DE3703028A1

DE3703028A1 - Rastermikroskop

Info

Publication number: DE3703028A1
Application number: DE19873703028
Authority: DE
Inventors: Harald Prof Dr Rose; Joachim Dipl Phys Zach
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH
Priority date: 1987-02-02
Filing date: 1987-02-02
Publication date: 1988-09-01

Description

Die Erfindung betrifft ein Rastermikroskop nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.

Die elektrischen Eigenschaften moderner integrierter mikro- und optoelektronischer Bauelemente wird wesentlich von den geome trischen Abmessungen ihrer Teilsysteme beeinflußt. Die Ein haltung enger Maßtoleranzen ist deshalb insbesondere dann eine unverzichtbare Voraussetzung für die Herstellung funktions fähiger Bauelemente mit gleichbleibenden physikalisch-elektri schen Eigenschaften, wenn sich die geometrischen Abmessungen der mit Hilfe moderner Lithografieverfahren erzeugten Strukturen im Mikrometer- und Submikrometerbereich bewegen.

In allen Bereichen der Entwicklung und Fertigung integrierter mikro- und optoelektronischer Bauelemente besteht deshalb ein steigender Bedarf an hochauflösenden abbildenden Systemen, die eine prozeßnahe Inspektion der erzeugten Strukturen und deren exakte Vermessung ermöglichen. Als für diese Zwecke besonders geeignet haben sich Rasterelektronenmikroskope herausgestellt, mit denen man Mikro- und Submikrometerstrukturen visuell beur teilen, Fehler und Abweichungen von Sollmustern feststellen und topographische Daten wie Längen, Breiten, Höhen oder Neigungs winkel erfassen und auswerten kann. Bei allen Untersuchungen der Bauelemente im Rasterelektronenmikroskop ist hierbei sicher zustellen, daß Veränderungen des Substrats, wie sie beispiels weise durch Kontaminationen oder Strahlenschäden auftreten können, vermieden werden.

Konventionelle Rasterelektronenmikroskope erreichen eine Auf lösung von wenigen Nanometern nur bei hohen Beschleunigungs spannungen oberhalb etwa 20 kV, wo Resiststrukturen und Schal tungen durch die hochenergetischen Elektronen geschädigt und nicht- oder schlechtleitende Oberflächenbereiche der unter suchten Proben aufgeladen werden. Die in der Rasterelektronen mikroskopie übliche Metallisierung der Probe zur Unterdrückung der die Auflösung und die Abbildungsgüte beeinträchtigenden Aufladungen ist für die Untersuchung mikro- und optoelektro nischer Bauelemente nicht geeignet, da deren Funktion durch eine aufgebrachte Metallschicht gestört oder in unzulässiger Weise verändert würde.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Rastermikroskop, insbesondere ein Rasterelektronenmikroskop der eingangs genann ten Art anzugeben, mit dem hochauflösende Untersuchungen bei niedrigen Strahlenergien durchführbar sind. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Rastermikroskop nach Patentanspruch 1 gelöst.

Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß Teilchensonden mit kleinem Querschnitt auch bei niedrigen Primärenergien erzeugt werden können. Außerdem sind hochauflösende und nahezu aufladungsfreie Untersuchungen nicht- oder schlechtleitender Proben gewährleistet.

Die Ansprüche 2 bis 15 sind auf bevorzugte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gerichtet, die nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert wird.

Hierbei zeigt

Fig. 1 den schematischen Aufbau eines erfindungsgemäßen Raster elektronenmikroskopes,

Fig. 2 ein Achtpolelement des Linsensystems zur Korrektur der sphärischen und chromatischen Aberrationen der Objektivlinse des Rasterelektronenmikroskops nach Fig. 1,

Fig. 3a und 3b die Objektivlinse des Rasterelektronenmik roskops mit integriertem Ablenkelement.

