DE19549022C2 - Rasterelektronenmikroskop und Probenbetrachtungsverfahren mittels eines solchen - Google Patents
Rasterelektronenmikroskop und Probenbetrachtungsverfahren mittels eines solchenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Elektronenstrahlvorrichtung und
ein Probenbetrachtungsverfahren mittels einer solchen, und
speziell betrifft sie ein Rasterelektronenmikroskop (REM),
das dafür geeignet ist, ein Bild hoher Auflösung bei niedri
ger Beschleunigungsspannung zu erhalten, wie auch ein mit
diesem ausgeführtes Probenbetrachtungsverfahren.
Ein REM enthält eine Elektronenquelle, eine Kondensorlinse
zum Bündeln von von dieser emittierten Elektronenstrahlen
als feine Sonden auf eine Probe, ein Strahlablenksystem zum
zweidimensionalen Durchrastern gebündelter Elektronenstrah
len über die Probe und einen Sekundärelektronen-Detektor zum
Erfassen von Sekundärelektronen, wie sie durch Belichtung
mit dem Elektronenstrahl von der Probe emittiert werden; es
ermöglicht die Betrachtung feiner Strukturen auf der Probenober
fläche mit hoher Auflösung und hohen Vergrößerungen.
In den letzten Jahren bestand zunehmender Bedarf nach einem
REM, das bei niedrigen Beschleunigungsspannungen im Bereich
von 500 bis 1000 Volt betrieben werden kann, um Antistatikbedingungen
zu genügen. Um bei niedrigen Beschleunigungs
spannungen Bilder mit hoher Auflösung zu gewährleisten, ist
es erforderlich, den Strahldurchmesser durch Verringern der
Aberration der Objektivlinse zu verkleinern. Die Aberration
der Objektivlinse kann dadurch verringert werde, daß die
Unterseite des inneren Polstücks um denselben Weg wie oder einen längeren Weg als die
des äußeren Polstücks vorgeschoben
wird, damit das Magnet
feld der Linse auf der Probenseite derselben erzeugt wird, was zu ver
ringerter Brennweite der Objektivlinse führt.
Eine andere Vorgehensweise zum Verringern der Aberration der
Objektivlinse ist im US-Patent Nr. 4,713,543 offenbart. Ge
mäß der dortigen Offenbarung ist eine axialsymmetrische
Elektrode auf dem Elektronenstrahlpfad von der Elektronen
kanone zur Objektivlinse angebracht, und an diese Elektrode
wird eine hohe Spannung angelegt, um die Energie des Primär
elektronenstrahls, der durch die Objektivlinse läuft gegenüber seiner Endenergie,
die dann vorliegt, wenn er die
Probe erreicht (Endbeschleunigungsspannung) zu vergrößern. In diesem Fall
wird die an die im Elektronenstrahlpfad angebrachte Elektro
de angelegte Spannung normalerweise proportional zu einer
festgelegten Spannung oder der Beschleunigungsspannung des
Primärelektronenstrahls verändert.
Um Bilder mit hoher Auflösung unter Verringerung der Aberra
tion der Objektivlinse zu betrachten, ist es auch möglich,
an eine kombinierte Verwendung dieser zwei Verfahren zu den
ken, wobei das Magnetfeld der Objektivlinse auf der Proben
seite erzeugt wird und eine Elektrode im Elektronenstrahl
pfad angeordnet wird, um für hohe Beschleunigungsenergie
des Elektronenstrahls zu sorgen, der durch das
Magnetfeld der Objektivlinse läuft.
Aus DE-A-37 03 028, von der jeweils der Oberbegriff der
Ansprüche 1, 10 und 13 ausgeht, ist ein Rasterelektronenmi
kroskop bekannt, das dem zuvor genannten Stand der Technik
ähnelt: die Objektivlinse ist als elektrostatische Linse
ausgestaltet und umschließt eine Elektrode, an die eine
positive Spannung angelegt wird, um den Primärelektro
nenstrahl von einer relativ hohen Energie auf eine niedrige
Endenergie abzubremsen. Aus dieser Druckschrift ist außerdem
bekannt, die Probe schrägzustellen und in geneigtem Zustand
zu untersuchen.
Rasterelektronenmikroskope mit magnetischen Objektivlin
sen in Kombination mit zusätzlichen elektrostatischen Elek
troden zum Abbremsen des Primärelektronenstrahls oder zum
Einfangen von Sekundärelektronen sind in DE-C-29 22 325 und
EP-A-592 899 angegeben. DE-A-42 36 273 offenbart eine
kombinierte elektrostatische und magnetische Objektivlinse
über einem schwenkbaren Probentisch.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Raster
elektronenmikroskop und ein mit diesem ausführbares Probenbe
trachtungsverfahren zu schaffen, die bei niedriger Endenergie
der Primärelektronen eine hohe Auflösung ermöglichen.
Die Lösung dieser Aufgabe gelingt mit dem in Anspruch 1
angegebenen Rasterelektronenmikroskop und den in den Ansprü
chen 10 und 13 angegebenen Verfahren.
Gemäß der Erfindung erfolgt die Betrachtung unter optimalen
Ausrüstungseinstellungen und/oder abhängig von der Beschaf
fenheit einer Probe, die z. B. Vorsprünge und Vertiefungen
aufweist und/oder auf einer schrägen Ebene angeordnet ist
oder eine schräge Oberfläche aufweist.
