DE19600127B4 - Verfahren zum IR-aktivierten Härten von Polyorganosiloxan-Zusammensetzungen - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Härten einer Zusammensetzung durch Hydrosilylierung, ohne Erzeugung von Rauch, welche Zusammensetzung umfasst:
(A) ein durch Alkenylgruppe(n) substituiertes Polyorganosiloxan,
(B) ein Polyorganosiloxan mit mindestens einer Si-H-Bindung, und
(C) mindestens ein IR-Strahlung streuendes Material, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ruß, Graphit, anorganischen Oxiden oder Salzen, Keramiken, IR-absorbierenden Pigmenten, metallorganischen Verbindungen, Anthracen, Phenanthracen, Anthrachinon und Phenanthracenchinon,
wobei das Verfahren umfasst:
Erhitzen der Zusammensetzung auf eine Temperatur im Bereich von 100–210°C durch IR-Strahlung mit einer Wellenlänge, die durch die Verwendung einer Scheibe aus Borsilicatglas und eines Kaltlichtspiegels auf den Bereich von 700–3000 nm beschränkt ist, und
Härten durch Anordnen des Kaltlichtspiegels zwischen dem Borsilicatglas und der Zusammensetzung, und Aussetzen des Borsilicatglases der IR-Strahlung.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zum IR-aktivierten Härten von Polyorganosiloxan-Zusammensetzungen durch Hydrosilylierung.
  • Das Härten von Polyorganosiloxan-Zusammensetzungen (im folgenden manchmal einfach als "Silicone" bezeichnet) durch Hydrosilylierung ist in zahlreichen Patentschriften und Veröffentlichungen offenbart. Es schließt die allgemein durch einen Katalysator, der ein Platingruppenmetall enthält, katalysierte Umsetzung eines Alkenyl-substituierten Silicons mit einem Silicon ein, das mindestens eine Si-H-Bindung enthält. Das gehärtete Material ist im allgemeinen ein vernetzter Siliconkautschuk.
  • Während viele Hydrosilylierungs-Reaktionen einfach durch konventionelles Erhitzen der härtbaren Zusammensetzungen gefördert werden, sind andere Arten der Aktivierung durch Erhitzen bekannt. So offenbaren, zum Beispiel, die Japanische Kokai 57/110,433 und die anhängige US-Patentanmeldung Serial Nr. 07/970,498 den Einsatz von IR-Strahlung, um die Siliconmaterialien zu erhitzen. Wie in der genannten, anhängigen US-Patentanmeldung offenbart, findet das IR-Härten in Gegenwart eines geeigneten, IR-absorbierenden oder streuenden Materials statt und benutzt typischerweise Strahlung der Wellenlängen im Bereich von 700–10.000 mm.
  • Wie in der Europäischen Patentanmeldung 358,452 beschrieben, kann die Hydrosilylierung auch durch Aussetzen der härtbaren Zusammensetzung gegenüber sichtbarem Licht in Gegenwart eines Sensibilisators bewirkt werden. Das Härten nach diesem Verfahren findet augenscheinlich bei Umgebungstemperatur statt, da keine Erhitzungstemperatur angegeben ist. Die Wellenlänge des eingesetzten, sichtbaren Lichtes ist als zwischen 400 und 800 nm liegend angegeben. Der Fachmann erkennt jedoch, daß Strahlung mit einer Wellenlänge von mehr als 700 nm (7.000 Å), genauer gesagt, im IR-Bereich liegt, vergleiche CRC Handbook, 65. Auflage (1984), Seite E-184.
  • Das gleichmäßige Härten von Hydrosilylierungs-Mischungen erfordert ein schnelles, durch das Volumen gleichmäßiges Erhitzen. Dies erfordert wiederum eine gleichmäßige Absorption der IR-Strahlung durch die Masse des gehärteten Harzes. Wird IR-Strahlung im oben angegebenen, weiten Wellenlängenbereich in hoher Intensität eingesetzt, dann wird häufig festgestellt, daß die Silicon-Zusammensetzung zu rauchen beginnt, bevor das Härten abgeschlossen ist, was anzeigt, daß eine Oberflächenzersetzung begonnen hat. Eine solche Zersetzung tritt im allgemeinen bei Temperaturen oberhalb von 225°C und speziell oberhalb von 250°C auf.
  • Es ist daher erwünscht, ein verbessertes Verfahren zum IR-Erhitzen von Hydrosilylierungs-Zusammensetzungen zu entwickeln, um deren gleichmäße Härtung ohne Zersetzung zu erleichtern. Ein solches Verfahren wird durch die vorliegende Erfindung geschaffen.
