DE2154794C - - Google Patents

Description

tungselement-Material eine zusammenhängende Schicht (24, 16, 27) bildet und verschiedene Teile aufweist, die durch die erste Fläche und durch weitere Flächen getragen werden.

4. Dünnschicht-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 b's 3, dadurch gekennzeichnet, daß es zwei dieser weiteren Flächen (18. 19) aufweist, die in einer Ebene liegen.

5. Dünnschicht-Bauelement nach einem der

Tantal-Nitrid als Widerstandsmaterial das Tantal-Nitrid als eine Schicht auf ei.ie ebene Hauptfläch... eines Keramik-Substrates aufgestäubt. Um elektrischen Kontakt mit der Schicht herzustellen, muß eine mehrfache Schicht verschiedener Kontaktmaterialie;: auf ausgewählte, getrennte Teile der Tantal-Nitrit'· Schicht "aufgebracht werden. Allgemein können die verschiedenen Kontaktmaterialien auf verschieden!.·!: Wegen auf die Tan al-Nitrid-Schicht aufgebrachi

Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß 40 werden. Beispielsweise können die verschieden

es zwei dieser weiteren flächen aufweist, und daß die erste Fläche einen anderen spitzen Winkel mit der ersten weiteren Fläche bildet als mit der zweiten weiteren Fläche.

6. Dünnschicht-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltungselement-Material Tantal-Nitrid aufweist.

7. Dünnschicht-Bauelement nach einem der Ansprüche I bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktmateriai Gold aufweist.

8. Dünnschicht-Bauelement nach einem der Ansprüche I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Kontaktmateriai aus einer Vielzahl von Schichten verschiedenen Kontaktmatcrials gebildet ist.

9. Diinnschirht-Baiieleinent nach Anspruchs, dadurch gekennzeichnet, daß die verschiedenen Kontaktmatcriaiicri Titan und Gold sind.

10. Verfahren zur Herstellung eines Dünnsch ich t -Il a 11 eic π 1 l- π u: s, bei dem ein SchalUiiigselement-Materia! und ein Knntaktrnateria! auf ein Substrat niedergeschlagen werden, dadurch gekenn/.eichnet, d.ui ein Substrat mit wenigr.lcn·". zwei zueinander unicr einem spitzen Winkel geneigten MiiicrialaufnnlHnei'iichen verwendet wird, und daß dos Sduiiiungf/jlemen! Matern! aus Kontaktmaterialien auf die gesamte freiliegende Flüche des Tantal-Nitrids aufgedampft und darauf miiteis Maskierungs- und Atzverfahrens die unerwünschten Teile des Kontaktmaterials entfernt wer den, so daß lediglich die Flächen des Kontaktmalerials zurückbleiben, weiche zur Ermöglichung externe; Verbindung der Widersiandsfchicht mit anderen Schaltungen nötig sind.

Ein anderes Verfahren zum Aufbringen vcrschiedencr Kontaktmaterialien auf erwünschte Flächen der Tantal-Nitrid-Schicht umfaßt das Maskieren von Teilen der Tantal-Nitrid-Schicht, um solche Flächen zu I^edecken, die letztlich nicht durch die verschiedenen Kontaktmatcriaüen bedeckt werden sollen.

und das anschließende Aufdampfen der Kontaktmatcrialieii auf die freiliegenden Flächen der Tantal-Nitrid-Schicht. Da die Maske an die freiliegenden Flächen der Tantal-Nilrid-Schicht angrenzt, wird ein Teil der Konluktmateriaüen auf der Maske abuela-

fi'j gert. In einem solchen Verfahren mrssen die verschiedenen KoMtaktmaterialicn, welche auf der Maske abgelagert sind, entfernt werden. Außerdem muß der Maskienin<:-.schiitt angewendet wc 1 den, gerade weil er in dem Verfahren zur Anwendung kommt, bei dem da·; unerwünschte Kontak'material we!',i';eüi/t win'.

