DE1932164A1 - Legierungsverfahren - Google Patents

Legierungsverfahren

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Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Geiellsdiaft mbH
Böblingen, 20. Mai 1969 mö-hl
Anmelder in:
International Business Machines Corporation, Armonk, N. Y. 10504
Amtl. Aktenzeichen:
Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin:
Docket YO 967 138
Legierungs verfahren ' .
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einlegieren von Metall in Teilbereiche eines Substrats, das mit einer bis auf diese Teilbereiche geschlossenen, zu dem Legierungsmetall reaktiven Passivierungsschicht bedeckt ist. Das Verfahren kann insbesondere Anwendung finden bei der Herstellung integrierter Schaltungen in FAD-Technik (post-alloy-diffus ion).
Es sind bereits zahlreiche Verfahren zum Einlegieren von Metall in Halbleiterkörper bekanntgeworden. Diese Verfahren wurden insbesondere zur Kontaktierung von Halbleiterkörpern entwickelt. Bei der Entwicklung und Anwendung dieser Verfahren wurde auch bereits festgestellt, daß das einzulegierende Metall, z.B. Aluminium,· mit der das Halbleitersubstrat bedeckenden Passivierungsschicht, z.B. Siliziumdioxid, in unerwünschter Weise reagieren kann. Durch die mit dieser schädlichen Reaktion verbundene Verunreinigung des Metalls werden dessen Eigenschaften, z.B. seine gute elektrische Leitfähigkeit, erheblich verschlechtert und überdies das darunterliegende Halbleitersubstrat nachteilig beeinflußt.
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Gemäß einer bekanntgewordenen Lösung wird die Reaktion zwischen dem Aluminium und dem Siliziumdioxid zwar zugelassen, das sich bildende Oxid wird jedoch in einem Ätzvorgang entfernt und unmittelbar daran anschließend wird auf die Anordnung eine Schutzschicht aufgebracht. Das oben geschilderte Problem wird durch dieses Verfahren jedoch nicht oder nur teilweise und unbefriedigend gelöst.
Weiterhin ist ein Verfahren bekanntgeworden, bei dem die genannte schädliche Reaktion unmittelbar verhindert wird. Das geschieht durch Erhitzen der Anordnung auf die eutektische Temperatur. Die Reaktion zwischen Aluminium und Siliziumdioxid tritt bei der eutektischen Temperatur nicht auf, sie setzt aber unmittelbar nach Überschreiten des Schmelzpunktes von Aluminium (6600C) sehr stark ein. Demzufolge kann in Fällen, in denen der Schmelzpunkt des Legierungsmetalls erreicht oder sogar überschritten werden muss, dieses Reaktionsproblem nicht als genügend gelöst betrachtet werden. Die letztgenannten Umstände treten jedoch auf, wenn man in einem im Anschluß an den Legierungs Vorgang stattfindenden Diffus ions Vorgang (PAD -Technik) die gewünschten Eigenschaften des so hergestellten Bauelemente festlegen will.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Einlegieren von Metall in Teilbereiche eines Substrats anzugeben, bei dem eine schädliche Reaktion zwischen dem Legierungsmetall und reaktiven Anteilen der das Substrat mit Ausnahme dieser Teilbereiche bedeckende Passivierungsschicht vermieden oder zumirfdest weitgehend vermindert wird. Auf die in der monolithischen Halbleitertechnik häufig Vorkommenden Verhältnisse übertragen gilt es demnach, ein Metall, z.B. Aluminium, in bestimmte Bereiche eines Haibleitersubstrats, z.B. Germanium oder Silizium, einzulegieren, ohne daß es zwischen dem Metall und der angrenzenden Passivierungsschicht, z.B. Siliziumdioxid, zu einer schädlichen Reaktion kommt. Insbesondere sollen durch das anzugebende Verfahren die Voraussetzungen für ein an das Einlegieren anschließendes Nachdiffundieren (PAD-Technik) geschaffen werden.
