DE19652305A1 - Serienzugriff-Speichervorrichtung - Google Patents
Serienzugriff-SpeichervorrichtungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine
Serienzugriff-Speichervorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1
und insbesondere auf eine verbesserte Serienzugriff-Speicher
vorrichtung, die stabiler eine Datenübertragung zwischen einem
Speicherzellenarray und einem Serienzugriffspeicher oder zwi
schen Serienzugriffspeichern mittels eines Leistungskontrollers
zum Erzeugen von Leistungssteuersignalen mit verschiedenen Pe
geln bei der Eingabe/Ausgabe von Seriendaten bzw. seriellen Da
ten ermöglichen kann.
Fig. 1 zeigt eine herkömmliche Serienzugriff-Speichervorrich
tung mit einem Übertragungskontroller 10 zum Steuern der Über
tragung von Daten gemäß einem Steuersignal TR, das dort extern
anliegt, wenn ein sequentieller Zugriff auf den Speicher er
folgt, einem Lese/Schreibkontroller 12 zur Ausgabe eines Steuer
signales, um den Lese/Schreibbetrieb der Speichervorrichtung ge
mäß einem extern angelegten Lese/Schreibsignal R/W zu steuern,
Leistungskontrollern 14 und 16 zur Ausgabe von Leistungsteuer
signalen REG-P1 und REG-P2 gemäß von dem Lese/Schreibkontrol
ler 12 ausgegebenen Schreibfreigabesignalen WEB1 und WEB2, einem
Kontroller 18 zum Empfangen eines extern anliegenden Steuer
signales CRL und zum Erzeugen von Steuersignalen, um die Spei
chervorrichtung zu steuern, einem Adreßpuffer 20 zum Empfangen
eines extern anliegenden Adreßsignales ADS und zum Ausgeben ei
nes Zeilenadreßsignales RADS und eines Spaltenadreßsigna
les CADS, einem Serienadreßgenerator 22 zum Erzeugen eines se
riellen Adreßsignales gemäß dem vom Adreßpuffer 20 ausgegebenen
Spaltenadreßsignal CADS und einem extern anliegenden Taktsignal,
einem Serienadreßdecodierer 24 zum Decodieren des vom Serien
adreßgenerator 22 ausgegebenen seriellen Adreßsignales, einem
Zeilendecodierer 26 zum Decodieren des von dem Adreßpuffer 20
ausgegebenen Zeilenadreßsignales RADS und zum Auswählen einer
Wortleitung, einem Spaltendecodierer 28 zum Decodieren des von
dem Adreßpuffer 20 ausgegebenen Spaltenadreßsignales CADS, ei
ner Gate- bzw. Gattereinheit 30 zum Wählen einer Bitleitung ge
mäß einem Ausgangssignal von dem Spaltendecodierer 28, einem
Speicherzellenarray 32 zum Speichern der Daten in der Zelle ent
sprechend der gewählten Wortleitung und Bitleitung oder zum Aus
geben der gespeicherten Daten, einem wahlfreien Ausgangspuf
fer 32 zum Zwischenspeichern oder Puffern der dort von dem Spei
cherzellenarray 32 anliegenden Daten und zum externen Ausgeben
der gespeicherten Daten gemäß dem von dem Lese/Schreibkon
troller 12 ausgegebenen Steuersignal, einem wahlfreien Eingangs
puffer 36 zum Puffern oder Zwischenspeichern der extern einge
speisten Daten und zum Anlegen von diesen an das Speicherzel
lenarray 32 gemäß dem von dem Lese/Schreibkontroller 12 ausgege
benen Steuersignal, Serienzugriffspeichern 40 und 44 zum Einge
ben/Ausgeben der seriellen Daten gemäß den dort von den Lei
stungskontrollern 14 und 16 anliegenden Leistungssteuer
signalen REG-P1 und REG-2, einer Übertragungseinheit 38 zum
Durchführen einer Datenübertragung zwischen dem Speicher
zellenarray 32 und dem Serienzugriffspeicher 40 gemäß der Steue
rung des Übertragungskontrollers 10, einer Übertragungsein
heit 42 zum Durchführen der Datenübertragung zwischen den Serien
zugriffspeichern 40 und 44 gemäß der Steuerung des Übertra
gungskontrollers 10, einer Gate- oder Gattereinheit 46 mit einer
Vielzahl von Gattern, die durch den Serienadreßdecodierer 24
gewählt sind, um die dort von dem Serienzugriffspeicher 44 an
liegenden seriellen Daten aus zugeben oder um die seriellen Daten
an den Serienzugriffspeicher 44 zu legen, einem Serienausgangs
puffer 48 zum Puffern oder Zwischenspeichern der von der Gatter
einheit 46 ausgegebenen Daten und zur externen Ausgabe und einem
Serieneingangspuffer 50 zum Anlegen der extern anliegenden seri
ellen Daten an den Serienzugriffspeicher 44 über die Gatterein
heit 46.
Wie in Fig. 2 gezeigt ist, umfaßt der Leistungskontroller 14
einen PMOS-Transistor 14a, dessen Source zur Beaufschlagung mit
einer Hochpegelspannung Vcc angeschlossen ist, dessen Gate das
Schreibfreigabesignal WEB1 empfängt, das vom Lese/Schreibkon
troller 12 ausgegeben ist, und dessen Gate ein Leistungssteuer
signal REG-P1 liefert, und einen PMOS-Transistor 14b, dessen
Source zur Beaufschlagung mit einer Hochpegelspannung Vcc ange
schlossen ist, dessen Gate eine Niederpegelspannung Vss emp
fängt, und dessen Drain mit dem Drain des PMOS-Transistors 14a
verbunden ist, um das Leistungssteuersignal REG-P1 abzugeben. Im
vorliegenden Fall ist die Kapazität des PMOS-Transistors 14b
größer als diejenige des PMOS-Transistors 14a, und der
Leistungskontroller 16 hat den gleichen Aufbau wie der Leistungs
kontroller 14.