  • Europäische Patentanmeldungen EP-A-0597613 und EP-A-0596677 beschreiben jeweils ein Verfahren zum Härten einer Polyorganosiloxan-Zusammensetzung durch Hydrosilylierung unter Anwendung von Infrarotstrahlung im Wellenlängenbereich von 700 bis 10000 nm.
  • Japanische Patentanmeldung JP-A-02178376 beschreibt die Bestrahlung eines Silicongummi/Siliconharz-Gemisches vom „Pt-Katalysator-Härtungstyp" mit Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von 750 bis 2500 nm.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Härten einer Zusammensetzung durch Hydrosilylierung, ohne Erzeugung von Rauch, welche Zusammensetzung umfasst:
    • (A) ein durch Alkenylgruppe(n) substituiertes Polyorganosiloxan,
    • (B) ein Polyorganosiloxan mit mindestens einer Si-H-Bindung, und
    • (C) mindestens ein IR-Strahlung streuendes Material, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ruß, Graphit, anorganischen Oxiden oder Salzen, Keramiken, IR-absorbierenden Pigmenten, metallorganischen Verbindungen, Anthracen, Phenanthracen, Anthrachinon und Phenanthracenchinon,
    wobei das Verfahren umfasst:
    Erhitzen der Zusammensetzung auf eine Temperatur im Bereich von 100–210°C durch IR-Strahlung mit einer Wellenlänge, die durch die Verwendung einer Scheibe aus Borsilicatglas und eines Kaltlichtspiegels auf den Bereich von 700–3000 nm beschränkt ist, und
    Härten durch Anordnen des Kaltlichtspiegels zwischen dem Borsilicatglas und der Zusammensetzung, und Aussetzen des Borsilicatglases der IR-Strahlung.
  • Detaillierte Beschreibung, bevorzugte Ausführungsformen
  • Reagenz (A) gemäß der vorliegenden Erfindung ist mindestens ein Alkenyl-substituiertes Polyorganosiloxan. Es ist vorzugsweise eines mit an Silicium gebundenen Vinylgruppen. Solche Siliconmaterialien sind im Stande der Technik bekannt, und sie wurden bereits zur Herstellung gehärteter Silicon-Materialien, einschließlich Schäumen, eingesetzt. Sie sind, zum Beispiel, in den US-PSn 4,418,157; 4,851,452 und 5,011,865 offenbart, die durch Bezugnahme hier aufgenommen werden.
  • Ein typisches, lineares (Polydiorganosiloxan)silicon-Material, das als Reagenz (A) brauchbar ist, wird durch die Formel repräsentiert
    Figure 00040001
    worin jedes R1 unabhängig C1-6-Alkyl, Phenyl, 3,3,3-Trifluorpropyl oder Vinyl ist, und n einen solchen Wert aufweist, daß die Viskosität des Silicons im Bereich von etwa 100–1.000.000, vorzugsweise etwa 1.000–250.000 und am bevorzugtesten etwa 2.500–100.000 mPa·s (centipoise) bei 25°C liegt. Am häufigsten ist jedes R1, das nicht Vinyl ist, Methyl.
  • Eine im Stande der Technik anerkannte Konvention zum Bezeichnen von Struktureinheiten von Siliconen gemäß der Anzahl der an Silicium gebundenen Sauerstoffatome wird hier benutzt. Diese Konvention benutzt die Buchstaben M, D, T und Q, um die Anzahl von Sauerstoffatomen als Abkürzungen für "mono", "di", "tri" und "tetra" zu bezeichnen. Das Silicon der Formel I besteht somit aus M-Endgruppen und inneren D-Einheiten. Die Anwesenheit von T- und/oder Q-Einheiten verleiht der Verbindung eine verzweigte und/oder vernetzte Struktur.
  • Der Anteil von M-, D-, T- und Q-Einheiten im Reagenz (A) und in der Mischung als ganzer, kann variiert werden, um einer Zusammensetzung den erwünschten Grad der Verzweigung und andere Eigenschaften zu verleihen. So beschreibt die vorgenannte US-PS 4,418,157, zum Beispiel, ein Grund-Siliconmaterial, das an Silicium gebundene Vinylgruppen enthalten kann, und das vorgeschriebene Anteile von M-, D- und Q-Einheiten aufweist.