Die Erfindung beruht auf Erkenntnissen, die die Autoren da
bei gewonnen haben, daß sie versuchsweise ein REM aufgebaut
haben, das für den oben beschriebenen kombinierten Aufbau
konzipiert war. Es hat sich gezeigt, daß eine Be
trachtung mit hoher Auflösung möglich ist, wenn eine Probe
mit ebener Oberfläche betrachtet wird und der Probentisch
horizontal angeordnet ist. Eine Aberration im Probenbild tritt
dagegen auf, ohne daß die erwarteten Bilder mit hoher Auflö
sung erhalten werden, wenn die Probe schräg gestellt ist
oder wenn die Probe große Vorsprünge oder Kanten an der
betrachteten Oberfläche hat.
Bei der Erfindung wird eine Objektivlinse verwendet, auf deren
Probenseite ein Magnetfeld erzeugt
wird. Eine Elektrode ist im Elektronenstrahlpfad innerhalb
des Magnetpols der Objektivlinse angeordnet, um dem durch
deren Magnetfeld laufenden Elektronenstrahl hohe Beschleu
nigungsenergie zu verleihen. Das Anlegen der Spannung an die
Elektrode kann gekoppelt mit der Beschleunigungsspannung für
den Primärelektronenstrahl erfolgen oder sie kann mit konstanter
Spannung erfolgen, unabhängig von der Beschleuni
gungsspannung des Primärelektronenstrahls.
In diesem Fall tritt zwischen der Objektivlinse und der Pro
be ein starkes elektrisches Verzögerungsfeld auf. Wenn eine
Probe betrachtet wird, die eine ebene, nicht schräg gestell
te Fläche aufweist, ist diese Konfiguration optimal,
um die Aberration der Objektivlinse zu minimieren, und es
ist eine Betrachtung mit hoher Auflösung bei niedriger
Beschleunigungsspannung möglich.
Wenn jedoch eine Probe mit ebener Fläche auf einem schräg
gestellten Probentisch oder eine
leitende Probe mit großen Vorsprüngen und Vertiefungen auf
der Oberfläche zu betrachten ist, wird das zwischen der
Objektivlinse und der Probe ausgebildete elektrische Verzö
gerungsfeld durch die Schrägstellung des Probentischs oder
die Vorsprünge und Vertiefungen an der Probenoberfläche
gestört. Die Störung des elektrischen Verzögerungsfelds
erhöht entgegen den Erwartungen den Astigmatismus der Objek
tivlinse, was es unmöglich macht, eine Betrachtung mit hoher
Auflösung auszuführen.
Die Erfindung ist das Ergebnis einer Analyse der Gründe für
diesen Mangel. Gemäß der Erfindung wird der Mangel dadurch
überwunden, daß eine optimale Einstellung der Stärke des
elektrischen Felds zwischen der Probe und der Objektivlinse
abhängig von einer Schrägstellung des Probentischs und Be
dingungen an der Probenoberfläche vorgenommen wird und die
Objektivlinsenaberration bei allen Betrachtungsbedingungen
minimiert wird. Dies wird durch die Maßnahme gemäß dem bei
gefügten Anspruch 1 erzielt.
Wenn der Winkel der Probentischneigung einen vorgegebenen
Wert überschreitet, kann die Steuereinrichtung für eine stufenweise
Steuerung sorgen, bei der die an die Elektrode an
gelegte Spannung auf Null oder auf einen vorgegebenen Wert
umgeschaltet wird, der kleiner ist als derjenige der Span
nung bei fehlender Proben
tischneigung. Alternativ kann die Steuereinrichtung
für eine kontinuierliche Änderung der angelegten Spannung
abhängig vom Winkel der Probentischneigung sorgen.
Es ist auch möglich, die Vorrichtung gemäß Anspruch 6 auszu
bilden. Außerdem ist es möglich, für eine Steuerung zu sor
gen, bei der die
Spannungen, die an den der Probe näheren und an
den von ihr entfernteren Elektroden anliegen, gekoppelt sind, wobei die Spannung an den
probenfernsten Elektroden auf eine vorgegebene konstante
Spannung eingestellt wird.
Ferner ist es auch möglich, eine Einrichtung zum Einstellen
des Erregerstroms der Objektivlinse gekoppelt mit der an die
Elektrode angelegten Spannung oder eine Ein
richtung zum Einstellen der Abrasterbreite des Primärelek
tronenstrahls bereitzustellen. Die Objektivlinse kann auf solche Weise kon
zipiert sein, daß das innere Polstück mehr als das äußere
Polstück auf der Probenseite vorsteht, und der Sekundärelek
tronen-Detektor kann über der Objektivlinse angebracht sein.
