DE1956485A1 - Elektronischer Frequenzteiler - Google Patents

Elektronischer Frequenzteiler

Info

Publication number
DE1956485A1
DE1956485A1 DE19691956485 DE1956485A DE1956485A1 DE 1956485 A1 DE1956485 A1 DE 1956485A1 DE 19691956485 DE19691956485 DE 19691956485 DE 1956485 A DE1956485 A DE 1956485A DE 1956485 A1 DE1956485 A1 DE 1956485A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistors
transistor
pair
source
zone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691956485
Other languages
English (en)
Other versions
DE1956485C3 (de
DE1956485B2 (de
Inventor
Vittoz Eric Andre
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre Electronique Horloger SA
Original Assignee
Centre Electronique Horloger SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre Electronique Horloger SA filed Critical Centre Electronique Horloger SA
Publication of DE1956485A1 publication Critical patent/DE1956485A1/de
Publication of DE1956485B2 publication Critical patent/DE1956485B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1956485C3 publication Critical patent/DE1956485C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04G—ELECTRONIC TIME-PIECES
    • G04G3/00—Producing timing pulses
    • G04G3/02—Circuits for deriving low frequency timing pulses from pulses of higher frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356—Bistable circuits

Description

ipUnc.CV
Dr. T. Haibach
Hü ϊώβη 2
Kauiingerstr.e.Tel. 240275
____ 1β.Μον.19β9
Centre Electronic^ Horloger SLA», Feuchätel (Schweiz)
Elektronischer !frequenzteiler«
Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektronischen frequenzteiler mit mindestens: einer logischen Schaltung» welche, in Boolescher !Form ausgedrückt?die logischen Schalt*» funktionen
A= BI1 + Xl2 und B = BI1 + 2 j
• ■ ■ ■, ι
hat, worin I, und I2 zwei komplementäre Eingangagrössen und
A und B zwei Ausgangsgrössen sind*. ' j
Elektronische !Frequenzteiler sind üblicherweise au» / Flip-Flop «Stufen aufgebatit, denen, damit sie richtig arbeiten,, Eingangs impulse mit bestimmten Eigenschaften, beispielsweise ,; Impulse mit einer maximalen !Flankensteilheit zugeführt werden müssen» Daher ist daa richtige Arbeiten dieser !Frequenzteiler vom Verhalten der Eingangsaigiiale abhängig»
BAD ORIGiNAt.
Es wurde bereits versucht, diese Nachteile durch Verwendung von !Frequenzteilern mit lo-giachen Schaltungen zu vermeiden* Solche logischen Schaltungen sind jedoch im allgemeinen kompli«* aiert und die vorliegende Erfindung hat das Ziel, einen elektronischen !•requenzteil&E mit wesentlich einfacheren logischen Schaltungen zu schaffen*
Die&eaf Ziel, ufdrd bei dem !Frequenzteiler der eingangs ge» nannten Art erfindungsgemäss dadurch erreicht, dass die logische Schaltung drei Paare von Feldeffekttransistoren, von denen jeder eine Quellzone, eine Abflusszone und eine Steuerelektrode besitzt und zwei Ausgänge aufweist, von denen der eine mit den Abflusszonen eines ersten Transistorpaares und der andere mit den Abflusszonen eines zweiten Irans ist orpaar es verbunden ist, dass entweder die Qjiellenzone eines !Transistors des ersten Paares und die (friellenzone eines Transistors des zweiten Paares mit der Abflusszone eines. Transistors des dritten Paares und die Quellenzone des anderen Transistors, des ersten Paares und die Quellenzone des anderen Transistors des zweiten Paares mit der Abflusszone des anderen Transistors des dritten Paares verbunden ist oder die Quellenzonen der vier Transistoren des ersten und zweiten Paares mit den Abflusszonen der Transistoren des:· dritten Paares verbunden sind, und dass die Quellenzonen der. beiden Transistoren des dritten Paares: mit einem Pol einer Stromquelle verbunden sind.
