DE19610907B4 - Ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement mit
– einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps,
– einer auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Gate-Pufferschicht, die aus einem Gate-Film (11a) aus Yttriumoxid (Y2O3) gebildet ist,
– einem auf der Pufferschicht gebildeten, ferroelektrischen Gate-Film (12a),
– einer auf dem ferroelektrischen Gate-Film gebildeten Gate-Elektrode (13a) und
– einem Source-/Drain-Gebiet (3a) des dem ersten entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps, das beidseits der Gate-Elektrode in dem Halbleitersubstrat gebildet ist,
gekennzeichnet durch
– eine Abstandshalterschicht (18a) an den Seitenwänden des aus dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a), dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) und der Gate-Elektrode (13a) bestehenden Gate-Aufbaus (20) und
– ein Störstellengebiet (9a) des dem ersten entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Störstellenkonzentration unterhalb der Abstandshalterschicht, das mit dem beidseits des Gate-Aufbaus (20) angeordneten Source-/Drain-Gebiet (3a) verbunden ist,
wobei das Source-/Drain-Gebiet eine gegenüber der ersten höhere zweite Störstellenkonzentration aufweist.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie auf ein Verfahren zu seiner Herstellung.
  • Jüngste Fortschritte in der Dünnschichttechnologie haben zur Erzeugung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen mit ferroelektrischen Filmen, sogenannten ferroelektrischen Speicherbauelementen, geführt, bei denen deren Eigenschaften bezüglich Umkehr und Aufrechterhaltung der Polarisation dazu verwendet werden, die Ausführung von Lese-/Schreibvorgängen mit hoher Geschwindigkeit zu ermöglichen. Da die Polarisationsumkehr in einem ferroelektrischen Film von einem Übergang auf atomarer Skala verursacht wird, kann ein ferroelektrisches Speicherbauelement 104-105 mal schneller betrieben werden als andere Arten von nichtflüchtigen Speichern, z.B. EEPROMs oder Flash-Speicherbauelemente, so daß sie Lesezyklus-Geschwindigkeiten erreichen können, die mit denen eines DRAM-Bauelementes vergleichbar sind, d.h. im Bereich von Hunderten von Nanosekunden. Außerdem ist, da die Polarisationsumkehr nur eine niedrige Versorgungsspannung von beispielsweise zwei bis fünf Volt benötigt, die für Lesevorgänge bei EEPROMs oder Flash-Speichern benötigte höhere Versorgungsspannung von 10V bis 12V nicht erforderlich.
  • Allgemein gesagt gibt es zwei Typen herkömmlicher ferroelektrischer Speicherbauelemente. Der eine Typ detektiert die in einem Kondensator gespeicherte Ladungsmenge, und der andere Typ detektiert eine durch spontane Polarisation eines Ferroelektrikums verursachte Widerstandsänderung.
  • Der erste Typ ist aus zwei Transistoren und zwei Kondensatoren oder aus einem einzigen Transistor-Kondensator-Paar aufgebaut. Speicherbauelemente dieses Typs sind in DRAM-Bauelementen weit verbreitet und werden im allgemeinen von CMOS-Transistoren gebildet, wobei eine dicke isolierende Zwischenschicht die Transistoren von einem oberseitig gebildeten, ferroelektrischen Kondensator trennt. Zwar kann mit dieser Struktur der Einfluß des ferroelektrischen Elektrodenmaterials auf das darunter liegende CMOS-Bauelement verringert werden, es verbleibt jedoch eine Schwierigkeit hinsichtlich destruktivem Auslesen, d.h. die gespeicherten Daten werden allein durch Auslesen derselben zerstört. Das destruktive Auslesen bekommt besondere Bedeutung, wenn die Anzahl von Lese-/Schreibvorgängen in einem Speicherbauelement erhöht werden soll.
