DE2252371B2 - Schwellwert-Verknüpfungsglied mit komplementär-symmetrischen Feldeffekttransistoren - Google Patents

Description

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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schwellwerk Verknüpfungsglied mit mindestens zwei Eingangsklcmmen. einer Aiisgangsklemme und einer die zwi- sehen zwei Betriebsspannungsklemmcn in Reihe geschalteten Kanäle zweier Feldeffekttransistoren entgegengesetzten Leitungstyps enthaltenden komple mentär-symmetrischen Feldeffekitransistor-Inverterschaltung fiir jede Eingttngsklemme.

Es sind Schweüvvert-Verknüpfungsglieder mit Eingängen gleicher Richtung sowie solche mit verschieden gewichteten Eingängen bekannt Bei einem bekannten Schwellwert-Verknüpfungsglied, das mit Summenbildung arbeitet, wird eine Anzahl von Signa lcn einem gemeinsamen Schaltungspunkt zugeführt, und es wird durch einen mit diesem Seftaltungspunki verbundenen Verstärker festgestellt, ob die Summe der Signale einen vorgegebenen Spannungssehwellweii überschreitet. Bei Schaltungen dieser Art treten jedoch häufig Toleranzprobleme auf. d. h.daß es schwierig ist, zwischen Summensignalen, die einer binaren /. entsprechen und solchen, die einer binaren 0 einsprechen, zu unterscheiden, insbesondere wenn viele Eingangssignale, die den Binärziffern L bzw. 0 entsprechen, /u verarbeiten sind und .'-mn impulse oik·· Rauschen auftreten können. Manche bekannte Schwellweri-Verknüpfungsglieder enthalten außei dem LimMiigsMiMial-Kopplunuselemenlc. die sich nichi ohne weiieres in einer integrierten Schaltung reahsieien lassen.

l-.sgihi auch bereits mit bipolaren Transistoren ausgebaute Sch w eil w crt-Verkniipfungsscha Innigen, bei denen die oben geschilderten Probleme wcitgeheiu! gelöst sind. Diese Schaltungen lassen sich jedoch nicht ohne weiteres mit I eldeffekllransistorschaltungen. z. B. Metall-Oxid-Halblcitcr-Schaltungen IMOS-Schaltungen), die immer größere Bedeutung bekommen, verwenden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein mit Feldeffekttransistoren realisierbares Schwellwert-Verknüpfungsglied anzugeben, das sich ohne Schwierigkeiten zusammen mit den üblichen Feldeffektlransislorschaltungen verwenden läßt und die oben geschilderten Nachteile ebenfalls vermeidet

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch ein Schwellwcit-Vcrknupfungsglicd der eingangs genannten Art gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist. daß jede Eingangsklcmme in an sich bekannter Weise an die Steuerclektrodcn eines verschiedenen Paares von Feldeffekltransistoren einer Inverterschaltung angeschlossen ist und daß die Ausgangsklemme eine dem ganzen Verknüpfungsglied gemeinsame Verbindung enthüll, welche mit allen Reihenschaltungen dort, wo der Transistor des einen Leitungstyps mit dem des anderen Leitungstyps zusammengeschaltet ist. verbunden ist.

Das Schwcllwert-Vcrknüpfungsglied gemäß der Erfindung enthält also mehrere komplementär-symmetrische FeldclTekttransistor-1ηvcrtcrschaltungcn. denen verschiedene Eingangssignale zugeführt sind und deren Ausgänge alle an eine gemeinsame Aiisgangsklemme für das Verknüpfungsglied angeschlossen sind.

Bestimmte Ausführungsformen des vorliegenden Verknüpfunesgliedes eignen sich für die Realisierung von Schwellwertfunktionen mit gleichem Eingangsgewicht, während mit anderen Ausfiihrungsformen Schwellwertfunktionen mit unterschiedlicher Eingangssignalwichtung realisiert werden können.