Fachfolgend iBsrien Ausführungsbeispiele der .Erfindung an Hand der beiliegenden Zeichnung beschrieben^
BAD ORKSltöMt
Die Figuren 1 bis 4 2eigen Tabellen und Signaldiagramme zur Erläuterung der inathematischen Grundlagen der erfindungsgemassen Frequenzteiler*
Fig.b zeigt ein Ausfuhrungsbeispiel- des Frequenzteilers nach der Erfindung, welches nur MOS-Feldeffekttransistoren ( Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode) vom gleichen Typ aufweist»
Fig.6 zeigt eine erste Abwandlung des Ausfuhrungsbeispiels nach der Fig»5·
Fig.7 zeigt eine zweite Abwandlung des Ausfuhrungsbeispiels. , nach der Fig-5 mit MOS-Feldeffekttransistören als last- ™
widerstände»
Fig»8 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Frequenzteilers nach der Erfindung mit zwei logischen Schaltungen, die aus komple« mentaren M)S-Feldeffekttransistoren aufgebaut sind«.
Fig.9 zeigt das als integrierte Schaltung ausgeführte Ausfuhrungsbeispiel, nach der Fig.8»
Eine logische Schaltung mit den logischen Schaltfunktionen;
A = BI1 + AI2 und B = ΒΙχ +
gestattet die Halbierung der Frequenz der Eingangssignale I_ und I2.
Ist Ip gleich I-,, so erhält man für die vorstehend angeführte logische Schaltung die in der Fig.l. dargestellte Tabelle der logischen Zustande. Die Pfeile zeigen die auftretenden Aenderungen der Zustände an. lie aus der Tabelle ersichtlich ist, ändert sich der Zustand der eine bestimmte Aenderung bewirkenden Grosse nicht·
009821/1833 bad
Die Aend.erungsfreq.uenz jeder Grosse A und Bist'„ wie aus dem Signaldiagramm nach der ]?ig»2 ersichtlich, gleich der Half te der irequenz der Eingangsgrößen I^ und Ig*
Die durch die Zustandstabelle der Pig.l. gegebene Er~ läuterung der Vorgänge ist unvollständig, da auch die Aenderungazeiten der Grossen I-, und Ip berücksichtigt werden müssen, so kurz diese Zeiten auch sein mögen* Da in der Praxis die Gröss.en I1 und Ι« durch gegenseitige Umwandlung erhalten werden, sind die Aenderungen einer dieser Grossen gegenüber den Aenderungen der anderen Grosse etwas verzögert»
Die in der Zustandstabelle der Pig»3 gestrichelt eingerahmte Zustandsänderung ist verboten* Diese Zustandsänderung darf erst durch eine GrÖsse bewirkt werden, die dem zeitlich nächst» folgenden Zustand zugeordnet ist» Deshalb muss durch ein Verzögerungsglied verhindert werden, dass diese Zustandsänderung auftrittj, bevor die G-rösse I« den Zustand 1 angenommen hat©
Die der Pig »2 entsprechende Pig»4 zeigt die logischen Werte, welche die verschiedenen Signale im Laufe der Zeit annehmen, wobei die Verzögerung mit R und die verbotene Zustandsänderung mit TI bezeichnet ist»
Palls I1 gegenüber I2 verzögert ist, sind zwei Zustands» änderungen verboten und zwar eine des Signals A und eine des Signals 3*
Das in der Pig»!? dargestellte erste Jlusfuhrungsbsispiel des Itequenzteilers nach der Erfindung umfasst eine logische
00SS21/1833
BAD
Schaltung mit acht MOS«]?eldeffekttransi stören 1*8 vom n»iDyp» welche nach dem Anreicherungsmodus arbeiten -und mit vier Last*» widerständen 9·*12» Jeder der acht Transistoren "besitzt, wie· j
■ ■ I
