DE69501533T2 - Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen - Google Patents

Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen

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DE69501533T2
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    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
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    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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    • H01J2237/151Electrostatic means
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    • HELECTRICITY
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein teilchenoptisches Gerät, das eine Teilchenquelle zum Erzeugen eines Bündels elektrisch geladener Teilchen enthält, die sich entlang einer optischen Achse des Geräts fortpflanzen, zum Abtasten eines zu untersuchenden Prüflings mit Hilfe des Teilchenbündels angeordnet ist, und eine Fokussierlinse zum Erzeugen eines Brennpunkts in der Nähe des Bereichs enthält, in dem der Prüfling angeordnet werden muß, wobei das Gerät weiterhin eine Detektoreinrichtung zum Detektieren elektrisch geladener Teilchen aus dem Prüfling enthält, und die Detektoreinrichtung einen elektrischen Dipol enthält, dessen elektrisches Feld die optische Achse schneidet und sich quer dazu erstreckt, und damit ein Feldintegral des elektrischen Feldes auf der optischen Achse definiert.
  • Ein Gerät dieser Art ist aus einem Artikel in der Zeitschrift "SCANNING", Vol 8, S. 285...293, von 3. Zach und H. Rose, mit dem Titel "Efficient Detection of Secondary Electrons in Low-Voltage Electron Microscopy" bekannt.
  • Geräte eingangs erwähnter Art sind als Rasterelektronenmikroskop (REM) bekannt. In einem REM wird ein zu untersuchendes Gebiet mit einem Primärelektronenbündel mit einer Energie in der Größenordnung von 1 bis 100 keV abgetastet, dabei werden Sekundärelektronen wesentlich niedrigerer Energie aus dem Prüfling befreit, beispielsweise einer Energie in der Größenordnung von 5 bis 50 keV. Die Energie und/oder die Energieverteilung dieser Sekundärelektronen liefert Auskunft über die Art und Zusammensetzung des Prüflings Daher ist es nützlich, ein REM mit einer Detektoreinrichtung für Sekundärelektronen vorzusehen. Diese Elektronen werden an der Seite des Prüflings freigemacht, an der das Primärbündel einfällt, etwa entlang der Feldlinien der Fokussierlinse. Wenn ein Detektor in der Nähe der also zurückbewegenden Sekundärelektronen angebracht wird, sammelt ein derartiger Detektor die Sekundärelektronen und gibt ein elektrisches Signal aus, das dem so detektierten Fluß proportional ist und dabei zum Erzeugen des (Sekundärelektronen-)Bildes des Prüflings auf bekannte Weise benutzt wird.
  • Der Detektor soll u.a. die Bedingung erfüllen, daß er keine bedeutsamen Abbildungsfehler (sowohl geometrischen als auch chromatischen) in das Primärbündel einführen darf, damit der Querschnitt dieses Bündels im Bereich der Prüflingoberfläche nicht vergrößert wird, wodurch die Auflösung des REM herabgesetzt werden würde. Außerdem ist Beeinflussung der Richtung des Primärbündels infolge des vorhandenen Detektors unerwünscht.
  • Der genannte Artikel in der Zeitschrift "SCANNING" (insbesondere Seite 286, Abschnitt 2: "The Dipole Detector") ist die Beschreibung eines Detektors, in dem die Sekundärelektronen mittels der Kombination eines homogenen elektrischen Feldes und eines homogenen Magnetfeldes abgelenkt und eingefangen werden, das sich senkrecht dazu erstreckt. Eine derartige Feldkombination hat einige Nachteile. Ein erster Nachteil liegt darin, daß es Umstände gibt, in denen ein Magnetfeld in einem REM unerwünscht ist, beispielsweise wenn dieses Feld sich in der Nähe des Magnetfelds der Fokussierlinse erstreckt. Ein weiterer Nachteil liegt darin, daß ein derartiges System oft einen chromatischen Fehler in das Primärbündel einführt, der nicht übersehen werden kann, wodurch also zusätzlich korrigiert werden muß. Diese Zusatzkorrektur wird in diesem Artikel mit Hilfe eines zusätzlichen Wien-Filters mit einer Polarität verwirklicht, die der des Detektors entgegengesetzt ist. Dieses Filter wird über der Fokusierlinse angeordnet (siehe den letzten Absatz des Abschnitts 2 des genannten Artikels).