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Diese Aufgaben werden erfindungsgemäß gelöst, indem vor dem Erhitzen des in den Teilbereichen metallisierten Substrats über dieserFormation ein die schädliche Reaktion zwischen dem Legierungsmetall und der Passivierungsschicht verhindernder Belag gebildet wird. Eine bevorzugte Form des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß zur Bildung des die schädliche Reaktion zwischen dem Legierungsmetall· und der Passivierungsschicht verhindernden Belags zunächst eine Schicht aus einem organischen Stoff, vorzugsweise eine Fotolackschicht, aufgebracht wird, daß diese Schicht zunächst getrocknet und anschließend mit einem Lösungsmittel behandelt wird derart, daß nach dem Abschälen dieser Schicht der gewünschte Belag zurückbleibt. Zum Trocknen der Fotolackschicht wird diese vorzugsweise 5 Sekunden auf ungefähr 3000C erhitzt. Als Lösungsmittel für die derart getrocknete Fotolackschicht kann Trichloräthylen Verwendung finden.
Eine weitere Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, daß da's in den Teilbereichen metallisierte und mit dem reaktionsverhindernden Belag versehene Substrat zum Einlegieren des Metalls über dessen Schmelztemperatur erhitzt wird. Beim Einlegieren von Aluminium mit einer Schmelztemperatur von 6600C in Germanium erweist sich eine Erhitzung auf 7000C als vorteilhaft.
Eine weitere vorteilhafte Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erhitzen des Substrats über die Schmelztemperatur des Legierungsmetalls die Temperatur so weit gesenkt wird, daß ein" Teil der Schmelze rekristallisiert und daß diese Temperatur über eine solche Zeit aufrechterhalten wird, daß eine kontrollierte Nachdiffusion in das Substrat erfolgt. Vor der Kontaktierung der einlegierten Bereiche bzw. einer weiteren. Oberflächenbehandlung der Gesamtanordnung wird der Belag durch Wärmebehandlung in oxidierender Atmosphäre wieder entfernt.
Schließlich sieht die Erfindung die vorteilhafte Anwendung des genannten Ver-
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fahrens bei der Herstellung flächenmäßig sehr kleiner Dotierungsgebiete, insbesondere in Mehrfachemitter-Anordnungen, vor.
Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile bestehen einmal darin, daß für die Bildung des reaktionshemmenden Belags die ohnehin zur Maskierung des Substrats verwendeten Fotolacke verwendet werden können. Zum andern werden 1 die außerordentlich hohen Anforderungen an die Reinheit des Legierungsmate rials im geschmolzenen Zustand, das ja nicht nur als Kontaktmaterial son dern auch als Diffusionsquelle dient, voll.erfüllt. Besondere Vorteile bietet die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens daher in all den Fällen, in denen z. B. in einer sehr kleinen Basiszone mehrere äußerst kleine Emitterzonen mit ihren Kontaktflächen gebildet werden sollen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand einiger Ausführungsbeispiele unter ,-Zuhilfenahme der Zeichnungen näher erläutert. ' >~
In den Figuren 1-4 sind Querschnitte durch das Substrat im Anschluß an verschiedene Verfahrensschritte dargestellt, aus denen das Öffnen der Oxidschicht sowie das Aufbringen und Abgrenzen der Metallisierung in den Öffnungen hervorgeht.
Die Figuren 4A und 4B verdeutlichen die zusätzlich nötigen Verfahrensschritte für den Fall, daß das zu Anfang aufgebrachte Material KTFR oder KMER (Kodak-Fotolack) ist.
In den Figuren 5-7 sind die an Figur 4 anschließenden Verfahrensschritte für den Fall dargestellt, daß die erste und zweite Fotolackschicht nicht KTFR oder KMERist.
Das beschriebene Verfahren weist aus besonderen Gründen große Vorteile bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen auf. Es erlaubt die Ver~.