lediglich beim Transistor 1 bezeichnet, eine Abflusszone 15» eine j isolierte. Steuerelektrode 16 und eine Qpellenzone 1-7» Die Abflusszone des Transistors 1 ist mit dem uastwiderstand 9 sowie mit der Steuerelektrode des Traiisisrfcros 2 "und die Abfluss zone de« Transistors 5 mit dem lastwiderstand 11 sowie mit der Steuer·» elektrode des Transistors 8 verbunden«, Die Abfluss-zonen der Transistoren 2 und 3> sind mit dem !testwiderstand 10 und den Steuerelektroden der Transistoren 1 und β verbunden, während die Abflusszonen der Transistoren 6 und 7 mit dem festwiderstand und der Steuerelektrode des Transistors 5 verbunden sind» Die Abflusszone des Transistors: 4 ist mit den Quellenzonen der Transistoren 2 und 6 und die Abflusszone dea Transistors. 8 mit t den ^iellenzonen der Transistoren 3 und 7 verbunden» Die ; Quellenzonen der Transistoren 1, 4» 5 und 8 liegen am negativen g Pol 14 einer nicht dargestellten Stromquelle, während die Quellenzonen der Transistoren 2 und β mit der Abflusszone des Transistors 4 und die Quellenzonen der Transistoren 3- und 7 mit der Abflusszone des Transistors 8 verbunden sind*. Das Steuersignal I1 liegt an den Steuerelektroden der Transistoren 3 und 7 und das Steuersignal I2 an der Steuerelektrode dess Transistors 4» Die Signale A? B, J. und B treten an den Anschlüssen der Säst·· widerstände 10, 12, 9 bzw» H auf p die nicht mit dem positiven Pol 13 der Stromquelle verbunden sind»
061121/1013
Die in der Pig.6 dargestellte logische Schaltung weist die ■gleichen Schaltelemente auf, wie die logische Schaltung nach der Pig*5* Bei der Schaltung nach der Pig»6 sind jedoch die Quellen·· zonen der MOS^Peldeffeldrbransisrfcoren 2, 3, 6 und ^ alle mit den miteinander· verbundenen Abflusszonen der MCB-?eldeffekttransistoren 4 und 8 verbunden, während bei der Schaltung naeh der Pig^S die Quellenzonen der MQS>Peldeff efettransistoren 2, und 6 mit der Abflusszone des MOS^Peldeffekttransigtors 4 und die Quellen·· zonen der MQS-Peldeff ekttransistoren 3 und 7 mit der Abfluss zone des MOS-PeldeffelrttranBistora 8 verbunden sind· Bie logische Schaltung nach der Pig»6 ist somit die duale Schaltung zur logischen Schaltung nach der Pig»5» wobei einerseits die logischen Zustände 0 und IL und andererseits die logischen funktionen UlD und ODER vertauscht sind» Die logische Schaltung nach d er Pig*6 hat die gleichen logischen Schaltfunlrtionen wie die logische Schaltung nach der PigJS nämlichι
I = (A + I2) (B + I1) = (A + I2) + (B + I1) = AI2 +
B = (A * T2) (B + I1) = (I + T2) + (B + T1) = AI2
Die logischen Schaltungen nach den Pig·5 und 6 benötigen viel, weniger Schaltelemente als die bekannten logischen Prequenz* teilerschaltungen» Zudem stellen sie tosine hohen Anforderungen an die zuzuführenden Eingangssignale» Bs genügt zum sicheren Arbeiten dieser Schaltungen, dass die gegenseitige Verzögerung der Eingangssignal® grosser ist al», ein bestimmter Ufert·
BAO ORIGINAL
Bei den beschriebenen logischen Schaltungen können die iastwiderstande 9 bis 12 durch iViOS-JTeldeffekttransistoren ersetzt werden· Man erhält dadurch beispielsweise aus der Schaltung nach der 3?ig»6 die in der Pig.7 dargestellte logische Schaltung» In dieser Schaltang sind die vier Lastwiderstände 9 bis 12 durch die vier Mö3~3?eldeffekttransistören 18 bis 21 ersetzt, wobei alle Abflusszonen dieser Transistoren mit dem positiven Pol der Stromquelle und alle Steuerelektroden mit einer Steuer«· klemme 22 verbunden sind«, legt man an diese Hemme eine Impuls« g quelle ι die kurze positive Impulse liefert, so arbeitet die Schaltung mit pulsierender Energie * Dadurch wird der mittlere Stromverbrauch erheblich/vermindert ? da die Transistoren 18 biß 21 nur wahrend der Zeitdauer der kurzen Impulse leiten und sonst gesperrt sind, wobei der Zustand dsr logischen Schaltung durch die Streukapasitäten der -Schaltung aiifreoht/erhalten ??irde Da die logische Schaltung nach der 51Ig3*; m-jc SBS^folöeffelEttranElafcoren aufweist, kann sie besonders leicht als integrierte Schaltung hergestellt werden» ^