Fig. 3 ist ein Schaltbild, das eine Serienzugriffspeicherzelle
des Serienzugriffspeichers von Fig. 1 zeigt.
Wie darin dargestellt ist, umfassen die Serienzugriffspeicher 40
und 44 eine Vielzahl von Serienzugriffspeicherzellen. Jede Seri
enzugriffspeicherzelle des Serienzugriffspeichers 40 umfaßt ei
nen PMOS-Transistor 40a, dessen Source zum Empfang des von dem
Leistungskontroller 14 ausgegebenen Leistungssteuersignales
REG-P1 angeschlossen ist, dessen Gate mit einer Bitleitung BLB ver
bunden ist, und dessen Drain an eine Bitleitung BL angeschlossen
ist, einen NMOS-Transistor 40b, dessen Drain mit der Drain des
PMOS-Transistors 40a und mit der Bitleitung BL verbunden ist,
dessen Gate gemeinsam an das Gate des PMOS-Transistors 40a und
die Bitleitung BLB angeschlossen ist, und dessen Source zur Be
aufschlagung mit der Niederpegelspannung Vss verbunden ist, ei
nen PMOS-Transistor 40c, dessen Source zum Empfang des von dem
Leistungskontroller 14 ausgegebenen Leistungssteuersignales
REG-P1 angeschlossen ist, dessen Source mit der Bitleitung BL ver
bunden ist, und dessen Drain an die Bitleitung BLB angeschlossen
ist, und einen NMOS-Transistor 40d, dessen Drain gemeinsam an
die Drain des PMOS-Transistors 40c und an die Bitleitung BLB an
geschlossen ist, dessen Gate gemeinsam mit dem Gate des
PMOS-Transistors 40c und mit der Bitleitung BL verbunden ist, und
dessen Source zur Beaufschlagung mit der Niederpegelspannung Vss
verbunden ist. Hier bezeichnet der Kondensator C1 alle parasitä
ren Kondensatoren, die mit der Bitleitung BL verbunden sind, und
der Kondensator C2 bezeichnet alle parasitären Kondensatoren,
die mit der Bitleitung BLB verbunden sind. Der Serienzu
griffspeicher 44 hat den gleichen Aufbau wie der Serienzu
griffspeicher 40.
Der Betrieb der herkömmlichen Serienzugriff-Speichervorrichtung
wird nunmehr im folgenden anhand der zugehörigen Zeichnungen nä
her erläutert.
Zunächst wird im Fall eines wahlfreien Eingang/Ausganges der
wahlfreie Lese/Schreibmodus durch den Lese/Schreibkontroller 12
und den Kontroller 18 bestimmt, und der Adreßpuffer 20 legt das
Zeilenadreßsignal RADS an den Zeilendecodierer 26 gemäß der
Steuerung durch den Kontroller 18, und der Zeilendecodierer 26
decodiert das eingegebene Zeilenadreßsignal RADS und wählt eine
Wortleitung. Zusätzlich wird die Bitleitung entsprechend der von
dem Adreßpuffer 20 angelegten Spaltenadresse CADS durch den
Spaltendecodierer 28 und die Gattereinheit 30 gewählt.
Im Fall eines wahlfreien Lesens unter den Speicherzellen des
Speicherzellenarrays 32 werden die in der mit der gewählten Wort
leitung verbundenen Speicherzelle gespeicherten Daten an den
wahlfreien Ausgangspuffer 34 über die gewählte Bitleitung ge
legt, und der wahlfreie Ausgangspuffer 34 speichert die gele
senen Daten gemäß der Steuerung durch den Lese/Schreibkontrol
ler 14 zwischen und gibt diese dann aus. Zusätzlich speichert im
Fall eines wahlfreien Lesens der wahlfreie Eingangspuffer 36 die
eingegebenen Daten gemäß der Steuerung des Lese/Schreibkon
trollers 12 zwischen und legt diese an das Speicherzellen
array 32 über die gewählte Bitleitung.
Inzwischen wird im Fall einer seriellen Eingabe/Ausgabe der se
rielle Lesemodus durch den Kontroller 18 und den Lese/Schreib
kontroller 12 bestimmt, und im Fall der wahlfreien Eingabe/Aus
gabe werden die Wortleitung und die Bitleitung entsprechend der
Steuerung durch den Kontroller 18 gewählt.
Wenn die Hochpegelspannung Vcc und die Niederpegelspannung Vss
der gewählten Bitleitung zugeführt sind, schaltet der Übertra
gungskontroller 10 die Übertragungseinheit 38 ein, und die Über
tragungseinheit 38 überträgt die auf der gewählten Bitleitung
geführten Daten zu dem Serienzugriffspeicher 40. Gleichzeitig
legt der Lese/Schreibkontroller 12 das Schreibfreigabesi
gnal WEB1 eines hohen Pegels an den Leistungskontroller 14, und
der PMOS-Transistor 14a des Leistungskontrollers 14 wird abge
schaltet; das Leistungssteuersignal REG-P1 einer hohen Pegels
pannung Vcc, das der Source des PMOS-Transistors 14b zugeführt
ist, wird an den Serienzugriffspeicher 40 gelegt, um so eine
einfachere Datenübertragung zu ermöglichen.
Danach schaltet der Übertragungskontroller 10 die Übertragungs
einheit 38 ab, und der Lese/Schreibkontroller 12 liefert das
Schreibfreigabesignal WEB1 eines niedrigen Pegels, schaltet den
PMOS-Transistor 14a des Leistungskontrollers 14 ein, stabili
siert die in dem Serienzugriffspeicher 40 gespeicherten Daten
und legt das Schreibfreigabesignal WEB2 eines hohen Pegels an
den Leistungskontroller 16.
