DE2261672A1 - Verfahren zur herstellung eines gegenstandes und durch dieses verfahren hergestellter gegenstand - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines gegenstandes und durch dieses verfahren hergestellter gegenstand

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DE2261672A1
DE2261672A1 DE19722261672 DE2261672A DE2261672A1 DE 2261672 A1 DE2261672 A1 DE 2261672A1 DE 19722261672 DE19722261672 DE 19722261672 DE 2261672 A DE2261672 A DE 2261672A DE 2261672 A1 DE2261672 A1 DE 2261672A1
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

Anmefder: N.y. P!;iLiPS; üLÖEILAiüPENFABRIEKEII
Akte: Γ TM- 60*8
Anmeldung vom« 1er. Ό'='7 . 1^7^
Verfahren zur. Herstellung eines Gegenstandes und durch dieses Verfahren hergestellter Gegenstand.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes, bei dem auf einem Körper eine Platinschicht und eine Schicht aus einem Stoff, der mit Platin reagieren kann, angebracht werden, wobei Teile der Stoffschicht entfernt werden, um ein zu dem gewünschten Platinmuster komplementäres Muster des Stoffes zu ^erhalten, wonach man das Platin der Schicht mit dem Stoff des komplementären Musters bei erhöh-, ter Temperatur reagieren lässt und das ReaktiOnsprodukt des Stoffes und des Platins selektiv in bezug auf das Platin entfernt, um das Platinmuster zu erhalten.
Unter "Reagieren zu einem Reaktionsprodukt1· ist hier nicht nur das chemische Reagieren des Platins mit dem Stoff zu einer chemischen Verbindung, sondern auch z.B. das Lösen oder Legieren des Platins und des Stoffes zu einem Produkt zu verstehen, das selektiv in bezug auf das Platin
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entfernt worden kann. Uuter einer, v-n dem Platinmuster komplementären Muster ist hier ein Muster zu verstehen, das ein Negativ in bezug auf das Platinmuster als positives Muster bildet.
Mit Hilfe dieses Verfahren können Muster in Platinschichten erhalten werden, die sich durch z.B. übliche Photoatzverfahren schwer oder gar nicht erhalten lassen.
Oft kann der Stoff derart gewählt werden, dass das komplementäre Muster auf übliche Weise, z.B. auf photomechanischem Wege, erhalten werden kann. Bei einem bekannten Verfahren der eingangs genannten Art (siehe die franzosische Patentschrift 2.004.350) wird auf der Platinschicht das komplementäre Stoffmuster angebracht und nach der Reaktion des Stoffes mit der Platinschicht das Reaktionsprodukt durch Aetzen entfernt, wodurch ein (positives) Platinmuster übrigbleibt.
Bei vielen Anwendungen, bei denen Muster in Platinschichten gebildet werden müssen, wird ausser der Stoffschicht nicht nur eine Platinschicht sondern auch Schichten aus anderen an sich manchmal besser als Platin atzbaren Metallen, wie Chrom, Titan und/oder UoId auf dem Körper angebracht. Dabei ist es vorteilhaft, wenn alle Metallschichten, einschliesslich der Stoffschicht, in einem einzigen Arbeitsgang, z.B. durch Aufdampfen, angebracht werden können. Dabei ergibt sich der Nachteil, dass der Stoff, der über die ganze Oberfläche aufgebracht wird, bereits beim Aufbringen mit einem oder mehreren von Platin verschiedenen Metallen reagiert.
Die Erfindung bezweckt nun u.a., diesen Nachteil zu vermeiden. Ihr liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass die zuletzt genannte Reaktion dadurch vermieden werden kann, dass der Stoff in einer möglichst frühen Stufe der Herstellung aufgebracht wird.
