DE1540175A1 - Elektrische Widerstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Elektrische Widerstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

PATENTANWALT
DIPL-ING. .
HELMUT GORTZ 2Ov Juli 1965
hankfurta. Main Gzy/Pk
15401
HüTORÜLA, HfC, Franklin Park, Illinois, Ü.S.A.
Elektrische 'Widerstände und Terfahren zu ihrer Herstellung
Die Erfindung betrifft elektrische Widerstände, insbesondere ein Verfahren aum Passivieren und Herstellen τοη Viderstandakqntakten auf dünnen filmförmigen Widerständen»
Mit dem Anwachsen der Mikroschalter-Technik wurden neue Anwendungen für dünne filmförroige Schaltungselemente gefunden. Die üblichen dünnen filmförmigen Schaltungen werden hergestellt durch Niederschlagen von dünnen filmförmigen Widerständen und Kondensatoren auf einer passiven Unterlage, typische derartige Unterlagen bestehen aus Qlae oder keramisohen Stoffen. Die vorverfertigten aktiven Bestandteile solcher Schaltungen werden dann untereinander durch die dünnen flloförttigen Element· verbunden. Aus einen Stück beetehende Schaltungen haben aktiv« Bestandteile und bisweilen auch passive Bestandteile, die in einen kristallinen Halbleiter eingearbeitet sind, sie enthalten üblicherweise eine passivlerende Ozydsohioht auf der Oberfläch· des Halbleiters. Dünne filmförmige Bestandteile können auf der Oberfläche der passivlerenden Schicht angeordnet seinj sie können ait den aktiven Komponenten unter der päesivlerenden Sohicht verbunden sein· Die so hergestellten Schaltungen sind in
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BADORiQlNAt
der Fachwelt ale "compatible integrated circuits" CIG bekannt« Übliche dünne ffllmschaltungen und CIO-Schaltungen gehören beide zu den Schaltungen, die in der Anmeldung behandelt werden»
Bei der Herstellung solcher schaltungen muß die hohe Temperaturbeanspruchung berücksichtigt werden, die beim Zusammenbau der einzelnen Teile auftreten kann. Halbleitende Teile werden häufig mit ihrer Unterlage bei Temperaturen über 40O0C verbunden, flache Packungen werden mitunter bei Temperaturen zwischen 400 und SOO0C .befestigt, fertige Paokungen v/erden oft bei Temperaturen bis zu 5000C auf ihre Zuverlässigkeit geprüft. Derartige hohe Temperaturen können mitunter drastische Änderungen in ungeschützten Filabestandteilen hervorrufen. So wird zum Beispiel das Nickel in widerständen aus Nickel-Chrom bei aolchen Temperaturen schnell genüg oxydiert, um die Werte des Widerstandes deutlich zu ändern· Widerstände aus Nitriden können mit dem Stickstoff der-umgebenden Atmosphäre bei höheren Temperaturen reagieren» wodurch ebenfalls Inderungen ähnlicher Art verursacht werden. .
Man kann diese schädlichen Wirkungen verringern, wenn man den Widerstandsfila mit einen paaslvlerenden Medium, zum Beispiel mit einer Oxidschicht, überzieht. Die«· paasivlerende oohioht verhindert den Zutritt von Oasen : aus der Umgebung. Bei Versuchen über das Altern bei 1I hohen Temperaturen wurde gefunden, daß passivierte Bestandteil· beständiger sind als unpaasivierte Bestandteil·* Be ist aber schwierig, einen guten Kontakt eu einen paaeivierten PiIm für integrierte Schaltungen herzustellen.
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BAD ORIGfNAi.
Man kann Löoher durch die passivierende Schicht ätzen, so daß der unter der Schicht befindliche PiIm durch die Löcher hinduroh metallisiert werden kann. Eb besteht aber hierbei die Möglichkeit, dass der Metallfilm selbst hinweggeatzt wird. Ferner besteht die Möglichkeit» daß das Ätzen nicht vollständig durch die passivierende Schicht hindurchdringt und daß gewisse Mengen von oxydischem Material in dem Gebiet erhalten bleiben, wo der Kontakt zu dem Widerstand hergestellt »/erden soll« Das Kontaktmetally welches anschließend daran in den Löchern abgelagert wird, kann also daran gehindert werden, durch das restliche Oxyd hindurch eine Legierung zu bilden. Selbst beim Erhitzen wird in solchen Fällen kein guter Kontakt erhalten. Selbst wenn das Metall durch die Oxydsehioht hindurch dringt, so daß ein elektrisch sufriedender Kontakt hergestellt ist, so «vird doch in vielen Fällen die Haftung schlecht sein.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Passivieren und zum Herstellen von Kontakten mit dünnen filmförmigen Widerständen, welches zuverlässiger ist als die erwähnten bekannten Verfahren.