Ein PMOS-Transistor (nicht gezeigt) des Leistungskontrollers 16,
der das Schreibfreigabesignal WEB2 eines hohen Pegels über das
Gate hiervon empfängt, wird abgeschaltet, und der Übertragungs
kontroller 10 schaltet die Übertragungseinheit 42 ein, so daß
die Übertragungseinheit 42 die in dem Serienzugriffspeicher 40
gespeicherten Daten zu dem Serienzugriffspeicher 44 überträgt.
Danach schaltet der Übertragungskontroller 10 die Übertragungs
einheit 42 ab, und der Lese/Schreibkontroller 12 schaltet den
(nicht gezeigten) PMOS-Transistor des Leistungskontrollers 16
ein und stabilisiert die in dem Serienzugriffspeicher 44 gespei
cherten Daten.
Danach wird eine Wortleitung durch den Zeilendecodierer 26 wäh
rend des Abschaltens der Übertragungseinheit 42 gewählt, und der
Adreßpuffer 20 legt das Spaltenadreßsignal CADS an den Serien
adreßgenerator 22.
Nachdem die Vorbereitung zum Durchführen eines seriellen Lesens
abgeschlossen ist, liefert, wenn das Taktsignal CLK zu dem Se
rienadreßgenerator 22 gespeist ist, der Serienadreßgenera
tor 22 die Startadresse der seriellen Adresse zu dem Serien
adreßdecodierer 24. Danach wählt der Serienadreßdecodierer 24
ein Gatter entsprechend der dort unter der Vielzahl von Gattern
der Gattereinheit 46 eingegebenen seriellen Adressen, und sodann
werden die Daten, die in dem Serienzugriffspeicher 44 gespei
chert sind, zu dem Serienausgabespeicher 48 über das gewählte
Gatter abgegeben. Zusätzlich speichert der serielle Ausgangspuf
fer 48 die Daten zwischen und liefert diese gemäß der Steuerung
des Lese/Schreibkontrollers 12.
Wenn das nächste Taktsignal CLK dem Serienadreßgenerator 22 zu
geführt ist, der Serienadreßgenerator 22 die nächste serielle
Adresse erzeugt, und wenn die Daten, die in Serie in "N"-Bits
angegeben sind, so werden die Daten der in den seriellen Adreß
speicher 44 gespeicherten "N"-Bits über den seriellen Ausgangs
puffer 48 seriell in der oben beschriebenen Weise ausgegeben.
Während der Ausgabe der im Serienzugriffspeicher 44 gespeicher
ten Daten empfängt der Zeilendecodierer 26 das von dem Adreßpuf
fer 20 gemäß der Steuerung des Kontrollers 18 ausgegebene Zei
lenadreßsignal RADS und wählt die nächste Wortleitung, und die
Daten der gewählten Wortleitung werden zu dem Serienzugriffspei
cher 40 über die Übertragungseinheit 38 abgeschaltet.
Wenn eine vorbestimmte Menge der in dem Serienzugriffspeicher 44
gespeicherten Daten ausgegeben wurde, wird die Übertragungsein
heit 42 in Abhängigkeit von der Steuerung durch den Übertra
gungskontroller 10 abgeschaltet, und sie überträgt die in dem
Serienzugriffspeicher 40 gespeicherten Daten zu dem Serienzu
griffspeicher 44, und sodann wird sie abgeschaltet. Danach wird
eine neue Startadresse der von dem Serienadreßgenerator 22 aus
gegebenen seriellen Adresse in den Serienadreßdecodierer 24 ein
gespeist, und die Daten der "N"-Bits entsprechend der neuen
Startadresse werden vom Serienzugriffspeicher 44 ausgegeben.
Weiterhin wird im Fall eines seriellen Schreibens der seriellen
Eingabe/Ausgabe der serielle Schreibmodus durch den
Lese-Schreibkontroller 12 und den Kontroller 18 bestimmt, und der
Adreßpuffer 20 legt das Spaltenadreßsignal CADS an den Serien
adreßgenerator 22 gemäß der Steuerung durch den Kontroller 18.
Nach einer Durchführungsvorbereitung wird das serielle Schreiben
beendet, wenn das Taktsignal CLK dem Serienadreßgenerator 22
zugeführt ist und der serielle Adreßgenerator 22 die Start
adresse der seriellen Adresse zu dem Serienadreßdecodierer 24
abgibt. Danach decodiert der Serienadreßdecodierer 24 die ein
gegebenen Startadressen und wählt die "N"-Zahl der Gatter unter
den Gattern der Gattereinheiten 46. Die seriellen Daten werden
zu dem Serieneingabepuffer 50 gespeist und dadurch gemäß der
Steuerung des Lese/Schreibkontrollers 12 zwischengespeichert,
und sodann werden die Daten in die Serienzugriff-Speicherzelle
des Serienzugriffspeichers 44 entsprechend dem gewählten Gatter
der Gattereinheit 46 gespeist. Zu dieser Zeit wird der (nicht
gezeigte) PMOS-Transistor des Leistungskontrollers 16, der das
Schreibfreigabesignal WEB2 über das Gatter hiervon empfängt, ab
geschaltet.
Wenn das nächste Taktsignal CLK dem Serienadreßgenerator 22 zu
geführt ist, erzeugt der Serienadreßgenerator 22 die nächste
serielle Adresse, und die seriellen Daten, die dort durch den
Serieneingangspuffer 50 eingegeben sind, werden in die serielle
Zugriffspeicherzelle des Serienzugriffspeichers 44 entsprechend
der nächsten seriellen Adresse geschrieben.
