DE1932164B2 - Verfahren zum einlegieren von metall in teilbereiche eines insbesondere aus halbleitermaterial bestehenden substrats - Google Patents

Verfahren zum einlegieren von metall in teilbereiche eines insbesondere aus halbleitermaterial bestehenden substrats

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DE1932164B2 DE19691932164 DE1932164A DE1932164B2 DE 1932164 B2 DE1932164 B2 DE 1932164B2 DE 19691932164 DE19691932164 DE 19691932164 DE 1932164 A DE1932164 A DE 1932164A DE 1932164 B2 DE1932164 B2 DE 1932164B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einlegieren von Metall in Teilbereiche eines insbesondere aus Halbleitermaterial bestehenden Substrats, das bis auf diese Teilbereiche mit einer oberhalb einer bestimmten Temperatur zu dem Legierungsmetall reaktiven Passi* v'cfimgsschMU bedeckt ist, wobei vor dem Erhitzen des il! ('en Teilbereichen metallisierten Substrats über der Passi vierUHgssciiicht ein die Reaktion zwischen dem Legierungsmetall un4 der Passivierungsschicht • verhindernder Belag gebildet w'rcL
Das Verfahren kann insbesondere Anwendung finden bei der Herstellung integrierter Schaltungen nach einem Legierungsdiffusionsverfahren,
Es sind bereits zahlreiche Verfahren zum Einlegieren von Metall in Halbleiterkörper bekanntgeworden. Diese Verfahren wurden insbesondere zur Kontaktierung von Halbleiterkörpern entwickele Bei
ίο der Entwicklung und Anwendung dieser Verfahren Wurde auch bereits festgestellt, daß das etnzulegierende
■ Metall, wie zr B. Aluminium, mit der das Halbleitersubstrat bedeckenden Passivierungsschicht, wie z. B. Siliziumdioxid, in unerwünschter Weise reagieren kann.
is Durch die mit dieser schädlichen Reaktion verbundene Verunreinigung des Metalls werden dessen Eigenschaften, z. B. seine gute elektrische Leitfähigkeit, erheblich verschlechtert und Überdieb das darunterliegende Halbleitersubstrat nachteilig beeinflußt.
Gemäß einer bekanntgewordenen Lösung dieses Problems wird die Reaktion Avischen dem Aluminium und dem Siliziumdioxid zwar zugelassen, das sich bildende Oxid wird jedoch in einem Ätzvorgang entfernt, und unmittelbar daran anschließend wird auf die Anordnung eine Schutzschicht aufgebracht. Das oben geschilderte Problem wird durch dieses Verfahren jedoch nur teilweise und unbefriedigend gelöst.
Weiterhin ist ein Verfahren bekanntgeworden, bei dem die genannte schädliche Reaktion unmittelbar verhindert wird. Das geschieht durch Erhitzen der Anordnung auf die eutektische Temperatur von Substratmaterial und Legierungsmetall. Die Reaktion zwischen Aluminium und Siliziumdioxid tritt bei der eutektische» Temperatur nicht auf. y? setzt aber tin-
mittelbar nach Überschreiten des Schmelzpunktes von Aluminium (660 C) sehr stark ein. Demzufolge kann in Fällen, in denen der Schmelzpunkt des Legierungsmetalls erreicht oder sogar überschritten werden muß. dieses Reaktionsproblem nicht als genügend gelöst betrachtet werden. Die letztgenannten Umstände treten jedoch auf. wenn man in einem im Anschluß an den Legierungsvirgang stattfindenden Diffusionsvorgang die gewünschten Eigenschaften des so hergestellten Bauelements festlegen will.
Es ist ferner bekannt, für die Kontaktierung des Halbleiters und für die Leitungsverbindungen auf der Oxidoherfläche verschiedene Metalle /u verwenden. Das Metall auf dem Oxid wird so gewählt, daß keine Reaktion zwischen ihm und dem Oxid stattfindet. Da dieses Metall jedoch andere Nachteile besitzt, wird darüber eine /weite Schicht eines weiteren MetalN aufgebracht Die Herstellung eines solchen Halbleiterbauelementes ist somit sehr aufwendig.