Ein anderer Segenstand der Erfindung betrifft die Aueschaltung von Unsicherheiten beim Itzen eines Loches durch eine passivierende Schicht eines dünnen filmförmigen v/iderstandes. Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren wird sichergestellt, daß das Ätzmittel die gesamte passivierende Schicht in dem vorgesehenen Gebiet beseitigt, wo ein Kontakt hergestellt v/erden soll? der Widerstand selbst wird aber nicht angegriffene
~ 4. «-
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Ein kennzeichnendes Merkmal der Erfindung lat ein Verfahren zum doppelten Metallisieren für die Herstellung von Kontakten mit passivieren» dünnen filmförmigen widerständen, wobei die Gebiete» innerhalb welcher die Kontakte hergestellt werden aollen * metallisiert v/erden vor dem Aufbringen des passivlerenden Oxyde. Darauf werden Löcher durch die Oxydschicht bis zum ersten metallisierten Gebiet geätzt» worauf man ein zweites Kai metallisiert» um die Kontakte über die passivierende Schicht zu bringen. Die erste Metallisierung verbessert die Kontakte, da das Metall auf einer wenig oder nicht verunreinigten Oberfläche des Widerstandes abgelagert wird. Das Ätzen kann so lange fortgesetzt werden» bis ein Teil des Metalles des Widerstandes entfernt ist» um eine sichere Bildung von Löchern durch die passivierende Schicht sicherzustellen, ohne das Widerstandsmaterial zu entfernen· Duroh die erste Metallisierung wird die Zuverlässigkeit bei der Herstellung von Kontakten erhöhte
Die Abbildungen zeigen:
Figur 1 zeigt im Querschnitt Widerstände genäse der Erfindung während verschiedener Stufen des Verfahrens in vergrößertem Mafistab·
Figur 2 ist ein vergrößerter Schnitt durch einen dünnen
filmförmigen Widerstand, auf welchem die Kontaktstellen nach dem Verfahren der Abbildung 1 hergestellt sind« Der Widerstand ist in diesem Falle über der passivierenden Oxydschicht einer integrierten Schaltung angeordnet.
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Heutsütage v/erden die meisten Widerstandefilme für integrierte Schaltungen aus Nickel-Chrom-Legierungen hergestellt· Im Nachfolgenden wird die Erfindung in ihrer Anwendung auf solche Legierungen besehrie ten, Ee ist aber klar«, daß das erfindungsgemäße Verfahren auch bei anderen dünnen filmförmigen Widerständen aus anderen Stoffen angewendet werden kann» zum Beispiel aus ZinnoKyd. Weitere Stoffe zur Herstellung solcher 'Widerstände sind beispielsweise Tantalkarbid, Borsilicid, Zinnitrid, Molybdänborid und Chros-Silioiua-Honoxyd. Derartige und verwandte Stoffe sind unter dem Handelsnamen "cermet'! bekannt ο Das erfindungsgemäBe Verfahren kann natürlich auch bei solchen Stoffen und Verbindungen angewendet werden.
In der Figur 1 zeigt A einen niderstand aus einer Niokel-Chrom-Legierung, der in Form eines dünnen Filmes auf einem passiven Träger 11 liegt. Ber passive Träger kann aus Glas oder glasierten oder unglasierten keramischen Stoffen bestehen· Für gewisse Zwecke können auch aktive Träger verwendet werden, wie später in Zusammenhang mit Figur 2 gezeigt wird. Die dünnen Filme aus Hickel-Chrom-Legierungen für Widerstände können beispielsweise durch Aufdampfen im Vakuum hergestellt werden. Solche verdampfbare Rohstoffe sind beispielsweise als Kügelohen mit 75 - 80 ^ Nickel und 20 - 25 % Chrom erhältlich. Die Zusammensetzung und die Abmessungen des Films bestimmen seinen Widerstandswert. Typisch sind Filmdicken von etwa 250 - 1000 ongsträm.
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Hach B ist ein Stück 12 aus einem Metall auf dem Gebiet des Widerstandes angeordnet, wo ein Kontakt hergestellt werden soll. .<ahrsoheinlich ist Aluminium das geeignetste Kontaktmetall für r/ideratände aus Niekel-Chrom-Legierungen, da derartige Kontakte geeignete Widerstände haben und fest mit dem understand selbst verbunden sind. Aluminium iJt verträglich und geeignet auch für andere passive und aktive Komponentent so daß gegebenenfalls ein ganz aus Aluminium bestehendes System verwendet werden kanu. Bas Aluminiumstück kann ebenfalls durch Aufdampfen im Vakuum durch eine Öffnung in einer Maske hindurch aufgebracht werden.
Nach C wird in einem nächöten Schritt eine passivierende Schicht 13 auf der Oberfläche aufgebracht. Diese Schicht kann aus einem einzigen Oxyd, zum Beispiel aus Siliciumdioxid oder Aluminiumoxyd, bestehen oder aus Mischoxyden
wie Al0O, . SiOo oder A1«O, . B0O,. FasslrieieeRde d } d d 5 d 3
Schichten aus solchen und anderen Stoffen können durch Aufdampfen im Vakuum, durch Aufsprühen oder öureh Plattieren aus dem Gaszustande aufgebracht werden»
Hach Ö wird eine öffnung 14 durch die passivierende Schicht 13 hindurch bis zum Aluminiumitück 12 geätzt· Hau kann hierzu das bekannte Maskieren mittels eines liohtwider« ständigen Materials benutzen«, Bas licht^stäiidige Iriaterisl kann aufgebracht werden durch Aufpiasein Aufstreichen, Tauchen, Sprühen oder aiidsrs Verfahren, wofcti «3in Film über der passivie-enden Schicht 13 entstehte Dieser ?ilm wird dann ultraviolettem Licht durch ein aegativee photografisches Muster hindurch ausgesetzt» Bann entwickelt man ihn, um dia niehtbellciiteten Stellen dort aus dem Gebiet 14 zu entfernen, wo ein Iioch geöffnet werden soll. Geeignete Entwickler aiad Isthyläthylketon, Triehloräthylen und dergleichen.
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BAD ORiGiNAL
Dann behandelt man das Ganze mit einer Ätzlösung* Derartige Lösungen können aus Fluorwasserstoffsäure, einer wässrigen Lösung von Ammoniumbifluorid. oder aus einer Misohung von Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoffsäure bestehen* Diese Ätzmittel greifen die pajsivierende Oxydschicht 13'an, entfernen aber nicht den belichteten Überzug 14· Man ätzt ao lange, bis die ganze Oxydschioht entfernt ist. Die obengenannten Ätzmittel greifen ebenfalls das Aluminium 12 an; das läßt sich aber durch .Augenschein feststellen und man kann das Ätzen unterbrechen, wenn dieser Punkt erreicht istc Auf diese Art kann sichergestellt werden, daß das Looh 14 durch die Schicht 13 hindurch geätzt ist, so daß kein restliches Oxyd unter dem Kontaktmetall» das später aufgebracht wird, vorhanden ist«.
Nach;der,Ätzstufe entfernt-iaan das lichtempfindliche Material durch Aufweichen mit einem der erwähnten Entwickler und Abwaschen.
Dann metallisiert man zum zweiten Mal, um einen Kontakt durch das Loch 14 und über die passivierende Schicht anzubringen* Das wird bei Έ unter 15 gezeigt* Daß Metallisieren kann durch Aufdampfen im Vakuum geschehen. Man kann einen zv/eiten lichtempfindlichen Film verwenden, um das Muster der Metallisation festzulegen. In letzterem Falle wird das obenbeschriebene Verfahren nochmals angewendet O
Die Vorteile der doppelten Metallisierung gehen aus dieser Beschreibung hervor0 Da1 dae Aluminium 12 direkt auf einer nichtverunreinigten Oberfläche des
BAD
Widerstandes 10 niedergeschlagen wird, let ein guter mechanischer und elektrischer Kontakt zu dem Widerstand •gewährleistet. Durch Ätzen bis die Ätzflüssigkeit das Aluminium 12 angreift bleibt kein Oxyd zurück an der Stelle, wo die zweite Metallisierung stattfindet·
Gegebenenfalle kann man ein weiteres Metall auf der Oberfläche des Aluminiums 12 niederschlagen! bevor die passivierende Schicht 15 gebildet wird. Dadurch wird besonders sichergestellt» daß ein Loch durch die Oxydschicht geätzt wird. Dieses (rwoite Metall kann ein solches sein, das sichtbar mit der Ätzlösung reagiert, zum Beispiel Titan, Nickel, Zinn oder Zink. Man kann aber auch ein gegen die Ätzlösung widerstandsfähiges Metall .vie Silber auf das Aluminium aufbringen, um die Ätzwirkung zu unterbrechen oder zu verlangsamen, bevor das Aluminium erreicht«
Die Abbildung 2 zeigt beispielsweise einen dünnen film- , förmigen Widerstand einer integrierten Schaltung» um zu zeigen, daß die doppelte Metallisierung auch bei aktiven !Trägern angewendet werden kann. Der dünne filmförmige v/lderstand 21 ist auf der Oberfläche einer Schioht 22 aus Siliciumdioxyd, welche die 01eiehriohterteile 23» 24 und 25 eines Halbleiters innerhalb eines halbleite&den Kristallelements 26 überzieht« Der Widerstand ist mit dem Träger des Gleichrichters durch das Metall bei 27 verbunden, das seiner« seits bei 28 mit Metall verbunden ist und einen Kontakt über die passivierende Schicht 30 herstellt. Das Verfahren zur Herstellung solcher Kontakte 1st genau dasselbe wit oben beschrieben.
Es ist natürlich möglich, die Erfindung auch für andere Zwecke zu verwenden» Auch solche Verwendungen liegen innerhalb der Erfindungβ
909881 /0454 BADORlGiNAL

Claims (1)

  1. Motorola, Inc., · 20. Juli 1965
    Franklin Purk, Illinois, Gzy/Pk
    PATENIANSPRÜCHE
    ο Verfahren zum Pasaivieren und Herstellen von Kontakten auf dünnest filmförmigen Widerständen auf einem Träger, dadurch gekennzeichnet, daß man ~
    a) in an sich bekannter Weise ein bestimmtes Gebiet des dünnen Filmes metallisiert;
    b) daß man dann den filmförmigen Widerstand und den metallisierten Teil mit einer isolierenden Schutzschicht überzieht}
    C-) daß man dann durch ein bestimmtes Gebiet dieser Schutzschicht ein Looh bis zum metallischen Kontakt hindurch ätzti
    d) und daß man schließlich den metallischen Kontakt durch die Öffnung hindurch metallisiert, wobei das Metall auch einen Teil der der öffnung benachbarten Schutzschicht bedeckt.
    2« Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man auf einen Widerstand aus einer Nickel-Ohrom-Legierung Aluminium aufbringt.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß man als isolierende Schutzschicht Siliciumdioxid, Aluminiumoxyd oder ein Misehoxyd, zum Beispiel
    verwendete
    909881/OA5 4
    Leerseite
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3411048A (en) * 1965-05-19 1968-11-12 Bell Telephone Labor Inc Semiconductor integrated circuitry with improved isolation between active and passive elements
US3523038A (en) * 1965-06-02 1970-08-04 Texas Instruments Inc Process for making ohmic contact to planar germanium semiconductor devices
US3462658A (en) * 1965-10-12 1969-08-19 Bendix Corp Multi-emitter semiconductor device
US3462723A (en) * 1966-03-23 1969-08-19 Mallory & Co Inc P R Metal-alloy film resistor and method of making same
US3505134A (en) * 1966-04-13 1970-04-07 Du Pont Metalizing compositions whose fired-on coatings can be subjected to acid bath treatment and the method of using such metalizing compositions
US3501829A (en) * 1966-07-18 1970-03-24 United Aircraft Corp Method of applying contacts to a microcircuit
US3513022A (en) * 1967-04-26 1970-05-19 Rca Corp Method of fabricating semiconductor devices
US3623961A (en) * 1968-01-12 1971-11-30 Philips Corp Method of providing an electric connection to a surface of an electronic device and device obtained by said method
US3636619A (en) * 1969-06-19 1972-01-25 Teledyne Inc Flip chip integrated circuit and method therefor
US3663279A (en) * 1969-11-19 1972-05-16 Bell Telephone Labor Inc Passivated semiconductor devices
US3765937A (en) * 1970-11-06 1973-10-16 Western Electric Co Method of making thin film devices
US4050053A (en) * 1976-04-22 1977-09-20 North American Philips Corporation Resistor end terminations
DE2822011B2 (de) * 1978-05-19 1980-06-04 Fujitsu Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
US4217570A (en) * 1978-05-30 1980-08-12 Tektronix, Inc. Thin-film microcircuits adapted for laser trimming
US4394678A (en) * 1979-09-19 1983-07-19 Motorola, Inc. Elevated edge-protected bonding pedestals for semiconductor devices
DE3161228D1 (en) * 1980-04-17 1983-11-24 Post Office Gold metallisation in semiconductor devices
US4392992A (en) * 1981-06-30 1983-07-12 Motorola, Inc. Chromium-silicon-nitrogen resistor material
US4591821A (en) * 1981-06-30 1986-05-27 Motorola, Inc. Chromium-silicon-nitrogen thin film resistor and apparatus
US7659475B2 (en) * 2003-06-20 2010-02-09 Imec Method for backside surface passivation of solar cells and solar cells with such passivation
US20050255410A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-17 Guerrero Douglas J Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers
US7914974B2 (en) 2006-08-18 2011-03-29 Brewer Science Inc. Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process
EP2245512B1 (de) * 2008-01-29 2019-09-11 Brewer Science, Inc. On-track-prozess zur strukturierung einer hardmaske durch mehrere dunkelfeldbelichtungen
US9640396B2 (en) * 2009-01-07 2017-05-02 Brewer Science Inc. Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography

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Publication number Publication date
CH432628A (fr) 1967-03-31
USB392136I5 (de)
GB1038609A (en) 1966-08-10
DE1540175B2 (de) 1971-10-07
US3345210A (en) 1967-10-03
NO120943B (de) 1970-12-28
NL6510206A (de) 1966-02-28

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