Wenn gemäß dem oben beschriebenen Betrieb die seriellen Daten
von "N"-Bits alle in den Serienzugriffspeicher 44 geschrieben
werden, wird der (nicht gezeigte) PMOS-Transistor des Leistungs
kontrollers 16 eingeschaltet, und der PMOS-Transistor 14a des
Leistungskontrollers 14 wird abgeschaltet, und sodann wird die
Übertragungseinheit 42 ebenfalls ausgeschaltet. Danach werden
die seriellen Daten der "N"-Bits, die in dem Serienzugriffspei
cher 14a gespeichert sind, zu dem Serienzugriffspeicher 40 über
die Übertragungseinheit 42 übertragen, und die Übertragungsein
heit 42 wird abgeschaltet, und der PMOS-Transistor 14a des Lei
stungskontrollers 14 wird eingeschaltet.
Danach empfängt gemäß der Steuerung durch den Kontroller 18 der
Zeilendecodierer 26 das von dem Adreßpuffer 20 zugeführte Zei
lenadreßsignal RADS und wählt eine Wortleitung aus. Zu dieser
Zeit ist die Übertragungseinheit 38 eingeschaltet und überträgt
die in dem Serienzugriffspeicher 40 gespeicherten Daten zu dem
Speicherzellenarray 32. Die so übertragenen Daten werden in der
Speicherzelle der Speicherzellenanordnung 32 gespeichert, die
mit der durch den Zeilendecodierer 26 gewählten Wortleitung ver
bunden ist.
Nachdem daher danach die seriellen Daten der in dem Serienzu
griffspeicher 44 gespeicherten "N"-Bits zu dem Serienzugriff
speicher 40 über die Übertragungseinheit 42 übertragen sind, er
zeugt der Serienadreßgenerator 22 eine neue Startadresse, so
daß die extern anliegenden seriellen Daten in dem Speicherzel
lenarray 32 in Reihe gespeichert werden können.
Jedoch hat die herkömmliche Serienzugriff-Speichervorrichtung
Nachteile insoweit, daß dann, wenn die Übertragungseinheit 42
für eine Datenkommunikation zwischen dem Serienzugriffspei
cher 40 und dem Serienzugriffspeicher 44 eingeschaltet wird, die
Impedanz des Leistungskontrollers 14 und die Impedanz des Lei
stungskontrollers 16 verschieden voneinander sein können. Daher
können der Knoten der mit dem Serienzugriffspeicher 40 verbunde
nen Bitleitung und der Knoten der mit dem Serienzugriffspei
cher 44 verbundenen Bitleitung nicht den gleichen Zustand auf
grund der parasitären Kapazität der Bitleitungen BL und BLB ha
ben. Daher wird eine genaue Datenkommunikation nicht erzielt.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Serien
zugriff-Speichervorrichtung zu schaffen, die die bei der her
kömmlichen Serienzugriff-Speichervorrichtung auftretenden Pro
bleme überwindet und stabiler und rascher eine Datenübertragung
zwischen einem Serienzellenarray und einem Serienzugriffspeicher
oder Serienzugriffspeichern verarbeiten kann.
Zur Lösung dieser Aufgabe schafft die vorliegende Erfindung eine
Serienzugriff-Speichervorrichtung mit den Merkmalen des Patent
anspruches 1.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Die Erfindung ermöglicht also eine Serienzugriff-Speichervor
richtung, die einen ersten Leistungskontroller zum Erzeugen ei
nes ersten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und
zum Anlegen des ersten Leistungssteuersignales an einen ersten
Serienzugriffspeicher gemäß einem ersten Schreibfreigabesignal,
das von einem Lese/Schreibkontroller zum Steuern eines Lese/
Schreibbetriebes eines Speicherzellenarrays ausgegeben ist, und
einen zweiten Leistungskontroller zum Erzeugen eines zweiten
Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen
des zweiten Leistungssteuersignales an einen zweiten Serienzu
griffspeicher gemäß einem zweiten Schreibfreigabesignal, das von
dem Lese/Schreibkontroller ausgegeben ist, aufweist.
Die Erfindung schafft so eine verbesserte Serienzugriff
speichervorrichtung, die stabiler und rascher eine Datenübertra
gung zwischen einem Speicherzellenarray und einem Serienzu
griffspeicher oder zwischen Serienzugriffspeichern verarbeiten
kann und die einen ersten Leistungskontroller zum Erzeugen eines
ersten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum
Anlegen dieses Signales an den ersten Serienzugriffspeicher ge
mäß einem ersten Schreibfreigabesignal, das von einem Lese
schreibkontroller zum Steuern eines Lese/Schreibbetriebes eines
Speicherzellenarrays ausgegeben ist, und einen zweiten Leistungs
kontroller zum Erzeugen eines zweiten Leistungssteuersignales
mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen dieses Signales an ei
nen zweiten Serienzugriffspeicher gemäß einem zweiten Schreib
freigabesignal, das von dem Lese/Schreibkontroller ausgegeben
ist, aufweist.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild einer herkömmlichen
Serienzugriff-Speichervorrichtung,
Fig. 2 ein Detailschaltbild mit einem Leistungskontroller der
Serienzugriff-Speichervorrichtung von Fig. 1,
Fig. 3 ein Schaltbild mit einer Serienzugriff-Speicherzelle
des Serienzugriffspeichers von Fig. 1,
Fig. 4 ein Detailschaltbild eines Leistungskontrollers einer
Serienzugriff-Speichervorrichtung gemäß der vorliegen
den Erfindung,
Fig. 5 ein Detailschaltbild eines Anstiegsflankendetektors
des Leistungskontrollers von Fig. 4 gemäß der vorlie
genden Erfindung, und
Fig. 6 ein Blockschaltbild eines Leistungskontrollers gemäß
der vorliegenden Erfindung.