  • Eines der ferroelektrischen Speicherbauelemente des zweiten Typs wird als ein Feldeffekttransistor mit einer Metall-Ferroelektrikum-Isolator-Halbleiter-Struktur, abgekürzt MFIS-FET, bezeichnet. Ein solches Bauelement ermöglicht ein zerstörungsfreies Auslesen und ist daher für Lese-/Schreibvorgänge mit erhöhter Geschwindigkeit geeignet. Im Prinzip kann bei Verwendung dieses Speicherbauelementtyps, der verglichen mit einem DRAM mit einem Transistor und einem Kondensator lediglich einen Transistor besitzt, die Zellenfläche ohne Änderung der Zellenstruktur gemäß typischer MOS-FET-Skalierungsregeln verringert werden. Außerdem braucht seine Auslesezeit nicht so groß zu sein wie diejenige eines Flash- Speichers, der einen nichtflüchtigen Speicher darstellt, und die Daten können nach einem Auslesevorgang aufrechterhalten werden. Das Speicherbauelement verwendet eine Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (MIS) mit einem ferroelektrischen Film als ein Gate-Isolationsfilm, wobei ein Auslesevorgang dadurch ausgeführt wird, daß in einem Kanalgebiet eines Transistors eine Inversionsschicht ausgebildet wird. Die Inversionsschicht wird hierbei mittels Steuerung des Potentials einer Silizium-Zwischenschicht abhängig von der Polarisations-Aufrechterhaltung eines Ferroelektrikums gebildet.
  • Es zeigen sich jedoch zahlreiche Schwierigkeiten bei der Anwendung des MFIS-FET. Die größte davon leitet sich aus der Tatsache ab, daß ein ferroelektrischer Film direkt auf einem Siliziumhalbleitersubstrat gebildet wird. Wenn nämlich ein Film aus einem oxidischen Ferroelektrikum, wie PZT, d.h. PbZrxTi1-xO3, direkt auf dem Siliziumsubstrat gebildet wird, werden Sauerstoffatome aus dem sauerstoffreichen ferroelektrischen Film in seine Grenzfläche mit dem Siliziumsubstrat injiziert, was in der Bildung eines überflüssigen dünnen Films z.B. aus SiO2 resultiert. Als Folge davon wird das Zusammensetzungsverhältnis des ferroelektrischen Films lokal gestört, oder es wird eine höhere Betriebsspannung erforderlich. Des weiteren werden durch Haftstellenniveaus, die aus mechanischen Spannungen des ferroelektrischen Films resultieren, geladene Partikel in den Film injiziert, was die durch die Polarisations-Aufrechterhaltung erzeugte Ladung aufhebt. Wenn der Film bei hoher Temperatur gebildet wird, neigen zudem Bestandteile des Ferroelektrikums dazu, in das Siliziumsubstrat zu diffundieren und die Eigenschaften des Feldeffekttransistors zu verändern. Wenngleich anstelle eines solchen oxidischen Ferroelektrikums ein nichtoxidisches Ferroelektrikum wie BaMgF4 verwendet werden kann, dringen in diesem Fall Fluorionen in den Gate-Isolationsfilm ein, was in der Eliminierung der Polarisationseigenschaften resultiert.
  • Da ein ferroelektrischer Film mit einem Siliziumsubstrat hinsichtlich Gitterkonstante und thermischem Ausdehnungskoeffizient nicht kompatibel ist, ist es demgemäß sehr schwierig, einen ferroelektrischen Film hoher Qualität auf dem Siliziumsubstrat zu erzeugen. Außerdem ist, um die Source-/Drain-Gebiete mittels Selbstjustierung zu erzeugen, ein Film erforderlich, der einen thermischen Prozeß bei ungefähr 1000°C toleriert.
  • Um die obigen Schwierigkeiten zu überwinden, wurde in der 55. Applied Physics Society Tagung in Japan vom 19.09. bis 22.09.1994 über einen MFIS-FET berichtet, bei dem ein PbTiO3-Film auf einem CeO2-Film abgeschieden und Aluminium für die Elektroden verwendet wurde. 2 zeigt einen derartigen, herkömmlichen MFIS-FET mit einem CeO2-Film im Querschnitt. Bezugnehmend auf 2 bezeichnen das Bezugszeichen 1 ein p-leitendes Siliziumsubstrat, das Bezugszeichen 2 eine Feldoxidschicht, das Bezugszeichen 3 ein Source-/Drain-Gebiet, das Bezugszeichen 5 einen CeO2-Film, das Bezugszeichen 6 einen ferroelektrischen PbTiO3-Film und das Bezugszeichen 7 eine Gate-Elektrode aus Aluminium. Dabei wird das heteroepitaxiale Wachstum des ferroelektri schen PbTiO3-Films (6) unter Verwendung des CeO2-Films (5) als ein Gate-Isolationsfilm realisiert. Da bei dieser Struktur die Gate-Elektrode nach Bildung des ferroelektrischen Films bei hoher Temperatur erzeugt wird, kann Aluminium als das Elektrodenmaterial verwendet werden, so daß die Struktur für einen Integrationsprozeß geeignet ist. Der MFIS-FET kann daher als ein Speicherbauelement verwendet werden. Allerdings bringt er, wenngleich der CeO2-Film von 2 nur eine geringe Gitterfehlanpassung von 0,35% gegenüber einem <111>-Substrat zeigt, in Verbindung mit einem <100>-Substrat keinen großen Vorteil. Zudem sind die elektrischen Eigenschaften dieses MFIS-FET nicht vollständig verifiziert.
  • Gattungsgemäße ferroelektrische Halbleiterspeicherbauelemente sind beispielsweise in den Offenlegungsschriften JP 06-097452 A und WO 91/13465 A1 beschrieben.
  • In 1 ist ein derartiger MFIS-FET im Querschnitt dargestellt. Der ein ferroelektrisches Speicherbauelement bildende MFIS-FET beinhaltet ein p-leitendes Siliziumsubstrat (1), eine Feldoxidschicht (2), die in einem Bauelementisolationsgebiet des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) gebildet ist, einen Gate-Film (11a) aus Yttriumoxid (Y2O3), der mit einer vorgegebenen Abmessung an der Oberseite des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) gebildet ist, einen ferroelektrischen Gate-Film (12a), der auf dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a) gebildet ist, eine Gate-Elektrode (13a) aus TiN, die auf dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) gebildet ist, und ein n-leitendes Source-/Drain-Gebiet (3), das beidseits der Gate-Elektrode (13a) aus TiN in dem p-leitenden Siliziumsubstrat (1) gebildet ist.
  • In den 4A und 4C sind die aufeinanderfolgenden Schritte zur Herstellung des ferroelektrischen Speicherbauelementes in Form des MFIS-FET von 1 illustriert.
  • 4A veranschaulicht einen Schritt zum sequentiellen Aufbringen eines Yttriumoxidfilms (11), eines ferroelektrischen Films (12), eines TiN-Films (13) und eines SiON-Films (14) ganzflächig auf ein p-leitendes Siliziumsubstrat (1). Bezugnehmend auf 4A wird dabei zunächst eine Feldoxidschicht (2) auf dem p-leitenden Siliziumsubstrat (1) mittels eines üblichen Bauelementisolationsprozesses gebildet, wie eines LOCOS-, SEPOX- oder STI-Prozesses. Nachdem die Oberfläche des p-leitenden Siliziumsubstrates (1) gereinigt wurde, wird der Yttriumoxidfilm (11) als epitaktische Schicht ganzflächig auf das p-leitende Siliziumsubstrat (1) aufgebracht. Der Yttriumoxidfilm (11) wird dabei z.B. mittels Sputtern, mittels Deposition durch einen reaktiven Ionenclusterstrahl oder mittels metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung erzeugt. Danach wird der ferroelektrische Film (12) beispielsweise aus PZT, PT, d.h. PbTiO3, oder Materialien der Y1-Familie auf den Yttriumoxidfilm (11) aufgebracht. Anschließend wird der TiN-Film (13) gebildet, der als ein leitfähiger Gate-Film dient. Anstelle des TiN-Films (13) kann eine Doppelschicht aus TiN und Wolfram vorgesehen werden. Daraufhin wird der als eine Maskenschicht dienende SiON-Film (14) aufgebracht. Anstelle des SiON-Films (14) kann ein Film aus SiO2, Si3N4 oder Y2O3 verwendet werden.
  • 4B veranschaulicht einen Schritt zur Bildung eines Musters (14a) aus dem SiON-Film mittels Fotolithographie. Bezugnehmend auf 4B wird hierbei mittels Fotolithographie ein Fotoresistmuster (16) auf dem SiON-Film (14) erzeugt, wonach der SiON-Film (14) unter Verwendung des Fotoresistmusters (16) als eine Ätzmaske trocken geätzt wird, um das SiON-Filmmuster (14a) zu erzeugen.
