zwischen den Chips21 und der Mutterplatte11 sicherzustellen. - Als nächstes wird die Mutterplatte
11 mit den verbundenen Anteilen, die darauf gebildet sind, in eine chemische Konversionsflüssigkeit (nicht gezeigt), wie eine wässrige Lösung aus phosphorischer Säure, getaucht und in einem solchen Zustand wird die Anodenoxidation oder die Eloxierung durch Anwenden eines Gleichstromes zwischen der Mutterplatte11 und der chemischen Konversionsflüssigkeit durchgeführt, so dass die dielektrischen Filme22 aus Ditantalpentaoxid auf den Oberflächen des Tantalpulvers oder der Partikel in den jeweiligen Chips21 , die auf den Substraten12 gebildet sind, und den Oberflächen der freigelegten Anteile dieser Dünnfilme17 und der metallischen Kontaktschichten18 gebildet. - Als nächstes werden durch Wiederholung einer Vielzahl an Malen von sowohl einem Schritt, worin die jeweiligen Chips
21 , die auf dem Substrat12 in der Motorplatte11 gebildet sind, in eine wässrige Lösung aus Mangannitrat (nicht gezeigt) getaucht werden, um so die wässrige Lösung aus Mangannitrat in ein Inneres von jedem der jeweiligen Chips21 zu durchdringen, als auch aus einem Schritt, worin die jeweiligen Chips21 aus der wässrigen Lösung aus Mangannitrat herausgezogen werden und die jeweiligen Chips21 , wie in13 und13A gezeigt, mit den Kondensatorelementen24 , in welchen die Fest-Elektrolytschichten23 , die aus Mangandioxid hergestellt sind, auf den Oberflächen der dielektrischen Filme22 aus Ditantalpentaoxid gebildet sind, können erhalten werden. - Zusätzlich ist es möglich, die oben beschriebenen Fest-Elektrolytschichten
23 durch Verändern derselbigen zu leitenden Polyelektrolyten, die z.B. in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 60-37114, der japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 1-253226 usw. offenbart sind, durch chemische Polymerisation, elektrolytische Oxidationspolymerisation, Gasphasenpolymerisation usw. zu bilden. - Als nächstes wird, nachdem eine Abdeckgraphitschicht (nicht gezeigt) auf den gesamten Oberflächen der jeweiligen Kondensatorelemente
24 , wie in14 ,14A und14B gezeigt, gebildet wird, eine Abdeckharzschicht25 , die aus synthetischem Harz, wie Polyimidharz, Epoxidharz usw. besteht, auf der oberen Oberfläche der Mutterplatte11 als ein Ganzes in einer solchen Weise gebildet, dass die gesamten Oberflächen der Kondensatorelemente24 durch die Abdeckharzschicht25 abgedeckt werden können. - Dann werden, wie in
15 ,15A und15B gezeigt, die Fenster26 auf der Abdeckharzschicht25 durch eine Photolithographietechnik z.B. auf Teilen, die mit den oberen Oberflächen der jeweiligen Kondensatorelemente24 korrespondieren, gebildet. - Als nächstes werden, wie in
16 und16A gezeigt, die Kathodenelektroden27 , wovon jede aus einer Unterschicht aus Nickel und einer oberen Schicht aus Lötzinn besteht, auf der Abdeckharzschicht25 an Teilen der Fenster, die mit den oberen Oberflächen der jeweiligen Kondensatorelemente24 korrespondieren, durch Besprühen z.B. gebildet. Die Kathodenelektroden27 sind mit den Fest-Elektrolytschichten23 der Kondensatorelement424 über die Graphitschichten elektrisch verbunden. - Auf der anderen Seite ist, wie in
16 und16A gezeigt, eine Anodenelektrode28 , die aus einer Unterschicht aus Nickel und einer oberen Schicht aus Lötzinn besteht, auf einer unteren Oberfläche der Mutterplatte11 durch Besprühen z.B. gebildet. - Zuletzt werden, wie es ähnlich in den
16 und16A gezeigt wird, durch Schneiden der Mutterplatte11 und der Abdeckharzschicht25 mit einem Schneider29 , der mit Hochgeschwindigkeit entlang der Schneidelinien13 und14 rotiert, die jeweiligen Substrate12 aus der Mutterplatte11 herausgeschnitten. - Demzufolge können eine Vielzahl von Tantal-Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen
30 , wovon jede eine Struktur hat, die in17 ,17A und17B gezeigt wird, gleichzeitig aus einer einzelnen Mutterplatte11 erhalten werden. - Die Tantal-Fest-Elektrolytkondensatoranordnung
