DE19710248A1 - Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Herstellungsverfahren dafür

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Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige (LCD) mit einem Dünnschichttransistor (TFT) und den Aufbau der Flüssigkristallanzeige. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren eines Dünnschichttransistors mit einer zweifach anodisierten Gate-Elektrode.
Flüssigkristallanzeigen werden in Kleinstanzeigevorrichtungen, wie Kleinstfernsehgeräte und Anzeigevorrichtungen für batteriegetriebene Notebook-Computer, verwendet, da sie weniger elektrische Leistung als andere Anzeigen benötigen. LCD-Farbanzeigen werden von einer Kombination eines Flüssigkristallpaneels mit einem Farbfilter gebildet. In letzter Zeit haben sich die Entwicklungsbemühungen auf Farbanzeigen konzentriert, was dazu geführt hat, daß viele Farb-LCDs auf den Markt gekommen sind. Ein Steuerungsverfahren mit aktiver Matrix ist das am weitesten verbreitete Verfahren zum Steuern einer Flüssigkristallanzeige. Derart angesteuerte Anzeigen sind als Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix bekannt (AMLCD) und weisen Dünnschichttransistoren als Schaltelemente für jedes Pixel-Element der Anzeige auf. Es wird erwartet, daß Flüssigkristallanzeigen mit aktiver Matrix bald Kathodenstrahlröhren bei vielen Video-Anwendungen ersetzen werden.
Aus Fig. 1 ist eine Draufsicht auf ein Dünnschichttransistor-Schaltelemente aufweisendes Substrat für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix ersichtlich.
Die Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix weist eine Mehrzahl von Gate-Busleitungen 13 und Source-Busleitungen 11 auf, die horizontal bzw. vertikal verlaufen. Eine von der Gate-Busleitung 13 abstehende Gate-Elektrode 3 ist in der Nähe einer jeden Kreuzung der Source-Busleitung 11 mit der Gate-Busleitung 13 ausgebildet. Ferner überdeckt eine von der Source-Busleitung 11 abstehende Source-Elektrode 1 einen Seitenbereich der Gate-Elektrode 3, während eine Drain-Elektrode 17 eine gegenüberliegende Seite der Gate-Elektrode 3 überdeckt. Damit ist ein Dünnschichttransistor 15 mit einer Gate-Elektrode 3, einer Source-Elektrode 1 und einer Drain-Elektrode 17 an jeder Überkreuzung der Gate-Busleitung 13 mit der Source-Busleitung 11 ausgebildet. Die von den sich gegenseitig überkreuzenden Source-Busleitungen 11 und Gate-Busleitungen 13 gebildeten rechteckigen Flächen werden als Pixel (Bildpunkte) der Flüssigkristallanzeige bezeichnet. In dem Pixel-Bereich ist eine Pixel-Elektrode 19 mit der Drain-Elektrode 17 elektrisch leitend verbunden.
Aus Fig. 2 ist ein Schnitt eines Dünnschichttransistors 15 und einer Pixel-Elektrode entlang der Linie II-II aus Fig. 1 ersichtlich. Wie oben dargestellt, weist der Dünnschichttransistor eine auf einem transparenten Glassubstrat 21 ausgebildete Gate-Elektrode 3 auf. Auf der Oberfläche der Gate-Elektrode 3 ist eine Anodisierungsschicht 33 ausgebildet, um die Wirkung der Gate-Elektrode 3 zu verbessern. Auf der Gate-Elektrode 3 ist eine Gate-Isolierungsschicht 23 gefolgt von einer Halbleiterschicht 25 aus a: Si gebildet. Eine extrinsische Halbleiterschicht 8 aus n+ a: Si ist auf ausgewählten Bereichen der Halbleiterschicht 25 ausgebildet. Eine Source-Elektrode 1 steht in Verbindung mit der extrinsischen Halbleiterschicht 8, und eine Drain-Elektrode 17 steht sowohl mit der extrinsischen Halbleiterschicht S als auch mit der Pixel-Elektrode 19 in Verbindung.