Wenn .(iese Uehpiiile sielt auch auf Diinnsdiichi-

ersten Richtung gegenüber dom Suisirat VVuk-i sl.ii'de beziehen, berui'.iüen minen: Arten von

Dimnschicht-Bauclementen auch Kontaktmaterial. das zur Ermöglichung von Verbindungen mit externen Schaltungen auf auserwählte Flächen iiufae- brv.c'.M werden muß. Die Verfahren zum Aufbringen zahlreicher Arten von Dünnschicht-Schaltunaen auf cias Substrat sind wohlbekannt und brauchen hier nicht erkli::i zu werden. Jedoch verwenden Verfahren zum Aufbringen de? Kontaktmaterials auf erwüiisch'e Stellen des Dünnsehieht-Bauelementes Prozc.-si. die den bezüglich dem Tantal-Nitrid-Wider- ic sund oben erklärten ähnlich sind.

i >ie unbenutzten Teile der verschiedenen Kontaktmaioruilien in den angeführten Beispielen sollten zurückgewonnen werden. Da die verschiedenen Materialien jedoch schichtweise aufgebracht sind, werden di·. zurückzugewinnenden Materialien verunreinigt, »'■-.lurch kostspielige RL-inigungsproz^sse nötig wer-C:- -

Hs sind also offensichtlich neue ι .id verbesserte Herstellungsverfahren für Dünnschicht-Bauelemente m c!vr;irt nötig, daß die Schritte zum Aufbringen von K'.ntnktmaterial auf die Bauelemente vermindert >■·.-. rden und das während des Prozesses verwendet M-iterial ebenfalls reduziert wird.

'■ ■-. ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, rv . und verbesserte Dünnschicht-Bauelcmente und \, iahren zur Herstellung dieser Bauelemente 7ü Sl ;;.'.i feil.

Zur Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung di'ivaeinäß aus von einem Dünnschicht-Baueiemeiit in:; einem Substrat, das eine erste Materiaiaufnahmefkche tuid mindestens eine weitere Maierialaufriahini-iiäche aufweist, wobei auf die erste Flüche Schaltuiiiiselement-Material aufgebracht ist und auf die wehere ί ü'che Schaltungselement-Maiciial und Kontakmial rial einander überlappend aufgebraucht sind.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß die ei.->·_·: Fläche mit eier weiteren Fläche einen spit/en Winkel bildet, und daß das Schallungselemeni-Maieriai aus einer eisten Richtung gegenüber dem Substrat zum F.rhalt eines Niederschlages auf beider, Mateiialaufnahmelläclicn nieder^schhnen svorden ist, und das Kontaktn citerial aus einer zweiten Richtung gegenüber dem Substrat zum Erhalt eines Niederschlage, auf nur einer der beiden Mutcrialaufnahmeflächcn niedergeschlagen worden ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur licrstclkmg eines Dünnschicht-Bauelementes, bei dem ein Schaltungselement-Material und ein Kontaktmaterial auf y, ein Substrat niedergeschlagen werden, ist tiad'.nch gekennzeichnet, daß ein Substrat η it wenigstens zwei zueinander unter einem spitzen Winkel geneigten Materiiilaijfnaiimeflächon verwundet wird, und oaL das Schaltuniiselement-iVicüen;!! aus einer ersten PJch- sj Hing gegenüber d"in Substrat zum F.rhnl! -.-ines Nie derschlages auf beiden MaienalauiY-.ahmefiächen niedergeschlagen wird, und daß das Koniaknnateiial aus einer zweiten Richtung gegeruiboi dem Substrat zum Erhalt eir.es Niedcrschlnges :mf nur einer der beiden MaMnalaiiinahinefhichen nie-, ieigccnlauen wird.

Das bevnr/ii)?!j eifmduiigsgi'mäüe Ausführungsbeis;)i;:l stell! tu I ;>nnschii:'i< bauelement mit 'int-m Substrat dar, das eine Mchi';:'i' beiu;c^Kl);jMer Materiiilaufn:ihnieH;!(.tiLi; ;;:iiweist, <ii · in ι,ιΐπΊ'.-'-'cns /wci verschiedenen, /uciiiaiiilcr iinlei einem spiUen Winkel geneigten l:li:MH:n !;■->■.<. ■ ι, ν.(ΐ!·ο. eis;;: Sclüiiiür.ii.selemeni-Schicht mindestens von Teilen der Flächen in den zwei verschiedenen Ebenen getragen wird und eine Leitfähigkeits-Materialschicht Teile der Schaltungselement-Schicht auf Teilen mindestens einer flache in einer dieser Ebenen überlappt.