Ein erfindungsgemäßes Probenbetrachtungsverfahren ist im An
spruch 10 angegeben. Wenn der Winkel der Probentischneigung
einen vorgegebenen Wert überschreitet, kann die an die Elek
trode angelegte Spannung dadurch eingestellt werden, daß sie
auf Null oder einen vorgegebenen Wert umgeschaltet wird, der
kleiner als die bei fehlender
Probentischneigung angelegte Spannung. Al
ternativ kann die Steuereinrichtung für eine kontinuierliche
Änderung der angelegten Spannung abhängig vom Winkel der
Probentischneigung sorgen. Es ist auch möglich, einen Nei
gungswinkelsensor auf dem Probentisch anzubringen und für
automatische Einstellung mittels einer auf dem Sensoraus
gangssignal beruhenden Steuerung zu sorgen. Diese Steuerung
kann auch von Hand erfolgen.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Betrachtungsverfahren ist
durch die Lehre des beigefügten Anspruchs 13 gegeben. Wenn
eine Objektivlinse mit kurzer Brennweite und kleiner Aberra
tion verwendet wird, kann der Elektronenstrahlfleck-Durch
messer verringert werden, was Bilder mit hoher Auflösung ge
währleistet. Die Aberration der Objektivlinse kann dadurch
weiter verringert werden, daß der durch den Magnetpol der
Objektivlinse laufende Elektronenstrahl mittels der Elektro
de beschleunigt wird, die innerhalb des Magnetpols der Ob
jektivlinse angebracht ist. Das elektrische Feld, das von
der innerhalb des Magnetpols der Objektivlinse angeordneten
Elektrode herrührt, dient auch dazu, die von der Probe er
zeugten Sekundärelektronen zum Sekundärelektronen-Detektor
zu leiten. Demgemäß ermöglicht die Erfindung bei normalen
Betrachtungsbedingungen ohne Schrägstellung des Probentischs
die Betrachtung von Bildern hoher Auflösung bei optimalen
Bedingungen und minimaler Aberration der Objektivlinse.
Wenn die Spannung, die an die auf dem Elektronenstrahlpfad
innerhalb des Magnetpols der Objektivlinse angebrachte Elek
trode angelegt wird, proportional zur Beschleunigungsspan
nung des Primärelektronenstrahls eingestellt wird, ist es
möglich, eine verbesserte Auflösung zu erreichen, die für
verschiedene Beschleunigungsspannungen immer gleich ist.
Wenn dagegen die Elektrodenspannung unabhängig von der Be
schleunigungsspannung des Primärelektronenstrahls immer auf
einen konstanten Wert eingestellt wird, kann eine bessere
Auflösungswirkung bei niedrigerer Beschleunigungsspannung
und allgemein verringerter Auflösung erhalten werden.
Wenn der Probentisch vorhanden ist, stört dagegen eine
Schrägstellung desselben das elektrische Verzögerungsfeld,
wie es zwischen der Probe und der auf dem Elektronenstrahl
pfad innerhalb des Magnetpols der Objektivlinse angebrachten
Elektrode erzeugt wird, was entgegen der Erwartung zu erhöh
ter Aberration führt. In diesem Fall wird die Aberration der
Objektivlinse dadurch verringert,
daß die an die Elektrode an
gelegte Spannung verringert wird, unter Umständen auf Null,
was für Bilder mit hoher Auflösung bei optimalen Bedingungen
sorgt.
Wenn mehrere Elektroden auf dem Pfad innerhalb des Magnet
pols der Objektivlinse angebracht werden, wird die an die
Elektroden näher an der Probe angelegte Spannung in Überein
stimmung mit dem Winkel der Probentischneigung geändert, wo
durch die Zunahme der Aberration der Objektivlinse gesteuert
wird. In diesem Fall ist es möglich, den Erfassungswirkungs
grad für Sekundärelektronen zu verbessern, ohne die Linsen
aberration zu erhöhen, und zwar durch das Anlegen einer po
sitiven Spannung von einigen 10 bis einigen 100 Volt an die
Elektroden, die weiter weg von der Probe liegen, unabhängig
vom Winkel der Probentischneigung. Der Erfassungswirkungs
grad für Sekundärelektronen kann noch mehr verbessert wer
den, wenn die Einstellung gekoppelt mit der Spannung er
folgt, die an die näher an der Probe liegenden Elektroden
angelegt wird, ohne daß die an die weiter von der Probe weg
liegenden Elektroden angelegte konstante Spannung beibehal
ten wird.
Die Fokussierwirkung hinsichtlich des Primärelektronen
strahls und die Abrasterbreite desselben auf der Probe wer
den durch Ändern der Spannung verändert, die an die Elektro
de angelegt wird, die auf dem Elektronenstrahlpfad innerhalb
des Magnetpols der Objektivlinse angeordnet ist. Demgemäß
kann dann, wenn der Erregerstrom der Objektivlinse und die
Abrasterlinie des Primärelektronenstrahls gekoppelt mit die
sem gesteuert werden, der Brennpunkt immer an derselben Pro
benposition gehalten werden, ohne daß die Vergrößerung ge
ändert wird, und zwar selbst dann, wenn die an die Elektrode
angelegte Spannung verändert wird.
Ferner wird dann, wenn die Probe Vorsprünge und Vertiefungen
auf der Oberfläche aufweist, z. B. bei der Betrachtung der
Probenkante, und insbesondere dann, wenn die Probe elek
trisch leitend ist, das elektrische Feld durch die Vorsprün
ge und Vertiefungen gestört, was zu erhöhter Linsenaberra
tion führt. Demgemäß kann die Betrachtung einer derartigen
Probe unter optimalen Bedingungen für minimale Linsenaberra
tion erfolgen, wenn die Spannung, die an die Elektrode ange
legt wird, die auf dem Elektronenstrahlpfad innerhalb des
Magnetpols der Objektivlinse angeordnet ist, auf Null oder
einen Wert eingestellt wird, der kleiner als der Wert derje
nigen Spannung ist, die an eine Probe mit ebener Fläche an
gelegt wird.
Auch in diesem Fall kann, wenn eine niedrige Spannung von
einigen 10 bis einigen 100 Volt an mehrere Elektroden, die
weiter von der Probe weg liegen, angelegt wird, der Einfang
wirkungsgrad für Sekundärelektronen verbessert werden, ohne
die Wahrscheinlichkeit, daß ein gestörtes elektrisches Feld
dicht an der Probe erzeugt wird, was zu erhöhter Aberration
führen würde.