Wie in den Fig. 4 bis 6 gezeigt ist, umfaßt die erfindungs
gemäße Serienzugriff-Speichervorrichtung erste und zweite Lei
stungskontroller 14′ und 16′, wie diese in Fig. 6 gezeigt sind,
um Schreibfreigabesignale WEB3 und WEB4 zu empfangen, anstelle
der herkömmlichen Leistungskontroller 14 und 16 von Fig. 1. Die
anderen Bauelemente mit Ausnahme der oben erwähnten Leistungs
kontroller 14′ und 16′ sind die gleichen wie bei der herkömmli
chen Speichervorrichtung von Fig. 1.
Der Leistungskontroller 14′ umfaßt einen Anstiegsflankendetek
tor 60 zum Erfassen der Anstiegsflanke eines Schreibsigna
les WEB3, eine Verzögerungseinheit 62 zum Verzögern des Schreib
freigabesignales WEB3, einen Inverter 64 zum Invertieren des
Ausgangssignales der Verzögerungseinheit 62, ein NOR-Gatter 66
zum NOR-Verknüpfen der Ausgangssignale des Inverters 64 und des
Anstiegsflankendetektors 60, einen NMOS-Transistor 68, dessen
Gate zum Empfang des Ausgangssignales des Anstiegsflankendetek
tors 60 verbunden ist und dessen Source mit einer Niederpegels
pannung Vss beaufschlagt ist, einen PMOS-Transistor 70, dessen
Gate zum Empfang des Schreibfreigabesignales WEB3 verbunden ist,
dessen Source mit einer Hochpegelspannung Vcc beaufschlagt ist
und dessen Drain an Drain des NMOS-Transistors 68 angeschlossen
ist, einen NMOS-Transistor 72, dessen Gate zum Empfang des Aus
gangssignales des NOR-Gatters 66 verbunden ist, dessen Drain mit
der Hochpegelspannung Vcc beaufschlagt ist und dessen Source ge
meinsam an Drain des NMOS-Transistors 68 und an Drain des
PMOS-Transistors 70 angeschlossen ist, um ein Leistungssteuersi
gnal REG-P3 auszugeben.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, umfaßt der Anstiegsflankendetek
tor 60 eine Verzögerungseinheit 60a zum Verzögern des Schreib
freigabesignales WEB3, einen Inverter 60b zum Invertieren des
Ausgangssignales der Verzögerungseinheit 60a, ein
NAND-Gatter 60c zum NAND-Verknüpfen des Ausgangssignales des Inver
ters 60b und des Schreibfreigabesignales WEB3 und einen Inver
ter 60d zum Invertieren des Ausgangssignales des
NAND-Gatters 60c.
Der Leistungskontroller 16′ hat den gleichen Aufbau wie der Lei
stungskontroller 14′.
Der Betrieb und Vorteile der erfindungsgemäßen Serienzugriff
speichervorrichtung werden nunmehr anhand der zugehörigen Zeich
nungen näher erläutert.
Zunächst nimmt in Fig. 4 das Schreibfreigabesignal WEB3 einen
hohen Pegel im seriellen Lesemodus an, und es nimmt einen nied
rigen Pegel im seriellen Schreibmodus und im wahlfreien Modus
an.
Wenn das Schreibfreigabesignal WEB3 einen niedrigen Pegel hat,
wird der PMOS-Transistor 70 gemäß dem an seinem Gate liegenden
Schreibfreigabesignal WEB3 mit niedrigem Pegel eingeschaltet,
und der Anstiegsflankendetektor 60 legt das Niederpegelsignal an
das NOR-Gatter 66 und an Gate des NMOS-Transistors 68. Insbe
sondere wird, wie in Fig. 5 gezeigt ist, das Schreibfreigabe
signal WEB3 in den Inverter 60b über die Verzögerungseinheit 60a
des Anstiegsflankendetektors 60 eingespeist, und der Inver
ter 60b gibt ein Hochpegelsignal ab. Das NAND-Gatter 60c unter
wirft das von dem Inverter 60b ausgegebene Hochpegelsignal und
das Niederpegel-Schreibfreigabesignal WEB3 einer NAND-Ver
knüpfung und gibt ein Hochpegelsignal aus. Der Inverter 60d in
vertiert das von dem NAND-Gatter 60c ausgegebene Hochpegelsignal
und liefert das Niederpegelsignal.
Daher wird der NMOS-Transistor 68 gemäß dem vom Anstiegsflan
kendetektor 60 ausgegebenen Niederpegelsignal abgeschaltet.
Die Verzögerungseinheit 62 verzögert das Schreibfreigabesignal
WEB3 mit niedrigem Pegel, und der Inverter 64 invertiert das
durch die Verzögerungseinheit 62 verzögerte Schreibfreigabe
signal WEB3 und gibt ein Hochpegelsignal aus.
Das NOR-Gatter 66 unterwirft das von dem Anstiegsflankendetek
tor 60 ausgegebene Niederpegelsignal und das von dem Inverter 64
ausgegebene Hochpegelsignal einer NOR-Verknüpfung und liefert
ein Niederpegelsignal an Gate des NMOS-Transistors 72. Daher
wird der NMOS-Transistor 72 ausgeschaltet.
Als Ergebnis ist das Leistungssteuersignal REG-P3 auf die an
Source des PMOS-Transistors 70 liegende Hochspannung Vcc be
zogen.
Wenn das Schreibfreigabesignal WEB3 von einem niedrigen Pegel
auf einen hohen Pegel übergeht, schaltet der PMOS-Transistor 70
ab, und der Anstiegsflankendetektor 60 liefert ein
Hochpegel-Impulssignal nach der Zeitverzögerungsperiode der Verzögerungs
einheit 60a.
