DE1963514A1 - Verfahren zum Herstellen von Kontakt-Metallschichten an elektrischen Bauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Kontakt-Metallschichten an elektrischen Bauelementen

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DE1963514A1 DE19691963514 DE1963514A DE1963514A1 DE 1963514 A1 DE1963514 A1 DE 1963514A1 DE 19691963514 DE19691963514 DE 19691963514 DE 1963514 A DE1963514 A DE 1963514A DE 1963514 A1 DE1963514 A1 DE 1963514A1
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Description

  • Verfahren zum Herstellen von Kontaktmetallschichten an elektrischen Bauelementen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden, kontaktierbaren Metallisierung auf Oberflächen von elektrischen Bauelementen, insbesondere von Silicium-Planarhalbleiterbauelementen.
  • Bei der Systemherstellung von elektrischen Bauelementen, insbesondere von Mikrohalbleiterbauelementen, die nach der Planar-oder Mesatechnik gefertigt sind, ist einer der letzten Verfahrensschritte das definierte Aufbringen von Aluminium-Emitter- bzw. Basiskontakten oder -leitbahnen. Dies geschieht in der Weise, daß eine Scheibe aus Halbleitermaterial, beispielsweise eine Siliciumeinkristallscheibe, welche mit einer Vielzahl von Bauelementsystemen versehen und nach Fertigstellung der Systeme zerteilt wird, unter Verwendung entsprechender Masken oder Schablonen mit dem gewünschten Metall, beispielsweise Aluminium, Silber, Gold oder Platin, bedampft wird.
  • Wenn, bedingt durch die Kleinheit der Geometrien, ein Bedampfen durch Masken nicht mehr möglich ist, wird die Metallschicht ganzflächig aufgebracht und anschließend nach Abdeckung mit einem entsprechenden Fotolack und Abbildung der gewünschten Struktur durch Belichtung und Entwicklung des Fotolacks die Metallschicht an den unerwünschten Stellen des Italbleitersystems wieder abgelöst. Außer der Metallbedampfung ist es auch möglich, die Metallisierung einer lialbleiterober M äche durch Kathodenzerstäubung (sputtern) oder aus einer galvanischen Lösung aufzubringen. Diese Verfahren erfordern einen erheblichen apparativen Aufwcnã und haben zudem noch den Nachteil, daß die durch sie erzeugten Metallisierungen bezüglich ihres Haftvermögens und ihrer Schichtdicke auf der Halbleiteroberfläche nicht immer optimal sind und daher die Kontaktierbarkeit erschweren. Dies führt zu mechanischen und zlektrischen Ausfällen bei den so gefertigten Halbleiterbauelementen.
  • Die vorliegende ErSindungdient zur Lösung der Aufgabe, die Haftfestigkeit und damit die Kontaktierbarkeit von Metallisierungen, die hauptsächlich aus Aluminium, Gold, Platin und Silber bestehen, auf Halbleiteroberflächen zu verbessern und dabei gleichzeitig ein Verfahren anzugeben, welches rationell und ohne großen apparativen Aufwand arbeitet.
  • Dabei wird gemäß der Lehre der erfindung auf die zu metallisierende Oberfläche eine das Metall enthaltende Lösung oder Suspension in flüssiger Form aufgebracht, die Flüssigkeit verdampft und die zurückbleibende, die Metallverbindung enthaltenge ßurch Erhitzen in eine reine Metallschicht übergeführt und anschließend in die Halbleiteroberfläche eingesintert oder einlegiert.
  • Es liegt im Rahmen der Erfindung, eine in Lösung vorliegende Metallverbindung zu verwenden. Es ist aber ebenso möglich, eine in suspendierter Form vorliegende Metallverbindung aufzubringen. Ebenso kann eine bereits das elementare Metall in suspendierter Form enthltonde Flüssigkeit aufgebracht werden.
