DE3144513C1 - Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt - Google Patents

Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt

Info

Publication number
DE3144513C1
DE3144513C1 DE19813144513 DE3144513A DE3144513C1 DE 3144513 C1 DE3144513 C1 DE 3144513C1 DE 19813144513 DE19813144513 DE 19813144513 DE 3144513 A DE3144513 A DE 3144513A DE 3144513 C1 DE3144513 C1 DE 3144513C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
stage
switching
output
circuit arrangement
clock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19813144513
Other languages
English (en)
Inventor
Rüdiger Dr.rer.nat. 8000 München Hofmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19813144513 priority Critical patent/DE3144513C1/de
Priority to GB08230735A priority patent/GB2110494A/en
Priority to JP57195844A priority patent/JPS58129825A/ja
Application granted granted Critical
Publication of DE3144513C1 publication Critical patent/DE3144513C1/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/135Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals by the use of time reference signals, e.g. clock signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/09441Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

50
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Durch die DE-AS 26 59 207 ist bereits eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus einem Setztakt bekannt. Die bekannte, insgesamt Verzögerungsstufe genannte Schaltungsanordnung enthält eine Verzögerungsstufe im engeren Sinn, eine Schaltstufe und eine Endstufe. Die Verzögerungsstufe besteht aus zwei in Serie geschalteten Invertern mit je einem Treibertransistor und einem Lasttransistor. Im folgenden wird allein dieser Teil der Gesamtschaltung als Verzögerungsstufe bezeichnet.
An der Steuerelektrode des Lasttransistors des ersten Inverters liegt der Setztakt an. Der Setztakt steuert gleichzeitig die Schaltstufe.
Die Endstufe besteht ebenfalls aus zwei Invertern, die bezüglich ihrer Ansteuerung parallelgeschaltet sind. Die Steuerelektrode der Treibertransistoren beider Inverter sind mit dem Ausgang der Verzögerungsstufe direkt verbunden. Dagegen ist zwischen dem Ausgang der Verzögerungsstufe und den Steuerelektroden der Lasttransistoren der Inverter die Schaltstufe eingefügt. Der Ausgang des einen Inverters der Endstufe ist kapazitiv auf die Steuerelektroden der beiden Lasttransistoren rückgekoppelt, um steilere Signalflanken zu erhalten und einen ausreichend hohen oberen Signalpegel für den am Ausgang des zweiten Inverters abnehmbaren Nachfolgetakt sicherzustellen (bootstrap-Schaltung). Die volle Wirkung der Rückkopplungskapazität wird durch die verzögerte Steuerung der Treibertransistoren der Endstufe mit dem Ausgangssignal der Verzögerungsstufe ermöglicht.
Gelegentlich besteht das Bedürfnis, einen Nachfolgetakt nicht nur aus einem Setztakt abzuleiten, sondern. hierzu zwei oder mehrere Setztakte im Sinne einfacher logischer Verknüpfungen zu kombinieren. Zu diesem Zweck müssen der bekannten Schaltungsanordnung entsprechende Verknüpfungsglieder vorangestellt werden. Pas tjedetttet aber eine Erhöhung der Signallaufzeit und des Platzbedarfs.
Das gleiche gilt für eine durch die DE-AS 28 16 980 bekannte Schaltungsanordnung. Eine Erweiterung zur logischen Verknüpfung mehrerer Setztakte wäre zwar bei einer durch die US-PS 38 98 479 bekannten Schaltungsanordnung möglich, doch weist diese Schaltungsanordnung eine statische Eingangsschaltstufe auf, durch die die Verlustleistung wesentlich erhöht wird. Beide Schaltungsanordnungen verwenden das Ausgangssignal zur Steuerung der Verzögerungsstufe. Damit steigt die Signallaufzeit und verringert sich die Flankensteilheit des Ausgangssignals.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung in dynamischer MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus einem Setztakt anzugeben, die auf einfache Weise so erweiterungsfähig ist, daß bei minimaler Signallaufzeit und mit einem nahezu vernachlässigbaren zusätzlichen Schaltungsaufwand der Nachfolgetakt auch aus dem Ergebnis logischer Verknüpfungen, insbesondere nach einer UND- bzw. ODER-Funktion von zwei oder mehr Setztakten ableitbar ist. Erfindungsgemäß weist eine solche Schaltungsanordnung das kennzeichnende Merkmal des Patentanspruchs 1 auf.
Nachstehend wird die Erfindung anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 ein erstes vollständiges Ausführungsbeispiel, F i g. 2 eine abgewandelte Schaltstufe,
Fig.3 bis 5 Schaltstufen für die UND- bzw. ODER-Verknüpfung von je zwei Setztakten.
In F i g. 1 ist eine aus Schaltstufe SS, Verzögerungsstufe D und Endstufe E bestehende, erfindungsgemäße Schaltungsanordnung dargestellt, deren Betriebsspannung über die Anschlußpunkte Udd und Uss zugeführt wird. Die Endstufe E gleicht dabei in ihrem Schaltungsaufbau völlig der aus der DE-AS 26 59 207 bekannten Taktschaltung. Sie enthält zwei Inverter mit den Treiber- und Lasttransistoren Tr 1 und L1 bzw. Tr 2 und L 2. Die Steuerelektroden der beiden Treibertransistoren Tr 1 und Tr 2 sind ebenso wie die Steuerelektroden der beiden Lasttransistoren L1 und L 2 parallelgeschaltet An dem Ausgang des einen Inverters mit den Transistoren Tr ί und Li ist der Nachfolgetakt T abnehmbar. Die Ausgangsbelastung wird im allgemeinen hauptsächlich durch eine Kapazität Ca gebildet. Die zwischen dem Ausgang des zweiten Inverters Tr 2, L 2