30 ist eine Chipeinheit, die eine Größe mit einer Breite W, einer Länge S und einer Höhe H hat und ist mit den einzelnen Anodenelektroden28 an einer unteren Seite der Chipeinheit und einer Vielzahl von (zwei in dieser Ausführungsform) Kathodenelektroden27 , die auf einer oberen Seite der Chipeinheit gebildet sind, ausgestattet. In einer äquivalenten Schaltung aus der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung30 aus Tantal ist, wie in18 gezeigt, das Kondensatorelement24 durch den Chip21 zwischen der Einzelanodenelektrode28 und jedem der aus der Vielzahl der (zwei) Kathodenelektroden27 verbunden. - Die fest-elektrolytische Kondensatoranordnung
30 aus Tantal beinhaltet das Substrat12 , und eine Vielzahl an (zwei in dieser Ausführungsform) Chips, die auf dem Substrat12 parallel zueinander angeordnet sind und wovon jeder aus einer gesinterten Einheit aus Tantalpulver besteht und den Fest-Elektrolytschichten23 , wovon jede so gebildet ist, dass sie elektrisch von dem Tantalpulver von jedem der Chips21 durch die dielektrische Schicht22 isoliert ist. - Die fest-elektrolytische Kondensatoranordnung
30 aus Tantal beinhaltet weiterhin die Abdeckharzschicht25 , welche gleichzeitig die jeweiligen Chips21 mit Ausnahme eines zentralen Anteiles auf einer oberen Oberfläche der Fest-Elektrolytschicht23 von jedem der Chips21 abdeckt, eine Vielzahl von Kathodenelektroden27 , welche so gebildet sind, dass sie elektrisch mit den freiliegenden Anteilen der festen Elektrolytschichten23 der jeweiligen Chips21 elektrisch verbunden sind und die einzelnen Anodenelektrode28 , welche auf der unteren Oberfläche des Substrates12 gebildet ist. - Weiterhin ist das Tantalpulver von jedem der Chips
21 mit der einzelnen Anodenelektrode28 über den Dünnfilm17 aus Tantalsilizid, der metallischen Kontakt schicht18 und dem Substrat12 verbunden. Auf der anderen Seite wird die elektrische Isolation zwischen der Anodenelektrode und den Kathodenelektroden in der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung30 aus Tantal durch den Isolationsfilm15 sichergestellt, welcher auf der oberen Oberfläche des Substrates12 gebildet ist. - Die erste Ausführungsform kann, wie in
19 ,19A und20 gezeigt, modifiziert werden. Insbesondere, wie in19 und19A gezeigt, ist es durch Verändern der Kathodenelektroden, welche auf den freigelegten Anteilen der Fest-Elektrolytschichten23 der jeweiligen Kondensatorelemente24 in einer einzelnen gemeinsamen Kathodenelektrode27' , welche gleichzeitig elektrisch mit den jeweiligen Kondensatorelementen24 verbunden ist, gebildet sind, als eine äquivalente Schaltung, die in20 gezeigt wird, möglich, für eine Tantal-Fest-Elektrolytkondensatoranordnung30 , in welcher eine Vielzahl an Kondensatorelementen24 zwischen der einzelnen Anodenelektrode28 und der einzelnen Kathodenelektrode27' parallel zueinander angeordnet sind. - Als nächstes zeigen die
21 bis26A eine zweite Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung. In der zweiten Ausführungsform können durch Benutzen einer Mutterplatte, die aus Tantal besteht, eine fest-elektrolytische Kondensatoranordnung30a aus Tantal (26 und26A ), welche mit einer Vielzahl von Kondensatorelementen ausgestattet ist, hergestellt werden. - In der zweiten Ausführungsform, wie in
21 und21 A gezeigt, wird eine Tantalmutterplatte11a , die eine Größe hat, welche gleich einer Vielzahl von Substrat12a ist, zuerst hergestellt und auf der Mutterplatte11a wird ein Isolationsfilm15a , wie ein Oxidfilm oder ein Nitritfilm durch thermische Oxidationsprozesse PV Besprühung, Plasma CVD usw. gebildet. - Als nächstes werden, wie in
22 und22A gezeigt, eine Vielzahl von (2) in dieser Ausführungsform Kontaktlöchern16a in dem Isolationsfilm15a an Teilen gebildet, wovon jeder mit jedem der Substrat12a korrespondiert, z.B. durch eine Fotolithographietechnik, wodurch eine Kontaktoberfläche16a , welche ein Teil ei ner Oberfläche der Mutterplatte11a ist, innerhalb jeden Kontaktlochs16a freigelegt wird. - Dann wird, wie in