  • In einer Weiterbildung des rfindungsgedankens ist vorgesehen, die Bildung der reinen Metallschicht entweder durch thermische Zersetzung oder durch Reduktion zu bewirken.
  • Es kann aber auch gemäß der vorliegenden Erfindung eine solche Anordnung gewählt werden, bei der die Metallverbindung (bzw. das Metall) unter Verwendung von organischen Lacken oder lackartigen Lösungs- bzw. Suspenionsmitteln, insbesondere von Fotolack, aufgebracht wird. Durch die Verwendung von organischen Lacken können nämlich besonders gleichmäßige Beschichtungsdicen über die gesamte zu beschichtende Halbleiteroberfläche erreicht werden, die dann zu entsprechend gleichmäßigen Metallschichten führen. Bei Verwendung von Fotolacken lassen sich durch die bekannten Verfahrensschritte der Fototechnik mit nachfolgendem Erhitzen sehr feine detaillierter Metallstrukturen bis herunter zu Breiten von einigen 1/1000 mm erzeugen.
  • Als geeignete Lacke kommen alle organischen Verbindungen in Betracht, sov/eit sie in Wasser oder organischen Lösungsmitteln löslich sind und nach Verdunsten des Lösungsmittels zu einem die Metallverbindung enthaltenden homogenen Film erstarren.
  • Als Beispiel seien genannt Polyvinylalkohol und Gelatine gelöst in Wasser, ferner Polyvinyläther, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, olyvinylazetat, Polyvinylazetale, Zellulosederivate, Polyester und Polyamide.
  • Als Lösungsmittel sind geeignet halogenierte Kohlenwasserstoffe, Alkohole, Äther, Ketone, Ester, Amine, usw. sowie spezielle Kunststofflösungsmittel wie Tetrahydrofuran, Tetramethylensulfon (für Polyvinylchlorid, Polyacrylnitril, PVC, Polyvinylazetat, Polyacrylnitril und Celluloseazetat), Dimethglformamid (für Polyacrylnitril~, PVO,Polyurethan) und Dimethylsulfoxid (für Polyacr.ylderivate, Nitrocellulose, Celluloseazetat und Polyfluoräthylen).
  • Für otolacke sind Jene Yerbindungsgruppen geeinget, die durch Belichten mit sichtbarer oder UV-Strahlung Strukturänderungen und damit so starke Veränderungen in Löslichkeitsverhalten erleiden, daß bei "Positivlacken" die belichteten1 bei "egativlacken" die unbelichteten Stellen des Lackfilms durch entsprechende nachfolgende Behandlung mit einem geeigneten Lösungsmittel (=Entwickler) abgelöst werden können.
  • Diesen Fotolacken, die üblicherweise mit organischen Lösungsmitteln verdünnt sind, werden im gleichen Lösungsmittel löso liche Metailverbindungen oder Suspensionen zugegeben.
  • Soweit sich die organischen Lackbestandteile beim Erhitzen nicht rückstandslos verflüchtigen, kann ggf. die Erhitzung in Gegenwart einer oxydierenden Atmosphäre durchgeführt werden, wodurch störende, die Anwendung einer homogenen Metallschicht verhindernde Crackprodukte zu gasförmiges Kohlendioxid (cm2), Wasserdampf (H20) und Stickstoff (N2) oxidiert werden. Der gleiche Effekt der vollstandigen Oxidation des Lackes kann auch durch Zugabe oxidierend wirkender organischer Verbindungen (z.B. von Peroxiden, Nitro- und Nitrosoverbindungen) in einer für die Oxidation der nichtflüchtigen Lackanteile ausreichenden Menge erreicht werden.
  • In Pällen, wo durch das Erhitzen in oxydierender Atmosphäre oder durch den Zusatz von Oxydationsmitteln zum Lack die direkte thermische. Zersetzung zum elementaren Metall nicht mehr möglich ist, kann dieses zunächst thermisch zum Oxid zersetzt und durch eine nachfolgende thermische Behandlung in reduzierender Atmosphäre (besonders in Wasserstoff) zum Metall reduziert werden.