Aus Fig. 3 ist ein Schnitt einer Speicherkondensatorelektrode einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix entlang der Linie III-III aus Fig. 1 und aus Fig. 4 ist ein Schnitt entlang der Linie V-V aus Fig. 1 ersichtlich, womit der Aufbau der Speicherkondensatorelektrode genauer veranschaulicht wird.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, wird die Speicherkondensatorelektrode 13′ von dem Bereich der Gate-Busleitung 13 gebildet, der von der Pixel-Elektrode 19 überdeckt wird. Wie aus Fig. 4 ersichtlich, stellen die sich gegenseitig überdeckenden Bereiche der Pixel-Elektrode 19 und der Gate-Busleitung 13 jeweils Elektroden des Speicherkondensators mit Kapazität Cs dar. Der Speicherkondensator ist vorgesehen, um ein korrektes Aufladen der Pixel-Elektrode zu gewährleisten.
Insbesondere bleiben, wenn der Dünnschichttransistor 15 ausgeschaltet ist, die Source-Elektrode 1 und die Drain-Elektrode 17 nicht vollständig voneinander isoliert, da das Material in dem Bereich zwischen ihnen als Widerstand mit relativ hohem Widerstandswert wirkt. Dementsprechend entweicht auf der Pixel-Elektrode 19 gespeicherte Ladung mit einer charakteristischen Zeitkonstante proportional zum Produkt des Widerstands zwischen Source-Elektrode und Drain-Elektrode und der zum Pixel gehörigen Kapazität durch den Dünnschichttransistor 15 hindurch, wenn der Dünnschichttransistor 15 ausgeschaltet ist.
Deshalb ist es erforderlich, häufig elektrische Ladung auf die Pixel-Elektrode 19 nachzuführen, um diese auf zufrischen. Wenn dieses Auffrischen jedoch zu oft erfolgt, ist die Qualität der Flüssigkristallanzeige verschlechtert. Dementsprechend ist ihre Qualität verbessert, falls die Flüssigkristallanzeige relativ selten aufgefrischt wird. Durch Vorsehen der Speicherkondensatorelektrode kann die Pixel-Elektrode 19 ohne häufiges Auffrischen mit elektrischer Ladung versorgt werden, um somit die entwichene Ladung auszugleichen.
Ein Herstellungsverfahren für eine herkömmliche Flüssigkristallanzeige mit Dünnschichttransistor und Speicherkondensatorelektrode wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Fig. 5A bis 5F beschrieben, aus denen Schnitte entsprechend Fig. 2 und Fig. 3 zu verschiedenen Stadien des Herstellungsverfahrens ersichtlich sind.
Wie aus Fig. 5A ersichtlich, wird eine Al-Schicht auf die gesamte Oberfläche des Glassubstrates 21 aufgebracht und so strukturiert, daß eine Gate-Busleitung 13 und eine von der Gate-Busleitung 13 abstehende Gate-Elektrode 3 sowie eine Anschlußfläche 30 (nicht gezeigt) der Gate-Busleitung 13 gebildet werden. Die Oberfläche der Al-Schicht kann jedoch Defekte wie Vorsprünge aufweisen. Somit wird auf der gesamten strukturierten Al-Schicht mit Ausnahme der Anschlußfläche 30 der Gate-Busleitung 13 eine Anodisierungsschicht 33 gebildet. Eine Gate-Isolierungsschicht 23, eine a: Si-Halbleiterschicht 25 und eine extrinsische Halbleiterschicht 8 werden dann nacheinander aufgebracht, wie aus Fig. 5C ersichtlich. Als Nächstes werden die Halbleiterschicht 25 und die extrinsische Halbleiterschicht 8 strukturiert (Fig. 5D) gefolgt von der Bildung einer Source-Elektrode 1 und einer Drain-Elektrode 17, die voneinander getrennt sind, und einem Ätzen der extrinsischen Halbleiterschicht, wodurch das herkömmliche Dünnschichttransistorschaltelement fertiggestellt wird (Fig. 5E). Eine ITO-Schicht (Indiumzinnoxid-Schicht) wird dann durch ein Sputter-Verfahren auf die gesamte Oberfläche des Substrates aufgebracht, und eine Pixel-Elektrode 19 wird durch Strukturieren der ITO-Schicht ausgebildet (Fig. 5F).