Insbesondere bezüglich des Anstiegesflankendetektors 60, wie
dieser in Fig. 5 gezeigt ist, liegt das auf den hohen Pegel
übergegangene Schreibfreigabesignal WEB3 direkt an einem Eingang
des NAND-Gatters 60c und wird durch die Verzögerungseinheit 60a
für eine vorbestimmte Zeit verzögert. Danach wird das so verzö
gerte Signal durch den Inverter 60b invertiert und liegt am an
deren Eingang des NAND-Gatters 60c.
Das NAND-Gatter 60c gibt ein Niederpegelsignal für eine vorbe
stimmte Zeit ab, und der Inverter 60d liefert ein Hochpegel
signal für eine vorbestimmte Zeit.
Daher wird der NMOS-Transistor 68 für eine vorbestimmte Zeit
eingeschaltet, und das Leistungssteuersignal REG-P3 nimmt die
Niederpegelspannung Vss an, und der Leistungskontroller 14′ legt
das Leistungssteuersignal REG-P3 der Niederpegelspannung Vss an
den Serienzugriffspeicher 40 für eine vorbestimmte Zeit.
Inzwischen empfängt die Verzögerungseinheit 62 das Schreibfrei
gabesignal WEB3 und verzögert dieses, welches auf den hohen Pe
gel übergegangen ist, und der Inverter 64 invertiert das durch
die Verzögerungseinheit 62 verzögerte Signal und gibt ein Nie
derpegelsignal ab. Hier ist die Verzögerungszeit der Verzöge
rungseinheit 62 kürzer als diejenige der Verzögerungseinheit 60a
des Anstiegsflankendetektors 60.
Daher wird der NMOS-Transistor 72 geschaltet, da das NOR-Gat
ter 66 das Hochpegelsignal an Gate des NMOS-Transistors 72 nur
dann legt, wenn das Niederpegelsignal von dem Anstiegsflanken
detektor 60 und dem Inverter 64 ausgegeben ist. Zu dieser Zeit
behält der NMOS-Transistor 68 einen ausgeschalteten Zustand bei.
Das Ausgangssignal des Inverters 64 geht auf den hohen Pegel
früher als Ausgangssignal des Anstiegsflankendetektors 60 über,
das NOR-Gatter 66 liefert ein Niederpegelsignal, und der
NMOS-Transistor 72 wird ausgeschaltet. Danach geht das Ausgangssignal
des Anstiegsflankendetektors 60 auf den hohen Pegel über, und
der NMOS-Transistor 68 wird eingeschaltet. Daher werden der
NMOS-Transistor 68 und der NMOS-Transistor 72 nicht zur gleichen
Zeit eingeschaltet.
Wenn daher der NMOS-Transistor 72 im eingeschalteten Zustand
ist, bleibt der NMOS-Transistor 68 ausgeschaltet. Hier ist die
Differenzspannung Vcc-Vtn zwischen der an Source des NMOS-Tran
sistors 72 liegenden Hochpegelspannung Vcc und der Schwellen
wertspannung Vt des NMOS-Transistors 68 auf das Leistungssteuer
signal REG-P3 bezogen. Daher tritt hier eine vorbestimmte Span
nungsdifferenz zwischen dem Leistungssteuersignal REG-P3, das
vorliegt, wenn das Schreibfreigabesignal WEB3 von dem niedrigen
Pegel auf den hohen Pegel übergeht, und dem Leistungssteuer
signal REG-P3, das vorliegt, wenn das Schreibfreigabesignal WEB3
auf einem niederen Pegel bleibt, auf. Das Leistungssteuersi
gnal REG-P3 mit dem verschiedenen Pegel gemäß dem Eingabe/-Ausgabemodus
der Daten liegt an dem Serienzugriffspeicher 40,
und das Leistungssteuersignal REG-P4 wird durch den Leistungs
kontroller 16′ erzeugt und liegt dann ebenso an dem Serienzu
griffspeicher 44.
Der Betrieb der Serienzugriff-Speichervorrichtung mit den Lei
stungskontrollern 14′ und 16′ wird nunmehr in Einzelheiten er
läutert.
Im seriellen Lesemodus liegt das Schreibfreigabesignal WEB3 ei
nes niedrigen Pegels an dem Leistungskontroller 14′, und wenn
das Schreibfreigabesignal WEB4 eines hohen Pegels dem Leistungs
kontroller 16′ zugeführt ist, liefert der Leistungskontrol
ler 14′ das Leistungssteuersignal REG-P3 bei der Hochpegelspan
nung Vcc zu dem Serienzugriffspeicher 40, und der Leistungskon
troller 16′ gibt das Leistungssteuersignal REG-P4 der Span
nung Vcc-Vtn an den Serienzugriffspeicher 44 ab.
Wenn zu dieser Zeit Bitleitungen BL1 und BLB1 mit einer Serien
zugriff-Speicherzelle des Serienzugriffspeichers 40 verbunden
sind und Bitleitungen BL2 und BLB2 mit einer Serienzugriff-Speicherzelle
des Serienzugriffspeichers 44 verbunden sind, wie
dies in Fig. 3 gezeigt ist, so sind die Spannungspegel zwischen
der Bitleitung BL1 und der Bitleitung BL2 verschieden.
Wenn insbesondere die Hochpegelspannung Vcc an der Bitlei
tung BL1, die Niederpegelspannung Vss an der Bitleitung BLB1,
die Niederpegelspannung Vss an der Bitleitung BL2 und die Span
nung Vcc-Vtn an der Bitleitung BLB2 jeweils anliegen und wenn
die Übertragungseinheit 42 eingeschaltet ist, so liegt die Span
nung Vcc/2 an der Bitleitung BL2, und die Spannung (Vcc-Vtn)/2
liegt an der Bitleitung BLB2. Daher wird die Spannung der Bit
leitung BL2 niedriger als diejenige der Bitleitung BLB2, und die
Spannung Vcc der Bitleitung BL1 liegt an der Bitleitung BL2, und
die Spannung Vss der Bitleitung BLB1 liegt an der Bitlei
tung BLB2, so daß die in der Speicherzelle des Speichers 40 ge
speicherten Daten zu der Speicherzelle des Serienzugriffspei
chers 44 übertragen werden.