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein teilchenoptisches Abtastgerät zu schaffen, in dem die Nachteile der Beeinflussung des Magnetfelds und die Einführung eines zusätzlichen chromatischen Fehlers vermieden werden. Zur Lösung dieser Aufgabe ist das Gerät erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung wenigstens einen weiteren elektrischen Dipol enthält, der in bezug auf den ersten Dipol in der Richtung der optischen Achse verschoben ist und dessen elektrische Feld im Bereich der optischen Achse dem des ersten Dipols entgegengesetzt ist und eine derartige Stärke hat, daß die algebraische Summe der Feldintegrale entlang der optischen Achse aller Dipole der Detektoreinrichtung im wesentlichen gleich Null ist.
  • Auf diese Weise wird ein doppelter elektrischer Dipol erhalten, in dem die Auswirkung des ersten Dipols auf das Primärbündel vom zweiten Dipol ausgeglichen wird, sowohl hinsichtlich der Bündelablenkung als auch hinsichtlich der Einführung von Abbildungsfehlern. Ein sehr hoher Detektionswirkungsgrad für die Sekundärelektronen (bis zu einer Größenordnung von 100%) ist also möglich, da verhältnismäßig hohe Spannungen am elektrischen Dipol möglich sind. Da diese Dipolfelder auf jeder Ebene senkrecht zur Achse des Primärbündels konstant sind, gibt es auch weit vorbei der Achse keine Aberrationen. Außerdem wird nur die Stelle des Primärbündels beeinflußt. Diese Verschiebung beträgt in der Größenordnung von einigen zehn Mikrometer für ein elektrisches Feld in der Ordnung von 1 kvim, eine Feldlänge von 1 cm und eine Beschleunigungsspannung in der Größenordnung von 1 kV. Wenn diese Verschiebung das Fokussierfeld ersetzt, das die Endlinse des Geräts bildet, beeinflußt sie nicht die Stelle des Elektronenbrennpunkts. Sollte dieses Phänomen letzten Endes störend wirken, kann es von der ohnehin erforderlichen Ausrichtung der Linse zufriedenstellend korrigiert werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung drei elektrische Dipole enthält, die in der Richtung der optischen Achse in bezug aufeinander verschoben sind, wobei das elektrische Feld des zentralen Dipols in der gegenüberliegenden Richtung orientiert ist, und das Feldintegral des zentralen Dipols entlang der Achse das Zweifache dessen jedes der anderen Dipole beträgt.
  • Dieses Ausführungsbeispiels kann in Fällen benutzt werden, in denen parallele Verschiebung des Primärelektronenstrahls immer noch unerwünscht ist. Für die Feldverteilung dient diese Konfiguration als einen Stapel von zwei Doppeldipolen mit dem Ausgleichseffekt für die Verschiebung. Außerdem wird die Verschiebung des Primärbündels jetzt für jede Beschleunigungsspannung des Bündels ausgeglichen.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Dipol mit Elektroden versehen ist, die einen Winkel von etwa 120 Grad einschließen, wenn von der optischen Achse aus gesehen. Sowohl der positive als auch der diametral gegenüberliegend befindliche negative Pol dieses Dipols sind als ein 120º Kreissegment in diesem Ausführungsbeispiel aufgebaut. (Die Zwischensegmente werden dabei auf dem Hauptpotential gehalten, insbesondere Erdpotential). Theoretisch läßt sich vorführen, daß diese Konfiguration keine Monopol-, Quadrupol-, Hexapol- und Oktupolbauteile hat. Der erste Mehrpolterm ungleich Null ist der Dekapolterm, dessen elektrisches Potential als fünfte Potenz des Abstands von der Achse absinkt, und das daher nur eine vernachläßigbar geringe Störung des reinen Dipolfelds in der Nähe der optischen Achse verursacht.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß alle Elektroden des Detektors von der Umgebung elektrisch isoliert sind. Dieser Schritt macht das Erhöhen oder Veringern der Spannung aller Elektroden des Detektors um denselben Betrag möglich. Mso kann ein elektrisches Monopolfeld derart erzeugt werden, daß die zu detektierenden Sekundärelektroden den Dipol nicht passieren können und also undetektierbar sind. Damit wird also die Detektionswirkung gefördert.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Elektroden eines der Dipole für elektrisch geladene Teilchen transmissiv ist. Dies kann beispielsweise durch Anfertigung der betreffenden Elektrode mit Hilfe einer Gaze oder einer durchlochten Platte erreicht werden. Die zu detektierenden Elektronen können durch die Öffnungen in dieser Elektrode eingefangen werden.