Bei dem herkömmlichen Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Dünnschichttransistoren können jedoch Defekte, wie feine Löcher und Überätzungen in der Metallschicht der Gate-Busleitung während des Anodisierens aufgrund der Entwicklerlösung für den Photolack auftreten. Das heißt, daß die Anschlußfläche 30 der Gate-Busleitung mit einer Maske 50 aus einem in einem Photolitographieverfahren strukturierten Photolack geschützt werden muß, wenn die Gate-Busleitung 13 anodisiert wird, damit auf der Anschlußfläche 30 der Gate-Busleitung keine Anodisierungsschicht gebildet wird, wie aus Fig. 6 ersichtlich. Es ist gut bekannt, daß bei solchen Verfahren eine Photolackschicht bestrahlt und anschließend mit Hilfe einer Entwicklerlösung entwickelt wird. Oft jedoch kann die Entwicklerlösung die Oberfläche der Gate-Busleitung 13 oder die Ränder der Maske 50 angreifen, die verhindert, daß die Anodisierungsschicht auch auf der Anschlußfläche 30 der Gate-Busleitung ausgebildet wird.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, die Bildung von Defekten in einer Metallschicht aufgrund Einwirken einer Entwicklerlösung für einen Photolack zu verhindern. Um diese Aufgabe zu lösen, weist das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix und Dünnschichttransistoren einen Schritt, in dem auf der gesamten Oberfläche eines Glassubstrats Metall aufgebracht wird; einen Schritt, in dem die Metallschicht gemäß einer vorbestimmten Struktur strukturiert wird; einen Schritt, in dem die strukturierte Metallschicht derart anodisiert wird, daß auf der Oberfläche der strukturierten Metallschicht eine dünne Anodisierungsschicht gebildet wird; und einen Schritt auf, in dem Teilbereiche der mit der ersten Anodisierungsschicht beschichteten Metallschicht ein zweites Mal anodisiert werden.
Eine erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Dünnschichttransistoren weist ein Glassubstrat, Gate-Busleitungen, Gate-Elektroden, Anschlußflächen der Gate-Busleitungen und Anschlußflächen der Source-Busleitungen auf dem Glassubstrat, eine erste Anodisierungsschicht auf den Gate-Busleitungen, den Gate-Elektroden, den Anschlußflächen der Gate-Busleitungen und den Anschlußflächen der Source-Busleitungen und eine zweite Anodisierungsschicht auf der ersten Anodisierungsschicht auf.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf einen Teilbereich einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix;
Fig. 2 ist ein Schnitt entlang der Linie II-II aus Fig. 1;
Fig. 3 ist ein Schnitt entlang der Linie III-III aus Fig. 1;
Fig. 4 ist ein Schnitt entlang der Linie IV-IV aus Fig. 1;
Fig. 5A bis 5F sind Schnitte entlang der Linie V-V aus Fig. 1 und zeigen verschiedene Stadien des Herstellungsverfahrens einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix;
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf die Gate-Busleitungen, die Gate-Elektroden, die Anschlußflächen der Gate-Busleitungen und die Schutzmaske bei einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix.
Fig. 7 ist eine Draufsicht auf einen Teilbereich einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix;
Fig. 8A bis 8F sind Schnitte entlang der Linie VII-VII aus Fig. 7, und zeigen das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix; und
Fig. 9 ist eine Draufsicht auf die erfindungsgemäßen Gate-Busleitungen, Gate-Elektroden, Anschlußflächen der Gate-Busleitungen und die Schutzmaske, und
Fig. 10 ist ein Schnitt entlang der Linie VIII-VIII aus Fig. 7.
Im folgenden wird genauer auf die in den Zeichnungen gezeigten Ausführungsformen der Erfindung eingegangen. Wo möglich, werden in allen Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen für gleiche oder ähnliche Teile verwendet.
Im folgenden wird ein Herstellungsverfahren für eine erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix unter Bezugnahme auf die Fig. 7 und 8A bis 8F beschrieben.