Die in der'fig.B aargestellte [Peilerschal tuxig besteht aus zwei parallel geschalteten logischen Schaltungen,, die aus komplementären EOS-leldeffelrbtransistoren aufgebaut sind· Bei dieser iDeilerschaltung wird, lediglich Strom zum Laden der Streukapazitäten während der Zustandsänderungen der logischen Grossen benötigt, wobei der Stromverbrauch der Arbeitsfrequens proportional ist» Sie Teiler schaltung nach dar S1Ig0S Hat die gleichen logischen Schaltfunittioneii wie die frisier beschriebenen
logischen Schaltungen» -; /
003321/1833
BADORiGlNAL
itia cms
Die Schaltung nach der I?ig*8 besitzt acht MOS-i'eldeffekt« transistoren 31 bis 38 vom n-Iyp und acht MOS-Feldeffekttran«· . sistoren 41 bis 48 vom p~Q?yp. In der ]?ig,8 sind die Transistoren vom n-QJyp unterhalb der gestrichelten Linie und die Transistoren vom p-»Typ oberhalb der gestrichelten Linie gezeichnet» Die Abflusszonen, Quellenzonen und Steuerexektröden der Transistoren 31 bis. 38 sind gleich geschaltet me die Abflusszonen, Quellenzonen und Steuerelektroden der Transistoren 1 bis 8 in der Fig*5, wahrend die Abflusszonen, Quellenzonen und Steuerelektroden der Transistoren 41 bis 48 gleich geschaltet sind wie die Abfluss» Zonen, ftuellensonen und Steuerelektroden der Transistoren 1 bis. 8 in der Ί?1§&6Ο Ausserdem sind die Abflusszonen der Tran» sistoren 31 und 41? der Transistoren 32L, 33, 42 und 43, der 'DrariSistören 30, 37, 46 und 47» bzw.» der Transistoren 35 und 45 je miteinander verbunden«. Bas Gleiche gilt fur die Steuer«· elelrfrrodfin der Transistoren 3.1-, 41, 3β und 46 s der Transistoren 34j 43 tuid 47? der Transistoren 33, 37 und 44, der Transistoren 35 νιιά 45 bzvr.«. der Transistoren 32 unä 42.* Bas Eingangssignal L wird an die Btsusreiektroden der Transistoren 33:, 37 unä-44- und * das. Eingangs signal Ig an die Steuerelektrode!! der Transistoren 54^, 43 und 47 angelegt»
Di'5 SUga, 9 seigt die Schaltung naoh dar 'iig^S in äsr fora einer intG^rierten Schaltung* Diese integrierte Schaltung besitzt öIb Eslbleiterstibstrat mit einem oberhalb der Mittel·=» linie ±±eg&na<3n ableitenden Bereich uns einen unterhalb dsr Jkittsl3J.ni© 1 legenden p«leitanden Bereich» Χ·ί.^ sohraffisrtsa
009821/1813 - ■
BAD ORK5iNäl£iifl0 C^* .
Zonen 31 "bis 38 stellen die Steuerelektroden der effekttransistoren 31- bis, 38 vom n«ffyp d ar, während die. schraffierten Zonen 41 bis 48 die Steuerelektroden der MOS·* Feldeffekttransistoren 41 bis 48 vom p-^yp darstellen* Dia Kontakte der Abflusszonen "und der Quellenzonen der MOS'-Feldeffekttransistoren sind durch gestrichelte Eechtecke, die Inseln vom P « Leitfähigkeitstyp durch strichpunktierte Hecht» ecke wie 49 und die Inseln vom η -ieitfähigkeitstsTP durch strichpunktierte Hechtecke wie 50 angezeigt* Die verschiedenen Verbindungen sind durch parallel© linien 51 dargestellt*
Die Schaltung nach der l*ig»8 ist eine binäre leilschaltiing t Ein erfindungsgemässer Prequensteiler kann mehrere solcher in Kaskade geschalteter ü?eilsohaltungen umfassen, wobei die Mis?· gange A, X der einen Teilerschaltung mit den Eingängen I, und Ι« der folgenden !Eeilerschaltung verbunden sind*
009921/189?
BAD ORfQJNü«i« :