und den Steuerelektroden der Lasttransistoren L1 und L 2 eingefügte Kapazität Cs dient in bekannter Weise zur Überhöhung der Steuersignale für die Lasttransistoren L1 und L 2.
Die aus zwei hintereinander geschalteten Invertern mit den Transistoren Tr 3 und L 3 bzw. Tr4 und L 4 bestehende Verzögerungsstufe D wird entgegen der bekannten Taktschaltung nicht direkt vom Setztakt 5, sondern vom Ausgang der Schaltstufe angesteuert. Der Ausgang der Verzögerungsstufe ist dann wieder in 1() bekannter Weise mit den Steuerelektroden der Treibertransistoren Tr 1 und Tr 2 der Endstufe verbunden.
Der Verzögerungsstufe vorangestellt ist die Schaltstufe SS mit den in Serie geschalteten Transistoren STi χ und RT. Der Verbindungspunkt dieser Transistoren, im folgenden als Schaltknoten K bezeichnet, bildet den Ausgang der Schaltstufe SS und ist mit den Steuerelektroden der Lasttransistoren L1 bis L 3 verbunden. Der Schalttransistor STi wird durch den Setztakt 5 gesteuert.
Die vorgestellte Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes muß vor jedem neuen Impuls des Setztaktes in einen definierten Grundzustand gebracht werden. Das geschieht durch ein Rücksetz- oder Vorspannungssignal ÄS bzw. durch einen Rücksetztakt Das Rücksetzsignal RS steuert den Transistor RT, den Treibertransistor Tr 3 und den Lasttransistor L 4 leitend. Als Folge davon werden die Lasttransistoren L1 bis L 3 und der Treibertransistor Tr 4 gesperrt und die Treibertransistoren TrX und Tr 2 leitend. Nach Beendigung des Setzsignals RS gehen zwar die Transistoren RT, Tr3 und L 4 in den Sperrzustand über, der Schaltzustand der übrigen Transistoren bleibt jedoch (wenigstens für eine gewisse Zeitspanne) erhalten. Wird nun durch einen neuen Impuls des Setztaktes S der Schalttransistor STi leitend gesteuert, dann beginnt die Umladung des Kondensators Cs, so daß die Transistoren Li bis L 3 in den Leitzustand übergehen. Mit einer kleinen Schaltverzögerung wird auch der Transistor Tr 4 stromführend und sperrt nach einer weiteren Verzögerung die Transistoren Tr 1 und Tr2. Damit setzt die Überhöhung der Steuerspannung am Schaltknoten K ein, die sich vor allem für den Transistor L1 der Endstufe auswirkt, so daß die Impulsamplitude des Nachfolgetaktes Γ das Betriebsspannungspotential Udd erreicht.
Eine geänderte Schaltstufe, bei der die Steuerelektrode des Schalttransistors STi mit dem Betriebsspannungspotential Udd verbunden ist und der Setztakt S an der Senkenelektrode anliegt, ist in Fig.2 dargestellt. Der in F i g. 2 mit gestrichelten Verbindungen eingezeichnete Rücksetztransistor ÄTkann entfallen, da der Schalttransistor STi ständig leitend ist und der Pegel des Schaltknotens K stets vom Pegelverlauf des Setztaktes S bestimmt wird. Die in Fig.2 nicht dargestellten Teile der Gesamtschaltung, nämlich die Verzögerungsstufe D und die Endstufe E sind mit den entsprechenden Stufen nach F i g. 1 identisch.
Im folgenden werden Beispiele für die Erweiterung der neuen Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes zur UND- bzw. ODER-Verknüpfung von zwei Setztakten S1 und 52 angegeben. Die F ig. 3 bis 5 zeigen die von den Erweiterungsmaßnahmen allein betroffenen Schaltstufen, die in allen Fällen durch eine Verzögerungsstufe D und eine Endstufe E nach F i g. 1 zu ergänzen sind.
Eine zur UND-Verknüpfung der Setztakte S1 und S 2 geeignete Schaltstufe ist in Fig.3 dargestellt. Die Setztakte 51 und 52 liegen an den Steuerelektroden der in Serie geschalteten Transistoren STi und ST2 an.
Keinen schaltungsmäßigen Mehraufwand zur UND-Verknüpfung von zwei Setztakten 51 und 52 gegenüber der von einem Setztakt gesteuerten ursprünglichen Schaltungsanordnung erfordert die Schaltstufe nach Fig.4, bei der die Setztakte 51 und 52 an die Steuerelektrode und an die Senkenelektrode des Transistors 5Γ1 angeschlossen sind. Zu beachten ist, daß die Quelle für den Setztakt 51 mit einer größeren Kapazität belastet wird als die Quelle für den Setztakt 52.
Bei der Schaltstufe nach F i g. 5 zur ODER-Verknüpfung der Setztakte 51 und 52 sind die gesteuerten Kanäle der Transistoren 5Γ1 und 5Γ2 parallelgeschaltet. Die Setztakte 51 und 52 sind an die Steuerelektroden dieser Transistoren angelegt
Alle in den Fig.3 bis 5 als Beispiele dargestellten Schaltstufen können auch zur UND- bzw. ODER-Verknüpfung von mehr als zwei Setztakten ausgelegt werden. Durch die gemeinsame Anwendung der aus Fig.3 und 5 ersichtlichen Maßnahmen sind darüber hinaus in einfacher Weise Kombinationen aus UND- und ODER-Verknüpfungen möglich. Ferner können bei Schaltstufen, die zur UND-Verknüpfung von zwei oder mehr Setztakten geeignet sind, ein oder gegebenenfalls mehr Setztakte durch Sperrsignale ersetzt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
- Leerseite -
- Leerseite -
- Leerseite