Daher ist das eingangs genannte Verfahren nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Körper zunächst das komplementäre Stoffmuster und dann die Platinschicht angebracht wird. Ea
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leuchtet ein, dass bei dam Verfqpre-n nach der Erfindung der Stoff, weil er zunächst in dem komplementären Muster aufgebracht wird, nicht mehr an der Stelle des gewünschten Musters mit nachher aufzubringenden Metallschicht en reagieren kann.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung muss der Stoff naturkemäss selektiv in bezug auf den Körper entfernt werden können. Wie oben bereits erwähnt wurde, kann das Reaktionsprodukt durch selektive Aetzung entfernt werden.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens nach our Erfindung wird jedoch das Reaktionsprodukt durch einen Ultraschallvor^an^ selektiv in bezug auf das Platin entfernt. Ein Reaktionsprodukt iß+, oi't viel spröder als das ursprüngliche Platin, wodurch mechanische ijntferuungsverfahren, wie ein Ultraschallvorgang, eben bei dem erfindungsi_;e\iässen Verfahren selektiv wirken.
Weiter wird bemerkt, dass Kombinationen von Entfernungsvirfahren, wie Aetzung und eine Ultraschallbearbeitung, möglich sind.
Vorzugsweise wird der Stoff aus ;nindestens' einem Element der Gruppe gewählt, die aus den Elementen der Gruppen IIIB und IVB des periodischen Systems besteht.
Bei einer Abwandlung des Verfahrens nach der Erfindung wird als otcif Ger,.:t.niuBi gewählt. Vorzugsweise befindet sich zwischen der Platxr;schicht und dem Körper eine Titan- oder Chromschicht.
Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf einen Gegenstand, insbesondere eine Halbleiteranordnung, der durch das Verfahren g einäss der Erfindung hergestellt ist.
Die Erfindung wird nachstehend für einige Ausführungsbeispiele an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Figuren 1 bis 5 schematisch Querschnitte durch einen Teil eines Gegenstandes in aufeinanderfolgenden Stufen der Herstellung durch
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das erfindungsgemässe Verfahren«
In dem nachstehenden Aueführungsbeispiel wird auf einem Siliciumkörper 1 eine Germaniumschicht 2 angebracht (Fig. 1). Germanium kann mit Platin reagieren· Von der Germaniumschicht 2 werden Teile entfernt, um ein zu dem gewünschten Platimnuster komplementäres Germaniummuster su erhalten (Fig. 2)· Bann werden eine Chromsohioht 4 und eine Platin-•chioht 5 auf dem komplementären Germaniummuater angebracht (Fig. j) und man l&iat das Platin mit des Germanium zu einen Reaktioneprodukt 6 reagier·» (fig* 4)·
Das Heaktionsprodukt 6 des Germaniums und dee Platins wird selektiv in bezug auf das Platin entfernt, um das Platinmuster zu erhalten (Fig. 5)*
Si· Germaniumechioht 2 wird z.B. durch Aufdampfen angebracht und weiat ein· Dicke von etwa 0,1 yunt auf.
Sa· komplementär· Oermaniummueter wird auf übIioh· Weise mit Hilf« eines Photoftζvorgange erhalten, wobei ein· Photolackschicht als Aetzmaske bein letzen von Germanium in einem Wasserstoffperoxid und gegebenenfalls Fluorwasserstoffsfiure enthaltenden Bad verwendet wird.
Sie Schichten 4 und 5 werden ebenfalls durch Aufdampfen angebracht. Die Chromschicht 4 weist eine Sicke von etwa 500 A und die Platinschicht 5 eine Sicke von etwa 0,15 /um auf« Di© Temperatur dee Körpers 1 betragt beim Aufdampfen etwa 45^*C, wobei das Platin durch die dünne Chromschicht 4 hindurch diffundiert und mit dem untenliegenden Germanium reagiert. Das Reaktionsprodukt von Germanium und Platin wird dadurch entfernt, dass der Körper in Königswasger eingetaucht wird. Das Reaktionsprodukt GePt löst eich darin viele Male schneller als Platin allein auf. Das Reaktionsprodukt kann auch durch einen Ultraschallvor&ang entfernt werden.