Gemäß der Erfindung kann die Objektivlinsenaberration da
durch minimiert werden, daß die an die
auf dem Elektronenstrahlpfad innerhalb des Magnetpols
der Objektivlinse liegende Elektrode (oder an die Elektroden, die näher an der Probe
liegen, wenn mehrere Elektroden vorhanden sind) angelegte
Spannung erhöht wird,
wenn die Probe keine großen Vor
sprünge und Vertiefungen hat und der Winkel der Probentisch
neigung klein ist. Wenn die Probe große Vorsprünge und Ver
tiefungen aufweist und/oder der Winkel der Probentischnei
gung zur Betrachtung erhöht ist, wird die Elektrodenspannung
verringert, was zu verkleinertem elektrischem Feld zwischen
der Objektivlinse und der Probe führt, wodurch verhindert
wird, daß der Astigmatismus aufgrund der Störung des elek
trischen Felds zunimmt. Dies ermöglicht es, die Probe immer
unter Bedingungen für höchste Auflösung zu betrachten, die
am besten für die jeweilige Probenoberfläche und die jeweiligen Beobach
tungsbedingungen geeignet sind.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.
Die Fig. 1 und 2 sind Zeichnungen, die jeweils ein Ausfüh
rungsbeispiel der Erfindung veranschaulichen.
Fig. 1 ist eine Schnittansicht durch ein erstes Ausführungs
beispiel der Erfindung. Ein Primärelektronenstrahl 4, der
von einer Kathode 1 aufgrund einer Spannung V1 (z. B. 4 kV)
emittiert wird, die zwischen die Kathode 1 und eine erste
Anode 2 gelegt wird, wird durch eine Beschleunigungsspannung Vacc
(z. B. 1 kV) beschleunigt, die an eine zweite Anode 3 ange
legt wird, wodurch er ein in einer späteren Stufe liegendes
Linsensystem erreicht. Dieser Primärelektronenstrahl 4 wird
durch eine Kondensorlinse 5 und eine Objektivlinse 6, ge
steuert durch eine Linsensteuerungs-Spannungsversorgung 16,
zu einem feinen Fleck auf einer Probe 7 gebündelt, wobei der
Strahlöffnungswinkel der auf die Probe 7
gestrahlten Primärelektronen durch eine Objektivlinsenblende
14 bestimmt wird; dann wird er mittels einer Ablenkspule 8
zweidimensional über die Probe gerastert. Das Abrastersignal
für die Ablenkspule 8 wird durch eine Ablenksteuerschaltung
15 abhängig von der Betrachtungsvergrößerung gesteuert.
Eine axialsymmetrische Zylinderelektrode 10 ist auf dem
Elektronenstrahlpfad der Objektivlinse 6 angeordnet, und es
wird eine positive Spannung Va (z. B. 500 Volt) durch eine
geregelte Spannungsversorgung 11 an sie angelegt. Nachdem
der Primärelektronenstrahl 4 durch die an die Elektrode 10
angelegte Spannung Va über die Beschleunigungsspannung Vacc
hinaus beschleunigt wurde, wird er zwischen der Objektivlin
se 6 und der Probe 7 auf die ursprüngliche Energie (Vacc)
verzögert und auf die Probe 7 gestrahlt. Die Konstruktion
ist dergestalt, daß auf der Probenseite der Objektivlinse 6
ein Magnetfeld vorliegt. Wenn an die Elektrode 10 die posi
tive Spannung Va angelegt wird, durchläuft der Primärelek
tronenstrahl 4 das Magnetfeld der Objektivlinse mit einer
Energie über Vacc, was zu verkleinerter Linsenaberration
führt. Die von der Probe 7 durch Einstrahlung des Primär
elektronenstrahls 4 emittierten Sekundärelektronen 9 werden
durch das Magnetfeld der Objektivlinse eingefangen und über
die Objektivlinse einem Sekundärelektronen-Detektor 20 zuge
führt, um von diesem gemessen zu werden. Das von ihm ausge
gebene Signal wird in eine Bildanzeige 17 eingegeben, die
ein vergrößertes Bild der Probe zeigt. Beim vorliegenden
Ausführungsbeispiel ist die Spannung Va unabhängig von der
Beschleunigungsspannung Vacc auf einen vorgegebenen Wert
eingestellt, so daß bei kleinerer Beschleunigungsspannung
eine größere Wirkung hinsichtlich der Auflösungsverbesserung
erzielt wird.
Die Beschleunigungsspannung Vacc und die Elektrodenspannung
Va müssen miteinander gekoppelt geändert werden, um dafür
zu sorgen, daß der Erregungsstrom der Objektivlinse 6 größer
wird, wenn die Beschleunigungsspannung Vacc und die Elektro
denspannung Va größer werden. Die Beziehung zwischen der Beschleunigungsspannung
Vacc und der Elektrodenspannung Va,
die dazu erforderlich sind, den Elektronenstrahl auf densel
ben Punkt zu fokussieren, und der Erregerstrom der Objektiv
linse werden vorab durch Versuche und Simulation aus einer
Formel oder aus Tabellen erhalten,
die bei der Realisierung verwendet werden.
Der Probentisch 13 ermöglicht es, die Probe sowohl in hori
zontaler Richtung (X, Y) als auch in vertikaler Richtung (Z)
zu verstellen und eine Probe zu neigen.