  • Im allgemeinen umfaßt Reagenz (A) prinzipiell Verbindungen, bei denen Vinylgruppen an die endständigen Siliciumatome der Siliconkette gebunden sind.
  • Reagenz (B) kann durch ein lineares Polysiloxan der Formel repräsentiert werden
    Figure 00050001
    worin jedes R2 unabhängig C1-6-Alkyl, Phenyl, 3,3,3-Trifluorpropyl oder Wasserstoff ist. Am häufigsten weist Reagenz (B) im Mittel mindestens etwa drei Si-H-Gruppierungen pro Molekül und im Mittel nicht mehr als ein Wasserstoffatom an ein Siliciumatom gebunden auf und irgendwelche R2, die nicht Wasserstoff sind, sind Methyl.
  • Reagenz (C) ist mindestens ein IR-Strahlung absorbierendes oder streuendes Material. Geeignete Materialien dieser Art schließen anorganische Materialien, wie Ruße und Graphite, Ceroxid, Titanoxid und Eisen(III)oxid; Keramiken, wie Prozellan; IR-absorbierende Pigmente, wie Preußischblau; metallorganische Verbindungen, wie (Methylcyclopentadienyl)mangantricarbonyl und (Tetraphenylcyclobutadien)(cyclopentadienyl)cobalt sowie organische Verbindungen ein, wie Anthracen, Phenanthracen, Anthrachinon und Phenanthracenchinon. Die anorganischen Materialien sind allgemein bevorzugt, wobei Oxide und Salze häufig am meisten bevorzugt sind.
  • Im allgemein wird bei dem Verfahren dieser Erfindung auch (D) mindestens ein Hydrosilylierungs-Katalysator eingesetzt, am häufigsten ein Platingruppen-Katalysator. Unter "Platingruppe" wird der Teil der Gruppe VIII des Periodensystems, wie es traditionell benutzt wird, verstanden, der die Metalle Rhodium, Ruthenium, Palladium, Osmium, Iridium und Platin enthält. Die bevorzugten Metalle dieser Gruppe sind Rhodium, Palladium und Platin, wobei wegen seiner leichten Verfügbarkeit und seiner besonderen Eignung Platin besonders bevorzugt ist.
  • Es sind im Stande der Technik zahlreiche Arten von Platin-Katalysatoren bekannt und in den oben genannten Patentschriften offenbart. Sie schließen, zum Beispiel, Reaktionsprodukte von Chlorplatinsäure mit Olefinen, Alkoholen, Ethern, Aldehyden und Vinylsiloxanen, wie Tetramethyldivinyldisiloxan, ein. Ein Reaktionsprodukt von Chlorplatinsäure mit Tetramethyldivinyldisiloxan in Gegenwart von Natriumbicarbonat, wie es in der US-PS 3,775,452 offenbart ist, ist, gelöst in Xylol bis zu einem Niveau von etwa 5 Gew.-% Platin, bevorzugt, und es wird im folgenden als "Karstedt's Katalysator" bezeichnet.
  • Andere Materialien, wie Trocknungsmittel und Füllstoffe, können auch vorhanden sein. Geeignete Füllstoffe schließen verstärkende Füllstoffe, wie pyrogenes Siliciumdioxid und gefälltes Siliciumdioxid, sowie streckende Füllstoffe, wie gemahlenen Quarz, Titandioxid, Zinkoxid, Zirkoniumsilicat, Siliciumdioxidaerogel, Eisenoxid, Diatomeenerde, Calciumcarbonat, Magnesiumoxid, calcinierten Ton und Kohlenstoff (zum Beispiel Graphit oder Ruß) ein. Siliciumdioxid und speziell pyrogenes Siliciumdioxid ist häufig bevorzugt. Es wird klar sein, daß einige dieser Füllstoffe auch als IR-absorbierende Materialien brauchbar sind.
  • Der Anteil des Reagenz (B) beträgt meistens etwa 0,5–50, vorzugsweise etwa 10–20 Gewichtsteile auf 100 Teile des Reagenz (A). IR-absorbierende Materialien werden in einer wirksamen Menge eingesetzt, um die einfallende Strahlung zu absorbieren, wobei diese Menge im weiten Rahmen variieren kann in Abhängigkeit von der Art des eingesetzten Materials, doch liegt sie üblicherweise im Bereich von etwa 0,0001–10,0 Teile auf 100 Teile des Reagenz (A). Werden sie eingesetzt, dann sind die Füllstoffe typischerweise in Mengen von etwa 15–50 Teilen auf 100 Teile des Reagenz (A) vorhanden.