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung in dynamischer MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus -, mindestens einem Setztakt, mit einer aus einer ersten und zweiten Inverterstufe (Tr 1, L1 bzw. Tr 2, L2) bestehenden Endstufe (E), mit einer aus weiteren zwei Inverterstufen (Tr 3, L 3 bzw. Tr 4, L 4) bestehenden Verzögerungsstufe (D), deren Ausgang mit den Steuerelektroden der Treibertransistoren (Tr \, Tr 2) der Inverter der Endstufe (E) verbunden ist, sowie mit einer mit einem Setztakt (S) beaufschlagten logischen Schaltstufe (SS), deren Ausgang mit den Steuerelektroden der Lasttransistören (Li, L2) der Endstufe (E) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Ausgang der logischen Schaltstufe (SS) die Steuerelektrode des Lasttransistors (L3) der ersten Inverterstufe (Tr 3, L 3) der Verzögerungsstufe (D) verbunden ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltstufe (SS) aus der Serienschaltung eines durch den Setztakt (S) gesteuerten Schalttransistors (STi) und eines durch ein Rücksetzsignal (RS) gesteuerten Rücksetztransistors (RT) besteht und daß der Verbindungspunkt dieser Transistoren den Ausgang der Schaltstufe (SS) bildet.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltstufe (SS) aus einem Schalttransistor (STi) besteht, dessen Quellenelektrode den Ausgang der Schaltstufe (SS) bildet, dessen Steuerelektrode mit dem senkenseitigen Betriebsspannungspotential (Odd) verbunden ist und an dessen Senkenelektrode der Setztakt (S) anliegt.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 mit einer ODER-Verknüpfung mehrerer Netztakte, dadurch gekennzeichnet, daß dem einen Schalttransistor (STi) weitere Schalttransistoren (ST2) parallelgeschaltet sind.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 mit einer UND-Verknüpfung mehrerer Setztakte, dadurch gekennzeichnet, daß zu dem einen Schalttransistor (STi) weitere Schalttransistoren (ST2) in Serie geschaltet sind.
DE19813144513 1981-11-09 1981-11-09 Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt Expired DE3144513C1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813144513 DE3144513C1 (de) 1981-11-09 1981-11-09 Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt
GB08230735A GB2110494A (en) 1981-11-09 1982-10-27 MOS follow-up pulse train generators
JP57195844A JPS58129825A (ja) 1981-11-09 1982-11-08 Mos回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813144513 DE3144513C1 (de) 1981-11-09 1981-11-09 Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3144513C1 true DE3144513C1 (de) 1983-05-05