Ein Sensor 25 ist vorhanden, um den Neigungswinkel zu messen.
Ferner ist der Probentisch 13 elektrisch leitend, und er
wird auf Massepotential oder einer negativen Konstantspan
nung gehalten. Der Probenneigungswinkel-Meßsensor 25 gibt
Signale aus, wenn der Winkel der Probentischneigung größer
als ein vorgegebener Wert (z. B. 30 Grad) ist, und dieses
Signal beeinflußt die geregelte Spannungsversorgung 11 so, daß
die an die Elektrode 10 angelegte Spannung Va auf einen
kleineren Wert oder Null geändert wird. Dieser Steuervorgang
erniedrigt das Magnetfeld zwischen der Objektivlinse 6 und
der Probe 7, um dadurch zu verhindern, daß der Astigmatismus
aufgrund einer Störung des elektrischen Felds zunimmt, die
von der Schrägstellung des Probentischs herrührt.
Wie die Elektrodenspannung Va abhängig vom Winkel der Pro
bentischneigung zu ändern ist, wird in Übereinstimmung mit
dem Wert der an die Elektrode 10 angelegten Spannung Va und
dem Wert der Beschleunigungsspannung Vacc in solcher Weise
ermittelt, daß der Astigmatismus bei allen Betrachtungsbe
dingungen minimal ist. Die angelegte Spannung Va kann
schrittweise abhängig vom Winkel der Probentischneigung
oder kontinuierlich geändert werden.
Die geregelte Spannungsversorgung 11 ist mit einem Hand
schalter 12 versehen. Wenn die Probe elektrisch leitend ist
und große Vorsprünge und Vertiefungen an der Oberfläche auf
weist, was zu einer Störung des zwischen der Elektrode 10
und der Probe 7 ausgebildeten elektrischen Felds führt, wird
das Magnetfeld dadurch verkleinert, daß die an die Elektrode
10 angelegte Spannung unabhängig vom Signal vom Probennei
gungswinkel-Meßsensor 25 auf einen kleineren Wert oder auf
Null eingestellt wird.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das Magnet
feld zwischen der Probe und der Objektivlinse in Abhängigkeit vom
Probentisch-Neigungswinkel und den Proben
oberflächezuständen auf den optimalen Wert eingestellt, und
die Objektivlinsenaberration wird bei allen Betrachtungsbe
dingungen minimiert, um dadurch eine Betrachtung der Probe
mit hoher Auflösung zu gewährleisten.
Fig. 2 ist eine Schnittansicht nahe der Objektivlinse gemäß
einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Objek
tivlinse 6 gemäß diesem Ausführungsbeispiel verfügt über ein
inneres Polstück 6a, das mehr zur Probe vorsteht als ein
äußeres Polstück 6b, um dafür zu sorgen, daß eine große Pro
be 7 unter einem engen Winkel schräg gestellt werden kann.
Dies erhöht den Abstand zwischen der Unterseite der Objek
tivlinse und dem Sekundärelektronen-Detektor 20; daher ist
es zum Gewährleisten einer wirksamen Erkennung von von der
Probe 7 emittierten Sekundärelektronen 9 erforderlich, die
Sekundärelektronen 9 zu beschleunigen, um sie bis zum
Sekundärelektronen-Detektor 20 zu transportieren. Um
diesem Zweck zu genügen, sind zwei unabhängige axialsymme
trische Elektroden 10a und 10b am Elektronenstrahlpfad in
nerhalb des Magnetpols der Objektivlinse angeordnet und an
die obere Elektrode 10b wird eine vorgegebene positive Span
nung Vb angelegt, um dadurch die Sekundärelektronen 9 auf
die Empfangsseite des Sekundärelektronen-Detektors zu beschleunigen.
An die Elektrode 10a, die näher an der Probe 7 liegt, wird
eine positive Spannung Va angelegt, und der Primärelektro
nenstrahl 4 wird so beschleunigt, daß er eine höhere Energie
als Vacc aufweist, wobei er durch das Magnetfeld der Objek
tivlinse hindurchgeführt wird. Wenn der Probentisch 13 nicht
schräg gestellt ist oder der Winkel der Schrägstellung sehr
klein ist, bewirkt dieser Vorgang eine Optimierung der Ob
jektivlinsenaberration, was für eine Betrachtung der Probe
mit hoher Auflösung sorgt.
Wenn der Probentisch 13 schräg gestellt wird, wobei die
Spannung Va weiterhin an die Elektrode 10a an der Unterseite
angelegt wird, wird das zwischen der Elektrode 10a und der
Probe 7 ausgebildete elektrische Feld gestört, wie es durch
die Äquipotentiallinie 30 in Fig. 2 angezeigt ist, und die
Axialsymmetrie geht verloren, was zu Aberration führt. Dem
gemäß wird dann, wenn der Probentisch 13 geneigt wird, die
Spannung an der Elektrode 10a auf Null oder einen kleineren
Wert eingestellt, wozu die geregelte Spannungsversorgung 11
und das Signal des Probenneigungswinkel-Meßsensors 25 ver
wendet werden, um dadurch zu verhindern, daß Astigmatismus
durch ein axial asymmetrisches elektrisches Feld zwischen
der Objektivlinse und der Probe erzeugt wird.