  • Es kann irgendeine Menge des Katalysators (Reagenz D), die zum Katalysieren der Hydrosilylierung von Reagenz A mit Reagenz B wirksam ist, eingesetzt werden. Typischerweise wird eine Menge benutzt, um etwa 10–100 und vorzugsweise etwa 10–50 Gewichtsteile Platin auf 1.000.000 Teile der Gesamtzusammensetzung zu schaffen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Silicon-Zusammensetzung auf eine Temperatur im Bereich von 100–210°C erhitzt, indem man IR-Strahlung im eingeschränkten Wellenlängenbereich von 700–3.000 nm darauf auftreffen läßt. Die Strahlung kann durch konventionelle Quellen für IR-Strahlung, wie Wolfram-Halogen-Lampen, erzeugt werden. Das Leistungsniveau hängt von solchen Faktoren ab, wie dem Abstand von Lampe zu Silicon und der Größe des hergestellten Silicon-Gegenstandes, wobei typische Energieniveaus im Bereich von 100–5.000 Watt liegen.
  • Ein Abschirmen von Strahlung in Wellenlängenbereichen, die nicht erwünscht sind, kann nach dem Fachmann bekannten Verfahren erfolgen. So wird, zum Beispiel, eine Abschirmung aus Borsilicatglas Strahlung von 3.000 nm und mehr absorbieren. Um Strahlung unter 700 nm zu beseitigen, kann ein "kalter Spiegel" benutzt werden. Ein Beispiel eines solchen Gegenstandes ist erhältlich von der Edmund Scientific Company als Teil Nr. R42,414. Der kalte Spiegel wird typischerweise zwischen der Abschirmung aus Borsilicatglas und der Silicon-Zusammensetzung angeordnet.
  • Die Wirkung der IR-Abschirmung und die Beschränkung der auftreffenden Strahlung auf den Wellenlängenbereich von 700–3.000 nm wird durch eine Reihe von Versuchen veran schaulicht, bei denen eine flüssige Silicon-Zusammensetzung zum Spritzguß, sowohl in härtbarer als auch in Vergleichsform, benutzt wurde. Die Alkenyl-substituierten Polyorganosiloxan-Bestandteile wurden hauptsächlich als "Masterbatch A" bereitgestellt, der eine Mischung aus 90 Gew.-% Vinyl-Endgruppen aufweisendem Polydimethylsiloxan mit einer Viskosität von 40.000 mPa·s (centipoise), 5% Vinyl-Endgruppen aufweisendem Polydimethylsiloxan mit einer Viskosität von 4.000 mPa·s (centipoise), (im folgenden als "Vinylsilicon mit 4.000 mPa·s (centipoise)" genannt) und 5% Polydimethylsiloxan mit endständigen und in der Kette befindlichen Vinylgruppen mit einer Viskosität von 500 mPa·s (centipoise) war. Ein "Masterbatch B" wurde hergestellt durch Vermengen von etwa 80 Teilen des Masterbatch A mit etwa 20 Teilen pyrogenem Siliciumdioxid mit einer Oberfläche von 200 m2/g.
  • Um die Vergleichs-Zusammensetzung herzustellen, wurden 92 Gewichtsteile des Masterbatch B mit 4 Teilen einer Zusammensetzung, umfassend 50 Gew.-% des Vinylsilicons mit 4.000 mPa·s (centipoise), 25% Cer(IV)oxid und 25% Magnesiumoxid, und vier Teilen einer Zusammensetzung, umfassend 50% des Vinylsilicons mit 4.000 mPa·s (centipoise) und 50% Zinkoxid, vermischt. Die Vergleichs-Zusammensetzung enthielt somit 1,3 Gew.-% des Reagenz C und 27,6 Teile Füllstoff (Siliciumdioxid, Magnesiumoxid, Zinkoxid) auf 100 Teile des Reagenz A.
  • Eine Probe aus der Vergleichs-Zusammensetzung von 4 mm Dicke wurde 8 cm unterhalb einer Wolfram-Halogen-Lampe von 600 Watt angeordnet. Drei Thermoelemente wurden vertikal in der Siliconprobe 1 mm unter ihrer Oberfläche und in Abständen von 1 mm angeordnet und die Lampe aktiviert. Nach zwei Minuten wurde eine Rauchemission an der Oberfläche der Silicon-Zusammensetzung beobachtet, obwohl die Temperaturen bei 1, 2 und 3 mm unter der Oberfläche nur etwa 120°C, 110°C bzw. 85°C betrugen.