Claims (4)

  1. Pat entanspruche ι
    Elektronischer !frequenzteiler mit mindestens einer logischen Schaltung, welche, in Boolescher 3?orm ausgedruckt^ die logischen Sehaltfunktionen
    A = BI. + AIg und B = BI1 + 2
    hat, worin I und I„ zwei komplementibre Bingangsgrössen und A und B zwei AusgangsgriSsaeii sind, dadurch gekennzeichnet, dass die logische Schaltung drei Paare von IPeldeff ekttransistoren (2~3, 6«7» 4-8J 32-33,36-37f 34-38), von denen jeder eine Quellenzone (17)» eine Abflusszone (15) "und eine Steuerelektrode (16) besitzt, und zwei Ausgänge (A,Bj A,B) aufweist, von denen der eine mit den Abflusszonen eines ersten Transistorpaarea und der andere mit den Abflusszonen eines zweiten Transistorpaares verbunden ist* dass entweder die Quellenzone eines Transistors des ersten Paares und die Qnellenzone eines Transistors des zweiten Paares mit der Abfluss; one eines Transistors des dritten Paarea und die φιβίίβηζοηβ des anderen Transistors des ersten Paares und die Quellensone dea anderen Transistors des zweiten Paares mit der Abflusszone des anderen Transistors des dritten Paarea verbunden ist, ödest die Qaellenzonen der vier Transistoren des ersten und zweiten Paares mit ä.en Abfluss«» zonen der Transistoren des dritten Paarea verbunden sind, und dass die Qjiellenzonen der beiden Transistoren des dritten Paares mit eiHtsm Pol (14) ainer Stromquelle verbunden sind·
    009121/1833
    BAD OH Vt
  2. 2.) frequenzteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich·· net, dass die beiden genannten Ausgänge über je einen Last- . widerstand (10,12) mit dem anderen Pol (13) der Stromquelle verbunden sind»
  3. 3.) !Frequenzteiler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden genannten Ausgänge Über „je einen Transistor mit des anderen Pol (135 der Stromquelle verbunden sind, welche Transistoren als Lastwiderstan&e wirken, und vom gleichen Τνυ sind wie die Transistoren der genannten Paare*
  4. 4.) !Frequenzteiler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
    zwei logische Schaltungen mit gemeinsamen Ausgängen 5 wobei die Transistoren der einen logischen Söhalinmg zn dcäi Sc&iieistoren der anderen Icgis^lian Schaltung !Komplementär sindo
    5·} -JreuiisE.s'beilsr nach Anspruch 49 isii; molxrsren aas je swei logischen Sclral'Siiiigen gsbild-fc;« κϊ,ϊι£:ϊΟ2ι Sail^rsttifen^ dadurch gekennseiviai3"cf tess sr -fC..: 'i^c,'^ί-^-Ρδύ t-ubf'ü/mxig in e'Lt-.m Halbleitersubstrat aasgsbilfiet ist;, v:3b-::t. ■-:.-."..■, lo-::l^päoa Schaltungen Eilt cl-sii Sransistoren vom n-^tjp cVll-^.v Soilerairafeii in einem p-ieiteiixii-a BoreieSi des Substrate "und dio logisohsa Schaltungen mrt ü-jü ffr&nsis'-joren vom p'-Syp allsK fsilerstufar«. in einem n-leiteiifeii Be^eioli dea i^os'Grate ausgebildet sind»
    BAD ORIGINAL
    Leersei t'e
DE1956485A 1968-11-11 1969-11-10 Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren Expired DE1956485C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1682268A CH483754A (fr) 1968-11-11 1968-11-11 Circuit diviseur de fréquence

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1956485A1 true DE1956485A1 (de) 1970-05-21
DE1956485B2 DE1956485B2 (de) 1972-11-23
DE1956485C3 DE1956485C3 (de) 1978-09-28

Family

ID=4420526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1956485A Expired DE1956485C3 (de) 1968-11-11 1969-11-10 Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung mit Feldeffekttransistoren