Ferner wird dann, wenn eine Probe mit Vorsprüngen und Ver
tiefungen vorliegt, die Spannung an der Elektrode 10a mit
tels des Handschalters 12 auf Null oder einen kleineren Wert
eingestellt, unabhängig vom Signal vom Probenneigungswinkel-
Meßsensor 25, um dadurch zu verhindern, daß ein axial asym
metrisches elektrisches Feld zwischen der Objektivlinse und der Probe er
zeugt wird.
Die an die Elektroden 10a und 10b angelegte Spannung kann
durch die steuernde CPU (nicht dargestellt) abgelesen wer
den. Gekoppelt mit dieser angelegten Spannung werden die
Linsensteuerungs-Spannungsversorgung 16, die Ablenksteuerschaltung
15, der Erregerstrom der Objektiv
linse 16 und das Abrastersignal für die Ablenkspule 8
gesteuert. Der Erregerstrom der Objektivlinse 6
und das Abrastersignal der Ablenkspule 8 werden ebenfalls
entsprechend der Steuerformel eingestellt, die vorab mittels
Versuch oder Simulation oder mittels der aus
der genannten Tabelle ausgelesenen Daten erhalten wird, so daß augen
scheinlich fokussier- und vergrößerungsbedingte
Änderungen der an die Elektrode angelegten Spannung
verschwinden.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden selbst
dann, wenn die an die Elektrode 10a an der Unterseite ange
legte Spannung auf Null oder einen kleineren Wert verringert
wird, die von der Probe 7 erzeugten Sekundärelektronen 9
durch die an die Elektrode 10b angelegte Spannung Vb be
schleunigt, und sie laufen dadurch zum Sekundärelektronen-
Detektor 20, da diese Spannung Vb mit vorgegebenem Wert an
die Elektrode 10b an der oberen Seite angelegt ist. Dies er
möglicht es, die Aberration der Objektivlinse 6 zu allen
Zeitpunkten zu minimieren, während ein hoher Wirkungsgrad
der Sekundärelektronenerfassung durch den Sekundärelektro
nen-Detektor 20 gewährleistet ist.
Die an die Elektrode 10b an der Oberseite angelegte Spannung
Vb ist im obigen Fall als konstant angenommen. Es ist auch
möglich, diese Spannung Vb gekoppelt mit der Spannung Va
einzustellen, die weiterhin an die Elektrode 10a an der
Unterseite angelegt wird. In diesem Fall ist es wirkungs
voll, die Beziehung zur Spannung Vb vorab durch Versuche
oder Simulation zu ermitteln, um dafür zu sorgen, daß der
Wirkungsgrad der Sekundärelektronenerfassung für keine der
jeweiligen Elektrodenspannungen Va beeinträchtigt wird und
um die Spannungen Vb und Va auf Grundlage dieser Beziehung
zu koppeln.
Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird das Magnet
feld zwischen der Probe und der Objektivlinse abhängig vom
Probentisch-Neigungswinkel und den Bedingungen der Proben
oberfläche optimal eingestellt sowie die Objektivlinsenaber
ration bei allen Betrachtungsbedingungen minimiert,
wodurch eine Probenbetrachtung mit hoher Auflösung gewähr
leistet ist.
Claims (13)
1. Rasterelektronenmikroskop, aufweisend:
eine Kondensorlinse (5) zum Einstrahlen eines Primär elektronenstrahls (4) mit verringertem Durchmesser auf eine Probe (7),
eine Elektronenstrahl-Ablenkeinrichtung (8) zum zweidi mensionalen Abtasten der Probe mit dem Primärelektronen strahl,
eine Objektivlinse (6),
eine axialsymmetrische Elektrode (10, 10a), die inner halb der Objektivlinse so auf dem Elektronenstrahlpfad ange ordnet ist, daß der Primärelektronenstrahl durch sie hin durchlaufen kann, und
ein schrägstellbarer Probentisch (13),
dadurch gekennzeichnet,
daß der Probentisch mit einer Neigungsmeßeinrichtung (25) versehen ist, und
daß mit der Neigungsmeßeinrichtung (25) und der Elektrode (10, 10a) eine Steuereinrichtung (11) verbunden ist, die die an die Elektrode angelegte Spannung mit zunehmender Schräg stellung des Probentischs verringert.
eine Kondensorlinse (5) zum Einstrahlen eines Primär elektronenstrahls (4) mit verringertem Durchmesser auf eine Probe (7),
eine Elektronenstrahl-Ablenkeinrichtung (8) zum zweidi mensionalen Abtasten der Probe mit dem Primärelektronen strahl,
eine Objektivlinse (6),
eine axialsymmetrische Elektrode (10, 10a), die inner halb der Objektivlinse so auf dem Elektronenstrahlpfad ange ordnet ist, daß der Primärelektronenstrahl durch sie hin durchlaufen kann, und
ein schrägstellbarer Probentisch (13),
dadurch gekennzeichnet,
daß der Probentisch mit einer Neigungsmeßeinrichtung (25) versehen ist, und
daß mit der Neigungsmeßeinrichtung (25) und der Elektrode (10, 10a) eine Steuereinrichtung (11) verbunden ist, die die an die Elektrode angelegte Spannung mit zunehmender Schräg stellung des Probentischs verringert.
2. Mikroskop, nach Anspruch 1, wobei die Steuereinrichtung
(11) die an die Elektrode (10, 10a) angelegte Spannung auf 0
oder einen vorgegebenen, kleineren Wert als dann, wenn der
Winkel der Probentischneigung 0 ist, umschaltet, wenn der
Winkel der Probentischneigung einen vorgegebenen Wert über
schreitet.