Das in Fig. 1 schematisch dargestellte Rasterelektronen mikroskop besteht im wesentlichen aus einem Elektronenstrahl erzeuger, vorzugsweise einer Feldemissionsquelle Q, einer Kon densorlinse KL zur Fokussierung der von der Kathode K emittierten und in Richtung der Anode A beschleunigten Primärelektronen PE in ein auf der Strahlachse OA liegendes Zwischenbild ZP der Elektronenquelle, einem Linsensystem (Korrektor) mit mindestens vier Acht- oder Zwölfpolelementen KE₁ bis KE₄ zur Korrektur der sphärischen und chromatischen Aberrationen der abbildenden Linse, einem im Strahlengang unmittelbar hinter dem Korrektor KO angeordneten zweistufigen Ablenkelement AE mit jeweils zwei über nicht dargestellte Signalgeneratoren angesteuerten zylin der- oder plattenförmigen Strukturen AE₁ und AE₂ und einer elektrostatischen Objektivlinse OL zur verkleinerten Abbildung des Zwischenbildes ZP der Quelle auf die unmittelbar unter halb der Objektivlinse OL auf einer Halterung angeordneten Probe PR. Als Objektivlinse OL ist eine Immersionslinse mit Mittelelektrode KS₁ vorgesehen, deren auf dem Anodenpotential U _s liegende quellenseitige Elektrode eine ringförmige Blende RB mit einem konzentrisch zur Strahlachse OA angeordneten und sich in Richtung der Probe PR erstreckenden Hohlzylinder HZ auf weist. Erfindungsgemäß sind die als Steuerelektrode wirkende, mit einem variablen positiven Potential U _m (U _m<U _s ) beauf schlagte Mittelelektrode KS₁ und die auf dem Potential der Probe PR liegende probenseitige Elektrode KS₂ der Immersions linse OL kegelstumpfförmig ausgebildet und konzentrisch zur Strahlachse OA angeordnet. Um die Probe PR auch in geneigtem Zustand untersuchen und abbilden zu können, schließen die Seitenflächen der sich in Richtung der Probe PR verjüngenden Elektroden KS₁ bzw. KS₂ vorzugsweise einen Winkel α zwischen etwa 30 und 70 Grad mit der Strahlachse OA ein.

Der Detektor DT zum Nachweis der auf der Probe PR von den Primärelektronen PE ausgelösten Sekundärelektronen SE ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel innerhalb der Immersionslinse OL im Raumbereich zwischen der quellenseitigen und der mittleren Elektrode RB/HZ bzw. KS₁ konzentrisch zur Strahlachse OA angeordnet. Er besteht vorzugsweise aus einem ringförmigen elektronensensitiven Teil, der in der Zentralbohrung des Hohl zylinders HZ der quellenseitigen Elektrode der Immersionslinse OL isoliert gehaltert ist. Zur Erzielung verschiedener Kon traste ist es zweckmäßig, den Detektor in mehrere Segmente zu unterteilen und die in den einzelnen Segmenten erzeugten Signale in der gewünschten Weise zu kombinieren (z. B. Differenz bildung der in zwei Halbringdetektoren erzeugten Signale oder Unterdrückung eines der Signale). Da der Hohlzylinder HZ auf einem etwas niedrigeren positiven Potential U _s als die Mittel elektrode KE₁ der Immersionslinse OL liegt (U _m<U _s ), werden insbesondere die unter kleinen Winkeln zur Strahlachse OA laufenden Sekundärelektronen SE in Richtung des Detektors DT abgelenkt und nachgewiesen. Der Hohlzylinder HZ dient außerdem der Abschirmung des primären Elektronenstrahls von der am Detektor DT anliegenden Hochspannung von beispielsweise +10 kV zur Nachbeschleunigung der Sekundärelektronen SE. Als Detek toren DT kommen insbesondere die beispielsweise aus der Ver öffentlichung von W. K. Hofkar, Philips Technische Rundschau Nr. 12, 1966, Seite 323 bis 337 bekannten Halbleiterdetektoren in Betracht, deren teilchensensitive Bereiche gegebenenfalls segmentiert aufgebaut und als Metall-Halbleiter- oder p-n- Übergang ausgebildet sind. Selbstverständlich kann man auch Szintillator-Lichtleiterkombinationen oder Channel-Plates als Sekundärelektronendetektoren verwenden. Ringförmige Detektoren besitzen gegenüber anderen Detektorkonfigurationen allerdings den Vorteil, daß man nahezu alle der im rotationssymmetrischen elektrischen Feld der Immersionslinse OL von der Probe PR abgesaugten Sekundärelektronen SE erfassen und nachweisen kann.