Schließlich ist die Verwendung von Glass \/-schichten zwischen der Passivierungsschicht unO cm Metall bekannt. Es können hierbei jedoch Schwierigkeiten auftreten, wenn das Substratmalerial und das Glas der Schutzschicht verschiedene Temperatur* koeffiziefitcn besitzen. Für das Aufbringen der Schutz* schicht müssen besondere Vorkehrungen getroffen werden. So ist z. B. bei einem bekannten Verfahren hierfür eine Zentrifuge erforderlich. Außerdem wird für die Schutzschicht ein zusätzliches Material, das bei der Herstellung von Halbleiiteraturdnungen in der Regel nicht benutzt wird, benötigt.
Die Auflebe der Erfindung besteht darin, ein gegenüber dem Bekannten vereinfachtes Verfahren zum Einegieren von Metall in Tetlbcreiiehe eines Substrats an*
, bei dem eine schädliche Reaktion zwischen t)em Legierungsmetall und reaktiven Anteilen der das Substrat mit Ausnahme dieser Teilbereiche bedeckenden Passivierungsschicht vermieden oder zumindest weitgehend vermindert wird. Auf die in der monolithischen Halbleitertechnik häufig vorkommenden Verhältnisse übertragen gilt es demnach, ein Metall, z, B. Aluminium, in bestimmte Bereiche eines HaIb-Jeitersubstrats, z, B, Germanium oder Silizium, ejnfulegieren, ohne daß es zwischen dem Metall und der angrenzenden. Passivierungsschicht, z. B. Siliziumdioxid, zu einer schädlichen Reaktion kommt. Insbesondere sollen durch das anzugebende Verfahren die Voraussetzungen für ein an das Einlegieren anschließendes Nachdiffundieren geschaffen werden.
Diese Aufgabe wird bei dem eingangs genannten Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der Passivierungsschicht und der Metallisierungsschicht eine Schicht an einem, aus einem partiell zyklisierten Polycisisopren bestehenden Fotolack aufgebracht wird und daß diese Schicht durch etwa 5 Sekunden dauerndes Erwärmen bei ungefähr 300 "C getrocknet und mit Trichloräthylen behandelt wird.
Es ist zwar bereits bekannt, eine derartige Fotolackschicht durch ein geeignetes Lösungsmittel, z. B. Trichloräthylen, aufzuweichen und von der darunterliegenden Schicht abzuziehen. Es ist jedoch nicht bekannt, daß durch eine besondere Erwärmung und die Behandlung mit Tnchloräthylen dieselben Fotolacke einen die Reaktion zwischen einei Passivierungsschicht und einem Metall verhindernden Belag bilden.
Eine Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor. daß das in den Teilbereichen metallisierte und mit dem reaktionsverhindernden Belag versehene Substrat zum Einlegieren des Legierungsmetalls über dessen Schmelztemperatur erhitzt wird. Beim Einlegieren von Aluminium mit einer Schmelztemperatur von 660 C in Germanium erweist sich ein» Erhitzung auf 700 C als vorteilhaft.
1 ine weitere vorteilhafte Ausbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, daß nach den F'rhitzen des Substrats über die Schmelztemperatur des Legierungsmetalls die Temperatur so weit gesenkt wird, daß ein T2il der Schmelze rekristallitiert und daß diese Temperatur über eine solche Zeit aufrechterhalten wiru. daß eine kontrollierte Nachdiffusion in das Substrat erfolgt. Vor der Kontaktierung der einlegieren Bereiche bzw. einer weiteren Oberflächenbehandlung der Ciesamtanordnung wird tiet reaktions\>?rhmdernde Belag durch Wärmebehandlung in oxvdierender Atmosphäre wieder er.tfernt.
Schließlich sieht die Erfindung die vorteilhafte Anwendung des genannten Verfahrens bei der Herstellung flächenmäßig sehr kleiner D'Uierungsgebiete. insbesondere in Mchrfachemitter-Anordnungen. vor.
Die ; I ■ >' \ orteile hesichcn
einmal ''■■> · ·ι 'ι ■ l'.·..' u· des reaktinnsverhinder \ ' · ;, : Maskierung des
Substr ■■■■!·,. ■ erwendet werden
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Pie Erfindung wird im folgenden an Hand- einiger Au1Sfiihrnngsbaispiele unter Zuhilfenahme der Zeichnungen näher erläutert,
Jn den Fig, I bis4 sind Querschnitte durch das Substrat im Anschluß an verschiedene Verfahronsschritte dargestellt, aus denen das öffnen der Oxidschicht sowie das Aufbringen und Abgrenzen der Metallisierung in den Öffnungen hervorgeht. Die Fig, 4A und 4B verdeutlichen die zusätzlich
ία nötigen Verfahrensschritte für den Fall, daß der zu Anfang aufgebrachte Fotolack aus einem partiell zyklisierten Polycisisopren besteht (solche Fotolacke sind beispielsweise unter der Bezeichnung ECTFR und KMER im Handel erhältlich),
In den F i g. 5 bis 7 sind die an F i g. 4 anschließenden Verfahrensschritte für den Fall dargestellt, daß die erste und zweite FotolackscHicht kein partiell zyklisiertes Polycisisopren ist.
Das beschriebene Veifahren weist aus besonderen Gründen große Vorteile bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen auf. Es erlaubt die Verwendung von Materialien, die folgende erwünschte Eigenschaften aufweisen: gutes Haften der benutzten Oxidschicht auf dem Halbleiterkörper, gute Haftung zwischen der Metallisierung und der Oxidschicht und schließlich gute elektrische Eigenschaften für den Fall, daß Aluminium in den Halbleiterkörper einlegiert wird. Diese Eigenschaften werden zur Zeit von keiner anderen Kombination von Materialien erreicht oder sogar übertroffen, und zwar trotz der Tatsache, daß zwischen dem Legicrungsmaterial (Aluminium) und der Oxidschutzschicht (SiO2) tatsächlich ein Reaktionsproblem besteht. Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird jedoch gerade die-.es Reaktionsproblem gelöst, so daß diese Kombination von Materialien für die Herstellung von integrierten Schaltungen weit attraktiver geworden ist.
Das in F i g. lim Querschnitt dargestellte Halbleitersubstrat 1 ist mit einer Oxidschicht 2. z. B. SiO2, bedeckt. Auf die Oxidschicht 2 ist eine hotolackschicht 3 vorzugsweise aus Positiv-Fotolack, mit einer Öffnung 4 dann, aufgetragen. Dazu kann irgendein in der Fotolithographie bekannter und in reicher Auswahl im Handel erhältlicher Fotolack Verwendung finden. Ein Positiv-Fotolack besitzt die Eigenschaft, daß die nicht dem Licht ausgesetzten Stellen nach der Entwicklung übrigbleiben, während die belichteten Stellen auflösbar sind. Entsprechend arbeitet ein Negativ-Fotoresist gena-j umgekehrt. Das Aufbringen und Trocknen der Schicht 3 geschieht nach bekannten Verfahrensschritten. Nach der Vlaskierung und Belichtung der Schicht 3 wird diese entwickelt und der zu der Öffnung 4 gehörige Teil der Schicht aus d'jser herausgelöst. Das ί λ dieser Stelle unmaskierte SiO2 wird mit einem geeigneten \tzmittel. z. B. gepufferter Flußsäure, abgetragen, so daß sich die Öffnung bis auf < ■ Oberfläche des Halbleiterkörpers ? erstreckt.
Wie in F i g. 2 dargestellt, wird anschließend auf >!i.· Oberfläche der Fotolackschicht 3 und in die Öffnui ;■ i eine Metallschicht 5. vorzugsweise aus Aluminum oder einer Aluminiumlegierung, niedergeschlagen. I >; Verfahrensschritte zum Niederschlagen von Met,il Z. B. durch Aufdampfen oder Aufstäuben, sind alI.ν mein bekannt. In gleicher Weise wie die Schicht 3«" 1 auf die Metallschicht 5 anschließend eine zweite F i lackschicht 6 aufgebracht. Diese Schicht 6 wird ■ maskiert, belichtet und entwickelt, daß nur dei . ί F i ?,. 3 gezeigte Teil 7 übrigbleibt. Da der entwick t
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Fotolack Von dem Ätzmittel nicht angegriffen wird, dient die Teilfläche 7 als Maskes wenn die Schicht έ aus Aluminium öder einer Aluminiumlegierung mit einem geeigneten Ätzmittel behandelt wird,- Als Ätzmittel können HNÖ3 Und H3PO4 Verwendung finderti 5 In F ι g. 4 ist die nach dem* Ätzvofgäng übrigbleibende Metallschicht 8 dargestellt, die mit der von der Foto^ lackschicht 6 übriggebliebenen Teilfläche 7 bedeckt ist.
In weiteren Verfahrensschritten werden der Bereich 7 und die Schicht 3 durch Behandlung mit einem geeigneten Lösungsmittel, z. B. Aceton, völlig entfernt. Wie in F i g. 5 dargestellt ist, wird anschließend erfindungsgemäß eine Fotolackschicht aufgebracht, die die Oberfläche der SiOj-Schicht 2 und der Metallisieiungsschicht 8 völlig bedeckt. Diese Schicht 9 besteht aus einem partiell zyklisierten Polycisisopren. Das mit der Fotolackschicht 9 beschichtete Halbleitersubstrat 1 wird anschließend eine Zeitlang bei einer solchen Temperatur aufgeheizt, daß der Fotolack trocknet, aber nicht so lange, daß er verbrennt oder verkohlt. Die Hitze sollte über eine solche Zeitspanne einwirken, daß sich in dem nachfolgenden Schritt die Fotolackschicht glatt abschält und sich nicht etwa viele durchlöcherte Blasen bilden, nämlich Stellen, die an der Oxidschicht festkleben. Ist nämlich die Lackschicht infolge der Hitzeeinwirkung angekohlt, haftet sie derart fest an der Schicht 2. daß ihre Ablösung praktisch unmöglich ist. Am günstigsten hat sich eine Aufheizung auf 3000C über etwa 5 Sekunden erwiesen.
Unmittelbar nach Beendigung der Wärmebehandlung wird die Schicht 9 mit Trichloräthylen behandelt, so daß die Schicht 9 Blasen wirft und sich von der Schicht 2 und der Metallisierungsschicht 8 abschält. Dieser Vorgang ist in F i g. 6 dargestellt. Man sieht deutlich, wie die Schicht 9 bereits Falten geworfen hat. Auf diese Weise schält sich die Schicht 9 von der Oberfläche der Schicht 2 ab und wird dabei durch das Lösungsmittel aufgelöst.
Nach Entfernung der Schicht 9 durch das Aufheizen und die Behandlung mit einem Lösungsmittel bleibt auf der Oberfläche der Schicht 2 ein Belag zurück. Dieser Belag kommt sowohl auf der Oberfläche als auch zum Teil innerhalb der SiOo-Schicht 2 zustande. In F i g. 7 ist dieser Belag mit 10 bezeichnet. Weiterhin sind in Fig. 7 die Metallpille 8 und das Substrat 1 auf eine Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes des : Metalls 8 erhitzt worden. Für den Fall der Verwendung von Aluminium mit einem Schmelzpunkt von 66O0C wird zweckmäßig eine Temperatur von 7000C gewählt.
Genau bei dem letztgenannten Verfahrensschritt würde man normalerweise eine Reaktion zwischen dem Metall 8, hier Aluminium, und dem damit in Berührung kommenden Teil der Schicht 2 erwarten. Entgegen dieser Erwartung findet jedoch keine oder zumindest eine nur sehr geringe derartige Reaktion statt, d. h., der Belag 10 auf der Oberfläche der Schicht 2 wirkt bezüglich der beiden Stoffe Aluminium und SiO2 als eine reaktionsverhindernde Schicht Es ist jedoch zu beachten, daß bei zu großer Schichtdicke des Belags diese in anschließenden Verfahrensschritten nur sehr schlecht entfernt werden kann und darüber hinaus eine schlechte Haftung der metallischen Leitungsverbindungen auf der Oxidschicht zur Folge hat.
Wie bereits oben erwähnt wurde, gibt es Fälle, in denen die Schmelztemperatur des Metalls bzw. der Metallegierung benutzt werden muß. Wird nur eine Legierung angestrebt, kann bei der durch die Legierungsbestandteile Metall Halbleitermaterial definierten eiiiekfisdheri Temperatur gearbeitet Werderu Bei dieser Temperatur wird eine Reaktion zwischen dem Metall Und der SiÖj-Schicht Verhindert} da diese Reaktion bei der eutektische!! Temperatur, beispielsweise bei AlU-minium und Silizium Von 577° 6( nicht auftritt Ein Fall, bei dem die Temperatur jedoch auf die Schmelztemperatur eines Metalls, z. B. Aluminium, und darüber hinaus angehoben werden muß. tritt bei der Diffusion im Anschluß an den Legierungsvorgang auf. Dieses Diffusionsverfahren soll im folgenden mit PAD (post-alloy-diffusion) bezeichnet werden. Die PAD-Technik wird bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen benutzt, wenn extrem kleine Emitter in extrem kleinen Basisgebieten realisiert werden sollen.
Die endgültige Entfernung der Fotolackrestschicht bzw. des Belags kann durch eine Wärmebehandlung in oxydierender Atmosphäre erfolgen. Um eine saubere Oberfläche für die weiteren Verfahrensschritte zu bekommen, kann beispielsweise das Substrat 1 etwa 10 Minuten bei 4000C in Luft erhitzt werden. Diese völlige Reinigung bzw. Entfernung des Belags ist jedoch nur *n den Fällen nötig, in denen eine gute Haftung einer eventuell nachfolgend aufzubringenden Metallisierung auf der Oxidschicht notwendig .st.
Für die PAD-Technik haben sich als besonders günstig Aluminiumlegierungen mit Aluminium, Gallium und Antimon erwiesen. Während des Legierungsvorgangs wird die Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes für Aluminium gehalten, dann um etwa 10cC abgesenkt und eine solche Zeit lang auf dieser niedrigeren Temperatur gehalten, daß ein schnell diffundierender Dotierungsstoff. 1. B. Antimon, die gewünschte Diffusionstiefe erreichen kann. Andere Temperaturwerte unterhalb des Schmelzpunktes für Aluminium würden unvertretbar lange Diffusionszeiten bedingen. Neben dem Vorteil, daß während desj Legierungsvorgangs eine Reaktion zwischen dem Metall und dem Oxid verhindert wird, verringert das erfindungsgemäße Verfahren damit auch die zum Legieren benötigte Fläche und erlaubt somit, in besonderen und extrem kleinen Bereichen zu legieren.
Bei dem oben beschriebenen Verfahren war angenommen worden, daß für die Fotolacksch'-ht 3. 7. B. in F i g. 4, ein Positiv-Fotolack verwendet wurde. Die vorliegende Erfindung kann jedoch ebenfalls Anwendung finden, wenn die Fotolackschicht3 aus einem ^partiell zyklisierten Polycisisopren besteht. In diesem Fall wird bei gleicher Nachbehandlung lediglich der Teilbereich 7 der Lackschicht 6 entfernt, so daß sich der Querschnitt von F i g. 4A ergibt. Jetzt wird das Substrat 1 zum Trocknen 5 Sekunden lang auf 300c C erhitzt und anschließend mit Trichloräthylen behandelt, damit sich die Schicht 3 von der SiO2-Schicht 2, wie in F i g. 4 B dargestellt, abschält. Die Oberfläche der Schicht 2 wird dann nochmals mit einer Fotolackschicht 9 beschichtet und. anschließend getrocknet, so daß sich die Verhältnisse von F i g. 5 ergeben. Die daran anschließenden Verfahrensschritte sind dieselben wie die oben im Zusammenhang mit den F i g. 5 bis 7 beschriebenen.
Die zuletzt beschriebene Version des erfindungsgemäßen Verfahrens weist zwar einige Verfahrensschritte mehr auf, liefert jedoch dasselbe Ergebnis und kommt dabei vorteilhafterweise mit nur einer Fotolackart aus.
Für das Substrat 1 wurde eingangs angenommen, daß es ein Halbleitei körper sei. Weit verbreitet als Halbleitermaterial sind Silizium, Germanium und Galliumarsenid. Für das Verfahren ist das 5?nh<;rri>f·
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material jedoch Unkritisch) es muß lediglich ein Stoff sein, in den ein Metall einlegiert werden kann. Für" das ernndungsgefnäße Verfahren Sst es lediglich wesentlich, daß der Legierungsvorgäng bei oder oberhalb der Jikhrrielziemperatür des Legierungsmetalls stattfindet, und zwar in Anwesenheit eines Oxids öder anderer StöfiCj die mit dem Metall reagieren· In der oben beschriebenen speziellen Verfahrensversion Würde von der Affinität des Legierungsmetalls zu Sauerstoff ausgegangen. Darauf ist die Erfindung jedoch keineswegs beschränkt) sondern sie läßt sich mit Vorteil genauso anwenden^ wenn ein Metall in ein Substrat in Gegenwart anderer mit dem Metall reagierender Stoffe, z. B. Schwefel oder Stickstoff, einlegiert werden soll.