3. Mikroskop nach Anspruch 1, wobei die Steuereinrichtung
(11) eine kontinuierliche Änderung der an die Elektrode (10,
10a) angelegten Spannung abhängig vom Winkel der Probentisch
neigung vornimmt.
4. Mikroskop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
einer Einrichtung (16) zum Steuern des Erregerstroms der Ob
jektivlinse (6) gekoppelt mit der an die Elektrode (10, 10a)
angelegten Spannung unter Kompensation einer Änderung der
Auftreffposition des Elektronenstrahls auf der Probe (7)
durch Änderung der Elektrodenspannung.
5. Mikroskop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
einer Einrichtung (16) zum Steuern der Rasterbreite des Pri
märelektronenstrahls (4) unter Kompensation einer Änderung
der Rasterbreite bei Änderung der an die Elektrode (10, 10a)
angelegten Spannung.
6. Mikroskop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, auf
weisend:
eine weitere axialsymmetrische Elektrode (10b), die in nerhalb der Objektivlinse auf dem Elektronenstrahlpfad weiter von der Probe (7) entfernt als die zuvor genannte Elektrode (10a) angeordnet ist, und
eine Einrichtung (11) zum Anlegen einer vorgegebenen po sitiven Spannung an die genannte weitere Elektrode (10b).
eine weitere axialsymmetrische Elektrode (10b), die in nerhalb der Objektivlinse auf dem Elektronenstrahlpfad weiter von der Probe (7) entfernt als die zuvor genannte Elektrode (10a) angeordnet ist, und
eine Einrichtung (11) zum Anlegen einer vorgegebenen po sitiven Spannung an die genannte weitere Elektrode (10b).
7. Mikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 5, aufweisend:
eine weitere axialsymmetrische Elektrode (10b), die in nerhalb der Objektivlinse auf dem Elektronenstrahlpfad weiter von der Probe (7) entfernt als die zuvor genannte Elektrode (10a) angeordnet ist, und
eine zweite Steuereinrichtung zum Verringern der an die genannte weitere Elektrode (10b) angelegten Spannung bei ver größerter Probentischneigung, gekoppelt mit der Spannung an der näher an der Probe liegenden Elektrode (10a).
eine weitere axialsymmetrische Elektrode (10b), die in nerhalb der Objektivlinse auf dem Elektronenstrahlpfad weiter von der Probe (7) entfernt als die zuvor genannte Elektrode (10a) angeordnet ist, und
eine zweite Steuereinrichtung zum Verringern der an die genannte weitere Elektrode (10b) angelegten Spannung bei ver größerter Probentischneigung, gekoppelt mit der Spannung an der näher an der Probe liegenden Elektrode (10a).
8. Mikroskop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
die Objektivlinse (6) eine magnetische Linse mit einem inne
ren Polstück (6a) ist, näher als ein äußeres Polstück (6b)
zur Probe hin vorsteht.
9. Mikroskop nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
über der Objektivlinse (6) ein Sekundärelektronendetektor
(20) angeordnet ist.
10. Verfahren zur Betrachtung einer Probe mit einem Raster
elektronenmikroskop, mit folgenden Schritten:
Abtasten einer auf einem schrägstellbaren Probentisch (13) angebrachten Probe (7) mittels eines Primärelektronen strahls (4), der durch eine innerhalb einer Objektivlinse (6) angeordnete axialsymmetrische Elektrode (10, 10a) verläuft, und
Erfassen der von der Probe emittierten Sekundärelektro nen (9) mittels eines über der Objektivlinse angebrachten Se kundärelektronendetektors (20), um ein Probenbild zu erzeu gen,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Rasterelektronenmikro skop verwendet wird, bei dem die an die Elektrode (10, 10a) angelegte Spannung gekoppelt mit dem Winkel der Proben tischneigung eingestellt wird, wobei die genannte Spannung dann, wenn der Winkel 0 ist, positiv ist und bei zunehmendem Winkel verringert wird.
Abtasten einer auf einem schrägstellbaren Probentisch (13) angebrachten Probe (7) mittels eines Primärelektronen strahls (4), der durch eine innerhalb einer Objektivlinse (6) angeordnete axialsymmetrische Elektrode (10, 10a) verläuft, und
Erfassen der von der Probe emittierten Sekundärelektro nen (9) mittels eines über der Objektivlinse angebrachten Se kundärelektronendetektors (20), um ein Probenbild zu erzeu gen,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Rasterelektronenmikro skop verwendet wird, bei dem die an die Elektrode (10, 10a) angelegte Spannung gekoppelt mit dem Winkel der Proben tischneigung eingestellt wird, wobei die genannte Spannung dann, wenn der Winkel 0 ist, positiv ist und bei zunehmendem Winkel verringert wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die an die Elektrode
(10, 10a) angelegte Spannung auf 0 oder einen kleineren Wert
als dann, wenn der Winkel der Probentischneigung 0 ist, umge
schaltet wird, wenn der Winkel der Probentischneigung einen
vorgegebenen Wert überschreitet.
12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei eine kontinuierliche
Änderung der an die Elektrode (10, 10a) angelegten Spannung
abhängig vom Winkel der Probentischneigung erfolgt.