  • Ein anderes Ausführungsbeispiel nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Dipole der Detektoreinrichtung in diesem Gerät in der Bohrung einer Immersionsimse angebracht sind. Da das elektrische Dipolfeld nahezu unabhängig ist vom Abstand zur Achse, können die Abtastspulen für die Bündelablenkung in einem REM jetzt vor den Detektordipolelektroden angeordnet werden, da weder eine Verschiebung noch eine Kippung des Bündels von dem erfindungsgemäß erzeugten Detektorfeld beeinflußt wird.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend anhand der Zeichnung näher erläutert, in der gleiche Bauteile mit denselben Bezugsziffern bezeichnet werden. Es zeigen
  • Fig. 1 eine schematische Darstellung eines teilchenoptischen Geräts, in dem der erfindungsgemäße Detektor einsetzbar ist,
  • Fig. 2 einen Querschnitt durch eine Immersionslinse für ein REM, in dem eine erste Ausführung des erfindungsgemäßen Detektors angebracht ist,
  • Fig. 3 einen Querschnitt durch eine Immersionslinse für ein REM, in dem eine zweite Ausführung des erfindungsgemäßen Detektors angeordnet ist,
  • Fig. 4a eine schematische Ansicht der Form der Elektroden für einen erfindungsgemäßen Dipoldetektor, und
  • Fig. 4b eine perspektivische Darstellung der Form der Elektroden für einen erfindungsgemäßen Detektor.
  • In Fig. 1 ist ein teilchenoptisches Gerät in Form eines Teils einer Spalte 2 eines Rasterelektronenmikroskops (REM) dargestellt. Üblich dabei ist, daß in diesem Gerät von einer in der Figur nicht dargestellten Elektronenquelle ein Elektronenbündel erzeugt wird, das sich entlang der optischen Achse 4 des Geräts erstreckt. Das Elektronbündel kann eine oder mehrere Elektromagnetlinsen, wie z.B. eine Kondensorlinse 6, durchqueren, bevor es die Linse 8 erreicht. Diese, eine sog. Monopollinse bildet einen Teile einer Magnetschaltung, die auch von einer Wand 10 einer Musterkammer 12 gebildet wird. Die Linse 8 wird zur Erzeugung eines Elektronenbündelbrennflecks zum Abtasten des Prüflings 14 verwendet. Abtasten erfolgt durch Verschieben des Elektronenbündels über den Prüfling sowohl in der x- als auch in der y-Richtung mit Hilfe von Abtastspulen 16 in der Linse 8. Der Prüfling 14 b efindet sich auf einem Mustertafel 18, der einen Träger 20 für die x-Verschiebung und einen Träger 22 für die y-Verschiebung enthält. Ein zu untersuchendes Mustergebiet kann mit diesen zwei Trägern gewahlt werden. Sekundärelektroden, die sich in der Richtung der Linse 8 zurückbewegen, werden aus dem Prüfling befreit. Diese Sekundärelektronen werden in einem (noch zu beschreibenden) Detektor detektiert, der sich in der Bohrung dieser Linse befindet. Eine Steuereinheit 26 ist mit dem Detektor zum Aktivieren des Detektors und zum Umsetzen des Flusses detektierter Elektronen in ein Signal verbunden, das zum Erzeugen eines Bildes des Prüflings verwendet wird, beispielsweise mit Hilfe einer Kathodenstrahlröhre
  • In Fig. 2 ist eine detaillierte Darstellung einer ersten Ausführung des Sekundärelektronendetektors 24 wiedergegeben. Der Detektor enthält zwei Teile (Dipole) 28 und 30, die elektrische Dipolfelder erzeugen, die sich beide senkrecht zur optischen Achse 4 erstrecken, aber einander entgegengesetzt sind. Diese Felder enthalten grundsätzlich nur eine Feldkomponente, die sich senkrecht zur optischen Achse (die senkrechte Komponente) erstreckt, da in diesem Fall es sich um Dipolfelder für Ablenkung in dieser Richtung handelt. Feldkomponenten in der Richtung der optischen Achse werden möglichst vermieden; wenn es sie gibt (hauptsächlich außerhalb der Dipole 28 und 30), so gleicht einer die Auswirkung des anderen auf die durch diese Dipole gehenden Elektronen aus. Für jeden der Dipole 28 und 30 kann das Feldintegral der senkrechten Komponenten auf der optischen Achse 4 berechnet werden. Die Stärke der Dipolfelder wird derart gewählt, daß die algebraische Summe der Feldintegrale (d.h. der senkrechten Komponenten) im wesentlichen gleich Null ist. Hierdurch tritt keine netto Ablenkung des Primärelektronenbündels auf.