  • Als geeignete Metallverbindungen werden in vorteilhafter Weise Metalloxide, -Hydroxide, Metallhalogenide, ferner Metallsalze von organischen und anorganischen Sären, Metallhydride, -Nitride, Azide,-Cyanide,-Sulfide,-Carbonyle, Organometallverbindungen wie Cyclopentadienylkomplexe, Acetylacetonate, Metallalkyle und Metallaryle, Metallalkylester, Metallarylester, sowie Komplexverbindungen derselben miteinander und mit anderen organischen Gruppen verwendet Gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird zur Herstellung einer aus Aluminium bestehenden Metallisierung eine N-'2riisobutylalazan-Lösung in Cyclohexan aufgebracht, welche in eine reine Aluminiumschicht durch thermische Zersetzung bei mindestens 2500 C übergeführt und bei 600 bis 700 °C in die Halbleiteroberfläche eingesintert wird.
  • Bei einem anderen Ausführungsbeispiel nach der Lehre der Erfindung wird zur Herstellung einer aus Silber bestehenden Metallisierung eine ammoniakalische Lösung von Silberchlorid aufgebracht und durch Erhitzen in Formiergas oder Wasserstoff gemäß der Gleichung AgOl + 1/2K2 = Ag + HC1 in eine reine Silberschicht übergeführt. Gleichzeitig mit der Reduktion der Metallverbindung zum reinen Metall wird die Silberschicht in die Halbleiteroberfläche eingesintert oder einlegiert.
  • Zur Aufbringung einer aus Gold bestehenden Metallisierung wird Chlorogoldsäure (HAu0l4) in Polyvinylalkohol oder Wasser gelöst.
  • Die thermische Zersetzung dieser Verbindung erfolgt gemäß der Reaktionsgleichung HAuC14 =--Au + HOl + C12 bei 350 bis 370 °C gleichzeitig mit der Einlegierung in die Halbleiteroberfläche.
  • Zur Erzeugung einer aus Platin bestehenden Metallisierung wird eine ammoniakalische Lösung des Ammoniumsalzes der Hexachloroplatinsäure ((NH4)2PtUl6) verwendet und gemäß der Reaktionsglcichung (NH4)2PtCl6 -7- Pt + 2N11401 + 2Cl2 in eine reine Platinschicht übergeführt und bei 500 bis 600 0 in die Halbleiteroberfläche einlegiert.
  • Das Aufbringen der die Metallverbindung enthaltenden Suspension kann auch durch Siebdruck erfolgen.
  • Die Überführung der Metallverbindung in die reine Metallschicht durch Reduktion oder thermische Zersetzung und der daran anschließende Sinter- bzw. Legierungsprozeß werden zweckmäßigerweise in einem Durchlaufofen vorgenommen.
  • Das Verfahren nach der Lehre der Erfindung läßt sich in besonders vorteilhafter Weise verwenden zur Herstellung von Metallkontakten auf freien und mit Maskierungs- oder Schutzschichten (SiO2, Si3N4) bedeckten Halbleiterkristalloberflächen; hier eventuell unter Zusatz von Haftvermittlern. Es ist auch in Gegenwart von Fotolackabdeckungen anwendbar.
  • Das Verfahren gestattet die einfache Herstellung mehrerer dicker Metallschichten, welche sich wegen ihres außerordentlich guten Haftvermögens durch eine gute Kontaktierbarkeit auszeichnen. Bin weiterer Vorteil gegenüber den durch bekannte Verfahren hergestellten Metallkontaktierungen ist die Gleichmäßigkeit in der Ausbildung der Schicht und ihr guts elektrisches Leitvermögen. Die Schichten sind deshalb besonders gut geeignet zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere in der Planartechnik.
  • Seine Anvwendungsweise ist aber nicht allein auf die Halbleitertechnik beschränkt, sondern läßt sich mit gleichem Vorteil auch für die Herstellung von Kontaktschichten bei elektrischen Konensatoren und Widerständen einsetzen.