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wendung von Materialien, die folgende erwünschte Eigenschaften aufweisen: gute Leitfähigkeit, gutes Haften der benutzten Oxidschicht auf dem Halbleiterkörper, gute Haftung zwischen der Metallisierung .und der Oxidschicht und schließlich gute elektrische Eigenschaften für den Fall, daß Aluminium in den Halbleiterkörper einlegiert wird. Diese Eigenschaften werden z.Zt. yonkeiner anderen Kombination von Materialien erreicht oder sogar übertroffen und zwar trotz.der Tatsache, daß zwischen dem Legierungsmaterial (Aluminium) und der Oxidschutzschicht (SK^) tatsächlich ein Reaktionsproblem besteht. Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird jedoch gerade dieses Reaktionsproblem gelöst, so daß diese Kombination von Materialien für die Herstellung von integrierten Schaltungen weit attraktiver geworden ist.
Das in Figur 1 im Querschnitt dargestellte Halbleitersubstrat 1 ist mit einer Oxidschicht 2, z.B. SiO^j bedeckt. Auf die Oxidschicht 2 ist eine Fotolackschicht 3, vorzugsweise aus Positiv-Fotolack, mit einer Öffnung 4 darin aufgetragen. Dazu kann irgendein in der Fotolrfficgfaphie bekannter und in reicher Auswahl im Handel erhältlicher Fotolack Verwendung finden. Ein Positiv-Fotolack besitzt die Eigenschaft, daß die nicht dem Licht ausgesetzten Stellen nach der Entwicklung übrigbleiben, während die belichteten Stellen auflösbar sind. Entsprechend arbeitet ein Negativ-Fotoresist genau umgekehrt. Das Aufbringen und Trocknen der Schicht 3 geschieht nach bekannten Verfahrensschritten. Nach der Maskierung und Belichtung der Schicht 3 wird diese entwickelt und der zu der Öffnung 4 gehörige Teil der Schicht aus dieser herausgelöst. Das.an dieser Stelle unmaskierte S1O2 wird mit einem.geeigneten Ätzmittel, z. B. gepufferter Flußsäure, abgetragen, so daß sich die Öffnung bis auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 erstreckt.
Wie in Figur 2 dargestellt, wird anschließend auf die Oberfläche der Fotolackschicht 3 und in die Öffnung 4 eine Metallschicht 5, vorzugsweise aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, niedergeschlagen. Die Verfahrensschritte zum Niederschlagen von Metall, z.B. durch Aufdampfen oder Aufstäuben
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sind allgemein bekannt. In gleicher Weise wie die Schicht 3 wird auf die Metallschicht 5 anschließend eine zweite Fotolackschicht 6 aufgebracht. Diese Schicht 6 wird so maskiert, belichtet und entwickelt, daß nur der in Figur 3 gezeigte Teil 7 übrigbleibt. Da der entwickelte Fotolack von dem Ätzmittel nicht ange=. griffen wird, dient die Teilfläche 7 als Maske, wenn die Schicht 5 aus Alumi- nium oder einer Aluminiumlegierung mit einem geeigneten Ätzmittel behandelt wird. Als Ätzmittel können HNO3 und H3PO4 Verwendung finden. In Figur 4 ist die nach dem Ätzvorgäng übrigbleibende Metallschicht 8 dargestellt, die mit der von der Fotolacks ehicht 6 übriggebliebenen Teilfläche 7 bedeckt ist.
In weiteren Verfahrens schritten werden der Bereich 7 und die Schicht 3 durch Behandlung mit einem geeigneten Lösungsmittel, z.B. Aceton, völlig entfernt. -Wie in Figur 5 dargestellt ist,- wird anschließend erfindungsgemäß eine Fotolackschicht aufgebracht, die die Oberfläche der S1O2-Schicht 2 und der Metallisierungsschicht 8 völlig bedeckt. Die Schicht 9 besteht vorzugsweise aus KMER oder KTFR. Das mit der Fotolackschicht 9 beschichtete Halbleitersubstrat I1 wird anschließend eine zeitlang bei einer solchen Temperatur aufgeheizt, daß der Fotolack trocknet, aber nicht so lang, daß er verbrennt oder verkohlt. Die Hitze sollte über eine solche Zeitspanne einwirken, daß sich in dem nachfolgenden Schritt die Fotolackschicht glatt abschält und sich nicht etwa viele durchlöcherte Blasen bilden, nämlich Stellen, die an der Oxidschicht festkleben. Ist nämlich die Lackschicht infolge der Hitzeeinwirkung angekohlt, haftet sie derart fest an der Schicht 2, daß ihre Ablösung praktisch unmöglich ist. Am günstigsten hat sich eine Aufheizung auf 30O0C über etwa 5 Sekunden erwiesen.