Das Ausführungsverfahren enthält die Schritte zum gleichzeitigen Niederschlag einer Schaltungselement-Schicht auf freiliegende Substratflächen, die benachbarte, in mindestens zwei zueinander unter einem spitzen Winkel geneigten Ebenen liegende Flächen einschließen, und zum anschließenden Niederschlagen von Kontaktmaterial auf Teile mindestens einer der in einer der Ebenen liegenden Flächen, um Verbindunasmöglichkeiten ?wischen der Schaltungselement-Schicht und externen Schaltungen herzustellen.

Em erfindungsgeirißei Vorteil besteht darin, daß neue und \crnesserte Dlinii-chichi-Bauelemenie mit einem Aufbau geschaffen sino, der n-.-ue und verbesserte Veifahren zur Bauelemente-Herstellung ermöglicht, um so die Ai:.'.ah! der henö.igten Schntte nd die Menge des benutzten K.op.uik^fp;atcriair> zu reduzieren.

Ein weiterer erfindungsgcniäßer Vorteil liegt in der Herstellung neuer und verbesserter Dünnsehiehi-Baiieleniente mit Kontaktflächen in der Ebene, welche die als Schaliungsirägei des Bauelementes dienende Ebene schneidet, so daß neue und ver'oeserte Bauelemente Herstellungsverfahren mit vergleichsweise weniger Schulten und weniger Kontaktmaterial, alvorher oenöiigt. ermöglicht werden.

Die r-fmüur.g soll nachstehend an Ausi'ühningsbcispielcn näher erläutert werden. In den Zeichnungen zeigt

Fig. 1 eine Schrägansi'.ht eines Substrates mit abgeschrägten Flächen, die an eine ebene HaupilTäcliv.' des Substrates angrenzen..

F i g. 2 ε·.ιε Schrägansicht, in der das Aufbringen einer Schicht aus Widerstandsmaterial auf der ebenen Fläche und auf den abgeschrägten Flachen des in F i g. 1 gezeigten Substrate:⁷ dargesleli; ist,

F i g. 3 eine Schrägansieht mit einer Schicht aus abgelagertem Widerstandsmaterial auf der tibnieu Fläche und auf den abgeschrägten Flächen des in Fig. 1 gezeigten Substrates,

Fig. 4 eu'.e Schrägansicht, die das Aufbringen einer Schicht aus Kontakimaterial auf einer findfläche des in F- . g. 1 gezeigten Substrates, einschließlich der abgeschrägten Flächen, darstellt,

Fig. 5 eine Schrägai,sicht mit einer Schicht au Kontyktmaterial auf einem Ende des Substrates und auch — den Widcistandsfilm überlappend — aiii den abgeschrägten Flächen des Substrates,

Fig. i) - Ine Schrägar.:-.icht eines vollstab'· .ui, erfind'ingsgeniiiBen Dünnschichi-By.aeleiiicnies,

Fig. 7 eine Schräcansicht von einem Stapel j;is Substraten nach dei.. Aufbringen der Widerstandsschicht, auf den Kontakimaterial aufgebracht wird,

F ig. S eine Schrägansicht von einem Subsu.-tstnj> mit einer Schicht aus Kontakt:naterial auf seinem Ende und auf den abgeschrägten Oberflächen und

F i y. 9 eine Schiägnp.sichl des Substratstapel·., a:·, dein das Kontaklrnalerial von den Enden der Sub strate entfernt ist.