  • Zur weiteren Erläuterung der Erfindung anhand zweier Ausführungsbeispiele wird nunmehr auf die Figuren 1 bis 4 der Zeichnung Bezug genommen. Dabei ist in den Figuren 1 und 3 das Aufbringen der die Metallverbindung enthaltenden Flüssigkeit dargestellt, während die Figur 2 einen für die thermische Zersetzung der Metallverbindung und für die anschließende Einlegierung bzw. Einsinterung der Metallschicht in den Halbleiterkörper vorgesehenen Ofen mit zwei Teniperaturzbnen zeigt. Figur 4 zeigt einen Durchlaufofen, in welchem eine kontinuierliche Beschichtung vorgenommen werden kann, wodurch sich das Verfahren besonders rationell gestalten läßt.
  • Ausführusbeisiel 1: Eine 1 - lo folge Lösung von N-Triisobutylalazyn in Cyclohexan wird, wie in Figur 1 dargestellt ist, mittels eines Zerstäubers 1 auf die am vorteilhaftesten durch IR-Strahlung 2 auf ca.
  • 85 bis 110° C beheizten, auf einer Metallplatte 3 liegenden Siliciumscheiben 4 gesprüht. Dabei verdampft das Lösungsmittel spontan, so daß eine gleichmäßige Schicht des N-Triisobutylalazans die Scheibenoberflächen bedeckt. Durch anschließendes Einbringen in die vordere Zone 5 eines in Figur 2 abgebildeten Rohrofens 6 wird die Schicht in einer Inertgasatmosphäre, dargestellt durch die Pfeile 7 und 8, bei ca. 250° C zu Aluminium zersetzt und durch weiteres Einschieben in den heißeren Ofenbereich 9 des Rohrofens 6 bei einer Temperatur von 550 bis 700°C C in das Silicium eingesintert. Die Strömungsgeschwindigkeit des Inertgasstroms, welcher aus Stickstoff oder Argon oder auch aus Wasserstoff bestehen kann, wird auf 1 1/Min.
  • eingestellt.
  • Anstelle eines Rohrofens kann auch jede andere Heizungsvorrichtung, z. B. ein Strahlungsheizer, eine Hochfrequenzbeheizung oder sogar eine Heizplatte verwendet werden.
  • Besonders zweckmäßig ist es, wenn die Heizvorrichtung eine Veränderung der Temperaturen von 85 bis 11 0° C auf 2fo° a und weiter auf 600°C C zuläßt, da dann sämtliche Reaktionsschritte vom Aufsprühen bis zum Einsintern ohne Ortsveränderung der Scheiben hintereinander erfolgen können.
  • Am einfachsten legt man hierzu die Scheiben auf eine elektrisch b« eizte Metallplatte, die sich in einem mit Inertgas gespülten Behälter befindet.
  • Ausfüh y~~sSiel II: Figur 7 zeigt eine ähnliche Ausführungsform wie Figur 1.
  • Auf die Siliciumscheiben 4 wird mittels einer Pipette lo eine Lösung 11 von 1 g Goldchlorid in loo ml einer lo zeigen wässrigen Polyvinylalkohollösung aufgebracht. Dabei entsteht ;uf der Siliciumscheibe 4 eine dünne Schicht 12, welche mittels einer Zentrifugalschleuder (1000 UpM.) von Überschüssiger Flüssigkeitsmenge befreit wird. Die Siliciumscheibe 4 wird dann auf einer Heizplatte bei 50 bis looO C getrocknet und durch höheres Erhitzen dieser Heizplatte auf 35e bis 370° C der zunächst gebildete Film aus Polyvinylalkohol mit Goldchlorid zu eirxr gleichmäßigen Goldschicht zersetzt. Im Falle von Gold (und anderen Edelmetallen) kann dies vorteilhaft in Gegenwart von Buftsauerstoff erfolgen, wobei derselbe mit den organischen Lackanteilen zu C02 und H20 reagiert und damit eine restlose Umwandlung in rückstandslose flüchtige Gase gewährleistet: tC2H40)X + 5/2x °2 =2x- 0092 2x 1120 Für eine kontinuierliche Beschichtung vieler Scheiben wird zweckmäßigerweise ein Durchlaufofen - wie in Figur 4 abgebildet - verwendet. Dabei durchwandern die Scheiben auf einem endlosen Metallband 13 liegend die verschiedenen Brhitzungszonen 5 und 9, welche durch die Heizwicklungen 14 und 15 auf die entsprechende Temperatur von 100° C und 400° C gebracht werden. Die mit 16 bezeichneten Rollen sichern einen kontinuierlichen Durchlauf des Metallbandes 13.
