DE1521529C3 - Verfahren zur Herstellung von feinen Strukturen auf einem Substrat - Google Patents

Description

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und diesen dann langsam abzieht. Auf diese Weise gut haftende Schicht 3 aufgedampft, wie in F i g. 5

erhält man die Feinstruktur 6 der F i g. 3, die im Ge- beschrieben. Danach wird die Lackmaske mit der

gensatz zu anderen Feinstrukturen genügend dick darüber befindlichen dünnen Schicht 3 entfernt, und

ausgebildet ist; diese Struktur entspricht übrigens der es entsteht eine Struktur 4 gemäß F i g. 6. Dampft

Struktur der Photolackmaske 2 der F i g. 1. Neben 5 man jetzt über die ganze Fläche die relativ dicke und

Feinstrukturen können natürlich auch jede beliebige gut haftende Schicht 5, dann erhält man eine Struk-

anderen Strukturen nach dem erfindungsgemäßen tür gemäß F i g. 7. Entfernt man nun, z. B. durch me-

Verfahren hergestellt werden. chanisches Abziehen mit einem Klebefilm, die dicke

In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird das Schicht 5, dann gelingt das nur teilweise. Überall

Verfahren gemäß der Erfindung am Beispiel eines io dort, wo sich die dünne Schicht 4 unter der dicken

Planartransistors in Verbindung mit den Fig.4 bis 8 Schicht5 befindet, lassen sich die Schichten4 und5

erläutert Fig. 4 zeigt im Querschnitt einen Planar- gemeinsam entfernen, während die dicke Schicht 5

transistor mit einem Emitterfenster 7 und zwei Ba- überall dort haften bleibt, wo nicht die dünne

sisfenstern8 und 9 in der auf dem Halbleiterkörper Schicht 5 darunter liegt. Man behält danach die dicke

11 befindlichen Oxydschicht 10. In diesen Fernstern 15 Schicht in Form der Struktur 6, die sich mit der

sollen Metallisierungen zur Kontaktierung der Basis- Lackstruktur in F i g. 5 deckt. F i g. 8 zeigt die ge-

und Emitterzonen 12 und 13 angebracht werden, die wünschte Metallisierungsstruktur für den Planar-

möglichst dick sein sollen, damit sie kleine elektri- transistor. Besonders einfach lassen sich gemäß die-

sche Bahnwiderstände haben. Gemäß der Erfindung sem Verfahren auch Kontakt-Leitbahnen bei Transi-

wird nun eine Lackmaske 2 in den Fenstern erzeugt 20 stören mit »Metal-over-Oxyd-Contacts« und bei

und auf die gesamte Oberfläche eine dünne, weniger Festkörperschaltkreisen herstellen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

schließend die erste Schicht mit den auf ihr befindli- Patentansprüche· chen Teilen der zweiten Schicht entfernt wird. Ein solches Verfahren ist bekannt Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das be-

1. Verfahren zur Herstellung von feinen Struk- 5 kannte Verfahren zu verbessern. Zur Lösung dieser türen auf einem Substrat, insbesondere auf Halb- Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs erleiterkörpern, bei dem zunächst ein Negativ der wähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß vorgesehenen Struktur durch Aufbringen einer auf die zweite Schicht ein Klebstreifen aufgeklebt ersten Schicht erzeugt und danach das Material und anschließend abgezogen wird, wobei mit dem der Struktur in Gestalt einer zweiten Schicht, de- io Klebstreifen das Negativ und die auf ihm befindliren Haftfestigkeit auf dem Substrat größer ist als chen Teile der zweiten Schicht abgezogen werden, die der ersten Schicht, aufgebracht wird und bei Als Klebstreifen wird beispielsweise ein im Handel dem anschließend die erste Schicht mit den auf erhältlicher Film verwendet, bei dem die fertige KIeihr befindlichen Teilen der zweiten Schicht ent- bemasse auf einem Hydratcellulose oder PVC-FiIm fernt wird, dadurch gekennzeichnet, 15 aufgetragen ist Dieser Film wird auf die zweite daß auf die zweite Schicht ein Klebstreifen aufge- Schicht aufgeklebt und anschließend wieder abgezoklebt und anschließend abgezogen wird, wobei gen. Dabei wird die weniger gut haftende erste dünmit dem Klebstreifen das Negativ und die auf nere Schicht mit den auf ihr befindlichen Teilen der ihm befindlichen Teile der zweiten Schicht abge- dickeren Schicht zusammen mit dem Tesafilm abgezogen werden. ao zogen, so daß nur noch Teile der dickeren Schicht in

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- Gestalt der vorgesehenen Struktur verbleiben, kennzeichnet, daß auf die zweite Schicht ein Das Negativ wird vorzugsweise mit Hilfe der Pho-Klebstreifen, dessen Film aus Hydratcellulose tolack-Maskentechnik hergestellt. Als Material füi oder PVC besteht, aufgeklebt wird. die dünnere Schicht mit der schwächeren Haftung

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch 25 können beispielsweise die Metalle Nickel, Eisen, Ko gekennzeichnet, daß als erste Schicht Nickel, bait, Platin, Paladium, Gold oder Kupfer verwende) Eisen, Kobalt, Platin, Palladium, Gold oder Kup- werden. Als Materialien für die dickere und sehr gu; fer aufgetragen wird. haftende Schicht eignen sich beispielsweise Wolfram

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 Thorium, Molybdän, Zirkon, Titan, Ytrium, Chrom bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite 30 Vanadin, Mangan, Silizium, Beryllium oder Alumi Schicht Wolfram, Thorium, Molybdän, Zirkon, nium.

Titan, Ytrium, Chrom, Vanadin, Mangan, SiIi- Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich vo

zium, Beryllium oder Aluminium aufgetragen allem zur Herstellung von feinen Strukturen au

wird. ' Halbleiterkörpern, wie sie beispielsweise bei Planar

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 35 anordnungen und Festkörperschaltkreisen erforder bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten lieh sind. Eine sehr gute Haftung wird beispielsweise aufgedampft werden. dadurch erzielt, daß die dicke Schicht vor dem Ent

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 fernen der dünnen Schicht in das Halbleitermateria bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste einlegiert wird.

Schicht dünner bemessen wird als die zweite 4° Die Erfindung wird im folgenden an einem Aus Schicht. führungsbeispiel in Verbindung mit den F i g. 1 bis '

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 näher erläutert.

bis6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material In der Fig. 1 ist auf einem Glaskörper 1 als Sub

der zweiten Schicht vor dem Entfernen der ersten strat zur Herstellung eines Negativs der herzustellen Schicht in das Halbleitermaterial einlegiert wird. 45 den Struktur eine Photolackmaske 2 aufgebracht, di

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 an denjenigen Stellen, an denen sich später das Ne bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Negativ gativ auf der Oberfläche des Substrats befindet, Aus mit Hilfe der Photolack-Maskentechnik herge- sparungen enthält. Die Aussparungen in der Photo stellt wird. lackschicht werden mit einer dünnen Schicht 3 bc

9. Anwendung des Verfahrens nach einem der 50 dampft, die sich auch auf die Photolackschicht ei Ansprüche 1 bis 8 bei der Herstellung von Halb- streckt. Das Negativ wird nun dadurch erhalten, da leiteranordnungen wie Planartransistoren oder die gesamte Photolackmaske 2 mit den auf ihr be Festkörperschaltkreisen. findlichen Teilen der dünnen Schicht 3 entfernt wire

Dabei bleiben die in den Aussparungen der Photc 55 lackmaske befindlichen Teile der dünnen Schicht al Negativ 4 gemäß F i g. 2 stehen.

Nach der Herstellung des Negativs wird über di

gesamte Glasoberfläche und auch über das Negativ

eine dicke Schicht 5 aufgedampft, die die Eiger

60 schaft hat, daß sie sowohl auf dem Substrat als auc

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- auf der dünnen Schicht gut haftet. Die Dicke der au: lung von feinen Strukturen auf einem Substrat, insbe- gedampften Schicht 5 ist gleich der Dicke der herzi sondere auf Halbleiterkörpern, bei dem zunächst ein stellenden Feinstruktur.

Negativ der vorgesehenen Struktur durch Aufbringen Anschließend wird der gesamte Teil der Schicht.'

einer ersten Schicht erzeugt und danach das Material 65 der sich über dem Negativ 4 befindet, mechanise der Struktur in Gestalt einer zweiten Schicht, deren abgerissen, was beispielsweise dadurch geschehe Haftfestigkeit auf dem Substrat größer ist als die der kann, daß man über die dicke Schicht 5 der Fig. ersten Schicht, aufgebracht wird und bei dem an- einen Tesafilm klebt oder einen anderen Klebstreife