Unmittelbar nach Beendigung der Wärmebehandlung wird die Schicht 9 mit Trichloräthylen oder anderen geeigneten Lösungsmitteln behandelt, so daß die Schicht 9 Blasen wirft und sich von der Schicht 2 und der Metallisierungsschicht 8 abschält. Dieser Vorgang ist in Figur 6 dargestellt. Man sieht deutlich, wie die Schicht 9 bereits Falten geworfen hat. Auf diese Weise schält
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sich die Schicht 9 von der Oberfläche der Schicht 3 ab und wird dabei durch das Lösungsmittel aufgelöst.
Nach Entfernung der Schicht 9 durch das Aufheizen und die Behandlung mit einem Lösungsmittel bleibt auf der Oberfläche der Schicht 3 ein Belag zurück. Dieser Belag kommt sowohl auf der Oberfläche als auch z. T. innerhalb der SiO2-Schicht 3 zustande. In Figur 7 ist dieser Belag mit 10 bezeichnet. Weiterhin sind in Figur 7 die Metallpille 8 und das Substrat 1 auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des Metalls 8 erhitzt worden. Für den Fall der Verwendung von Aluminium mit einem Schmelzpunkt von 6600C wird zweckmäßig eine Temperatur von 700°C gewählt.
Genau bei dem letztgenannten Verfahrenssehritt würde man normalerweise eine Reaktion zwischen dem Metall 8, hier Aluminium, und dem damit in Berührung kommenden Teil der Schicht 3 erwarten. Entgegen dieser Erwartung findet jedoch keine oder zumindest eine nur sehr geringe derartige Reaktion statt, d.h. der Belag 10 auf der Oberfläche der Schicht 3 wirkt bezüglich der beiden Stoffe Aluminium und S1O2 als eine reaktionshemmende Schicht. Es ist jedoch zu beachten, daß bei zu großer Schichtdicke des Belags diese in anschließenden Verfahrensschritten nur sehr schlecht entfernt werden kann und darüber hinaus eine schlechte Haftung der metallischen Leitungsverbindüngen auf der Oxidschicht zur Folge hat.
Wie bereits oben erwähnt wurde, gibt es Fälle, in denen die Schmelztemperatur des Metalls bzw. der Metallegierung benutzt werden muß. Wird nur eine Legierung angestrebt, kann bei der durch die Legierungsbestandteile Metall/ Halbleiter definierten eutektischen Temperatur gearbeitet werden. Bei dieser Temperatur wird eine Reaktion zwischen dem Metall und der SiOg-Schicht verhindert, da diese Reaktion bei der eutektischen Temperatur, beispielsweise bei Aluminium und-Siliziufti von 577°C, nicht auftritt. Ein Fall, bei dem die Temperatur jedoch auf die Schmelztemperatur eines Metalls, z.B. Aluminium,-und
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darüber hinaus angehoben werden muss, tritt bei der Diffusion im Anschluß an den LegierungsVorgang auf. Dieses Diffusionsverfahren soll im folgenden mit PAD (post-alloy-diffusion) bezeichnet werden. Die PAD-Technik wird bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen benutzt, wenn extrem kleine Emitter in extrem kleinen Basisgebieten realisiert werden sollen. -
Die endgültige Entfernung der Fotolackrestschicht bzw. des Belags kann durch eine Wärmebehandlung in oxidierender Atmosphäre erfolgen. Um eine säubere Oberfläche für die weiteren Verfahrens schritte zu bekommen, kann beispielsweise das Substrat 1 etwa 10 Minuten bei 4000C in Luft erhitzt werden. Diese völlige Reinigung bzw. Entfernung des Belags ist jedoch nur in den Fällen nötig, in denen eine gute Haftung einer eventuell nachfolgend aufzubringenden Metallisierung auf der Oxidschicht notwendig ist.