Das als Korrektor bezeichnete und aus mindestens 4 Acht- oder Zwölfpolelementen KE₁ bis KE₄ bestehende Linsensystem KO ist aus den Veröffentlichungen von H. Rose "Elektronenoptische Aplanate", Optik 34, Heft 3, 1971 Seite 285 bis 311 (siehe ins besondere Seite 308 Fig. 9) und H. Koops "Aberration Correction in Electron Microscopy" 9th International Congress on Electron Microscopy, Toronto 1978, Vol 3, Seite 185 bis 196 (siehe ins besondere Seite 191, Fig. 4) bekannt. Dieses im Strahlengang un mittelbar oberhalb des zweistufigen Ablenkelementes AE angeord nete Linsensystem KO dient der Korrektur der Öffnungs- und Farb fehler der Immersionslinse OL. Eines der Achtpolelemente KE _i (i=1. . . 4) des Korrektors KO ist schematisch in Fig. 2 darge stellt. Es besteht aus acht auf dem Anodenpotential U _s lie genden inneren Polschuhen PI, die durch einen zylinderförmigen Isolator IS von den auf Erdpotential liegenden und mit jeweils einer Erregerspule SP umgebenen äußeren Polschuhen PA getrennt sind. Mit jedem dieser Elemente KE _i werden magnetische Quadru pol- und Oktupolfelder zur Korrektur der Öffnungsfehler der Objektivlinse OL erzeugt. Zur Korrektur ihres Farbfehlers wer den elektrische Quadrupolfelder verwendet, die man mit Hilfe eines an den Innenelektroden PI anliegenden Zusatzpotentials in den mittleren Elementen KE₂ und KE₃ des Korrektors KO aufbaut.

Auf das quellenseitige Ablenkelement AE₁ kann verzichtet werden, wenn man innerhalb des probenseitigen Korrektorele mentes KE₄ zusätzlich noch elektrische Dipolfelder zur Vorab lenkung des Primärelektronenstrahles PE erzeugt.

Vier Acht- oder Zwölfpolelemente KE₁ bis KE₄ reichen zur Korrek tur der Öffnungs- und Farbfehler der Immersionslinse OL aus. Die Verwendung von fünf Elementen bietet allerdings zusätzlich die Möglichkeit, auch außeraxiale Fehler der Objektivlinse zu korrigieren. Diese Abbildungsfehler sind in einem erfindungsge mäßen Rasterelektronenmikroskop mit einem zweistufigen Ablenk element AE allerdings vernachlässigbar klein, so daß man auf ein fünftes Korrektorelement i. A. verzichten kann. Da die Öffnungsfehler dritter Ordnung mit den Achtpolelementen KE₁ bis KE₄ korrigierbar sind, begrenzen die mit dem Abstand zwischen dem Korrektor KO und der Objektivlinse OL anwachsenden Öffnungs fehler fünfter Ordnung die Auflösung. Deren Einfluß kann man durch Verwendung zwölfpoliger Elemente im Korrektor KO erheb lich reduzieren, ohne die Korrekturen niedrigerer Ordnung zu beeinträchtigen.