Nunmehr empfängt im seriellen Schreibmodus der Leistungskon
troller 14′ das Hochpegel-Schreibfreigabesignal WEB3 und liefert
das Leistungssteuersignal REG-P3 der Spannung Vcc-Vtn zu dem Se
rienzugriffspeicher 40, und der Leistungskontroller 16′ empfängt
das Niederpegel-Schreibfreigabesignal WEB4 und liefert das Lei
stungssteuersignal REG-P4 zu dem Serienzugriffspeicher 44. Da
nach werden die in der Speicherzelle des Serienzugriffspei
chers 44 gespeicherten Daten zu der Speicherzelle des Spei
chers 40 entsprechend dem gleichen Betrieb übertragen, wie die
ser oben beschrieben ist.
Hier können die an den Serienzugriffspeichern 40 und 44 liegen
den Spannungen Vcc und Vcc-Vtn durch die Spannungen Vcc und
Vcc+Vtn ersetzt werden. Zusätzlich haben die zu den Serienzu
griffspeichern 40 und 44 gespeisten Leistungssteuersignale
REG-P3 und REG-P4 eine Pegeldifferenz nur dann, wenn ein vorbe
stimmtes Datum zwischen den Serienzugriffspeichern 40 und 44
übertragen ist. Nach Übertragung des Datums können sie einge
stellt werden, um den gleichen Pegel zu haben.
Wie oben beschrieben ist, ist die erfindungsgemäße Serienzu
griff-Speichervorrichtung darauf gerichtet, eine stabilere Über
tragung zwischen Serienzugriffspeichern zu ermöglichen, indem
Leistungskontroller verwendet werden, um Leistungssteuersignale
mit verschiedenen Pegeln zu Serienzugriffspeichern zu speisen,
die eine Zweirichtungs-Charakteristik bzw. -Kennlinie gemäß dem
Eingabe/Ausgabemodus der Daten haben.
Claims (8)
1. Serienzugriff-Speichervorrichtung mit einem ersten und
einen zweiten Serienzugriffspeicher (40 bzw. 44), einem Spei
cherzellenarray und einem Lese/Schreibkontroller (12) zum
Steuern eines Lese/Schreibbetriebes des Speicherzellenarrays,
gekennzeichnet durch:
einen ersten Leistungskontroller (14′) zum Erzeugen eines ersten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen des ersten Leistungssteuersignales an den ersten Serienzugriff speicher (40) gemäß einem von dem Lese/Schreibkontroller (12) ausgegebenen ersten Schreibfreigabesignal, und
einen zweiten Leistungskontroller (16′) zum Erzeugen eines zweiten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen des zweiten Leistungssteuersignales an den zweiten Serienzugriffspeicher (44) gemäß einem von dem Lese/Schreib kontroller (12) ausgegebenen zweiten Schreibfreigabesignal.
einen ersten Leistungskontroller (14′) zum Erzeugen eines ersten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen des ersten Leistungssteuersignales an den ersten Serienzugriff speicher (40) gemäß einem von dem Lese/Schreibkontroller (12) ausgegebenen ersten Schreibfreigabesignal, und
einen zweiten Leistungskontroller (16′) zum Erzeugen eines zweiten Leistungssteuersignales mit verschiedenen Pegeln und zum Anlegen des zweiten Leistungssteuersignales an den zweiten Serienzugriffspeicher (44) gemäß einem von dem Lese/Schreib kontroller (12) ausgegebenen zweiten Schreibfreigabesignal.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste und der zweite Leistungskontroller (14′, 16′) das
erste und das zweite Leistungssteuersignal bei vorbestimmten
Pegeln, die verschieden voneinander sind, abgeben, wenn serielle
Daten zwischen dem ersten und dem zweiten Serienzugriffspei
cher (40, 44) übertragen werden.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Leistungskontroller (14′) das erste Leistungssteuer
signal mit einem vorbestimmten Pegel abgibt, der höher als das
zweite Leistungssteuersignal ist, das von dem zweiten Leistungs
kontroller (16′) abgegeben ist, wenn serielle Daten aus dem
Speicherzellenarray gelesen werden.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der erste Leistungskontroller (14′) das erste Leistungssteuer
signal mit einem vorbestimmten Pegel abgibt, der niedriger als
das zweite Leistungssteuersignal ist, das von dem zweiten Lei
stungskontroller (16′) abgegeben wird, wenn serielle Daten in
das Speicherzellenarray geschrieben werden.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß der erste Leistungskontroller (14′) aufweist:
einen Anstiegsflankendetektor (60) zum Erfassen einer Anstiegs flanke des ersten Schreibfreigabesignales,
eine Verzögerungseinheit (62) zum Verzögern des ersten Schreib freigabesignales,
einen Inverter (64) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (62),
ein NOR-Gatter (66) zum NOR-Verknüpfen des Ausgangssignales des Inverters (64) und des Ausgangssignales des Anstiegsflanken detektors (60),
einen ersten NMOS-Transistor (68) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des Anstiegsflankendetektors (60) und einer Source zum Empfangen einer Niederpegelspannung (Vss),
einen PMOS-Transistor (70) mit einem Gate zum Empfangen des ersten Schreibfreigabesignales, einer Source zum Empfangen einer Hochpegelspannung und einer mit Drain des NMOS-Transistors (68) verbundenen Drain, und
einen zweiten NMOS-Transistor (72) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des NOR-Gatters (66), einer Drain zum Emp fangen des Hochpegelsignales und einer gemeinsam mit Drain des ersten NMOS-Transistors (68) und Drain des PMOS-Transistors (70) verbundenen Drain zum Ausgeben des ersten Leistungssteuersignales.