  • Aus dem Prüfling werden Sekundärelektronen befreit, die in der Richtung des Detektors 24 spiralig zurückkehren. Die spiraligen Wege erstrecken sich etwa entlang der Magnetfeldlinien zwischen der Immersionslinse 8 und dem Prüfling 14. Diese Sekundärelektronen werden im momentanen Detektor 25 (beispielsweise einem Everhart-Thorley-Detektor, d.h. einem aus einem Szintillator mit einer Photovervielfacherröhre bestehenden Detektor) detektiert, in dem ein Signal erzeugt wird, das ein Maß für die Anzahl der Sekundärelektronen ist. Nach Bedarf kann dabei ebenso Energiewahl getroffen werden. Schließlich wird an den Detektor 25 auch eine Steuereinheit 26 zum Erregen der Dipole und zum Aufzeichnen und/oder Wiedergeben des gemessenen Signals angeschlossen.
  • In Fig. 3 ist eine detaillierte Darstellung einer zweiten Ausführungsform des Sekundärelektronendetektors 24 wiedergegeben. Dieser Detektor enthält vier Teile (Dipole) 36, 38, 40 und 42. Jeder dieser Dipole erzeugt ein elektrisches Feld, das im Prinzip senkrecht auf die optische Achse 4 gerichtet ist, wobei Komponenten in der Richtung dieser Achse einander ausgleichen, wie oben anhand der Beschreibung der Fig. 2 angegeben ist. Die Stärke dieser Felder wird derart gewählt, daß die algebraische Summe der Feldintegrale im wesentlichen gleich Null ist. Auf diese Weise wird nicht nur erreicht, daß die netto Ablenkung des Primärelektronenbündels gleich Null wird, sondern auch daß die netto parallele Verschiebung gleich Null ist. Außerdem wird die Verschiebung des Primärbündels jetzt für jeden Wert der Beschleunigungsspannung des Bündels ausgeglichen. In der beschriebenen Konfiguration können die Dipole 38 und 40 zur Bildung eines einzigen Dipols kombiniert werden, solange die Bedingung der algebraischen Summe der Feldintegrale der Dipole im wesentlichen gleich Null erfüllt wird. Dies ist der Fall, wenn das Feldintegral auf der optischen Achse der kombinierten Dipolbeträge das Zweifache jedes der zwei anderen Dipole beträgt. Detektion und Aufzeichnung des Signals werden genau so anhand der Fig. 2 beschrieben.
  • In Fig. 4a und 4b ist der Aufbau eines einfachen Dipols dargestellt, wie er im Detektor nach Fig. 2 und 3 benutzt wird. Fig. 4a ist ein Grundriß dieses Dipols, und Fig. 4b ist eine perspektivische Darstellung. Der Dipol besteht aus der kombination von zwei 120 Grad Segementen 44 und 46 und zwei 60 Grad Segmenten 50 und 52. Ein Spannungsunterschied, wie symbolisch mit einer Spannungsquelle 48 in der Figur bezeichnet, wird zwischen den zwei 120 Grad Segmenten 44 und 46 angelegt. Die zwei 60 Grad Segmente 50 und 52 werden auf einem festen Potential gehalten, das einen Wert zwischen dem des Segments 44 und dem des Segments 46 hat. Durch diese Wahl der Elektrodenform wird erreicht, daß der erste Mehrpolterm des elektrischen Feldes um die optische Achse ungleich Null der Dekapolterm ist, jedoch als fünfte Potenz des Abstandes von der Achse abnimmt und damit eine nur vernachlässigbar geringe Störung in bezug auf das ideale Dipolfeld nahe bei oder auf der Achse erzeugt.