Zur weiteren Reduktion des mit dem Abstand zwischen dem Korrektor KO und der Immersionslinse OL anwachsenden Öffnungs fehler fünfter Ordnung wird das zweistufige Ablenkelement AE, wie in den Fig. 3a und 3b schematisch dargestellt, erfindungs gemäß in die quellenseitige Elektrode der Immersionslinse OL integriert, indem man den Hohlzylinder HZ isoliert von der ringförmigen Blende RB anordnet, ihn in einer Ebene senkrecht zur Strahlachse OA teilt und den oberen und unteren Zylinder teil HZ₁ bzw. HZ₂ jeweils wieder in vier oder acht Sektoren S 1 bis S 4 untergliedert (siehe Fig. 3b). Diese auf dem Anodenpo tential U _s liegenden Segmente S 1 bis S 4 werden zur Positionie rung des Primärelektronenstrahles PE auf der Probe PR bzw. zu dessen zeilenförmiger Ablenkung mit geeigneten Zusatzpoten tialen U ^x _a bzw. U ^y _a (Ablenkung in x- bzw. y-Richtung) beauf schlagt. Ein weiterer Vorteil der Integration des Ablenkele mentes in die Immersionslinse OL besteht darin, daß größere Ablenkwinkel eingestellt (kleinerer Abstand Ablenkelement- Linsenfeld) und damit größere Oberflächenbereiche der Probe PR abgetastet werden können. Da der Primärelektronenstrahl PE in zweistufigen Ablenkelementen auch bei großen Ablenkwinkeln um den sogenannten komafreien Punkt der Objektivlinse OL gekippt wird, werden die bei einstufigen Ablenkelementen auftretenden außeraxialen Aberrationen (außeraxialer Linsendurchtritt des Strahls) vermieden.

Es ist bekannt, daß sich der Ladungszustand eines von einem Elektronenstrahl abgetasteten Oberflächenbereichs ändert, wenn die den Ladeprozeß bestimmende Größe s (s=Ausbeute emittier ter Elektronen= mittlere Zahl der pro auftreffenden Primär elektron ausgelöste Sekundär- und Rückstreuelektronen) von eins abweicht. Aufladungsfreie Untersuchungen nicht- oder schlecht leitender Proben in einem Rasterelektronenmikroskop sind des halb nur dann möglich, wenn die Energie E _PE der Primärelektronen mit der vom Probenmaterial abhängigen Neutralpunktenergie E _NP übereinstimmt
(E _PE ≈ E _NP ⇒ s(E _PE) ≈ 1).
Da die Neutral punktenergie E _NP mit wenigen Ausnahmen im Energiebereich zwi schen etwa 0,5 und 4 keV liegt, müssen konventionelle Raster elektronenmikroskope mit niedrigen Beschleunigungsspannungen betrieben werden. Unter solchen Betriebsbedingungen wird aller dings der kleinste auf der Probe erreichbare Sondendurchmesser im wesentlichen durch den der Fokussierung entgegenwirkenden Boersch-Effekt und den axialen Farbfehler der abbildenden Linse begrenzt. So wächst infolge der auf dem gesamten Strahlengang zwischen Quelle und Probe wirkenden Coulomb-Abstoßung zwischen den Elektronen deren räumlicher Abstand und damit der Sonden durchmesser (lateraler Boersch-Effekt). Außerdem führt die Wechselwirkung zwischen den Elektronen in Bereichen hoher Stromdichten, also insbesondere im Elektronenstrahlerzeuger Q und den Strahlüberkreuzungspunkten (z. B. ZP in Fig. 1) zu einer Verbreiterung der Energieverteilung der Primärelektronen PE, was indirekt über den Farbfehler der Objektivlinse ebenfalls zu einer Vergrößerung des Sondendurchmessers führt. Für den die Auflösung bestimmten Sondendurchmesser d auf der Probe gilt hierbei die bekannte Beziehung

d = (d₀² + d _F²) ^1/2

wobei d₀ den um die Coulomb-Abstoßung der Elektronen zwischen Strahlerzeuger und Probe (Einfluß des lateralen Boersch- Effektes) erweiterten geometrisch-optischen Sondendurchmesser und d _F den Durchmesser des durch den Farbfehler der abbilden den Linse erzeugten Farbfehlerscheibchens bezeichnet. Die Größe d _F wiederum ist über die Beziehung