  • Der eigentliche Erhitzungsofen besteht aus einem Quarz-oder Pyrexrohr 17. An der mit 18 bezeichneten Stelle verlassen die beschichteten Siliciumscheiben 4 den Durchlaufofen und das Metallband 13 und werden-in einem Behälter 19 gesammelt.
  • Im halle der Verwendung von Inertgasatmosphäre wird der Durchlaufofen in der Mitte noch mit einer Gas zuführung und an den Enden mit entsprechenden Gasschleusen versehen (in der Figur nicht dargestellt).
  • Die Herstellung dickerer Metall schichten wird durch Verwendung konzentrierterer Lösungen oder durch nochmaliges Aufbringen der Lösung und anschließendes Verdunsten des Lösungsmittels erreicht.
  • Bei der Herstellung von Metallstrukturen werden die Metailsalze in fotosensitiven Lacken gelost und wie beschrieben aufgebracht, jedoch unter Ausschluß von Tageslicht (Beleuchtung mit Na-Lampe). Nach Abschleudern, Trocknen und Belichten durch entsprechende Masken werden in der für die Herstellung von Strukturen in der Siliciumplanartechnik üblichen Weise beim Entwickeln die unerwünschten Lackbereiche abgelöst und die zurückgebliebenen Lackbereiche - wie bei Polyvinylalkohol beschrieben -zu Gold und flüchtigen Kohlenwasserstoffen bzw. in Gegenwart von Sauerstoff oder Oxydationsmitteln zu CO2 und H2û zersetzt.
  • 4 Figuren 24 Patentanspruche

Claims (24)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Verfahren zum Herstellen einer gut haftenden, kontaktierbaren Metallisierung auf Oberflächen von elektrischen Bauelementen, insbesondere von Siliciumplanarhalbleiterbauelementen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf die zu metallisierende Oberfläche eine das Metall enthaltende Lösung oder Suspension in flüssiger Form aufgebracht, die Plüseigkeit verdampft und die zurückbleibende die Metallverbindung enthaltende Schicht durch Erhitzen in eine reine Metalischicht ttbergeführt und anschließend in die Halbleiter oberfläche eingesintert oder einlegiert wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i ch n e t , daß eine in Lösung vorliegende Metallverbindung verrtrendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß eine in suspendierter Form vorliegende Metallverbindung verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t , daß die Metallverbindungen in organischen Lacklösungen gelöst bzw. suspendiert werden und nach Verdampfen des Lösungsmittels zunächst ein Film aus organischem Festkörper und Metallverbindung bzw. Suspension einer Metallverbindung zurückbleibt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 4, d a d u r c h g ek e n n z e i c h n e t , daß die Metallverbindung unter Verwendung von Fotolack als Lösungs-bzw. Suspensionsmittel aufgebracht wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß bei Anwendung von Potolack Suspensionen von feinsten Metallpulvern verwendet werden.
  7. 7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Bildung der reinen Metallschicht durch thermische Zersetzung durchgeführt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 5 und 6, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t , daß zur Herstellung von feinen Metallstrukturen vor der Bildung der reinen Metallschicht durch thermische Zersetzung nach Verdampfen des Lösungsmittels der metallhaltige Fotolack über eine mit der gewünschten Geometrie versehene Maske belichtet und entwickelt wird.