Der Erfindungsgedankc sowie Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung werden im folgenden an Hand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert: es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild eines Schwellwerk Verknüpfungsgliedes mit drei Eingängen.

pig. 2 ein Schallbild eines Sehwellwert-Verknüp-(•_unjj_Sjj|iedes mit vier Eingängen, die die Gewichte 2. l_ j b/w I haben, und

pig .1 einen abgewandeilen Teil des Verkniipfungsgliedes gemäß F i g. 2. _s

Pus in Fig· I dargestellte Schwellweri-VerknüpfungXgli"! hat drei Eingänge und arbeitet als Majoriläis-Vliniiriiätsglied. wenn die Kanüle der Transistn- ren P, /Ί "^pd ^i N₃ gleiche Widerstände haben Das Verknüpfungsglied enthüll drei komplementärsymmetrische Metall-Oxid-Halbleiter-I cldeffekttransjstor-l inerter (CMC)S-FKT-In verier ι. die miteinander eine Komplement-Schwellwertfunktion, wie die Minoritätsfunktion, realisieren, und einen vierten Inverter zum Er/eugen eines normierten Ausgangssignals entsprechend der »richtigen«, d. h. nicht komplementierten Schwellwertsfunktion wie der Majoritätsfunkiion.

Das err.te Transistorpaar, das typisch und wie die anderen gehaltet ist, besteht aus einem I raiisistnr P, vom p-'l">P· «Jessen Kanal (steuerbar Stromsirecke) mit den; Kanal eines Transistor-. S₁ vom ii-Ίνρ in Reihe geschaltet ist. Die Einitterelekiiode .!es Transistors /', i>\ mit einer Klemme Kl. an dei eine Betriebsspannung -f Fliegt, verbunden, und die Kollektorclekirnde dieses Transistors ist an die Kollektor- .\s elektrode des Transistors /V₁ angeschlossen I )ie GATI-I ektroden der Transistoren P₁ und V₁ sind mit einei Kingangsklemmc 12 Pu 1 ein F'iigangssignal .V₁ verbunden. Die Emitterelektrode des Transistors V₁ ist an eine Klemme 14 angeschlos·, -n. an der eine Betriebsspannung - F liegt. Die eben beschriebene Schaltung ist eine Inverterschaltung, die Pur sich allein bekannt ist, siehe /. B. die I.'SA.-Patentschrift 3 260X6.1

Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausilihrungs- << beispiei des vorliegenden Schwcllvvert-Verknüpfiingsgliedcs ist ein allen drei Transistorpaaren miicmsamer Kollektoranschiuß mit einer ersten gemeinsamen Ausgangssignalklemmc Ift Pur das Verknüpfungsglied verbunden, f.in weiteres Paar von Transistoren P₄ und /V₄, die eine vierte Inverterschaltung bilden, ist mit den 7usammengeschaltelcn CiATT-Anschlüsscn an eine Klemme 16 angeschlossen und steht mit den /usammengeschaltetcn Kollektoranschlüssen mit einer zweiten Ausgangsklemmt· 18 des Verknüp- 4< fungsgliedes in Verbindung. An der Klemme 16 steht ein Komplementsignal T zur Verfugung, während an der Klemme 18 das eigentliche Signal 7 liegt

Für die folgende Erläinerung der Arbeitsweise des in Fig.! dargestellten Schwellwert-Verknüpfiingsglicdes so soll angenommen werden, daß +!und F denselben Betrag, wie 5 Volt haben und daß die Binärziffern L bzw. 0 durch ein positives bzw. negatives Signal repräsentiert werden. Im Idealfall werden die Bini'.rliffern /. und C) durch die Spannungen + F bzw. F s> dargestellt. Bei der vorliegenden Schaltungsanordnung hat T auch immer den Wert f V oder F. das Signal T kann jedoch nicht ganz so positiv bzw negativ sein wie + V bzw. - V. was von den Binärwerten der Eingangssignalc X_x. X₁ und X₃ abhängt.

Für die Erläuterung soll ferner vorausgesetzt werden, daß die Kanäle der Transistoren P₁ P₃ und N_x-N_s (Pur eine vorgegebene Emilter-Kollcklorspannung und eine vorgegebene GATT-Emitterspannungl alle den gleichen Widerstand haben, d. h.. daß das Verknüpfungsglied liir einen Betrieb als Majoritäts-Minoritäts-Glied mit drei Eingängen bestimmt ist.

Als erstes, sei der Fall betrachtet, daß .V, = X, = X₃ = u sind. Unter diesen Bedingungen sind die Transistoren P_x, P_} und Pj gesperrt, und ihre Kanäle haben einen sehr hohen Widerstand. Die Transistoren N₁, N₂ und N₃ sind dagegen aufgetastet, ihre Kanäle haben einen kleinen Widerstand, und an der Klemme 16 tritt ein Ausgangssigna! 7" F entsprechend der Binärziffer 0 auf Hierdurch wird der Transistor N₄ gesperrt, während der Transistor P₄ leitet, so daß an der Klemme 18 ein Ausgangssignal T - + V entsprechend der Binär-/iffer /. auftritt. _

Für den Fall X₁ = X₂ = Xi = 0 ist T offensichtlich gleich + F entsprechend der Binärzahl L und 7' - V entsprechend der Binärzahl 0.

Es seien nun X₁ = X₂ = I und X_s = Ü. Die Signale .V₁ und X₂. die positiv sind, bewirken, daß die Transistoren .V₁ und ,V, leiten und die Transistoren P, und P₁ sperren, während das .Signal Λ',. das negativ ist. den Transistor P₁ leiten läßt ■■ .wie den Transistor λ , spei rl Dem ersten Anschein nach sieht es so aus. als ob die Transistoren .V₁ und /V₂. wenn sie leiten, leweils den gleichen Kanalwiderstand aufweisen wie der Transistor P,. wenn er leitet. Wie unten gezeigt werde;, wird, ist dies jedoch nicht ganz richtig. Die beiden Transistoren vom η-Typ haben jeweils eine niedrigere Impedanz als der Transistor vom p-Tvp. Dies hat .seinen Grund darin, daß die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors P₃ größer als die Kollektor-Emitter-Spannung der Transistoren .V₁ und \, ist. (Wenn andererseits die Eingangssignale .V₁ -■ A'i -- 0 und X₃-L wären, würden die dann leitenden Transistoren P₁ und P₂ des p-Typs einen niedrigeren Kanalwiderstand haben als der leitende Transistor V, vom n-Typ.)

Fs dürfte hier zweckmäßig sein, die Arbeitsweise eines MOS-I eldeffektlransistors kurz zu rekapitulieren: Em solcher Transistor hat im gesperrten Zustand einen sehr hohen Emitter-Kollektor-Widerstand. Im leitenden Zustand ist der Widerstand jedoch nicht Pur alle Betriebsbedingungen gleich. Wenn der Transistor im slromgesättigten Zustand odsr nahe der Stromsättigung arbeitet, ist der Widerstand der Kollektor-Emitter-Strecke (Kanal) im Verhältnis sehr viel höher als dann, wenn der Transistor im sogenannten »Arbeitsbereich veränderlichen Widerstandes« arbeitet.

Ein Transistor arbeitet in Stromsättigung, wenn bei einer vorgegebenen GATT-Emitter-Spannung eine Erhöhung der Kollektor-Emitter-Spannung keine weitere Erhöhung des Emitter-Kollektor-Stromes zur Folg;: hat. Dieser Zustand wird durch die folgende Gleichung beschrieben:

Wm* *W_(iS - lyl. (I)

Dabei bedeute!

V_I)S Kollektor-Emitter-Spannung,
V_GS GATT-Emitter-Spannung und
F₇ Schwellwertspannung des Transistors.

Die Schwellwertspannung V_T ist kleiner als die Betriebsspannung '/.

Ein MOS-Transistor arbeitet im Bereich veränderlichen Widerstandes, wenn die folgende Gleichung erfüllt ist:

Ϊ V»s\ * I Vas -

Bei dem oben betrachteten Bcispi;.. mil den Eingangssignalen X₁ = A'₂ = /. und ,V₃ = 0 leiten die Transistoren N₁, N₂ und P₃. während die Transistoren P₁. P₂ und /V₃ sperren. Würde man fälschlich annehmen, daß die Kanäle aller stromführender Transistoren unter diesen Umständen den gleichen Widerstand R hätten,so wäre der Widersland zwischen den Klemmen U und 16 gleich R/l und der Widerstand zwischen den Klemmen 16 und 10 gleich R. Die Spannung T an der Klemme 16 wäre dann - I 3 (für den Fall, daß +K= 5 K und -K= - 5Ksind, wäre dann T = -1,66... Volt). In der Praxis ist die Spannung, wie erwähnt, wesentlich negativer als - K/3. Dies kann mittels der folgenden vereinfachten Gleichungen gezeigt werden:

Für einen leitenden Transistor, wie Λ\. gilt:

\V,J = \V+ [-T)I. (41

da T negativ ist, wenn V, - A₂ = I. ergibt sich

Subtrahiert man K₇ von beiden Seiten der Gleichung (3). so erhält man

\V_GS - V_T\ = \2V- K₇I.
und da K_r < Kist. ergibt sich

\V_GS- K₇- i> V.

Aus den Gleichungen (5) und (7) folgt
|F„_s|<iK_f;,.-K_ri.

(ft)

(7)

IX)

Diese letzte Gleichung stellt aber das Kriterium für den Betrieb im Bereich veränderlichen Widerstandes gemäß Gleichung (2) dar. was bedeutet, daß die Kanäle der Transistoren N₁ und /V₂ jeweils einen verhältnismäßig niedrigen Widerstand aufweisen.

Für den leitenden Transistor P₃ ist die Kollektor-Emitter-Spannung

vl= I+ K- (-

(9)

erfüllt ist. wenn

\V+ T] >\2V- K₇-I

Transistoren /V, und /V₂. so daß der Widerstand der Emitter-Kollektor-Strccke (Kanal) des Transistors P₃ wesentlich höher ist als beim Transistor N₁ oder \\ Die letzte Inverterschaltung mit den Transistoren P₄

S und yV₄ liefert ein Ausgangssignal Γ entsprechend dem Komplement des Eingangssignals T. Im vorliegenden Falle, wo A', = X₁ = L und Χ_λ = 0 sind, stellt T eine 0 (negative Spannung) und Teine L (positive Spannung) dar. Wie bei dem vorangegangenen Beispiel nimmt Timmereinen der normierten Spaniuingswerte. also entweder + K oder — K an. Da T die Minorilätsfunktion der drei Veränderlichen ist. entspricht T offensichtlich der Majorilätsfunktion der gleichen drei Veränderlichen.

i<i Das in Fig. I dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung ist für drei Eingangsgrößen ausgelegt. Selbstverständlich gilt das erläuterte Arbcilsprinzip auch für irgendeine andere ungerade Anzahl von Eingangsveränderlichen. Für fünf Veränderliche würden also fünf Transistorpaare zur Erzeugung des Signals T und ein zusätzliches Paar zur Erzeugung des Signals T vorhanden sein. Bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 sollen die Kanäle aller Transistoren, die die Minoritätsfunktion realisieren.

im leitenden Zustand für vorgegebene Werte von K_/w v-nd V,_iS wenigstens annähernd denselben Widerstand haben. Um die Verlustleistung klein zu halten, sollen außerdem die Impedanzen der Kanäle der Transistoren im leitenden Zustand verhältnismäßig

w groß sein.

Bei der obigen Erläuterung war angenommen worden, daß¹ + K| = ! - Kl. In der Praxis braucht dies jedoch nicht der Fall zu sein. + V kann z. B. einen Wert wie + IO Volt haben, während - Kdem Massc-

is potential entsprechen kann. In einem praktisch realisierten Verknüpfungsglied dieses letzterwähnten T\ps mit drei Eingängen wurden die in der folgenden Tabelle i aufgeführten Spannungen verwendet, während ein Verknüpfungsglied dieses Typs mit fünf Eingängen mit den in der folgenden Tabellen aufgeführten Spannungen betrieben wurde.

Tabelle I

Sie ist also offensichtlich größer als K. Für den gleichen Transistor gilt

UO)

Aus den Gleichungen (9) und (10) läßt sich ohne Schwierigkeiten erkennen, daß die Bedingung

Bei entsprechender Auslegung der Schaltung, nämlich geeigneter Wahl von K₇-, läßt sich diese Bedingung aber leicht erfüllen. Es ist jedenfalls klar, daß der Transistor P₃ näher an der Sättigung arbeitet als der Transistor ZV, oder N₁. da die Emitter-Kollekloi-Spannung am Transistor P₃ größer ist als an den Λ hai h I der

[.InIMHJiS-SiIIn.

hohen Wertes

I/ I

0
1
2
3

Λ USlM 111! V

spannung

10
8.4
1.7
0

F-nlspr
BinämfTer

L L 0 0

Abweichiin;.·

der Spunnim ■

vo*"¹- idealen

Wen

(V₁)It)

-1.4 + 1.3

Tabelle II
(Bedeutung der Spalten wie Tabelle I)

0	10
I	9.2
2	7,7
3	14
4	0.7
5	0

I
1
I

0
0
0

-0.8
-2.3
+ 2.4
+ 0.7

Eine vorteilhafte Eigenschart der Schaltungsanordnung gemäß Fig. I besteht darin, daß sie sich leicht in inteerierter Form realisieren läßt und daß sie mit anderen integrierten MOS-SchalUingcn kompatibel ist. Um die Herstellung zu vereinfachen, können die Transistoren P₄ und /V₄ in der Praxis Kanäle der gleichen Impedanz (für vorgegebene Werte von V_fiS und (■ _rs) haben, wie die Kanäle der anderen Transistoren, obwohl dies nicht unbedingt der Fall zu sein braucht.

Es ist bereits erwähnt worden, daß die Spannung an der Klemme 16 einen anderen Wert als + V oder - V haben kann. In solchen Fällen kann man ein normiertes Signal des gleichen Binärwertes wie das Signal an der Klemme 16 dadurch erzeugen, daß man mit der Klemme 18 eine weitere komplementär-symmetrische Inverterschaltung verbindet. Bei vielen Schallungsanwendungen ist eine solche Signalnormierung jedoch nicht wesentlich.

An Hand der Fig. 1 ist ein einfaches Majoritäts-Minoritäts-GIied mit drei Eingängen erläutert worden. Der Erfindungsgedanke läßt sich jedoch in gleicher Weise auch auf Schwellwert-Verknüpfungsglieder zur Realisierung gewichteter Schwellwertfunktionen anwenden. Das Verknüpfungsglied gemäß Fig. 2 realisiert beispielsweise die 2,1,1,1 -Schwellwertsfunktion. Bei dieser Schaltungsanordnung ist der Widersland der Kanäle der Transistoren P₁ und /V₁ für vorgegebene Werte von V_GS und die Emitter-Kollektor-Spannung V_SD halb so groß wie der Widerstand der Kanäle der anderen Bauelemente. Verfahren zur Herstellung von Feldeffekttransistoren mit Kanälen unterschiedlichen Widerstandes sind bekannt. Man kann z. B. den Widerstand des halben Wertes R/2 dadurch erreichen, daß man den Kanal des Transistors P₁ doppelt so breit macht wie den Kanal jedes der Transistoren P₂, P₃ und P₄ und indem man in entsprechender Weise den Kanal von N₁ doppelt so breit macht wie den Kanal der anderen Transistoren des N-Typs. Die Kanäle der Transistoren P₂, P,. P_4-N₂. /V, und W₄ sollen für vorgegebene Werte von K_cs und V_ns alle den gleichen Widerstandswert R haben.

Bei dem Schwellwert-Verknüpfungsglied gemäß Fig. 2 hat das Eingangssignal A", die doppelte Wirkung a,uf den Betrieb der Schaltung wie jedes der Signale X₁, X₃ und X*. Wenn z. B. X, und X₁ dem Binärwert L entsprechen, entspricht T einer 0 unabhängig davon, weichen Wert die verbleidenden Signale X₃ und Χ_Λ haben. Wenn andererseits X₂. X₃ und X₄ den Binärwert L haben, entspricht T einer 0 unabhängig davon, welchen Wert X₁ hat. Wie bei der vorherbeschriebenen Schaltungsanordnung ist T zu T komplementär.

Zur Vereinfachung der Herstellung ist es manchmal wünschenswert, daß alle vorhandenen Transistoren die gleichen Abmessungen haben, d. h..daß alle Kanäle für vorgegebene Werte von V_us und V_GS den gleichen Widerstand haben. Dies kann durch die in Fig. 3

ίο dargestellte Modifikation erreicht werden. Um wieder das Eingangssignalgewicht 2 zu erreichen, sind hier zwei Inverterschaltungen in der dargestellten Weise parallel geschaltet. Mit anderen Worten gesagt, sind die vier OATT-Elektroden von Transistoren P₁₀, P_lh, N₁₀ und N_lh alle zusammen an eine gemeinsame Eingangsklemme angeschlossen, der ein Eingangssignal, wie X₁, zugeführt wird, und die in Reihe geschalteten Kanäle beider Inverterschaltungen sind parallel zueinander zwischen die Klemmen 10 und 14geschal-

tet, an denen die Betriebsspannungen + V bzw. — V liegen, und die Kollektorelektroden sind schließlich mit der gemeinsamen Ausgangsklemme 16 verbunden. Wenn nun jeder Kanal für vorgegebene Werte von V_DS und V_GS den Widerstand R hat und X₁ bei-

spielsweise negativ ist, werden die Transistoren P_1n und P₁,, beide aufgetastet, und der effektive Widerstand zwischen der Klemme 10 und dem gemeinsamen Ausgangsanschluß 16 ist für die vorgegebenen Werte von V_DS und V_GS gleich R/2.

x,o Bei den oben erläuterten Ausführungsbeispielen haben die Eingangsklemmen die Gewichte I oder 2. Selbstverständlich sind auch andere Eingangsgewichte möglich und realisierbar. Schaltet man beispielsweise drei Transistorinverterschaltungen parallel, so ergibt sich eine Eingangsschaltung mit dem Gewicht 3. Das Eingangsgewicht 4 kann durch Parallelschalten von vier Transistorinverterschaltungen realisiert werden usw. In entsprechender Weise könnte der Widerstand der Kanäle eines Transistorpaares, wie P₂. N₁ oder jedes anderen Paares, bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 3 gleich einem Drittel des Widerstandes der anderen Transistoren sein usw. Die einzige Bedingung, die hier zu erfüllen ist, besteht darin, daß die Schaltungsanordnung^ ausgelegt sein muß, daß der

Wert der Spannung T an der Klemme 16 immer eine eindeutige Unterscheidung zwischen den Binärweren Lund 0 gewährleistet. Diese Bedingung ist z. B. dann erfüllt, wenn die Summe der Eingangsgewichte eine ungerade Zahl ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

409541/340

Claims (4)

1. Puten tansprtiche:

   ΐ. Schwellwert-Verknüpfungsglied mit mindestens zwei Eingangsklemmen, einer Ausgangs- s klemme und einer die zwischen zwei Betriehsspannungsklemmen in Reihe geschalteten Kanäle zweier Feldeffekttransistoren entgegengesetzten Leitungstyps enthaltenden komplementür-symme trischen FeldefTekttransistor-Jnverterschaltung Γιιι ίο jede Eingangsklemme, dadurch gekennzeichnet, daß jede Eingangsklemme in" an sich bekannter Wsise an die GATl-Elektroden eines anderen Paares von Feldeflektiransisiorei (P₁ bis P₃, N, bis/V₃)einer Inverterschaltung angeschlossen ist und daß die Ausgangsklemnie (I6| eine dem ganzen Verknüpfungsglied gemeinsame Verbindung enthält, welche mit aflen Reihenschaltungen dort wo der Transistor \l\ bis P₁) des eiiK-ii I.eitungstvps mit dem 1.V₁ his V₁I des anderen Leitungsiyps ziisammengcschaltei ist. verbunden ist.
2. 2. Schwellucrt-Verknüpfungsgiied nach Anspruch !. dadurch gekennzeichnet, daß eine der Invcrlerschaltungcn zwei Feldeffekttransistoren :, |P|. .V₁I enthalt, deren K.mal bei einer vorgegebenen Kollektor-Emitter-Spanniing 11 _/A)dcn Widerstand R M hat und eine andere Inverterschaltung zwei Feldeffekttransistoren l/'_:. N₂ 1 enthalt. ü.Tcn Kanüle bei der vorgegebenen KoI-lektor-Emiiter-Spannung jeweils den Widerstand R haben IA/ ganzzahlig und größer als I).
3. 3. Schwellvvcrt-Vtrkniir^ngsglied nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Fcldcffekttransistor-Inverterschaltungen ;-mindcslcns zwei parallel zwischen die Belriebsspannungsklemmen (10. 14) geschaltete Reihenschaltungen aus den Kanülen zweier Feldeffekttransistoren (P₁,,. /V₁,,: P₁,,. /V₁,,) entgegengesetzten Leitungstyps enthalt, daß die CiATT-Elektroden dieser Transistoren mit einer gemeinsamen f^:.ingangsklemmc uV,) verbunden sind und daß die \'erbindungcn /wischen den Kanülen der Transistoren unterschiedlichen Leilungstyps jeder Reihenschaltung mit einer gemeinsamen Ausgangs- 4s klemme (16) verbunden sind (Fig. 3).
4. 4. Schwcllwert-Vcrknüpfungsglied nach Anspruch I. 2 oder 3. gekennzeichnet durch eine zusätzliche Feldeffekttransistor-Inverterschallung. die eine /wischen die beiden Betriebsspannungs- vj klemmen (10. 14) geschaltete Reihenschaltung aus den Kanälen zweier Feldeffekttransistoren (P₄. N^ in Fig. 1: P₅. /V₅ in Fig. 2) enthält: daß die GATT-Elektroden dieser Transistoren mit der Aiisgangsklemme (16) verbunden sind und daß die ^ Verbindung der Kanäle dieser beiden Transistoren mit einer zweiten Aiisgangsklemme (I8I verbunden