d _F = 2 C _F · α · Δ U/U

definiert, wobei C _F die Farbfehlerkonstante der abbildenden Linse, α die Strahlapertur, eU die Primärenergie (U=Be schleunigungsspannung, e=Elementarladung) und e Δ U die Breite der Energieverteilung der Elektronen bezeichnet. Eine weitere Verbesserung der Auflösung des Rasterelektronenmikroskops nach Fig. 1 kann daher insbesondere durch eine Reduk tion des lateralen und energetischen Boersch-Effektes im Strahlerzeuger und in der elektronenoptischen Säule erreicht werden. Da der Einfluß des lateralen Boersch-Effektes mit wachsender kinetischer Energie eU abnimmt (Verkürzung der Lauf zeit der Elektronen zwischen Quelle und Probe), die Breite der Energieverteilung e Δ U der Primärelektronen infolge des ener getischen Boersch-Effektes aber deutlich zunimmt, sollten die Elektronen den ersten Strahlüberkreuzungspunkt (Quellen-cross over) mit niedriger Energie durchlaufen (kleine relative Energiebreite e · Δ U/eU), um sie anschließend auf hohe Energien zu beschleunigen und erst kurz vor dem Erreichen der Probe auf die gewünschte niedrige Endenergie abzubremsen. Um den nach teiligen Einfluß des Boersch-Effektes auf den Sondendurchmesser in einem erfindungsgemäßen Rasterelektronenmikroskop nach Fig. 1 für Elektronenendenergien von 0,2-5 keV zu minimieren, können die Elektroden des Strahlerzeugers K, A und der Objektivlinse OL beispielsweise mit folgenden Potentialen beaufschlagt werden:

Elektronenstrahlerzeuger Q
Kathode K U₀ = -0,2 bis -5 kV Anode A U _s = +10 bis +30 kV

Immersionslinse
quellenseitige ElektrodeU _HZ = U _RB = U _s HZ, RB
Mittelelektrode KS₁U _{KS 1} = 1,1 U _s bis 2,5 U _s probenseitige Elektrode KS₂U _{KS 2} = 0 V

Probe PR U _PR = 0 V

Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele beschränkt. So kann das Rasterelektronenmikroskop mit weiteren, im Strahlen gang oberhalb des Korrektors KO angeordneten Kondensorlinsen und einem Strahlaustastsystem für stroboskopische Potential kontrastaufnahmen ausgestattet sein. Es ist auch keineswegs notwendig die Elektrode KS₂ der Immersionslinse OL und die Probe PR auf das gleiche Potential zu legen. Die Primärelek tronen können selbstverständlich auch erst außerhalb des Strahlerzeugers Q auf hohe kinetische Energien beschleunigt werden. In diesem Fall liegen der Korrektor KO und die quellen seitige Elektrode HZ, RB der Immersionslinse vorzugsweise auf dem Potential der die Primärelektronen beschleunigenden Elektrodenanordnung.

Zum Nachweis der Rückstreuelektronen RE kann das Rasterelektro nenmikroskop noch mit einem zweiten Detektor DR ausgestattet sein, den man, wie in Fig. 1 dargestellt, beispielsweise seit lich oberhalb der Probe PR anordnet. Dieser Detektor kann aber auch anstelle des Sekundärelektronendetektors DT innerhalb der Immersionslinse angeordnet werden.

Anstelle der Feldemissionsquelle Q kann man selbstverständlich auch andere strahlerzeugende Systeme verwenden. Als Primär- und Sekundärteilchen kommen beispielsweise auch Ionen und andere geladene Teilchen in Betracht.

Wird in einem erfindungsgemäßen Rastermikroskop ein einstu figes Ablenkelement zur Positionierung des Primärstrahls ver wendet, so sollte das die Aberrationen der Immersionslinse korrigierende Linsensystem (KO) aus fünf Acht- oder Zwölfpol elementen bestehen (Korrektur der durch den außeraxialen Linsendurchtritt bedingten Aberrationen).

Anstelle der elektrischen Ablenkelemente können selbstverständ lich auch ein- oder zweistufige magnetische Ablenkelemente ver wendet werden.