Zur Herstellung von Dünnschicht-Baueltmenten wird eine Vielzahl von Schritten benötigt, c;nschiieiiiich Maskieren und Ätzen. Darüber hinaus v»er.ion b'.-träch.liehe ,Mengen von verschiirdeneu Kontakt-

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materialien, die während der HerslellungssdiriUc ver- Tanlal-Nitrid-Schichl 24 und die l'eile 26 unil 27 fm unreinigl werden, in die Aztlösun» aufgenommen und miteinander verbunden sind, um eine zusammenbau- di, müssen zur Wicdcrgcwinnunti kostspieligen Behänd- gendc Widerslandssdiicht aus Tantal-Nitrid zu IW-lungen unterzogen werden. Deshalb wäre es wün- inen. Aus den Fig. 2 und 3 ist es weiterhin ollen- T< sehenswert, ein Verfahren zu haben, welches die bei 5 sielitlieh, daß die in V i g. 2 dargestellte Lage des de den obigen Methoden benotigten Maskicrungsschritle Substrates 16 das gleichzeitige Aufstäuben von Tan- ge ausschliesscn würde, welches die Menge an benötig- tal-Nilrid auf die ebene Haupifläche 17 und 'lie ab- H ten Kontaktmateriaiien reduzieren und die Folgen geschrägten Flächen 18 und 19, die in verschieden iil einer kostspieligen Wiedergewinnungsprozedur nicht geneigten Ebenui liegen, erlaubt. be benutzter Kontaktmaterialien reduzieren oder mini- io Nach Fig. 4 ist das Substrat 16 in eine solche dl mal machen würde. Lace gebracht, daß ein Kontaklmatcrial auf die Hrd- d| Anschließend an das Herstellen eines Dünnschicht- kanlenflächc21 des Substrates und ebenso auf die k|i Bauelementes, wie eines Tanlal-Nitrid-Widerstandes, Teile 26 und 27 der Tanlal-Nitrid-Schichl 24, die auf ab wird die Widcrslandsschicht auf irgendeine Weise den abgeschrägten Flächen 18 und 19 (P'i g. I und 2) be abgeändert, wie z. B. durch Anodisieren oder selek- 15 aufgebracht sind, aufgedampft werden kann. Wie in se tives lintferncn, um einen genauen und erwünschten Fig. 5 dargestellt ist, ergibt der Aufdampfprozess l{l Widerstandwert des Dünnschicht-Widerstandes zu eine Kontaktmaterialschicht 28, die auf der Endkan- Di schaffen. Danach werden Anschlüsse an den Kon- tcnfläche21 (Fig. 1 bis 4) mit Teilen 29 und 31 der di taktflächen angebracht, um eine Verbindung mit Schicht, überlappend mit den darunterliegenden Tci- d« externen Schaltungen zu ermöglichen. Es sei bemerkt, 20 len 26 und 27 (Fig. 3) der Tantal-Nilrid-Schicht 24 ei; daß das Befestigen der Anschlüsse vor der Abgleich- niedergeschlagen ist. dt Prozedur des Widerstandsweites ausgeführt werden Cs sei darauf hingewiesen, daß das Kontaktmate- ~ könnte. Wenn es sich um ein Dünnschicht-Bauelement rial Gold, Kupfer oder irgendein anderes geeignetes dt mit zahlreichen passiven und aktiven elektrischen Material sein kann, das üblicherweise bei der Her- iit Elementen handelt, müssen die Anschlüsse noch an 25 stellung von Dünnschicht-Bauelementen verwendet tii den Kontaktflächen befestigt werden, welche auf wird. Darüber hinaus kann eine Mehrfachschicht aus e« dafür vorgesehenen Schaltungstcilen des Bauelcmcn- verschiedenen Kontaktmateriaiien auf die Teile 26 sei tes aufgebracht sind, um eine Verbindung der Dünn- und 27 Jt-i Schicht 24 aufgebracht werden, um Kon- la schicht-Schaltungen mit externen Schaltungen zu er- taktflächen auf dem Dünnschicht-Bauelement 16 zu D möglichen. 3° bilden. Zum Beispiel wird die erste Lage auf jede al In Fig. 1 ist ein Keramiksubstrat 16 mit minde- der abgeschrägten Flächen 18 und 19 jeweils durch bk stens einer ebenen Hauptflächc 17 und mit abge- die Teile 26 und 27 der Schicht 24 gebildet. Die a{ schrägten Flächen 18 und 19 dargestellt, die an einem nächste Lage kann ein Kontaktmatcrial wie Titan Bj Ende der ebenen Hauplfläche gebildet sind und mit aufweisen, welches eine Haftfähigkeil zwischen der ei einer En lkantenfläche 21 Die Herstellung der abgc- 35 ersten und dritten Lage schafft. Die dritte Lage kann lic schrägten Flächen 1& und 19 auf dem Substrat 16 aus einem Kontaktmatcrial wie Gold, Kupfer oder gt geschieht auf solche Weise, daß die abgeschrägten aus anderem Material sein. Die zweite und dritte i Flächen an die ebene Hauptflächc 17 und die End- Schichtlagc würde auf das Substrat in gleicher Weise si kantenfläche 21 angrenzen. Die abgeschrägten Flä- aufgebracht, wie es bezüglich der F i g. 4 und 5 he- d] chen 18 und 19 weisen jeweils lochförmige Öffnun- 40 schrieben wurde. u gen 22 und 23 auf. '" Fig. 6 ist ein vollständiges Dünnschicht-Bau- g> Das Substrat ist so geformt, daß die ebene Haupt- element dargestellt, z. B . ein Dünnschicht-Wider- d Räche 17 in einer ersten Ebene liegt und die abge- stand, der allgemein mit 32 bezeichnet wird. Der Teil schrägten Flächen 18 und 19 in einer zweiten Ebene der Kontaktniakrialschiehl 28, der auf die F.ndkanliegrn. wobei die beiden Ebenen in einem spitzen 45 tenfläche 21 aufgebracht worden ist, ist durch üb'iclie ^λ\ inkcl zueinander geneigt sind. Die EndkantenfKU Methoden entfernt worden, wie z. B. durch Abche 21 liegt in einer dritten Ebene, welche die erste schleifen. Nach dem Entfernen des Kontaktmatcrials und zweite Ebene schneidet. Die zweite Ebene bil- von der Endkantenfläche 21 bleiben die Teile 29 und dot mit der dritten Ebene einen spitzen Winkel. 31 des Kontaklinaicrials zurück, wobei sie die dnr-Es sei erwähnt, daß die abgeschrägten Flächen 18 50 unterliegenden Teile 26 und 27 (Fig. 3) der Tantal- und 19 in zwei verschiedenen Ebenen liegen könnten. Nitrid-Schicht 24 überlappen. Da die Öffnungen 22 von denen jede die erste Ebene mit der ebenen und 23 in den abgeschrägten !lachen 18 und 19 Flächcl7 und die dritte Ebene mit der Endkanten- bleiben, körnen Anschlüsse, wie z.B. Anschlußflache 21 schneidet, und welche nach der obigen Dc- zapfen (nicht dargestellt), mit oder an den Teilen 29 finition in die zweite Ebene fallen würden. Dies 55 und 31 des ■ Kontaktmaterials befestigt werden, um würde nicht vom Rahmen der vorliegenden Erfin- eine Verbindung zwischen der Tantai-Niirid-Schicht dung abweichen. 24 und externen Schaltungen herzustellen.