In Fig. 7 sind mit Fig. 1 gemeinsame Elemente mit Bezugszeichen gekennzeichnet, die um 100 größer sind. Wie aus Fig. 8A ersichtlich, wird zuerst eine Al-Schicht auf die gesamte Oberfläche des Glassubstrates 121 aufgebracht und dann derart strukturiert, daß eine Anschlußplatte 130 (nicht gezeigt) für eine Gate-Busleitung, eine Gate-Busleitung 113 und eine Gate-Elektrode 103 gebildet werden. Das bedeutet, daß die Anschlußplatte 130 für die Gate-Busleitung und die Gate-Busleitung 113 im gleichen Verfahrens schritt wie die Gate-Elektrode 103 gebildet werden. Die Gate-Elektrode 103 ist derart ausgebildet, daß sie von der Gate-Busleitung 113 absteht.
Eine erste Anodisierungsschicht 131, die bevorzugt eine Dicke von weniger als 200 Å aufweist, wird als Nächstes auf der strukturierten Al-Schicht ausgebildet. Somit wird die gesamte Oberfläche der Al-Schicht anodisiert, womit Defekte wie feine Löcher aufgrund der Entwicklerlösung für den Photolack entfernt werden. Wie aus Fig. 8B ersichtlich, wird dann eine zweite Anodisierungsschicht 132 mit einer Dicke von weniger als 1200 Å auf der gesamten ersten Anodisierungsschicht 131 mit Ausnahme der Anschlußfläche 130 der Gate-Busleitung und einer Speicher-Kondesator-Elektrode 113′ gebildet. Somit werden die Anschlußplatte für die Gate-Busleitung und die Speicherkondensatorelektrode 113′ nur einmal anodisiert.
In diesem Schritt wird, um zu verhindern, daß die zweite Anodisierungsschicht 132 auch auf der Anschlußfläche 130 der Gate-Busleitung und der Speicherkondensatorelektrode 113′ gebildet wird, auf diesen, wie aus Fig. 9 ersichtlich, eine Schutzmaske 150 ausgebildet. Damit wird ein Angriff des Photolackentferners auf die erste Anodisierungsschicht verhindert.
Das Anodisieren wird im Allgemeinen in einem Elektrolyt durchgeführt, was zu einer kompakten Aluminiumoxidschicht über der Aluminiumoberfläche führt. Die Dicke der Schicht hängt von der Wahl des Elektrolyts, der Anodisierungsspannung, der Temperatur und der Dauer ab. Durch Steuerung dieser Parameter lassen sich die gewünschten Dicken der ersten Anodisierungsschicht und der zweiten Anodisierungsschicht einstellen.
Es wird darauf hingewiesen, daß der Bereich der Speicherkondensatorelektrode 113′ der Gate-Busleitung 113 nicht in dem in der Zeichnung dargestellten Bereich ausgebildet sein muß, sondern sich in jedem Bereich der Gate-Busleitung 113 befinden kann.
Obwohl die Anschlußflächen der Gate-Busleitung und die Anschlußflächen der Source-Busleitung, die beide mit dem Antriebskreis der Flüssigkristallanzeige verbunden sind, anodisiert werden, ist die entstehende Anodisierungsschicht dünn und schlägt im Betrieb der Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix vorzugsweise bei 2 bis 5 V durch. Die zweite Anodisierungsschicht jedoch wird nicht auf den Anschlußflächen der Source-Busleitung und den Anschlußflächen der Gate-Busleitungen ausgebildet, da sie relativ dick ist und die Bildung einer guten elektrischen Verbindung mit dem zugehörigen Antriebskreis behindern kann.
Wie oben ausgeführt, ist es bevorzugt, daß die zweite Anodisierungsschicht auf der Speicherkondensatorelektrode 113′ nicht ausgebildet wird, da von der ersten Anodisierungsschicht auf der Speicherkondensatorelektrode 113′ kaum Vorsprünge und Unebenheiten gebildet werden. Ferner ist die Kapazität Cs des Kapazitätsspeicherelementes durch folgende Formel definiert:
Es ist bevorzugt, daß Cs relativ groß ist, was durch Verkleinern des Parameters d erreicht werden kann. Dementsprechend wird die zweite Anodisierungsschicht nicht auf der Elektrode 113′ ausgebildet, um die Dicke der Isolierungsschicht zu verringern, die sich gegenseitig überdeckende Bereiche der Pixel-Elektrode 19 und der Gate-Busleitung 13 voneinander abtrennt, so daß d so stark wie möglich verkleinert wird.