  • 4C veranschaulicht einen Schritt zur Bildung eines Gate-Films (11a) aus Yttriumoxid, eines ferroelektrischen Gate-Films (12a) und einer Gate-Elektrode (13a) aus TiN. Bezugnehmend auf 4C wird hierfür zunächst das Fotoresistmuster (16) entfernt, wonach der TiN-Film (13), der ferroelektrische Film (12) und der Yttriumoxidfilm (11) unter Verwendung des SiON-Filmmusters (14a) als eine Maske nacheinander anisotrop geätzt werden, wodurch der Gate-Aufbau (20) gebildet wird, der aus dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a), dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) und dem Gate-Film (13a) aus TiN besteht. Daraufhin wird die gesamte Oberseite des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) unter Verwendung des SiON-Filmmusters (14a) und des Gate-Aufbaus (20) als Maske einer Ionenimplantation mit Arsen, d.h. n-leitenden Störstellen, unterworfen. Die ionenimplantierten, n-leitenden Störstellen werden dann aktiviert, so daß sich das Source-/Drain-Gebiet (3) bildet. Anschließend wird das SiON-Filmmuster (14a) entfernt. Dies vervollständig die Herstellung des in 1 gezeigten MFIS-FET.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeicherbauelementes mit einem über einem Siliziumhalbleitersubstrat gebildeten, ferroelektrischen Film hoher Qualität und mit einer guten Gitter- und Wärmeausdehnungsanpassung der Schichten und vorteilhaften elektrischen Eigenschaften sowie eines Verfahrens zu seiner Herstellung zugrunde.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeicherbauelementes mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie eines Verfahrens mit den Merkmalen des Anspruchs 6. Dabei wird der Yttriumoxidfilm als eine dielektrische Pufferschicht zwischen dem Siliziumhalbleitersubstrat und dem ferroelektrischen Film verwendet. Von Vorteil ist hierbei die Tatsache, daß es relativ einfach ist, die Einkristalle des Yttriumoxidfilms heteroepitaktisch auf dem Halbleitersubstrat zu erzeugen. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß dann, wenn auf dem Yttriumoxidfilm ein ferroelektrischer PZT- oder PT-Film gebildet wird, ein ferroelektrischer Film in Form einer sehr gut entlang einer C-Achse angeordneten epitaktischen Schicht hergestellt werden kann, was die Polarisationseigenschaften solcher Filme verbessert. Somit kann ein ferroelektrischer Film hoher Qualität auf einem Siliziumhalbleitersubstrat erzeugt werden. Bei Verwendung des Yttriumoxidfilms als ein isolierender Film werden zudem ausgezeichnete Strom-Spannungs- und Kapazitäts-Spannungs-Eigenschaften erzielt. Ein Speicherbauelement, bei dem ein derartiger Yttriumoxidfilm vorgesehen ist, zeigt daher ausgezeichnete elektrische Eigenschaften. Von Vorteil vor allem auch hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften ist weiter die Bildung einer LDD-Struktur für das Source-/Drain-Gebiet.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Bevorzugte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie zu deren besserem Verständnis aufgenommene herkömmli che MFIS-FETs und Verfahren zu ihrer Herstellung sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
  • 1 einen Querschnitt eines herkömmlichen MFIS-FET,
  • 2 einen Querschnitt eines herkömmlichen MFIS-FET mit einem CeO2-Film,
  • 3 einen Querschnitt eines erfindungsgemäßen MFIS-FET mit einer LDD-Struktur,
  • 4A bis 4C Querschnitte des Bauelementes von 1 in unterschiedlichen Stadien seiner Herstellung und
  • 5a bis 5E Querschnitte des Bauelementes von 3 in unterschiedlichen Stadien seiner Herstellung.