Für die PAD-Technik haben sich als besonders günstig Aluminiumlegierungen mit. Aluminium, Gallium und Antimon erwiesen. Während des Legierungsvorgangs wird die Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes für Aluminium gehalten, dann um etwa 10°G abgesenkt und eine solche zeitlang auf dieser niedrigeren Temperatur gehalten, daß ein schnell diffundierender Dotierungsstoff, z. B. Antimon, die gewünschte Diffusionstiefe erreichen kann. Andere Temperaturwerte unterhalb des Schmelzpunktes für Aluminium würden unvertretbar lange Diffusionszeiten bedingen. Neben dem Vorteil, daß während des Legierungs Vorgangs eine Reaktion zwischen dem Metall und dem Oxid verhindert wird, verringert das erfindungsgemäße Verfahren damit auch die zum Legieren benötigte Fläche und erlaubt somit, in besonderen und extrem kleinen Bereichen zu legieren.
Bei dem oben beschriebenen Verfahren war angenommen worden, daß für die Fotolackschicht 3, z.B. in Figur 4, ein Positiv-Fotolack verwendet wurde. Die vorliegende Erfindung kann jedoch ebenfalls Anwendung finden, wenn die Schicht 3 aus HMER oder KTFR oder anderen ähnlichen Fotolacken besteht.
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In diesem Fall wird bei gleicher Nachbehandlung lediglich der Teilbereich 7 der Lackschicht 6 entfernt, so daß sich der Querschnitt von Figur 4A ergibt. Jetzt wird das Substrat 1 zum Trocknen 5 Sekunden lang auf 5000C erhitzt und anschließend mit Trichloräthylen behandelt, damit sich die Schicht 3 von der SiC^-Schicht 2, wie in Figur 4D dargestellt, abschält. Die Oberfläche der Schicht 2 wird dann nochmals mit einer Fotolackschicht 9, z.B. KTFR oder KMFR beschichtet und anschließend getrocknet, so daß sich die Verhältnisse von Figur 5 ergeben. Die daran anschließenden Verfahr ens schritte sind dieselben wie die oben im Zusammenhang mit den Figuren 5-7 beschriebenen.
Die zuletzt beschriebene Version des erfindungsgemäßen Verfahrens weist zwar einige Verfahrens schritte mehr auf, liefert jedoch dasselbe Ergebnis und kommt dabei vorteilhafterweise mit nur einer Fotolackart aus.
Für das Substrat 1 wurde eingangs angenommen, daß es ein Halbleiterkörper sei. Weit verbreitet als Halbleitermaterial sind Silizium, Germanium und Galliumarsenid. Für das Verfahren ist das Substratmaterial jedoch unkritisch, es muss lediglich ein Stoff sein, in den ein Metall einlegiert werden kann. Für das erfindungs gemäße Verfahren ist es lediglich wesentlich, daß der Legierungsvorgang bei oder oberhalb der Schmelztemperatur des Legierungsmetalls stattfindet und zwar in Anwesenheit eines Oxids oder anderer Stoffe, die mit dem Metall reagieren. In der oben beschriebenen speziellen Verfahrens version wurde von der Affinität des Legierungsmetalls zu Sauerstoff ausgegangen. Darauf ist die Erfindung jedoch keineswegs beschränkt, sondern sie läßt sich mit Vorteil genauso anwenden·; wenn ein Metall in ein Substrat in Gegenwart anderer mit dem Metall reagierender Stoffe, z..B. Schwefel oder Stickstoff, einlegiert werden soll.