Eine Gate-Isolierungsschicht 123, eine a: Si-Halbleiterschicht 125 und eine extrinsische Halbleiterschicht 108 werden, wie aus Fig. 8C ersichtlich, nacheinander aufgebracht, und die Halbleiterschicht 125 und die extrinsische Halbleiterschicht 108 werden so strukturiert, daß sie aktive Flächen bilden, wie aus Fig. 8D ersichtlich.
Danach wird eine Metallschicht aufgebracht, und so strukturiert, daß eine Source-Elektrode 101 und eine Drain-Elektrode 117 gebildet werden, die voneinander abgetrennt sind. Dann wird, wie aus Fig. 8E ersichtlich, der unbedeckte Teil der extrinsischen Halbleiterschicht 108 in einem Ätzverfahren strukturiert, wodurch die Source-Elektrode 101 und die Drain-Elektrode 117, die voneinander getrennt sind, aufgrund der unter ihnen liegenden extrinsischen Halbleiterschicht mit der Kanalschicht in Verbindung stehen. Wie aus Fig. 8E ersichtlich, ist der Dünnschichttransistor somit fertiggestellt. Danach wird eine ITO-Schicht auf der gesamten Substratfläche unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens aufgebracht und derart strukturiert, daß eine Pixel-Elektrode 119 gebildet wird (siehe Fig. 8F).
Aus Fig. 10 ist ein Schnitt einer erfindungsgemäßen Speicherkondensatorelektrode ersichtlich.
Genauer beschrieben wird eine erste Anodisierungsschicht 130 auf der Gate-Busleitung 113 gebildet, und danach wird die zweite Anodisierungsschicht 132 auf der ersten Anodisierungsschicht 131 mit Ausnahme des Bereichs der Speicherkondensatorelektrode 113′, d. h. dem Bereich unterhalb der Pixel-Elektrode 119, gebildet. Dementsprechend ist der Abstand zwischen der Speicherkondensatorelektrode 113′ und der Pixel-Elektrode 119 verringert, und somit ist die Speicherkapazität Cs vergrößert.
Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix wird eine Al-Schicht auf ein Substrat aufgebracht und derart strukturiert, daß eine Gate-Busleitung, Anschlußflächen der Gate-Busleitung und Gate-Elektroden gebildet werden. Die Gate-Busleitungen, Anschlußflächen der Gate-Busleitungen und Gate-Elektroden aufweisende Al-Schicht wird dann anodisiert, so daß auf ihrer Oberfläche eine erste Anodisierungsschicht gebildet wird. Eine zweite Anodisierungsschicht wird selektiv in allen Bereichen bis auf die Anschlußflächen der Gate-Busleitung und einem Teilbereich des Bereichs der Speicherkondensatorelektrode, der die Gate-Busleitung bildet, ausgebildet. Dementsprechend schützt die erste Anodisierungsschicht die Al-Schicht davor, von der Entwicklerlösung angeätzt zu werden, so daß in der Al-Schicht kaum Defekte auftreten. Ferner verbessert die zweite Anodisierungsschicht die elektrische Isolierung zwischen leitfähigen Bereichen der fertiggestellten Vorrichtung, behindert jedoch nicht die elektrische Verbindung zu den Anschlußflächen der Gate-Busleitung oder den Anschlußflächen der Source-Busleitung, noch verringert sie die Kapazität des Speicherkondensators.