einen Anstiegsflankendetektor (60) zum Erfassen einer Anstiegs flanke des ersten Schreibfreigabesignales,
eine Verzögerungseinheit (62) zum Verzögern des ersten Schreib freigabesignales,
einen Inverter (64) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (62),
ein NOR-Gatter (66) zum NOR-Verknüpfen des Ausgangssignales des Inverters (64) und des Ausgangssignales des Anstiegsflanken detektors (60),
einen ersten NMOS-Transistor (68) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des Anstiegsflankendetektors (60) und einer Source zum Empfangen einer Niederpegelspannung (Vss),
einen PMOS-Transistor (70) mit einem Gate zum Empfangen des ersten Schreibfreigabesignales, einer Source zum Empfangen einer Hochpegelspannung und einer mit Drain des NMOS-Transistors (68) verbundenen Drain, und
einen zweiten NMOS-Transistor (72) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des NOR-Gatters (66), einer Drain zum Emp fangen des Hochpegelsignales und einer gemeinsam mit Drain des ersten NMOS-Transistors (68) und Drain des PMOS-Transistors (70) verbundenen Drain zum Ausgeben des ersten Leistungssteuersignales.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß der zweite Leistungskontroller (16′) aufweist:
einen Anstiegsflankendetektor (60) zum Erfassen einer Anstiegs flanke des zweiten Schreibfreigabesignales,
eine Verzögerungseinheit (62) zum Verzögern des zweiten Schreib freigabesignales,
einen Inverter (64) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (62),
ein NOR-Gatter (66) zum NOR-Verknüpfen des Ausgangssignales des Inverters (64) und des Ausgangssignales des Anstiegsflanken detektors (60),
einen ersten NMOS-Transistor (68) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des Anstiegsflankendetektors (60) und einer Source zum Empfangen einer Niederpegelspannung (Vss),
einen PMOS-Transistor (70) mit einem Gate zum Empfangen des zweiten Schreibfreigabesignales, einer Source zum Empfangen einer Hochpegelspannung und einer mit Drain des ersten NMOS-Transistors (68) verbundenen Drain, und
einen zweiten NMOS-Transistor (72) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des NOR-Gatters (66), einer Drain zum Emp fangen der Hochpegelspannung und einer Source, die gemeinsam an Drain des ersten NMOS-Transistors (68) und Drain des PMOS-Tran sistors (70) angeschlossen ist, um das zweite Leistungssteuer signal zu liefern.
einen Anstiegsflankendetektor (60) zum Erfassen einer Anstiegs flanke des zweiten Schreibfreigabesignales,
eine Verzögerungseinheit (62) zum Verzögern des zweiten Schreib freigabesignales,
einen Inverter (64) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (62),
ein NOR-Gatter (66) zum NOR-Verknüpfen des Ausgangssignales des Inverters (64) und des Ausgangssignales des Anstiegsflanken detektors (60),
einen ersten NMOS-Transistor (68) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des Anstiegsflankendetektors (60) und einer Source zum Empfangen einer Niederpegelspannung (Vss),
einen PMOS-Transistor (70) mit einem Gate zum Empfangen des zweiten Schreibfreigabesignales, einer Source zum Empfangen einer Hochpegelspannung und einer mit Drain des ersten NMOS-Transistors (68) verbundenen Drain, und
einen zweiten NMOS-Transistor (72) mit einem Gate zum Empfangen des Ausgangssignales des NOR-Gatters (66), einer Drain zum Emp fangen der Hochpegelspannung und einer Source, die gemeinsam an Drain des ersten NMOS-Transistors (68) und Drain des PMOS-Tran sistors (70) angeschlossen ist, um das zweite Leistungssteuer signal zu liefern.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Anstiegsflankendetektor (60) aufweist:
eine Verzögerungseinheit (60a) zum Verzögern des ersten Schreib freigabesignales,
einen ersten Inverter (60b) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (60a),
ein NAND-Gatter (60c) zum NAND-Verknüpfen des Ausgangssignales des ersten Inverters (60b) und des ersten Schreibfreigabe signales, und
einen zweiten Inverter (60d) zum Invertieren des Ausgangs signales des NAND-Gatters (60c).
eine Verzögerungseinheit (60a) zum Verzögern des ersten Schreib freigabesignales,
einen ersten Inverter (60b) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (60a),
ein NAND-Gatter (60c) zum NAND-Verknüpfen des Ausgangssignales des ersten Inverters (60b) und des ersten Schreibfreigabe signales, und
einen zweiten Inverter (60d) zum Invertieren des Ausgangs signales des NAND-Gatters (60c).
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Anstiegsflankendetektor (60) aufweist:
eine Verzögerungseinheit (60a) zum Verzögern des zweiten Schreib freigabesignales,
einen ersten Inverter (60b) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (60a),
ein NAND-Gatter (60c) zum NAND-Verknüpfen des Ausgangssignales des ersten Inverters (60b) und des zweiten Schreibfreigabe signales, und
einen zweiten Inverter (60d) zum Invertieren des Ausgangs signales des NAND-Gatters (60c).
eine Verzögerungseinheit (60a) zum Verzögern des zweiten Schreib freigabesignales,
einen ersten Inverter (60b) zum Invertieren des Ausgangssignales der Verzögerungseinheit (60a),
ein NAND-Gatter (60c) zum NAND-Verknüpfen des Ausgangssignales des ersten Inverters (60b) und des zweiten Schreibfreigabe signales, und
einen zweiten Inverter (60d) zum Invertieren des Ausgangs signales des NAND-Gatters (60c).
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US12086428B2 (en) | 2021-11-15 | 2024-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory controller adjusting power, memory system including same, and operating method for memory system |
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