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3619646A (de)
JP (1) JPS4824343B1 (de)
AT (1) AT289893B (de)
BE (1) BE741289A (de)
CH (1) CH483754A (de)
DE (1) DE1956485C3 (de)
FR (1) FR2023009A1 (de)
GB (1) GB1278650A (de)
NL (1) NL6916712A (de)
SE (1) SE354752B (de)
SU (1) SU362550A3 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5024818B1 (de) * 1970-08-11 1975-08-19
GB1338983A (en) * 1971-02-10 1973-11-28 Suwa Seikosha Kk Electronic watches
US4049974A (en) * 1971-08-31 1977-09-20 Texas Instruments Incorporated Precharge arithmetic logic unit
JPS5534646Y2 (de) * 1975-04-25 1980-08-16
CH583483A5 (de) * 1975-09-17 1976-12-31 Centre Electron Horloger
CH607461A5 (de) * 1975-12-10 1978-12-29 Centre Electron Horloger
CH613839B (fr) * 1977-06-08 Ebauches Sa Etage diviseur de frequence binaire.
CH613318A5 (de) * 1977-07-08 1979-09-14 Centre Electron Horloger
US4445051A (en) * 1981-06-26 1984-04-24 Burroughs Corporation Field effect current mode logic gate
US4831284A (en) * 1988-03-22 1989-05-16 International Business Machines Corporation Two level differential current switch MESFET logic
RU205280U1 (ru) * 2021-01-22 2021-07-07 Публичное акционерное общество "Микрон" (ПАО "Микрон") Делитель частоты

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3383569A (en) * 1964-03-26 1968-05-14 Suisse Horlogerie Transistor-capacitor integrated circuit structure
US3267295A (en) * 1964-04-13 1966-08-16 Rca Corp Logic circuits
US3363115A (en) * 1965-03-29 1968-01-09 Gen Micro Electronics Inc Integral counting circuit with storage capacitors in the conductive path of steering gate circuits
US3284782A (en) * 1966-02-16 1966-11-08 Rca Corp Memory storage system
US3515901A (en) * 1968-04-01 1970-06-02 North American Rockwell Nand/nor circuit

Also Published As

Publication number Publication date
BE741289A (de) 1970-04-16
NL6916712A (de) 1970-05-13
GB1278650A (en) 1972-06-21
FR2023009A1 (de) 1970-08-07
DE1956485C3 (de) 1978-09-28
SE354752B (de) 1973-03-19
AT289893B (de) 1971-05-10
DE1956485B2 (de) 1972-11-23
SU362550A3 (de) 1972-12-13
US3619646A (en) 1971-11-09
JPS4824343B1 (de) 1973-07-20
CH483754A (fr) 1969-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3708499C2 (de)
DE2556828C3 (de) Dynamisches Schieberegister aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE2252371B2 (de) Schwellwert-Verknüpfungsglied mit komplementär-symmetrischen Feldeffekttransistoren
DE1956485A1 (de) Elektronischer Frequenzteiler
DE10241982B4 (de) Digitale Signal-Verzögerungs-Einrichtung
DE2053461B2 (de) Schaltungsanordnung fuer eine bistabile kippschaltung
DE1271185B (de) Elektronische Impuls-Zaehlschaltung mit dualer und zyklischer Darstellung im Dual- und Graycode
DE2241267B2 (de) Rückstellbarer binärer Flip-Flop aus Halbleiterbauelementen
DE2362170A1 (de) Nichtlineare integrierte schaltung
DE3717922A1 (de) Als integrierte schaltung ausgebildete schaltereinrichtung
DE2315201A1 (de) Flip-flop-schaltung
DE3531599C2 (de)
DE2455125C2 (de) Frequenzteilerstufe
DE3144513C1 (de) Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt
DE2248238C3 (de) Flip-Flop-Schaltungsanordnung
DE3823738A1 (de) Logikschaltung
DE19719448A1 (de) Inverterschaltung
DE2355095A1 (de) Schaltungsanordnung zur vermeidung der auswirkungen von kontaktprellen
DE2327671C3 (de) Schaltungsanordnung zur Unterdruckung von Storimpulsen
DE1537298B2 (de) Bistabile Kippstufe mit Vielfacheingängen
DE1762436B2 (de) Verknuepfungsschaltung in ttl-technik
DE2256616A1 (de) Flip-flop-schaltung
DE1212163B (de) Multistabiler Schalter zum gleich haeufigen Belegen von gleichartigen Einrichtungen in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen
DE2460671C3 (de) Integrierte Schaltung in MOS-Technik für einen Richtimpulsgeber
DE2829968A1 (de) Bistabile logische kippschaltungsanordnung vom jk-typ

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EHJ Ceased/non-payment of the annual fee