  9. 9. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 5 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die thermische Zersetzung in oxydierender Atmosphäre durchgeführt wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß dem Lack die vollständige Verflüchtigung desselben erleichternde, oxydierende Zusätze beigefügt werden.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t, daß die Metallverbindung bereits den oxydierenden Anteil enthält.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t , daß die Metallverbindung eine Metalloxid-, peroxid-, -nitrat, -nitrit oder eine die NO-, N02 oder Peroxidgruppe enthaltende, organische oder anorganische Komplexverbindung ist.
  13. 13.Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r ch g e k e n n z e i c h n e t , daß die Bildung der reinen Metalischicht durch Erhitzen in reduzierender Atmosphäre durchgeführt wird.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13, d a d u r c h g e k e n nz e i c h n e t , daß dem Lack reduzierende Bestandteile zugesetzt werden, die beim Erhitzen eine Reduktion der Metallverbindung zum Metall bewirken.
  15. 15. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß beim Erhitzen zunächst eine Schicht von Metalloxid erzeugt wird, die anschließend zu Metall reduziert wird.
  16. 16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als geeignete Metallverbindungen Metalloxide, -Hydroxide, Metallhalogenide, ferner Metallsalze von organischen und anorganischen Säuren, Metallhydride, -Nitride, Azide,-Cyanide, -Sulfide, -Carbonyle, Organometallverbindungen wie Oyclopentadienylkomplexe, Acetylacetonate, Metallalkyle und Metallaryle, Metallalkylester, Metallarylester sowie Komplexverbindungen derselben miteinander und mit anderen organischen Gruppen verwendet werden.
  17. 17. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16, da d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Aufbringen der in suspendierter Form vorliegenden Metallverbindungen durch Siebdruck erfolgt.
  18. 18. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung einer aus Aluminium bestehenden Metallisierung eine N-Tri-isobutyla7azan-Lösung in Cyclohexan aufgebracht wird, welche in eine reine Aluminiumschicht durch thermische Zersetzung bei mindestens 250 0 übergeführt und bei 600 bis 700 oC in die Halbleiteroberfläche eingesintert wird.
  19. 19. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z-e i c h n e t , daß zur Herstellung einer aus Silber bestehenden Metallisierung eine ammoniakalische Lösung von Silberchlorid aufgebracht wird, welche durch Erhitzen in Formiergas oder Wasserstoff in eine reine Silberschicht übergeführt und gleichzeitig in die Halbleiteroberfläche eingesintert wird.
  20. 20. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung einer aus Gold bestehenden Metallisierung eine Chlorogoldsäure-(HAuCl4)-Lösung in Polyvinylalkohol oder Wasser aufgebracht wird, welche durch thermische Zersetzung in eine reine Goldschicht übergeführt und bei 350 bis 370 0 in die Halbleiteroberfläche einlegiert wird.
  21. 21. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Herstellung einer aus Platin bestehenden Metallisierung eine ammoniakalische Lösung des Ammoniumsalzes der Hexachloroplatinsäure [(NH4)2PtCl6] aufgebracht wird, welche durch thermische Zersetzung in eine reine Platinschicht übergeführt und bei 500 bis 600 °C in die Halbleiteroberfläche einlegiert wird.
  22. 22. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 21, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Überführung in die reine Metallschicht und der daran anschließende Sinter- oder Legierprozeß in einem Durchlauiofen durchgeführt wird.
  23. 23. Verwendung des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 22 zur Herstellung von Metallkontakten auf freien und mit Maskierungsschichten bedeckten HalbleiterkrisGalloberflächen, gegebenenfalls in Gegenwart von Fotolacktibdeckungen.
  24. 24. Verwendung des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 22 zur Herstellung von Kontak-tschicllten bei elektrischen Kondensatoren und Widerständen.
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