  • In 3 ist eine erfindungsgemäße Ausführungsform eines MFIS-FET im Querschnitt dargestellt, der ein ferroelektrisches Speicherbauelement mit einer LDD-Struktur bildet, wobei für Elemente, die funktionell denjenigen des Bauelements von 1 entsprechen, gleiche Bezugszeichen gewählt sind. Der LDD-MFIS-FET von 3 beinhaltet ein p-leitendes Siliziumsubstrat (1), eine Feldoxidschicht (2), die in einem Bauelementisolationsgebiet des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) gebildet ist, einen Gate-Yttriumoxidfilm (11a), der mit einer vorbestimmten Abmessung auf dem p-leitenden Siliziumsubstrat (1) gebildet ist, einen auf dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a) angeordneten, ferroelektrischen Gate-Film (12a), eine auf dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) angeordnete Gate-Elektrode aus TiN, eine Abstandshalterschicht (18a) aus SiON, die durch eine Isolationsschicht gebildet ist, welche sich auf der gesamten Oberfläche eines durch den Gate-Yttriumoxidfilm (11a), den ferroelektrischen Gate-Film (12a) und den Gate-Film (13a) aus TiN bestehenden Gate-Aufbaus (20) befindet, ein Störstellengebiet (9a) mit einer ersten Störstellenkonzentration, das n-leitende Störstellen aufweist und unterhalb der Abstandshalterschicht (18a) aus SiON in dem p-leitenden Siliziumsubstrat (1) gebildet ist, sowie ein Source-/Drain-Gebiet (3a) mit einer zweiten Störstellenkonzentration, das beidseits des Gate-Aufbaus (20) in dem p-leitenden Siliziumsubstrat (1) gebildet und mit dem Störstellengebiet (9a) mit der ersten Störstellenkonzentration verbunden ist, wobei die zweite Störstellenkonzentration höher als die erste ist. Wie sich aus 3 ergibt, ist damit die LDD-Struktur durch das Störstellengebiet (9a) mit der ersten Störstellenkonzentration und das Source/Drain-Gebiet (3a) mit der gegenüber der ersten höheren zweiten Störstellenkonzentration gebildet.
  • In den 5A bis 5E ist der Herstellungsprozeß für den in 3 gezeigten LDD-MFIS-FET in aufeinanderfolgenden Fertigungsstufen veranschaulicht, wobei die Schritte bezüglich der 5A und 5B identisch mit denjenigen der 4A und 4B sind, auf deren Beschreibung daher hier verwiesen werden kann.
  • 5C veranschaulicht einen Schritt zur aufeinanderfolgenden Erzeugung eines Gate-Yttriumoxidfilms (11a), eines ferroelektrischen Gate-Films (12a) und einer Gate-Elektrode (13a) aus TiN. Bezugnehmend auf 5C wird hierfür zunächst das Photoresistmuster (16) entfernt, wonach der TiN-Film (13), der ferroelektrische Film (12) und der Yttriumoxidfilm (11) nacheinander unter Verwendung des SiON-Filmmusters (14a) als Maske anisotrop geätzt werden, so daß ein Gate-Aufbau (20) entsteht, der aus dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a), dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) und der Gate-Elektrode (13a) aus TiN besteht. Anschließend wird die gesamte Oberseite des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) unter Verwendung des SiON-Filmmusters (14a) und des Gate-Aufbaus (20) als Maske einer Ionenimplantation mit Phosphor, d.h. n-leitenden Störstellen, in einer niedrigen Konzentration unterzogen.
  • 5D veranschaulicht einen Schritt zum Aufbringen einer SiON-Schicht (18) auf die gesamte Oberseite des p-leitenden Siliziumsubstrats (1) zwecks Erzeugung eines Abstandshalters. Die SiON-Schicht (18) kann dabei durch eine Schicht aus SiO2 oder Si3N4 ersetzt werden. Die SiON-Schicht (18) besteht somit aus demselben Material wie der isolierende Maskenfilm (14a), so daß der Gate-Aufbau (20) von einem einheitlichen Material umgeben ist und die SiON-Schicht (18) für einen nachfolgenden Prozeß in ausreichender Weise als ein Gate-Isolationsmaterial wirken kann.
  • 5E veranschaulicht einen Schritt zur Erzeugung einer Abstandshalterschicht (18a) aus SiON an jeder Seitenwand des Gate-Aufbaus (20). Bezugnehmend auf 5E wird die Abstandshalterschicht (18a) aus SiON an den Seitenwänden des Gateaufbaus (20) mittels anisotropem Ätzen der SiON-Schicht (18) erzeugt. Dann wird Arsen, d.h. n-leitende Störstellen, ganzflächig in einer hohen Konzentration mittels Ionenimplantation eingebracht, wobei der Gate-Aufbau (20) und die Abstandshalterschicht (18a) aus SiON als Maske fungieren. Die ionenimplantierten Störstellen werden dann aktiviert, wodurch das Störstellengebiet (9a) mit der ersten Störstellenkonzentration und das Source-/Drain-Gebiet (3a) mit der zweiten Störstellenkonzentration entstehen. Auf diese Weise wird die Fertigung des LDD-MFIS-FET von 3 vervollständigt.