Als Beispiele für andere Metalle, die mit einer SiOg-Schicht reagieren, seien nur Titan, Magnesium und Zirkon genannt. Während bisher solche Metalle ausgewählt werden mußten, die mit Sicherheit nicht mit Sauerstoff oder anderen
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Stoffen reagierten, ist diese Auswahl nun erheblich größer geworden. Die bei dem Legierungsvorgang des, Metalls in dem Substratkörper nach dem Abblättern bzw. Abschälen der angetrockneten Fotolackschicht verbleibende Restschicht bzw. Belag verhindert oder vermindert zumindest jede Reaktion des ■ zusätzlich anwesenden Stoffes mit dem Legierungsmetall. Schließlich ist die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens nicht auf SiO -Schichten
dt ' - .
als Isolierschichten beschränkt. Jeder einen Überschuß an Sauerstoff enthaltende Stoff wird zu einer Reaktion zwischen dem Metall und Sauerstoff führen. So reagiert, z.B. pyrolytisches Aluminiumoxid mit Aluminium. Ebenfalls sind Reaktionen zu erwarten zwischen einem Metall bzw. einer Metallegierung und einer Sauerstoff enthaltenden Mischisolierschicht, z.B. Aluminium und SiIiziumoxinitrid. Allgemein kann gesagt werden, daß jedes einen Überschuß an Sauerstoff bzw. anderen zu Metall reaktiven Stoffen enthaltende Material, das sich bei den Legierungstemperaturen nicht auflöst, mit dem Legierungsmaterial reagieren wird. Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird diese unerwünschte Reaktion verhindert bzw. weitgehend vermindert.
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Claims (11)

193216Α Patentansprüche
1. Verfahren zum Einlegieren von Metall in Teilbereiche eines Substrats, das mit einer bis auf diese Teilbereiche geschlossenen zu dem Legierungsmetall reaktiven Pas s i vie rungs s chicht bedeckt ist, insbesondere zur Herstellung integrierter Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Erhitzen des in den Teilbereichen (4) metallisierten Substrats (1) über dieser Formation ein die schädliche Reaktion zwischen dem Legierungsmetall (8) und der Passivierungsschicht (2) verhindernder Belag (10) gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht (2) Anteile aus der Sauerstoff-, Schwefel- oder Stickstoff gruppe enthält.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht (2) aus Siliziumdioxid besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (I)-ein Halbleitermaterial, vorzugsweise Germanium, Silizium oder Galliumarsenid, ist. ■■""'.-
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Legierungsmetall (8) ein Metall der Aluminium, Magnesium, Titan oder Zirkon enthältenden Gruppen ist.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, daß zur - Bildung des die schädliche Reaktion zwischen dem Legierungsmetall (8) und der Passivierungsschicht (2) verhindernden Belags (10) zunächst eine Schicht (9) aus einem organischen Stoff, vorzugsweise eine Fotolackschicht, aufgebracht wird, daß diese Schicht (9) getrocknet und anschließend mit
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einem Lösungsmittel behandelt wird derart, daß nach dem Abschälen dieser Schicht (Figuren 6, 4B) der gewünschte Belag (10) zurückbleibt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotolackschicht (9) etwa 5 Sekunden bei ungefähr 3000C getrocknet wird.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 6 und 7 gekennzeichnet durch Trichloräthylen als Lösungsmittel. .
9. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, daß das in den Teilbereichen metallisierte und mit dein reaktionsverhindernden Belag versehene Substrat zum Einlegieren des Metalls über dessen Schmelztemperatur erhitzt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erhitzen des Substrats über die Schmelztemperatur des Legierungsmetalls, die Temperatur soweit gesenkt wird, daß ein Teil der Schmelze rekristallisiert, und daß diese Temperatur über eine solche Zeit aufrecht erhalten wird, daß eine kontrollierte Nachdiffusion in das Substrat erfolgt.
11. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Anwendung bei der Herstellung flächenmäßig sehr kleiner Dotierungsgebiete, insbesondere in Mehrfachemitter-Anordnungen.
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DE19691932164 1968-07-15 1969-06-25 Verfahren zum einlegieren von metall in teilbereiche eines insbesondere aus halbleitermaterial bestehenden substrats Withdrawn DE1932164B2 (de)

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