23 und23A gezeigt, ähnlich zu einem Fall der ersten Ausführungsform innerhalb jeden Kontaktloches16a das Tantalpulver festgestampft und in einen Chip21a geformt und dann ein Entbindungsprozess durchgeführt und danach wird die Mutterplatte11a in einen Vakuumerwärmungsofen (nicht gezeigt) gelegt, so dass die Mutterplatte11a und die verbundenen Elemente durch eine Sintertemperatur des Tantal erwärmt werden. Demzufolge wird wie jeder Chip21a , der aus dem Tantalpulver besteht, gesintert und mit der Kontaktoberfläche18a Schmelz angehaftet und deshalb ist jeder Chip21a mit der Mutterplatte11a verbunden oder gepaart. - Nachfolgend zu den oben beschriebenen Arbeitsschritten werden die Arbeitsschritte ähnlich zu denen des Falles der ersten Ausführungsform durchgeführt. In diesen Arbeitsschritten werden die Bildung der dielektrischen Filme
23a aus Ditantalpentaoxid auf den jeweiligen Chips21a , die Bildung der Fest-Elektrolytschichten23a aus Mangandioxid und die Bildung einer Abdeckungsgraphitschicht (nicht gezeigt) durchgeführt, wodurch die Chips21a zu Kondensatorelementen24a hergestellt werden. - Dann werden, wie in
24 und24a gezeigt, die Bildung einer Abdeckharzschicht25a und die Bildung von Fenstern26a in der Abdeckharzschicht25a durchgeführt. - Danach werden, wie in
25 und25A gezeigt, nach Bildung der Kathodenelektroden27a auf der oberen Oberfläche der Kondensatorelemente24a und der Bildung einer Anodenelektrode28a auf einer unteren Oberfläche der Mutterplatte11a die Mutterplatte11a und die Abdeckharzschicht25a entlang der jeweiligen Schneidelinien13a und14 mit einem Schneider29a herausgeschnitten, welcher bei einer hohen Geschwindigkeit rotiert. - Mit Durchführung der oben beschriebenen Arbeitsschritte können, wie in
26 und26A gezeigt, eine Vielzahl an Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen30a aus Tantal, wovon jede eine Struktur hat, die ähnlich zu der der ersten Ausführungsform ist, gleichzeitig aus einer einzigen Mutterplatte hergestellt werden. - Zusätzlich ist es in der zweiten Ausführungsform notwendig, da die Tantalmutterplatte
11a benutzt wird, welche verschieden zu der ersten Ausführungsform ist, die metallischen Kontaktschichten18 aus Tantal und die Dünnfilme aus Tantalsilizid aus Unterschichten zu bilden und es ist möglich, die Oberfläche selbst von der Mutterplatte11a als die Kontaktoberflächen18a zu benutzen. - Zusätzlich können in diesem Fall die Isolationsschichten
15 oder15a ähnlich zu der der ersten Ausführungsform oder der zweiten Ausführungsform auf der leitenden keramischen Mutterplatte gebildet werden. - Weiterhin kann in einer dritten Ausführungsform, die in
27 bis31A gezeigt wird, durch Benutzen einer Mutterplatte, die aus einem Material, wie Silizium, Tantal leitendem Keramik usw. besteht, die eine elektrische Leitfähigkeit von zumindest in Richtung der Dicke haben, eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung30b aus Tantal, welche mit einer Vielzahl von Kondensatorelementen ausgestattet ist, und welche eine größere Kapazität im Vergleich zu der ersten und der zweiten Ausführungsform hat, hergestellt werden. - Insbesondere wie in den
27 ,27A und27B gezeigt, werden, nachdem ein Isolationsfilm15b auf einer oberen Oberfläche der Mutterplatte11b gebildet wird, eine Vielzahl von (2) in dieser Ausführungsform Kontaktlöchern16b auf dem Isolationsfilm15b an jedem Teil, das mit den jeweiligen Substraten12b korrespondiert, gebildet. Weiterhin werden die Füllungsdurchgangslöcher32 auf der Mutterplatte11b an Positionen gebildet, die in den Kontaktlöchern16b von jedem der Substrate11b beinhaltet sind. - Als nächstes werden, wie in
28 und in28A gezeigt, nachdem ein Film33 auf einer unteren Oberfläche der Mutterplatte11b angehaftet wird, um so die Füllungsdurchgangslöcher32 abzudichten, die jeweiligen Chips21b in einer Weise, die ähnlich zu der Weise der ersten Ausführungsform ist, durch Feststampfen des Tantalpulvers auf der Mutterplatte11b gebildet. Durch Bilden der Chips21b wird das Tantalpulver in jedes der Füllungsdurchgangslöcher32 gefüllt. Der Film33 wird entfernt, nachdem die Chips21b gebildet sind. - Die Arbeitsschritte, die in nachfolgend zu den oben beschriebenen Arbeitsschritten durchgeführt werden, sind Arbeitsschritte, die ähnlich zu denen der oben beschriebenen ersten Ausführungsform oder der zweiten Ausführungsform sind. Wie in
29 und in29A gezeigt, beinhalten diese Arbeitsschritte einen Sinterschritt der jeweiligen Chips21b , einen Bildungsschritt, der die dielektrischen Filme22b für die jeweiligen Chips21b , einem Bildungsschritt der Fest-Elektrolytschichten23b und einen Schritt zum Bilden einer Abdeckgraphitschicht, wodurch die Kondensatorelemente24b vervollständigt werden. - Weiterhin werden, wie in
30 und30A gezeigt, nachdem ein Bildungsschritt von einer Abdeckharzschicht25b , ein Bildungsschritt der Kathodenelektroden27b und ein Bildungsschritt einer Anodenelektrode28b durchgeführt wurden, die Mutterplatte11b und die Abdeckharzschicht25b durch einen Schneider29b geschnitten, der mit einer Hochgeschwindigkeit entlang der jeweiligen Schnittlinien13b und14b rotiert. - Deshalb können aus der einzelnen Mutterplatte
11b eine Vielzahl an Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen30b aus Tantal, wovon jede die Struktur hat, die in31 und31A gezeigt wird, gleichzeitig hergestellt werden. - Entsprechend der 3. Ausführungsform, die oben beschrieben wird, ist es möglich, das Tantalpulver für jeden Chip
21b in jedes der Füllungsdurchgangslöcher32 , die auf dem Substrat21b gebildet sind, gefüllt werden, ein Volumen von jedem der Chips21b zu erhöhen und somit jede der Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen30b aus Tantal mit einer größeren Kapazität herstellen. Weiterhin gibt es einen zusätzlichen Vorteil darin, dass eine Paarung oder Bindungsfestigkeit zwischen jeden der Chips21b und des Substrates12b durch einen Teil von jedem der Chips, die in jeden der Füllungsdurchgangslöcher32 gefüllt sind, vergrößert werden kann. - In der dritten Ausführungsform können die Füllungsdurchgangslöcher
32 durch Füllungslöcher mit Boden oder Füllungsvertiefungsanteile ersetzt werden. Jedoch ist es möglich, wenn die Durchgangslöcher32 benutzt werden, die Anodenelektrode28b , die auf der unteren Oberfläche des Substrates12b gebildet ist, mit dem Tantalpulver des Chips21b direkt und sicher elektrisch zu verbinden. - Dann zeigen die
32 bis37 eine vierte Ausführungsform entsprechend der vorliegenden Erfindung, in welcher durch Benutzen einer Mutterplatte, die aus einem Isolationsmaterial, wie Keramik hergestellt ist, eine Vielzahl von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen30c aus Tantal, wovon jede eine große Kapazität hat, gleichzeitig hergestellt werden. - In der vierten Ausführungsform, wie in den
32 und der32A und der32B gezeigt, wird als erstes eine Mutterplatte11c , die aus einem isolierenden Keramikmaterial besteht, und eine Größe hat, die gleich einer Vielzahl von Substraten11c ist, hergestellt, und es werden Füllungsdurchgangslöcher32a auf der Mutterplatte11c an Positionen gebildet, die in jeder der Substrate12c beinhaltet sind. - Als nächstes werden, wie in den
33 und der33A gezeigt, nachdem ein Film33a auf einer unteren Oberfläche der Mutterplatte11c angehaftet wird, um die Füllungsdurchgangslöcher32a abzudichten, in einer Weise in der ersten Ausführungsform, die jeweiligen Chips21c durch Feststampfen des Tantalpulvers auf der Mutterplatte11c gebildet. Durch Bilden der Chips21c wird das Tantalpulver in jede der Füllungsdurchgangslöcher32a gefüllt. Der Film33e wird entfernt, nachdem die Chips21c gebildet werden. - Die Arbeitsschritte, die nachfolgend zu den oben beschriebenen Arbeitsschritten durchgeführt werden, sind Arbeitsschritte, die ähnlich zu den oben beschriebenen Ausführungsformen sind. Wie in
34 und34A gezeigt, beinhalten diese Arbeitsschritte einen Sinterschritt der jeweiligen Chips21c , einen Bildungsschritt der dielektrischen Filme23c für die jeweiligen Chips21b , einen Bildungsschritt der fest-elektrolytischen Schichten23c und einen Schritt zum Bilden einer Abdeckgraphitschicht, wodurch die Kondensatorelemente24c erhalten werden können. - Weiterhin, werden wie in
35 und35A gezeigt, nach einem Bildungsschritt einer Abdeckharzschicht25c , einen Bildungsschritt der Kathodenelektroden27c und einen Bildungsschritt einer Anodenelektrode28c , die Mutterplatte11c und die Abdeckharzschicht25c mit einem Schneider29c geschnitten, der bei Hochgeschwindigkeit entlang der jeweiligen Schnittlinie13c und14c rotiert. - Deshalb können von der einzelnen Mutterplatte
11c eine Vielzahl an Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen30c aus Tantal, wovon jede eine Struktur, die in36 ,36A und37 gezeigt wird, gleichzeitig hergestellt werden. In der oben beschriebenen vierten Ausführungsform kann ähnlich zu der dritten Ausführungsform, das Tantalpulver für jeden Chip21c innerhalb des Füllungsdurchganges32a , das auf dem Substrat12c gebildet ist, gefüllt wird, eine Kapazität der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung aus Tantal30c größer gemacht werden. - Zusätzlich ist es in einer vierten Ausführungsform möglich, dass das Substrat
12c aus dem Isolationsmaterial, wie Keramik, hergestellt ist, sogar wenn keine weitere Isolationsschicht auf dem Substrat12c gebildet ist, sicher die Anodenelektrode und die Kathodenelektrode des Kondensatorelementes24d elektrisch zu isolieren. Deshalb gibt es im Vergleich zu einem Fall, worin das Substrat12d aus einem leitenden Material hergestellt ist, darin ein Vorteil, dass es möglich ist, Kosten und Gewicht zu reduzieren. - In einer vierten Ausführungsform ist es möglich, da das Substrat
12c aus einem Isolationsmaterial, wie Keramik, hergestellt ist, die Fest- Elektrolytkondensatoranordnung30c aus Tantal zu variieren oder zu modifizieren, wie es im folgenden ausgeführt wird. - Insbesondere, wie in
38 und38A gezeigt, ist es durch Aufteilen der Anodenelektrode, die auf der unteren Oberfläche des Substrates12c gebildet ist, in zwei diskrete Anodenelektroden28c' für die jeweiligen Kondensatorelemente24c , wie in einer äquivalenten Schaltung von39 gezeigt, möglich, die Struktur zu erhalten, dass das Kondensatorelement24c zwischen jedem der zwei Anodenelektroden28c' und jedem der zwei Kathodenelektroden27c angeordnet ist. - Weiterhin, wie in
40 und40A gezeigt, ist es möglich, zusätzlich zu dem, dass die Anodenelektrode, die auf der unteren Oberfläche des Substrates12c gebildet ist, in zwei diskrete Anodenelektroden28c' für die Kondensatorelemente24c aufgeteilt wird, wenn die Kathodenelektroden, die auf den freigelegten Anteilen der Fest-Elektrolytschichten23c der Kondensatorelemente24c gebildet sind, als eine einzelne gemeinsame Kathodenelektrode27c' gebildet werden, welche gleichzeitig elektrisch leitend zu den Kondensatorelementen24c ist, wie es in einer äquivalenten Schaltung von41 gezeigt wird, eine Struktur zu erhalten, die eine Vielzahl von Kondensatorelementen24c zwischen den zwei Anodenelektroden28c' und der einzelnen Kathodenelektrode27c' und parallel zueinander angeordnet hat. - Weiterhin ist es möglich, wie in