  • Die oben beschriebene, erfindungsgemäße Ausführungsform kann beispielsweise dahingehend modifiziert sein, dass ein p-leitender MFIS-FET unter Verwendung eines n-leitenden Siliziumsubstrats vorgesehen wird.

Claims (6)

  1. Ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement mit – einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, – einer auf dem Halbleitersubstrat gebildeten Gate-Pufferschicht, die aus einem Gate-Film (11a) aus Yttriumoxid (Y2O3) gebildet ist, – einem auf der Pufferschicht gebildeten, ferroelektrischen Gate-Film (12a), – einer auf dem ferroelektrischen Gate-Film gebildeten Gate-Elektrode (13a) und – einem Source-/Drain-Gebiet (3a) des dem ersten entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps, das beidseits der Gate-Elektrode in dem Halbleitersubstrat gebildet ist, gekennzeichnet durch – eine Abstandshalterschicht (18a) an den Seitenwänden des aus dem Gate-Yttriumoxidfilm (11a), dem ferroelektrischen Gate-Film (12a) und der Gate-Elektrode (13a) bestehenden Gate-Aufbaus (20) und – ein Störstellengebiet (9a) des dem ersten entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Störstellenkonzentration unterhalb der Abstandshalterschicht, das mit dem beidseits des Gate-Aufbaus (20) angeordneten Source-/Drain-Gebiet (3a) verbunden ist, wobei das Source-/Drain-Gebiet eine gegenüber der ersten höhere zweite Störstellenkonzentration aufweist.
  2. Ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (13a) aus einem TiN-Film oder einer Doppelschicht aus TiN und Wolfram besteht.
  3. Ferroelektrisches Halbleiterspeicherbauelement nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandshalterschicht (18a) aus einem Material besteht, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus SiO2, Si3N4, Y2O3 und SiON besteht.
  4. Verfahren zur Herstellung eines ferroelektrischen Halbleiterspeicherbauelementes mit folgenden Schritten: – Erzeugen eines Bauelementisolationsgebietes (2) in einem vorbestimmten Gebiet eines Halbleitersubstrates (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps, – sequentielles, ganzflächiges Aufbringen eines Yttriumoxidfilms (11), eines ferroelektrischen Films (12) und eines leitfähigen Gate-Films (13) auf das Halbleitersubstrat, – Erzeugen eines Maskenmusters (14a), indem eine Maskenschicht (14) auf den leitfähigen Gate-Film (13) aufgebracht und anschließend strukturiert wird, – Erzeugen eines Gate-Aufbaus (20) aus einer Gate-Elektrode (13a), einem ferroelektrischen Gate-Film (12a) und einem Gate-Yttriumoxidfilm (11a) mittels Ätzen des leitfähigen Gate-Films (13), des ferroelektrischen Films (12) und des Yttriumoxidfilms (11) unter Verwendung des Maskenmusters (14a) als Ätzmaske, – Ionenimplantieren von Störstellen eines dem ersten entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Störstellenkonzentration in das Halbleitersubstrat, – Bilden einer Abstandshalterschicht (18a) an den Seitenwänden des Gate-Aufbaus (20) durch ganzflächiges Abscheiden eines Abstandshalterschichtmaterials auf dem Halbleitersubstrat und anschließendes, trockenes Ätzen desselben und – Erzeugen eines Source-/Drain-Gebietes (3) mittels Ionenimplantation von Störstellen des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer gegenüber der ersten größeren zweiten Störstellenkonzentration in das Halbleitersubstrat.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Maskenmuster von einem Material gebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus SiON, SiO2, Y2O3 und Si3N4 besteht.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 bis 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass für das Maskenmuster (14a) dasselbe Material gewählt wird wie für die Abstandshalterschicht (18a).
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