Claims

1. Rastermikroskop mit einem Strahlerzeuger (Q), einem ersten Linsensystem (KL) zur Bündelung eines primären Teilchenstrahls (PE), einem zweiten Linsensystem (OL) zur Fokussierung des Teilchenstrahls (PE) auf eine Probe (PR), einem Ablenkelement (AE) zur Positionierung des Teilchenstrahls (PE) auf der Probe (PR) und einem Detektorsystem (DT) zum Nachweis der auf der Probe (PR) ausgelösten sekundären oder rückgestreuten Teilchen (SE, RE), dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Linsensystem eine Immersionslinse (OL) mit Mittelelek trode (KE₁) als Objektivlinse aufweist und daß das Detektor system (DT) innerhalb der Immersionslinse (OL) angeordnet ist.

2. Rastermikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die quellenseitige Elektrode (RB, HZ) der Immersionslinse (OL) auf einem ersten positiven Potential (U _s) liegt und daß die Mittelelektrode (KS₁) der Immersions linse (OL) mit einem höheren zweiten positiven Potential (U _m) beaufschlagt ist.

3. Rastermikroskop nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die quellenseitige Elektrode (HZ, RB) der Immersionslinse (OL) auf dem Potential (U _s ) einer teilchenbeschleunigenden Elektrode (A) des Rastermikroskops liegt.

4. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die probenseitige Elektrode (KS₂) der Immersionslinse (OL) und die Probe (PR) auf dem gleichen Potential liegen.

5. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittelelektrode (KS₁) und die probenseitige Elektrode (KS₂) der Immersionslinse je weils kegelstumpfförmig ausgebildet sind.

6. Rastermikroskop nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Mantelfläche der Mittelelektrode (KS₁) und der probenseitigen Elektrode (KS₂) der Immersions linse (OL) jeweils einen Winkel zwischen 30 und 70 Grad mit der Strahlachse (OA) des Rastermikroskops einschließt.

7. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die quellenseitige Elek trode (RB, HZ) der Immersionslinse (OL), einen konzentrisch zur Strahlachse (OA) angeordneten ringförmigen Teil (RB) und einen in dessen Bohrung angeordneten, sich in Richtung der Probe (PR) erstreckenden Hohlzylinder (HZ) aufweist.

8. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Detektorsystem (DT) ringförmig ausgebildet und zwischen der quellenseitigen Elektrode (HZ, RB) und der Mittelelektrode (KS₁) der Immer sionslinse (OL) konzentrisch zur Strahlachse (OA) angeordnet ist.

9. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß dem zweiten Linsensystem (OL) ein im Strahlengang oberhalb der Immersionslinse (OL) angeordnetes, aus mindestens vier Acht- oder Zwölfpolelementen (KE₁ bis KE₄) bestehendes weiteres Linsensystem (KO) zur Korrek tur der Farb- und Öffnungsfehler des zweiten Linsensystems vorgelagert ist.

10. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das weitere Linsensystem (KO) aus fünf Acht- oder Zwölfpolelementen besteht.

11. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Ablenkelement (AE) im Strahlengang zwischen dem weiteren Linsensystem (KO) und dem zweiten Linsensystem (OL) angeordnet ist.

12. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Ablenkelement (AE) in die quellenseitige Elektrode (RB, HZ) der Immersionslinse (OL) integriert ist.

13. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 12, ge kennzeichnet durch ein zweistufiges Ablenkele ment (AE₁, AE₂).

14. Rastermikroskop nach Anspruch 13, dadurch gekenn zeichnet, daß der Hohlzylinder (HZ) der quellenseiti gen Elektrode isoliert angeordnet und in einer Ebene senkrecht zur Strahlachse (OA) unterteilt ist und daß der obere und un tere Teil des Hohlzylinders (HZ₁, HZ₂) jeweils aus vier oder acht Segmenten (S₁ bis S₄) besteht.

15. Rastermikroskop nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Linsensystem mindestens eine magnetische Linse (KL) aufweist.