Die Chromschicht 4 dient zum Erhalten einer guten Haftung
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ORtQlNAL INSPeCTEp
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zwischen der Platinschicht 5 und dem ijjliciumkorper 1. Mittels der
genannten Chromschient 4 wird auch eine Reaktion in seitlicher Richtung
verhindert, wodurch eine gute Randschärfe des Platinmusters erhalten wird»
Mit den Metallschichten 4 111IcL 5i die nicht überall direkt
an das Silicium zu grenzen brauchen, sondern durch z.B. eine isolierende Oxydschicht von dem Silicium getrennt sein können, können einerseits
Gebiete des Siliciumkörpers kontaktiert werden, während andererseits die P.latinschicht zum Kontaktieren von Anschlussleitern verwendet werden kann.
Torzugsweise wird die Platinschicht, z.B. auf elektrolytischem Wege, mit Gold verstärkt und für die Haftschicht wird statt Chrom
Titan verwendet. So kann die Kontaktierung eines Halbleiterkörpers zum
Erhalten einer Halbleiteranordnung dadurch durchgeführt werden, dass»
a) man einen Siliciumkörper über Oeffnungen in einer Oxydschicht mit
Platin reagieren lässt;
b) das. nichtreagierte Platin auf der Oxydschicht entfernt wird;
c) eine Germaniumschicht auf den Halbleiterkörper aufgedampft wird;
d) das komplementäre Muster in der Germaniumschicht angebracht wird;
e) eine dünne Titanschicht, eine Platinschicht und eine dünne Goldschicht aufgedampft werden;
f) man die Metallschichten mit der Germaniumschicht zu einem Reaktionsprodukt reagieren lässt;
g) die Goldschicht örtlich auf elektrolytischem Y/ege verdickt wird;
h) das Reaktionsprodukt entfernt wird.
Das Reaktionsprodukt kann weggeätzt werden, aber kann auch, wegen seines spröden Charakters, durch eine ültraschallbearbeitung entfernt werden.
Das Verfahren nach der Erfindung beschränkt sich nicht auf die beschriebenen Beispiele, sondern es sind viele Abarten möglich.
So beschränkt sich das Verfahren nicht auf die Herstellung von Halbleiteranordnungen, sondern können im allgemeinen Gegenstände mit
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Mustern, z.B. fur Dekorstioiiszweckc, Hergestellt werden·...
Statt Germanium kann als Stoff z.B. Silicium, aber auch ein Element aus den Gruppen III oder V des periodischen Systems, z.B. Aluminium, verwendet werden.
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Claims (1)

  1. Pat ent anspruciie ι ,!■',,
    1. Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes, bei dem auf
    einem Korper eine Platinschiqht und eine Schicht aus einem Stoff, der mit dem Platin reagieren, kann, angebracht werden, wobei Teile der St off schicht entfernt werden, um ein zu dem gewünschten Platinmuster komplementäres Muster des Stoffes zu erhalten, wonach, man das Platin der Sehioht mit
    dem Stoff des komplementären Musters bei erhöhter femperattir reagieren lässt!
    und das Reakttoneprodukt des Stoffes und dea Platins selektiv in.bezug | auf das Platin entfernt ι um di-ß Platinmuster zu erhalten, dadurch gekennzeichnet! dass zunächst auf dem Körper das komplementär· Muster des Stoffes und dann di« PlatiÄeöaioiit angebrapiii wird» 2» Terfahren naoh jMaipruoh 1» dadurch gekennaeiclaiet, dass das Reafctioiiaprodukt eelektir in Tjeeug auf das Platin durch einen schallvorgaBg entfernt wird*
    5« Verfahren nach Ans|*2?uöh t oder 2, dadurch dass der Stoff au· mindesten· einsa Element der ßruppe gewShlt wird, die aus den Elementen der Gruppen HIB und IVfi des periodisöhta System* besteht« . -
    4* Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennaeichnet, dass als Stoff Germanium gewählt wird.
    5* Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen der Platinschicht und dem Korper eine Titanod.er Chromsehicht befindet·
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5t dadurch gekennzeichnet, da§s auf dem Platin eine (Joldsehlcht angebracht wird»
    7, Gegenstand, z.B. Halbleiteranordnung, der durch das Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellt ist.
    9825/115-5
    ORIGINAL
    L e e r s e i 1 e
DE19722261672 1971-12-18 1972-12-16 Verfahren zur herstellung eines gegenstandes und durch dieses verfahren hergestellter gegenstand Pending DE2261672A1 (de)

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