Als Beispiele für andere Metalle, die mit einer SiO2-Schjcht reagieren, seien nur Titan, Magnesium und Zirkon genannt. Während bisher solche Metalle ausgewählt werden mußten, die mit Sicherheit nicht mit Sauerstoff oder anderen Stoffen reagierten, ist diese Auswahl nun erheblich größer geworden. Die bei dem Legierungsvorgang des Metalls in dem Substrat nach
dem Abblättern bzw. Abschälen der angetrockneter! Fötölackschicht verbleibende Restschicht bzw. der Belag Verhindert öder Vermindert zumindest jede Reaktion des zusätzlich anwesenden Stoffes mit dem Legierungsmetall.· Schließlich ist die Anwendung des erfindungsgemäßen. Verfahrens nicht auf SiO^Schichten als isölie'fschjchten beschränkt. Jeder" einen Übefscliuß au Sauerstoff enthaltende Stoff wird zu einer Reaktion zwischen dem Metall und Sauerstoff führen So reagiert z. B. pyrolytisches Aluminiumoxid mil Aluminium* Ebenfalls sind Reaktionen zu erwarter zwischen einem Metall bzw, einer Metallegierung unc einer Sauerstoff enthaltenden MisChJsolierschicht z. B. Aluminium und Siliziumoxinitrid. Allgemeir
t5 kann gesagt werden, daß jedes einen Überschuß ar Sauer?toff bzw, anderen zu Metall reaktiven Stoffer enthaltende Material, das sich bei den Legierungstem peraturen nicht auflöst, mit dem Legierungsmateria reagieren wird. Durch das erfindungsgemäße Verfahrer
so wird diese unerwünschte Reaktion verhindert bzw weitgehend vermindert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

Patentansprüche;
1. Verfahren zum Einlegieren von Metall in Teilbereiche eines insbesondere aus Halbleitermaterial bestehenden Substrats, das bis aqf diese Teilbereiche mit einer oberhalb einer bestimmten Temperatur zu dem Legierungsmetall reaktiven. Passivierungsschicht bedeckt ist, wobei vor dem Erhitzen des in den Teilbereichen metallisierten Substrats über der Passivierungsschicht ein die Reaktion zwischen dem Legierungsmetall und der Passivierungsschicht verhindernder Belag gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Passiv ierungsschicht (2) und der Metallisierungsschicht (Si eine Schicht (9) aus einem, aus einem partiell zykitsierten Polycisisopren bestehenden Fotolack aufgebracht wird und daß diese Schicht (9) durch etwa 5 Sekunden dauerndes Erwärmen bei ungefähr 300'C getrocknet und mit Trichlorethylen behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht (2) Anteile an Sauerstoff. Schwefel oder Stickstoff enthält.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Passivierungsschicht (2) aus Sili2iumdioxid besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 1. c"-.durch gekennzeichnet, daß das Substrat (?) ein Halbleitermaterial, vorzugsweise Germanium, ' !lizium oder Galliumarsenid, ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Legierungsmetall (8) Aluminium, Magnesium, Titan oder Zirkon ist.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5. dadurch gekennzeichnet, daß das in den Teilbereichen metallisierte und mit dem reaktionsverhindernden Belag (10) versehene Substrat (1) zum Einlegieren des Legierungsmetalls (8) über dessen Schmelztemperatur erhitzt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6. dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Erhitzen des Substrats (1) über die Schmelztemperatur des Legierungsmetalls (8) die Temperatur so weit gesenkt wird, daß ein Teil der Schmelze rckristallisiert und daß diese Temperatur über eine «olehe Zeit aufrechterhalten wird, daß eine kontrollierte Nachd'ffusion in das Substrat (1) erfolgt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7. gekennzeichnet durch r.eme Anwendung bei der Herstellung einer integrierten Schaltung.
9 Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis K. gekennzeichnet durch seine Anwendung bei der Herstellung flächenmäßig sehr kleiner Dotierungsgebietc, insbesondere in Mehrfachemitter-Anordnungen.
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