  • Das Verfahren wurde mit einer Scheibe aus Borsilicatglas, die als eine Abschirmung zwischen der Lam-pe und der Silicon-Zusammensetzung angeordnet war, sowie einem kalten Spiegel zwischen der Glasscheibe und dem Silicon wieder holt. Die auf das Silicon auftreffende Stahlung hatte daher eine Wellenlänge von 700–3.000 nm. Nach etwa 2,5 Minuten betrugen die Temperaturen 1, 2 bzw. 3 mm unter der Oberfläche etwa 150°C, 145°C bzw. 130°C, und es wurde keine Erzeugung von Oberflächenrauch beobachtet. Das Erhitzen war somit sehr viel gleichmäßiger, wenn die Strahlung hoher Wellenlänge ausgeblendet war.
  • Das Verfahren mit der Borsilicat-Scheibe und dem "kalten Spiegel" wurde mit einer Zusammensetzung wiederholt, hergestellt durch Einsetzen von jeweils 46 Teilen der beiden Vinyl-substituierten Polydimethylsiloxan-Mischungen, wobei die erste zusätzlich 2 Teile eines Methyl-substituierten MQ-Harzes mit Wasserstoff-Endgruppen und etwa 0,7 Teile eines MDM-Harzes mit etwa 30 Si-H-Gruppierungen pro Molekül, und die zweite zusätzlich 26 ppm Platin als Karstedt's-Katalysator enthielt. Die Zusammensetzung enthielt somit 1,6 Teile des Reagenz B auf 100 Teile des Reagenz A und eine Gesamtmenge von 12 ppm Platin. Beim Härten mit IR-Strahlung im Bereich von 700–3.000 nm wurde in etwa 2,5 Minuten ein vollständig gehärteter Siliconkautschuk erzeugt.

Claims (13)

  1. Verfahren zum Härten einer Zusammensetzung durch Hydrosilylierung, ohne Erzeugung von Rauch, welche Zusammensetzung umfasst: (A) ein durch Alkenylgruppe(n) substituiertes Polyorganosiloxan, (B) ein Polyorganosiloxan mit mindestens einer Si-H-Bindung, und (C) mindestens ein IR-Strahlung streuendes Material, gewählt aus der Gruppe bestehend aus Ruß, Graphit, anorganischen Oxiden oder Salzen, Keramiken, IR-absorbierenden Pigmenten, metallorganischen Verbindungen, Anthracen, Phenanthracen, Anthrachinon und Phenanthracenchinon, wobei das Verfahren umfasst: Erhitzen der Zusammensetzung auf eine Temperatur im Bereich von 100–210°C durch IR-Strahlung mit einer Wellenlänge, die durch die Verwendung einer Scheibe aus Borsilicatglas und eines Kaltlichtspiegels auf den Bereich von 700–3000 nm beschränkt ist, und Härten durch Anordnen des Kaltlichtspiegels zwischen dem Borsilicatglas und der Zusammensetzung, und Aussetzen des Borsilicatglases der IR-Strahlung.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die Alkenylgruppen Vinyl sind.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, worin die Zusammensetzung (D) mindestens einen Hydrosilylierungs-Katalysator der Platingruppe enthält.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Anteil von Reagenz B 0,5–50 Gewichtsteile auf 100 Teile des Reagenz A beträgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, worin jede Organogruppe in Reagenz A, die nicht Vinyl ist, Methyl ist, und jede Organogruppe in Reagenz B Methyl ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, worin Reagenz A Verbindungen umfasst, bei denen Vinylgruppen an die endständigen Siliciumatome der Siliconkette gebunden sind.
  7. Verfahren nach Anspruch 3, worin das Platingruppen-Metall im Reagenz D Platin ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, worin Reagenz D ein Reaktionsprodukt von Chlorplatinsäure mit Tetramethyldivinyldisiloxan ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, worin der Platinanteil 10–50 Teile auf 1.000.000 Teile der Gesamtzusammensetzung ausmacht.
  10. Verfahren nach Anspruch 3, worin der Anteil des IR-Strahlung streuenden Materials im Bereich von 0,0001–10,0 Teile auf 100 Teile des Reagenz A liegt.
  11. Verfahren nach Anspruch 3, worin die Zusammensetzung auch mindestens einen Füllstoff enthält.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, worin der Anteil des Füllstoffes 15–50 Teile auf 100 Teile des Reagenz A beträgt.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, worin der Füllstoff Siliciumoxid ist.
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