Claims (19)

1. Herstellungsverfahren für eine Gate-Busleitungsstruktur für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix mit einer Gate-Busleitung (113), Anschlußflächen (130) der Gate-Busleitung und einer Gate-Elektrode (103) mit folgenden Schritten:
Aufbringen einer leitfähigen Schicht auf ein Substrat (121);
Strukturieren der leitfähigen Schicht derart, daß eine Gate-Busleitung (113), eine Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung und eine Gate-Elektrode (103) ausgebildet werden;
Ausbilden einer ersten leitfähigen Schicht (131) auf der Gate-Busleitung (13), der Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung und der Gate-Elektrode (103) mit einer derartigen Dicke, daß die erste Isolierungsschicht (131) im Bereich der Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung beim Anlegen einer Gate-Steuerspannung durchbricht;
Aufbringen einer Schutzschicht auf die Anschlußfläche (130) der mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckten Gate-Busleitung;
Ausbilden einer zweiten Isolierungsschicht (132) auf die mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckte Gate-Busleitung (113) und Gate-Elektrode (103);
Entfernen der Schutzschicht von der mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckten Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung.
2. Herstellungsverfahren einer Gate-Busleitungsstruktur für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix nach Anspruch 1, wobei die Gate-Busleitungsstruktur eine Speicherkondensatorelektrode (113) aufweist, und
in dem Schritt des Strukturierens eine Kondensatorelektrode (131) ausgebildet wird;
die erste Isolierungsschicht (131) auf der Speicherkondensatorelektrode (113) ausgebildet wird;
die Schutzschicht auf die mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckten Speicherkondensatorelektrode (113) aufgebracht wird; und
nach Bilden der zweiten Isolierungsschicht (132) die Schutzschicht von der mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckten Speicherkondensatorelektrode (113) entfernt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt des Bildens der ersten Isolierungsschicht (131) einen Schritt aufweist, in dem eine erste Anodisierung durchgeführt wird, und der Schritt des Ausbildens der zweiten Isolierungsschicht (132) einen Schritt aufweist, in dem eine zweite Anodisierung durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Schutzschicht einen Photolack aufweist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Isolierungsschicht (131) bei 5 V oder weniger durchbricht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die erste Isolierungsschicht (131) mit einer Dicke von 200 Å oder weniger gebildet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die zweite Isolierungsschicht (132) mit einer Dicke von 1200 Å oder weniger gebildet wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Verhältnis der Dicke der zweiten Isolierungsschicht (132) zur Dicke der ersten Isolierungsschicht (131) zwischen 5 und 6 liegt.
9. Gate-Busleitungsstruktur für eine Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix mit:
einem Substrat (121);
einer strukturierten leitfähigen Schicht mit einer Gate-Busleitung (113), einer Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung und einer Gate-Elektrode (103) auf dem Substrat;
einer ersten Isolierungsschicht (131) auf der Gate-Busleitung (113), der Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung und der Gate-Elektrode (103), wobei die erste Isolierungsschicht (131) im Bereich der Anschlußfläche (130) der Gate-Busleitung durchbrochen ist; und
einer zweiten Isolierungsschicht (132) auf der Gate-Busleitung (113) und der mit der ersten Isolierungsschicht (131) bedeckten Gate-Elektrode (103).
10. Gate-Busleitungsstruktur nach Anspruch 9, die eine Speicherkondensatorelektrode (113) mit einer auf ihr ausgebildeten ersten Isolierungsschicht (131) aufweist.
11. Gate-Busleitungsstruktur nach Anspruch 9 oder 10, wobei die erste Isolierungsschicht (131) eine erste Anodisierungsschicht aufweist, und die zweite Isolierungsschicht (132) eine zweite Anodisierungsschicht aufweist.
12. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei das Substrat (121) transparent ist.
13. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei das Substrat (121) Glas aufweist.
14. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei die erste Isolierungsschicht (131) dünner als die zweite Isolierungsschicht (132) ist.
15. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei die erste Isolierungsschicht (131) eine solche Dicke aufweist, daß die erste Isolierungsschicht bei 5 V oder weniger durchbricht.
16. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei die erste Isolierungsschicht eine Dicke von 200 Å oder weniger aufweist.
17. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 16, wobei die zweite Isolierungsschicht (132) eine Dicke von 1200 Å oder weniger aufweist.
18. Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 17, wobei das Verhältnis der Dicke der zweiten Isolierungsschicht (132) zur Dicke der ersten Isolierungsschicht (131) zwischen 5 und 6 liegt.
19. Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix, die eine Gate-Busleitungsstruktur nach einem der Ansprüche 9 bis 18 aufweist.
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