42 und42A gezeigt wird, durch verändernde Kathodenelektroden, die auf den freigelegten Anteilen der Fest-Elektrolytschichten23c der Kondensatorelemente24c gebildet sind, in eine einzelne gemeinsame Kathodenelektrode27c' , welche gleichzeitig elektrisch mit den jeweiligen Kondensatorelementen24c elektrisch verbunden ist, wie es durch eine äquivalente Schaltung in43 gezeigt wird, eine Struktur zu erhalten, worin eine Vielzahl von Kondensatorelementen24c parallel zueinander zwischen der einzelnen Anodenelektrode28c und der einzelnen Kathodenelektrode27c' angeordnet sind. - Zusätzlich wurden in den oben beschriebenen Ausführungsformen, Beispielen der Fest-Elektrolytkondensatoranordnung, die zwei Kondensatorelemente hat, beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf begrenzt und kann auf einen Fall angewendet werden, worin eine Fest-Elektrolytkondensatoranordnung aus zwei oder mehreren Kondensatorelementen aufgebaut ist. Obwohl die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und dargestellt worden ist, ist es deutlich zu verstehen, dass dieselbige mit Hilfe von Darstellungen und Beispielen nur durchgeführt wurde und nicht einschränkend zu sehen ist, wobei der geisende Umfang der vorliegenden Erfindung nur durch die Begriffe der beigefügten Zeichnungen begrenzt wird.
Claims (16)
- Verfahren zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen (
30 ), mit folgenden Schritten: (a) Herstellen einer elektrisch leitfähigen Mutterplatte (11 ), die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten (12 ) herausgeschnitten werden kann, (b-1) Bilden einer Isolationsschicht (15 ), die eine Vielzahl von Kontaktlöchern (16 ) aufweist, auf der Oberseite des Gebiets, (b-2) Anordnen eines Rahmens (19 ), in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Kontaktlöchern (16 ) angeordnet ist, (b-3) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume, (b-4) Entfernen des Rahmens (19 ), (b-5) Bilden von Chips (21 ) durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers, (c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht (23 ) auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21 ) in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten (23 ) elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23 ) verschiedener Chips (21 ) unabhängig, voneinander sind, (d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht (25 ), welche die Vielzahl an Chips (21 ) in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte (26 ) der Fest-Elektrolytschichten (23 ) freigelegt sind, (e) Bilden von mindestens einer Kathodenelektrode (27 ) in der Abdeckkunstharzschicht (25 ), wobei die mindestens eine Kathodenelektrode (27 ) elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten (23 ) verbunden ist, (f) Bilden einer Anodenelektrode (28 ) auf der Unterseite jedes Substrats (12 ), (g) Ausschneiden der Vielzahl von Substraten (12 ) aus dem Gebiet der Mutterplatine (11 ) entlang von Schneidelinien (13 ,14 ). - Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, dass die Abdeckkunstharzschicht (
25 ) in einer solchen Weise gebildet wird, dass ein Teil der Oberseite und der Seitenflächen von jedem Chip (21 ) abgedeckt wird. - Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch Bilden von Kontaktschichten (
18 ) die in jedem der Kontaktlöcher (16 ) zwischen jedem Chip (21 ) und der Oberseite des Substrats (12 ) angeordnet werden und das Substrat (12 ) mit jedem der Chips (21 ) verbinden. - Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet dadurch, dass die Kontaktschichten (
18 ) metallische Kontaktschichten beinhalten und weiterhin Diffusionsverhinderungsschichten (17 ) gebildet werden, wovon jede zwischen dem Substrat (12 ) und jeder der metallischen Kontaktschichten angeordnet wird, um eine metallische Komponente der metallischen Kontaktschicht davon abzuhalten, in das Substrat (12 ) einzudiffundieren. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, worin der Schritt (a) einen Schritt (a-1) zum Herstellen einer Mutterplatte, auf welcher ein auffüllbarer Vertiefungsabschnitt an einer Position gebildet wird, die gleich mit jedem der Vielzahl von Substraten ist, beinhaltet und in dem Schritt (b-3) das metallische Pulver in den auffüllbaren Vertiefungsabschnitt und dem auffüllbaren Leerraum gefüllt wird.
- Verfahren nach Anspruch 5 worin der Schritt (a-1) einen Schritt (a-11) zum Herstellen einer Mutterplatte, in welcher ein Durchgangsloch an einer Position gebildet wird, die gleich mit jeder der Vielzahl von Substraten ist, beinhaltet und der Schritt (b-3) die Schritte (b-31) Abdichten eines unteren Anteiles des Durchgangsloches durch einen Film (
33 ), (b-32) Füllen des metallischen Pulvers in das Durchgangsloch und den auffüllbaren Leerraum, und (b-33) Entfernen des Films (33 ) beinhaltet und in dem Schritt (f) die Anodenelektrode (28 ) in einer Weise gebildet wird, dass die Anodenelektrode (28 ) direkt mit der Vielzahl der Chips (21 ) verbunden ist, welche an der Unterseite der Vielzahl von Durchgangslöchern freigelegt sind. - Fest-Elektrolytkondensanordnordnung (
30 ), insbesondere nach einem der Verfahren 1 bis 6 hergestellt, umfassend: ein Substrat (12 ), das eine Oberseite und eine Unterseite hat, wobei das Substrat (12 ) elektrisch leitfähig ist, eine Isolationsschicht (15 ), die eine Vielzahl von Kontaktlöchern (16 ) aufweist, die auf der Oberseite des Substrats (12 ) angeordnet sind, eine Vielzahl von Chips (21 ) mit festgelegtem Abstand, die durch Sintern von metallischem Pulver gebildet sind, wobei je ein Chip (21 ) an je einem Kontaktloch (16 ) angeordnet ist, eine Fest-Elektrolytschicht (23 ), die auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21 ) gebildet ist und elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert ist, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23 ) verschiedener Chips (21 ) unabhängig voneinander sind, eine Abdeckkunstharzschicht (25 ), welche die Vielzahl an Chips (21 ) in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten (23 ) freigelegt sind, mindestens eine Kathodenelektrode (27 ), die in der Abdeckkunstharzschicht (25 ) gebildet ist und die elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten (23 ) verbunden ist, und eine Anodenelektrode (28 ), die auf der Unterseite des Substrats (12 ) gebildet ist und elektrisch mit dem metallischen Pulver der Vielzahl von Chips (21 ) verbunden ist. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach Anspruch 7, gekennzeichnet dadurch, dass die Abdeckharzschicht (25 ) in einer solchen Weise gebildet ist, dass ein Teil der Oberseite und der Seitenflächen von jedem Chip (21 ) abgedeckt ist. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach Anspruch 7 oder 8, gekennzeichnet durch Kontaktschichten (18 ), die in jedem der Kontaktlöcher (16 ) zwischen der Oberseite des Substrats (12 ) und jedem Chip (21 ) angeordnet sind und das Substrat (12 ) mit jedem der Chips (21 ) verbindet. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach Anspruch 9, gekennzeichnet dadurch, dass die Kontaktschichten (18 ) metallische Kontaktschichten (18 ) beinhalten, wobei die Fest-Elektrolytkondensatoranordnung weiterhin Diffusionsverhinderungsschichten (17 ) umfasst, wovon jede zwischen dem Substrat (12 ) und jeder der metallischen Kontaktschichten (18 ) angeordnet ist und eine metallische Komponente der metallischen Kontaktschicht davon abhält, in das Substrat (10 ) einzudiffundieren. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach einem der Ansprüche 7 bis 10, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Vertiefungsabschnitten, die auf dem Substrat (12 ) ausgebildet sind, worin untere Abschnitte der Vielzahl von Chips (21 ) jeweils in die Vertiefungsabschnitte eingebettet werden. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach Anspruch 11, gekennzeichnet dadurch, dass jede der Vielzahl der Vertiefungsabschnitte ein Durchgangsloch beinhaltet, das von der Oberseite zu der Unterseite des Substrates (12 ) durchläuft, wodurch der untere Abschnitt von jedem der Vielzahl der Chips (21 ) an der Unterseite des Substrates (12 ) freigelegt wird, um direkt mit der Anodenelektrode (28 ) verbunden zu werden. - Verfahren zur Herstellung von Fest-Elektrolytkondensatoranordnungen (
30 ), mit folgenden Schritten: (a) Herstellen einer Mutterplatte (11 ) aus einem isolierenden Material, die ein Gebiet hat, aus welchem eine Vielzahl an Substraten (12 ), die eine Oberseite und Unterseite haben, herausgeschnitten werden kann, (b-1) Bilden einer Vielzahl von Füllungsdurchgangslöchern (32 ), die von der Oberseite zur Unterseite der Substrate (12 ) verlaufen, (b-2) Bilden eines Films (33 ) auf der Unterseite der Mutterplatte (11 ), um die Füllungsdurchgangslöcher (32 ) abzudichten, (b-3) Anordnen eines Rahmens (19 ), in welchem eine Vielzahl von auffüllbaren Leerräumen jeweils über den Füllungsdurchgangslöchern (32 ) angeordnet ist, (b-4) Füllen eines metallischen Pulvers in jeden der Vielzahl der auffüllbaren Leerräume, (b-5) Entfernen des Rahmens (19 ), (b-6) Bilden von Chips (21 ) durch Sintern des aufgefüllten metallischen Pulvers, (c) Bilden einer Fest-Elektrolytschicht (23 ) auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21 ) in einer Weise, dass die Fest-Elektrolytschichten (23 ) elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert sind, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23 ) verschiedener Chips (21 ) unabhängig voneinander sind, (d) Bilden einer Abdeckkunstharzschicht (25 ), welche die Vielzahl an Chips (21 ) in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte (26 ) der Fest-Elektrolytschichten (23 ) freigelegt sind, (e) Bilden von mindestens einer Kathodenelektrode (27 ) in der Abdeckkunstharzschicht (25 ), wobei die mindestens eine Katodenelektrode (27 ) elektrisch mit den freigelegten Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten (23 ) verbunden ist, (f) Entfernen des Films (33 ) auf der Unterseite der Mutterplatte (11 ), um die unteren Abschnitte des metallischen Pulvers der Chips (21 ). an der Unterseite der Substrate (12 ) freizulegen, (g) Bilden von mindestens einer Anodenelektrode (28 ) auf der Unterseite eines Substrates (12 ), wobei die mindestens eine Anodenelektrode (28 ) elektrisch mit den freigelegten unteren Abschnitten des metallischen Pulvers der Chips (21 ) verbunden ist. (h) Ausschneiden der Vielzahl von Substraten (12 ) aus dem Gebiet der Mutterplatine (11 ) entlang der Schneidelinien (13 ,14 ) - Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet dadurch, dass die Abdeckkunstharzschicht (
25 ) in einer solchen Weise gebildet wird, dass ein Teil der Oberseite und der Seitenflächen von jedem Chip (21 ) abgedeckt wird. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) insbesondere nach einem Verfahren gemäß Anspruch 13 oder 14 hergestellt, umfassend: ein Substrat (12 ), das eine Oberseite und eine Unterseite hat, wobei das Substrat (12 ) aus isolierendem Material ist und eine Vielzahl von Durchgangslöchern aufweist, die von der Oberseite zur Unterseite des Substrats (12 ) verlaufen, eine Vielzahl von Chips (21 ), die an der Oberseite des Substrats (12 ) mit einem festgelegten Abstand angeordnet sind, wobei die Chips (21 ) durch Sintern von metallischem Pulver gebildet sind und wobei je ein Chip (21 ) an je einem Durchgangsloch so angeordnet ist, dass der untere Abschnitt des metallischen Pulvers eines Chips (21 ) an der Unterseite des Substrats (12 ) freigelegt ist, eine Fest-Elektrolytschicht (23 ), die auf den Seitenflächen und der Oberseite jedes Chips (21 ) gebildet ist und elektrisch von dem metallischen Pulver isoliert ist, wobei die Fest-Elektrolytschichten (23 ) verschiedener Chips (21 ) unabhängig voneinander sind, eine Abdeckkunstharzschicht (25 ), welche die Vielzahl an Chips (21 ) in einer Weise abdeckt, dass bestimmte Abschnitte der Fest-Elektrolytschichten (23 ) freigelegt sind, mindestens eine Kathodenelektrode (27 ), die in der Abdeckkunstharzschicht (25 ) gebildet ist und die elektrisch mit den freiliegenden Abschnitten der Fest-Elektrolytschichten (23 ) verbunden ist, und mindestens eine Anodenelektrode (28 ), die auf der Unterseite des Substrates (12 ) gebildet ist und elektrisch mit den freigelegten unteren Abschnitten des metallischen Pulvers der Vielzahl von Chips (21 ) verbunden ist. - Fest-Elektrolytkondensatoranordnung (
30 ) nach Anspruch 15, gekennzeichnet dadurch, dass die Abdeckharzschicht (25 ) in einer solchen Weise gebildet ist, dass ein Teil der Oberseite und der Seitenflächen von jedem Chip (21 ) abgedeckt sind.
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