Family

ID=6145989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19813144513 Expired DE3144513C1 (de) 1981-11-09 1981-11-09 Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS58129825A (de)
DE (1) DE3144513C1 (de)
GB (1) GB2110494A (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3314002A1 (de) * 1982-04-19 1983-11-03 Hitachi, Ltd., Tokyo Taktgeber und damit arbeitender dynamischer speicher
EP0145582A2 (de) * 1983-11-29 1985-06-19 Fujitsu Limited Halbleiteranordnung mit angepassten dynamischen und statischen Zeitgeberschaltungen
DE3531599A1 (de) * 1984-09-29 1986-04-03 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Impulserzeugungsschaltung
EP0242721A2 (de) * 1986-04-09 1987-10-28 Nec Corporation Signalerzeugerschaltung vom "Boot-strap"-Typ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898479A (en) * 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
DE2816980B2 (de) * 1978-04-19 1980-02-21 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart FET-Treiberschaltung mit kurzen Schaltzeiten
DE2659207B2 (de) * 1975-12-29 1980-05-14 Mostek Corp., Carrollton, Tex. (V.St.A.) In einem integrierten MOSFET-Schaltkreis ausgebildete Verzögerungsstufe

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3898479A (en) * 1973-03-01 1975-08-05 Mostek Corp Low power, high speed, high output voltage fet delay-inverter stage
DE2659207B2 (de) * 1975-12-29 1980-05-14 Mostek Corp., Carrollton, Tex. (V.St.A.) In einem integrierten MOSFET-Schaltkreis ausgebildete Verzögerungsstufe
DE2816980B2 (de) * 1978-04-19 1980-02-21 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart FET-Treiberschaltung mit kurzen Schaltzeiten

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3314002A1 (de) * 1982-04-19 1983-11-03 Hitachi, Ltd., Tokyo Taktgeber und damit arbeitender dynamischer speicher
EP0145582A2 (de) * 1983-11-29 1985-06-19 Fujitsu Limited Halbleiteranordnung mit angepassten dynamischen und statischen Zeitgeberschaltungen
EP0145582A3 (de) * 1983-11-29 1987-08-05 Fujitsu Limited Halbleiteranordnung mit angepassten dynamischen und statischen Zeitgeberschaltungen
DE3531599A1 (de) * 1984-09-29 1986-04-03 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Impulserzeugungsschaltung
EP0242721A2 (de) * 1986-04-09 1987-10-28 Nec Corporation Signalerzeugerschaltung vom "Boot-strap"-Typ
EP0242721A3 (de) * 1986-04-09 1988-01-07 Nec Corporation Signalerzeugerschaltung vom "Boot-strap"-Typ

Also Published As

Publication number Publication date
GB2110494A (en) 1983-06-15
JPS58129825A (ja) 1983-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2812908C2 (de)
DE3490015C2 (de)
DE19854730A1 (de) LCD-Quellentreiber
DE2553517B2 (de) Verzögerungsschaltung mit Feldeffekttransistoren
DE1280924B (de) Bistabile Schaltung
DE2625007A1 (de) Adressenpufferschaltung in einem halbleiterspeicher
DE2944149A1 (de) Integrierte schaltungsanordnung in mos-technik
DE2343128C3 (de) R-S-Flip-Flop-Schaltung mit komplementären Isolierschicht-Feldeffekt-Transistoren
DE2647982A1 (de) Logische schaltungsanordnung in integrierter mos-schaltkreistechnik
DE2734361A1 (de) Adressenwaehlschaltung fuer halbleiterspeichereinrichtungen
DE2401334A1 (de) Synchronisationsstufe
DE1474388A1 (de) Speicheranordnung mit Feldeffekttransistoren
DE69109888T2 (de) Taktfrequenzverdoppler.
DE2346568C3 (de) Hybrider Zweitakt-Verriegelungsschaltkreis mit Zwischenspeicherung
DE19850476A1 (de) Integrierte Schaltung
DE10134019A1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3144513C1 (de) Schaltungsanordnung in MOS-Technik zur Erzeugung eines Nachfolgetaktes aus mindestens einem Setztakt
DE2944034C2 (de) Flip-Flop-Schaltung sowie damit ausgerüstete Frequenzteilerschaltung
DE68922506T2 (de) Frequenzteilerschaltung.
DE4117882A1 (de) Boosterschaltung fuer einen halbleiterspeicher
DE2833211C2 (de) Asynchroner binärer Vorwärts-Rückwärtszähler
DE2144455A1 (de) Pufferschaltung
DE69113414T2 (de) Integrierte Konstantstromversorgung.
DE69121433T2 (de) Halbleiterschaltung mit Korrekturschaltung für die Eingangsschaltschwelle
DE2362987A1 (de) Impulsgenerator

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee