DE2053461B2 - Schaltungsanordnung fuer eine bistabile kippschaltung - Google Patents
Schaltungsanordnung fuer eine bistabile kippschaltungInfo
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- H03K3/356—Bistable circuits
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Description
A = BZ1 + ΆΙ, und B = Zf/, + AI.,
A =£?/,+ Z/., und B = Zf/, + Λ/., 10 hat worin /, nud /., zwei komplementäre Eingangshat,
worin I1 und /.,' zwei komplementäre Ein- größen und A und B zwei Ausgangsgrößen sind wogangsgrößen
und A und B zwei Ausgangsgrößen bei die logische Schaltung drei Paare von Feldeffekt-
smd, wobei die logische Schaltung drei Paare von transistoren m,t jeweils einer Quelle einer Senke und
Feldeffekttransistoren mit jeweils einer Quelle, eii.er Steuerelektrode und zwe, Ausgange AB, 3T, Ή
einer Senke und einer Steuerelektrode and zwei 15 aufweist, von denen der erne mit den Senken eines
ersten Transistorpaares und der andere mit den Senken
eines zweiten Transistorpaares verbunden ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Schaltungsanordnung
nach dem Hauptpatent ist die Quelle eines Transistors des ersten Paares und die Quelle eines
Transitsors des zweiten Paares mit der Senke eines Transistor des dritten Paares und die Quelle des
anderen Transistors des ersten Paares und die Quelle des anderen Transistors des zweiten Paares mit der
Senke des dritten Pnares verbunden, wobei die Quel-
Ausgänge A, B, ~Ä, Zf aufweist, von denen dereine
mit den Senken eines ersten Transistorpaares und dor andere nrt den Senken eines zweiten Tran-Msiorpaares
veibunden ist. und wobei die Quellen der beiden Transistoren des dritten Paares mit
einem Pol einer Stromquelle verbunden sind. nr;h der deutschen Auslegeschrift I°'<i485,
dadurch ge kennzeichnet, daß die Quellen
eines Transistors (18) des ersten Paares und eines Transistors (19) des zweiten Paares getrennt
mit der Senke jeweils eines Transistors (22 bzw. 23) des dritten Paares verbunden sind, daß die
Quellen der beiden anderen Transistoren (17, 20) zusammen mit Jer Senke eines siebenten Tran-
der beiden Transistoren des dritten Paares mit einem Pol einer Stromquelle verbunden sind.
Bei dieser Ausführungsform kann ein Transistor des erster. Paares und ein Transistor des zweiten
sistors (29) verbunden Mnd u; i daß die Quelle 3° Paares, dessen Quelle mit der Quelle des Transistors
des siebenten Transistors (29) mit dem Pol der des ersten Paares verbunden ist, gleichzeitig gleitend
gemacht werden (Transistoren 33 und 37 nach F1 g. S
des Hauptpatentes). Wenn am Ausgang A eine kapa-
zitive Belastung angelegt wird, die viel größer ist als
Spannungsquelle verbunden ist, χ it dem auch die
Quellen der beiden Transistoren (22, 23) des dritten Paares verbunden sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, da- 35 die Belastung am Ausgang B, oder umgekehrt, so
durch gekennzeichnet, daß ein viertes, fünftes. wird die Funktion der bistabilen Kippschaltung gestört.
Versuche haben gezeigt, duß diese Schwierigkeiten auftreten, wenn das Verhältnis der kapazitiven
Belastungen größer als ungefähr 10 ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art zu
schaffen, bei der dieser Nachteil nicht auftritt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Quellen eines Transistors des ersten
sechstes und siebentes Feldeffekttransistorpaar
(9-10,11-12, 13-14, 15-16) vorgesehen ist, wobei
die beiden Quellen und die beiden Senken jedes
Paares miteinander verbunden sind, daß die 40
Quellen des vierten (9-10) und fünften (11-12)
Paares mit dem anderen Pol der Stromquelle und
die Senken des vierten und fünften Paares jeweils
mit den Quellen des sechsten (13-14) bzw. siebenten (15-16) Paares verbunden sind, deren Senken 45 Paares und eines Transistors des zweiten Paares gemit den Senken des ersten (17-18) bzw. zweiten trennt mit der Senke jeweils eines Transistors des (19-20) Paares verbunden sind, und daß die Tran- dritten Paares verbunden sind, daß die Quellen der sistoren der ersten drei Paare sowie der siebente beiden anderen Transistoren zusammen mit der Senke Transistor (29) von einem ersten Leitfähigkeits- eines siebenten Transistors verbunden sind und daß typ ind, während die Transistoren der vierten, 50 die Quellen der beiden Transistoren und des siebenfünften, sechsten und siebenten Transistoren vom ten Transistors mit dem einen Pol einer Spannungsentgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind. quelle verbunden sind.
(9-10,11-12, 13-14, 15-16) vorgesehen ist, wobei
die beiden Quellen und die beiden Senken jedes
Paares miteinander verbunden sind, daß die 40
Quellen des vierten (9-10) und fünften (11-12)
Paares mit dem anderen Pol der Stromquelle und
die Senken des vierten und fünften Paares jeweils
mit den Quellen des sechsten (13-14) bzw. siebenten (15-16) Paares verbunden sind, deren Senken 45 Paares und eines Transistors des zweiten Paares gemit den Senken des ersten (17-18) bzw. zweiten trennt mit der Senke jeweils eines Transistors des (19-20) Paares verbunden sind, und daß die Tran- dritten Paares verbunden sind, daß die Quellen der sistoren der ersten drei Paare sowie der siebente beiden anderen Transistoren zusammen mit der Senke Transistor (29) von einem ersten Leitfähigkeits- eines siebenten Transistors verbunden sind und daß typ ind, während die Transistoren der vierten, 50 die Quellen der beiden Transistoren und des siebenfünften, sechsten und siebenten Transistoren vom ten Transistors mit dem einen Pol einer Spannungsentgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sind. quelle verbunden sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, da- Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erdurch
gekennzeichnet, daß zwei Umschalter findung weist die Schaltungsanordnung ein viertes,
(25-26, 27-28) vorgesehen sind, welche je ein 55 fünftes, sechstes und siebentes Feldeffekttransistor-Feldeffekttransistorpaar
von entgegengesetzter Paar auf- wobei die beiden Quellen und die beiden
Leitfähigkeit aufweisen. Senken jedes Paares miteinander verbunden sind,
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 mit wobei die Quellen der vierten und fünften Paare mit
mehreren Stufen, dadurch gekennzeichnet, daß dem anderen Pol der Stromquelle und die Senken des
sie in integrierter Form in einem gleichen Substrat 60 vierten und fünften Paares jeweils mit den Quellen
gebildet ist, wobei die Transistoren des n-Leit- des sechsten bzw. siebenten Paares verbunden sind,
fähgkeätstyps in einem Abschnitt vom p-Leit- deren Senken mit den Senken des ersten bzw. zweiten
fähigkeitstyp dieses Substrats und die Tranistoren Paares in Verbindung stehen, und wobei die FeIdvom
p-Leitfähigkeitstyp aller Stufen in einem Ab- effekttransistoren der ersten drei Paare sowie der
schnitt des n-Leitfähigkeitstyps dieses Substrats 65 siebente Transistor von entgegengesetztem Leitfähiggebildet
sind. keitstyp sind als die Feldeffekttransistoren der vierten,
fünften sechsten und siebenten Transistorpaare. Eine bevorzugte Anwendung dieser Schaltungs-
2 053 46?
anordnung besteht in der Verwendung als Frequenzteilerschaltung.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand der Zeichnung noch näher erläutert. In der Zeichnung
zeigen
F i g. 1 und 2 eine kombinierte UND-NOR-Tor bzw. eine Schaltungsanordnung, die zur Erläuterung
des Ausgangspunktes der Erfindung dienen,
F i g. 3 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung.
Die in der deutschen Auslegeschrift 1 956 485 beschriebenen Schaltungsanordnungen für eine bistabile
Kippschaltung, die die Gleichungen
/1=5/,+ ~ÄI, und B = ]?/, + AI2
erfüllen, weisen zwei logische Umschalter und zwei '■.ombinierte UND-NOR-Tore auf, von denen eines
als komplementärer MOS-Feldeffekttransistor in Jc F i g. 1 zu Erläuterungszwecken dargestellt ist. Dieses
Tor umfaßt die MOS-Feldeffekttransistoren 1, 2, 3 und 4 des p-Leitfähigkeitstyps und vier MOS-FeIdeffekttransistoren
5, 6, 7 und 8 des n-Leitfähigkeitstyps. Die Prüfung, ob dieses komplementäre Tor der
logischen Schaltung
X = α b + c ä
entspricht, kann ohne Schwierigkeiten durchgeführt werden, wobei
a =
αι..
erhalten wird, wenn a = ~B, b = I1, c = ~Ä, d = /., ist.
Die Kombination aus den logischen Umschaltern j ad den kombinierten UND-NOR-Toren ergibt die in
F i g. 2 ebenfalls nur zur Erläuterungszwecken dargestellte Schaltung, die aus zehn MOS-Feldeffekttransistorpaaren
9-10, 11-12, 13-14, 15-16, 17-18, 19-20, 21-22, 23-24, 25-26 und 27-28 besteht. Die beiden
komplementären Tore enthalten jeweils die Paare 9-10, 13-14, 17-18, 21-22 und 11-12, 15-16, 19-20
und 23-24. Die beiden Umschalter werden durch die Paare 25-26 bzw. 27-28 gebildet, welche die Variable
A \n~Ä bzw. B in Έ umkehren. Die vorstehend
beschriebene bevorzugte Ausführungsform (F i g. 8) in der deutschen Auslegeschrift 1 956 485 ergibt sich
aus dieser zu Erläuterungszwecken dargestellten F i g. 2 durch paarweise Kombination der MOS-FeIdeffekttransistoren
10-11, 9-12, 21-24 und 22-23. Dieses Ausführungsbeispiel enthält somit nur noch
acht Paare. Eine Prüfung ergibt jedoch, daß die durchgeführten Kombinationen dazu neigen, d«ß siel.
A =■ B ergibt.
In gewissen Fällen, z. B. wenn I1 = I ist, leiten die
Transistoren des ersten und zweiten Transistorpaares, deren Quellen miteinander verbunden sind (Transistoren
33 und 37 in F i g. 8 des Hauptpatentes) gleichzeitig. Dadurch wird die Funktion der Schaltungsanordnung
gestört, wenn der Ausgang A eine größere kapazitive Belastung als der Ausgang B aufweist,
oder umgekehrt. Es treten Störungen auf, wenn das Verhältnis dieser kapazitiven Belastungen größer
als ungefähr 10 ist. Diese Schwierigkeiten ergeben sich nicht, wenn die Transistoren 10-11, 9-12 und
22-23 nach der erläuternden Schaltung nach F i g. 2 nicht in der Art zusammengefaßt werden, wie dies
bei der bevorzugten Ausführungsform des Hauptpatentes der Fall ist.
ίο Damit weist die bevorzugte Ausführungsform dor
vorliegenden Anmeldung die in F i g. 3 dargestellte Form auf. In dieser Schaltung ersetzt der MOS-Feldeffekttransistor
29 die Transistoren 21 und 24 nach dem erläuternden Schaltbild nach Fig. 2. Es ist erkennbar,
daß drei der vier möglichen und bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel des Hauptpatentes
durchgeführten Zusammenfassungen von Transistoren in dem Schaltbild nach Fig.3 nicht durchgeführt
worden sind.
ao An die Ausgangs A und B der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 können beliebige kapazitive Belastungen
angeschlossen werden, und zwar untc In
kaufnahme des Aufwandes von drei zusätzlichen MOS-Feldeffekttransistoren gegenüber der bevorzug ten
Ausführungsform des Hauptpatentes.
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 ist folgende:
Es sei zunächst der logische Zustand angenommen, bei dem an den Eingängen/, und L, eine logische π
bzw. eine logische 1 anliegt und bei dem die Aufgänge
A, Ά, B, Ή jeweils die Werte 1, 0, 0 und 1 aufweisen.
Die Transistoren 9,12, 14,15,16, 17, 18,19
25 und 28 sind gesperrt, während die Transistoren 10 11, 13, 20, 22, 23, 26, 27 nud 29 leitend sind. Liesei
Zustand ist stabil und bleibt erhalten, so lange, wie die Eingänge/, und /., unve-ändert bleiben. Wenn /,
den Wert 1 annimmt, nimmt der inversierte Eingang /., den Wert 0 ein, wobei die Transistoren 10, 11
und 29 gesperrt werden, während die Transistoren 14.
15, 18 und 19 leitfähig werden. Dies bewirkt den Übergang des Ausganges A auf eine logische 0. Die
Transistoren 20 und 26 werden gesperrt, während die Transistoren 16 und 25 leitfähig werden, wodurch
Ά den logischen Wert 1 annimmt. Dabei wird weiterhin der Transistor 13 gesperrt, und der Transistor 17
wird leitfähig. Die Schaltungsanordnung hat dann einen zweiten stabilen Zustand erreicht, der bis zum
nächsten Wechsel der Zustände der Eingänge /, und /., beibehalten wird. Der Zyklus wird dann bis
zur Rückkehr in den anfänglichen stabilen Zustand fortgesetzt.
Der vollständige Zyklus weist vier Übergänge jedes der Eingänge /, und In, jedoch nur zwei Übergänge
jedes der Ausgänge A, ~Ä, B und Έ auf. Auf diese
Weise ist die bistabile Schaltungsanordnung in vorteilhafter Weise als durch den Faktor 2 teilende
Frequenzteilerstufe verwendbar.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung, insbesondere Binärstufe, mit Feldeffekttransistoren
mit mindestens einer logischen Schaltung, welche in Boolescher Form ausgedrückt die
logischen Schaltfunktionen
Die deutsche Auslegeschrift 1 956 485 bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für eine bistabile Kippschaltung,
insbesondere Binärstufe, mit Feldeffekttransistoren, mit mindestens einer logischen Schaltung,
welche in Boolescher Form ausgedrückt die logischen Schaltfunktionen
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