13. Verfahren zur Betrachtung einer Probe mit einem Raster
elektronenmikroskop, mit folgenden Schritten:
Abtasten einer auf einem schrägstellbaren Probentisch (13) angebrachten Probe (7) mittels eines Primärelektronen strahls (4), der durch eine innerhalb einer Objektivlinse (6) angeordnete axialsymmetrische Elektrode (10, 10a) verläuft, und
Erfassen der von der Probe emittierten Sekundärelektro nen (9) mittels eines über der Objektivlinse angebrachten Se kundärelektronendetektors (20), um ein Probenbild zu erzeu gen,
dadurch gekennzeichnet, daß an die Elektrode (10, 10a) bei flacher Oberfläche der Probe (7) eine positive Spannung und dann, wenn die Oberfläche der Probe Vorsprünge und Ver tiefungen aufweist, eine demgegenüber kleinere Spannung oder die Spannung 0 angelegt wird.
Abtasten einer auf einem schrägstellbaren Probentisch (13) angebrachten Probe (7) mittels eines Primärelektronen strahls (4), der durch eine innerhalb einer Objektivlinse (6) angeordnete axialsymmetrische Elektrode (10, 10a) verläuft, und
Erfassen der von der Probe emittierten Sekundärelektro nen (9) mittels eines über der Objektivlinse angebrachten Se kundärelektronendetektors (20), um ein Probenbild zu erzeu gen,
dadurch gekennzeichnet, daß an die Elektrode (10, 10a) bei flacher Oberfläche der Probe (7) eine positive Spannung und dann, wenn die Oberfläche der Probe Vorsprünge und Ver tiefungen aufweist, eine demgegenüber kleinere Spannung oder die Spannung 0 angelegt wird.
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---|---|---|---|---|
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US6037589A (en) * | 1997-01-16 | 2000-03-14 | Seiko Instruments Inc. | Electron beam device |
JP3514070B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2004-03-31 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
WO1999046797A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-09-16 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
DE19845329C2 (de) * | 1998-03-10 | 2001-09-27 | Erik Essers | Rasterelektronenmikroskop |
US6509564B1 (en) * | 1998-04-20 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method |
US6727911B1 (en) * | 1999-04-28 | 2004-04-27 | Jeol Ltd. | Method and apparatus for observing specimen image on scanning charged-particle beam instrument |
AU2001238148A1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-08-20 | Fei Company | Through-the-lens collection of secondary particles for a focused ion beam system |
KR100416791B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 검사용 현미경장치 및 그 검사방법 |
US7385197B2 (en) * | 2004-07-08 | 2008-06-10 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and a device manufacturing method using the same apparatus |
JP4519567B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
JP2006228442A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡における像観察方法及び装置 |
JP4636897B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-02-23 | 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ | 走査電子顕微鏡 |
JP2007012516A (ja) | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置及び荷電粒子ビームを用いた試料情報検出方法 |
US8026491B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-09-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and method for charged particle beam adjustment |
JP4997013B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-08-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子分光器を備えた電子顕微鏡 |
JP5530811B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2014-06-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡装置 |
EP2811506B1 (de) * | 2013-06-05 | 2016-04-06 | Fei Company | Verfahren zur Abbildung einer Probe in einer Vorrichtung mit zwei geladenen Teilchenstrahlen |
KR101522701B1 (ko) * | 2014-06-20 | 2015-05-26 | 선문대학교 산학협력단 | 비접촉식 광학렌즈 2차원 위치 탐지 시스템 |
JP7051655B2 (ja) | 2018-09-27 | 2022-04-11 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4713543A (en) * | 1984-08-13 | 1987-12-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Scanning particle microscope |
DE3703028A1 (de) * | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
DE2922325C2 (de) * | 1979-06-01 | 1990-09-06 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
DE4236273A1 (en) * | 1992-10-27 | 1993-07-01 | Siemens Ag | Lens for focussing electrons for specimen inspection - has field generated by coils and cone-shaped electrode set into entry section |
EP0592899A1 (de) * | 1992-10-15 | 1994-04-20 | Hitachi, Ltd. | Raster-Elektronenmikroskop |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4713548A (en) * | 1985-11-12 | 1987-12-15 | Lehigh University | Electron attachment apparatus and method |
JP2760786B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1998-06-04 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡およびその試料台移動方法 |
JP2737220B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1998-04-08 | 株式会社島津製作所 | 走査型反射回折電子顕微鏡 |
JPH03194839A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡における焦点調整方法及び非点収差補正方法 |
JP2919170B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JPH05299048A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 電子線装置および走査電子顕微鏡 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32706894A patent/JP3323021B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1995
- 1995-12-27 KR KR1019950058264A patent/KR100384727B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-12-28 US US08/579,756 patent/US5670782A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-28 DE DE19549022A patent/DE19549022C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2922325C2 (de) * | 1979-06-01 | 1990-09-06 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg, De | |
US4713543A (en) * | 1984-08-13 | 1987-12-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Scanning particle microscope |
DE3703028A1 (de) * | 1987-02-02 | 1988-09-01 | Siemens Ag | Rastermikroskop |
EP0592899A1 (de) * | 1992-10-15 | 1994-04-20 | Hitachi, Ltd. | Raster-Elektronenmikroskop |
DE4236273A1 (en) * | 1992-10-27 | 1993-07-01 | Siemens Ag | Lens for focussing electrons for specimen inspection - has field generated by coils and cone-shaped electrode set into entry section |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5670782A (en) | 1997-09-23 |
KR100384727B1 (ko) | 2003-08-14 |
JP3323021B2 (ja) | 2002-09-09 |
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DE19549022A1 (de) | 1996-07-11 |
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