In Fig.2 ist das Substrat 16 in eine solche Po- Der Widetslandswert des Dünnschicht-Widerstan-

sition gebracht, daß Tantal-Nitrid mittel eines her- des 32 kann durch bekannte Methoden, wie Anodisic-

kömmlichen Verfahrens auf die ebene Hauptflächc 60 ren oder selektives Schichtentfernen, justiert werden.

17 und auf die abgeschrägten Flächen 18 und 19 Bezieht man sich wieder auf F i g. 4. so könnte die

ufgestäubt wird. Wie in Fig. 3 dargestellt wird, ist Endkantenllächo 21 des Substrates 16 zur Vcrhindc-

als Ereebnis des Aufstäubungsprozesses eine Wider- rung der Kontaktmaterial-Ablagerung auf dicker

Standsschicht 24 aus Tantal-Nitrid auf die ebene Fläche maskiert werden, so daß lediglich uie Tci!e,':9

Hauptüäche 17 (Fig. 1) des Substrates 16 aufge- 65 und 31 (Fig. 5 und 6) auf den Ί eilen 26 \~,ä 27

bracht, wobei Teile 26 und 27 der Tantal-Nitrid- (Fig. 3) der Tantal-Nitrid-Schicht 24 nicdergeschla-

Schicht auf die abgeschrägten Flächen 18 und 19 auf- gen wurden. Auf diese Weise würc, wenn die Maske

gebracht sind. Es sei darauf hingewiesen, daß die von der Endkantenflächc21 des Substrates 16 ent-

fernt wird, der Dünnschicht-Widerstand 32 vollständig, wie in F i g. 6 dargestellt.

Bezieht man sich wieder auf Fig. 1, so könnte der Teil der ebenen Hauplflächc 17. der sich zwischen den iil-geschrägten Flächen 18 und 19 befindet, so geformt sein, daß das gesamte Ende der ebenen Haupti'lächc abgeschrägt wird und in der Ebene liegt, in welcher sich die abgeschrägten Flächen 18 und 19 befinden. Während des Aufdampfprozesses, wobei das Kontaktmatcrial auf die Teile 26 und 27 (F i g. 4) Her Schicht 24 aufgebracht wird, könnte eine Maskierungsmethode verwendet werden, um die Flächen abzuschirmen, welche nicht mit dem Kontaktmaterial bedeckt werden sollen. Weiterhin müssen die abgeschrägten Flächen 18 und 19 nicht in derselben Ebene liegen, um das Verfahren zur Herstellung des Diinnschicht-Widerstandcs32 zu ermöglichen, aber die Flächen sollten mindestens in einer anderen als der Ebene liegen, welche die ebene Hauptfläche 17 einschließt, jedoch in einer Ebene, welche den Aufdampfprozcss ermöglicht, wie in F i g. 4 dargestellt.

Durch Verwendung des Substrates 16, das nach der in F i g. 1 dargestellten Art gebildet ist, können übliche Maskicrungs- und Ätzverfahren ausgeschaltet werden, wie sie normalerweise bei der Herstellung eines Dünnschicht-Bauelementes, wie des Dünnschic'H-Widerstandes 32, benötigt werden. Dies erlaubt Kosteneinsparungen bei dem zur Herstellung des Dünnscliiclit-Widersiandcs 32 benötigten Materia! als auch bei den zur Herstellung des Widerstandes benötigten Zeit erfordernden Schritten. Wie bereits angeführt, kann für andere Arten von Dünnschicht-Bauclementen, welche sowohl passive als auch aktive elektrische Elemente einschließen, ein Substrat ähnlich dem Substrat 16 verwendet werden, wobei die gleichen Vorteile crzielbar sind.

In F i g. 7 ist ein Stapel aus Substraten 16-16 dargestellt, von denen jedes einzeln den Aufsprühvorgang durchlaufen hat und die Tantal-Nitrid-Schicht 24 und die Teile26 und 27 aufweist, wie in Fig.3 dargestellt. Die Substrate 16-16 sind so gestapelt, daß die Tantal-Nitrid-Schichten 24 jeweils eines Substratpaares ancinandcrliegen, wobei die Endkantenflächen 21-21 der Substrate an einem gemeinsamen Stapclcnde erscheinen. Danach wird das Kontaktmaterial auf die Endkantenflächen 21-21 der Substrate 16-16 und auf die Teile 26-26 und 27-27 der Schicht 24 eines jeden Substrates aufgebracht, um zu gleicher Zeit die Teile 29-29 und 31-31 des Kontaktmaterials auf die einzelnen Substrate 16-16 in einer gleichen Weise aufzubringen, wie sie in F i g. 5 dargcstellt ist.

In Fig. 8 bedecken die Kontaklmatcrialschichten 28-28 die Endkantenflächen 21-21 (Fig.7) des Substratstapels 16-16. Außerdem bedecken die Teile 29-29 und 31-31 des Kontaktmaterials jeweils die darunterliegenden Teile26 und 27 (Fig.3) der Tantal-Nitrid-Schicht 24 eines jeden Substrates 16-16.

In Fig.9 ist der Substiatstapel 16-16 dargestellt, bei dem das Kontaktmaterial von den Endkantcnflächcn 21-21 entfernt worden ist, um eine Vielzahl

λο vollständiger Dünnschicht-Widerstände 32-32 zu bilden. Das Kontaktmaterial, welches auf die Endkantenflächcn 21-21 aufgedampft ist, wie in Fig. 8 gezeigt, wird durch irgendwelche geeigneten Mittel entfernt, z. B. durch Abschleifen. Jedoch könnten die Endkantenflächen 21-21 während des Aufdampfprozesses mit einer Maske bedeckt werden, so daß kein Kontaktmatcrial auf die Endkantcnflächcn aufgedampft würde. Auf diese Weise wurden lediglich die SchichticHe 26 und 27 eines jeden Siihstrnic; aufgedampftes Kontaktmaterial aufweisen.

Es sei bemerkt, daß eine Vielfachschicht aus verschiedenen Kontaktmaterialien nötig sein kann, um eine ausreichende Kontaktflächc für den Dünnschicht-Widerstand 32 zu schaden. Das Aufbringen

der Vielfachschicht aus verschiedenen Kontaktmaterialien kann z. B. durch Wiederholen des Prozesses erreicht werden, der im Zusammenhang mit den F i g. 7, 8 und 9 erklärt wurde.

Somit erlaubt der Aufbau des Substrates 16 die rationelle und wirtschaftliche Herstellung vor Dünnschicht-Bauelemcnten, wie Widerständen 32, ot sie nun einzeln oder in Gruppen hergestellt werden

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (3)

zum Erhalt eines Niederschlages auf beiden Materialaufnahr.ieflächen niedergeschlagen wird, und daß das Kontaktmaterial aus einer zweiten Richtung gegenüber dem Substrat zum Erhalt einei Niederschlages auf einer der beiden Materialaufnahmeflächen niedergeschlagen *ird. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Vielzahl von Substraten (16) zu einem Stapel zusammengefügt wird, wobei jedes Substrat mindestens eine Kontaktmaterialaufnahmefläche an einer gemeinsamen Stapelseitu aufweist, und daß Kontaktmaterial auf dkse gemeinsame Stapelseite niedergeschlagen wird um an jedem der vielzähligen Bauelemente mindestens eine Kontaktfläche herzustellen. Patentansprüche:

1. DünnscKcht-Bauelement mit einem Substrat, das eine erste Materialaufnahmefläche und mindestens eine weitere Materialaufnahmefläche aufweist, wobei auf die erste Fläche Schaltungselemeni-Material aufgebracht ist und auf die weitere Fläche Schaltungselement-Material und Kontaktmaterial '·^: ander überlappend aufgebracht sind, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Fläche (17) mit der weiteren Fläche (18, 19) einen spitzen Winkel bildet, und daß das Schaltungselement-Material aus einer ersten Richtung gegenüber dem Substrat (16) zum Erhalt eines Niederschlages auf beiden Materialaufnahmeflächen (17, IP, 19) niedergeschlagen worden ist, und daß Kontaktmaterial aus einer zweiten Richtung gegenüber, dem Substrat zum Erhalt eines Niederschlages auf nur einer der beiden Materialaufnahmeflächen niedergeschlagen worden ist.

2. Dünnschicht-Bauelement nach Anspruch I₁ wobei die weitere Fläche eine Schicht aus Schaltungselement-Material und darüberliegendem Kontaktmaterial trägt, dadurch gekennzeichnet, daß das Tubstrat Verrichtungen (22, 23) für Anschlüsse aufveist, die in elektrischem Kontakt mit dem Kontaktmateriai stehen.

3. Dünnschicht-Bauelement nach Anspruch !

oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Schal- 30 Dünnschicht-Widerständen unter Verwendung

Die Erfindung betrifft Dünnschicht-Bauelcmem. und Verfahren zur Herstellung solcher Bauelement

Dünnschicht-Bauelementc werden unter Verwen dung zahlreicher Methoden hergestellt, wie Aufstäuben. Aufdampfen, Elektroabscheidung und dergleichen. Im allgemeinen verlangen solche Method;;: Maskieren und Ätzen, um ein endgültiges Prodi;'-. zu bilden. Zum Beispiel wird bei der Herstellung \cr