Claims (6)

1. Teilchenoptisches Gerät, das eine Teilchenquelle zum Erzeugen eines Bündeis (34) elektrisch geladener Teilchen enthält, die sich entlang einer optischen Achse (4) des Geräts fortpflanzen, zum Abtasten eines zu untersuchenden Prüflings (14) mit Hilfe des Teilchenbündels (34) angeordnet ist, und eine Fokussierlinse (6) zum Erzeugen eines Brennpunkts in der Nähe des Bereichs enthält, in dem der Prüfling angeordnet werden muß, wobei das Gerät weiterhin eine Detektoreinrichtung (24, 26) zum Detektieren elektrisch geladener Teilchen (32) aus dem Prüfling enthält, und die Detektoreinrichtung (24, 26) einen elektrischen Dipol (24) enthält, dessen elektrisches Feld die optische Achse schneidet und sich quer dazu erstreckt, und damit ein Feldintegral des elektrischen Feldes auf der optischen Achse definiert, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung (24, 26) wenigstens einen weiteren elektrischen Dipol (36) enthält, der in bezug auf den ersten Dipol in der Richtung der optischen Achse verschoben ist und dessen elektrische Feld im Bereich der optischen Achse dem des ersten Dipols entgegengesetzt ist und eine derartige Stärke hat, daß die algebraische Summe der Feldintegrale enfiang der optischen Achse aller Dipole der Detektoreinrichtung im wesentlichen gleich Null ist.
2. Teilchenoptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektoreinrichtung (24) drei elektrische Dipole (36; 38, 40; 42) enthält, die in der Richtung der optischen Achse in bezug aufeinander verschoben sind, wobei das elektrische Feld des zentralen Dipols (38, 40) in der gegenüberliegenden Richtung orientiert ist, und das Feldintegral des zentralen Dipols entlang der Achse das Zweifache dessen jedes der anderen zwei Dipole (36, 42) beträgt.
3. Teilchenoptisches Gerät nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Dipol mit Elektroden (44, 46) versehen ist, die einen Winkel von etwa 120º von der optischen Achse aus gesehen einschließen.
4. Teilchenoptisches Gerät nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Elektroden des Detektors von der Umgebung elektrisch isoliert sind.
5. Teilchenoptisches Gerät nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Elektroden eines der Dipole für elektrisch geladene Teilchen transmissiv ist.
6. Teilchenoptisches Gerät nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Dipole der Detektoreinrichtung in diesem Gerät in der Bohrung einer Immersionslinse (8) angeordnet sind.
DE69501533T 1994-03-18 1995-03-07 Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen Expired - Lifetime DE69501533T2 (de)

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EP94200713 1994-03-18
PCT/IB1995/000142 WO1995026041A1 (en) 1994-03-18 1995-03-07 Particle-optical instrument comprising a deflection unit for secondary electrons

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DE69501533D1 DE69501533D1 (de) 1998-03-05
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EP (1) EP0699341B1 (de)
JP (1) JPH08510596A (de)
DE (1) DE69501533T2 (de)
WO (1) WO1995026041A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0917177A1 (de) * 1997-11-17 1999-05-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Korpuskularstrahlgerät
JP4084427B2 (ja) * 1997-12-08 2008-04-30 エフ イー アイ カンパニ 改善された2次電子検出のための多極界を用いた環境制御型sem
JP4176159B2 (ja) * 1997-12-08 2008-11-05 エフ イー アイ カンパニ 改善された2次電子検出のための磁界を用いた環境制御型sem
WO2000036630A1 (en) * 1998-12-17 2000-06-22 Philips Electron Optics B.V. Particle-optical apparatus involving detection of auger electrons
DE69939309D1 (de) * 1999-03-31 2008-09-25 Advantest Corp Teilchenstrahlgerät zur schrägen Beobachtung einer Probe
KR20040062609A (ko) 2001-11-02 2004-07-07 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 내장형 검사장치를 구비한 반도체 제조장치 및 그것을위한 방법
JP3953309B2 (ja) 2001-12-04 2007-08-08 株式会社トプコン 走査電子顕微鏡装置
DE10301579A1 (de) * 2003-01-16 2004-07-29 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Elektronenstrahlgerät und Detektoranordnung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR850001390B1 (ko) * 1980-07-31 1985-09-24 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 2차 전자 검출장치
JPS59184440A (ja) * 1983-04-04 1984-10-19 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
DE3532781A1 (de) * 1985-09-13 1987-03-19 Siemens Ag Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet
GB8604181D0 (en) * 1986-02-20 1986-03-26 Texas Instruments Ltd Electron beam apparatus
US5192867A (en) * 1989-01-13 1993-03-09 Hitachi, Ltd. Electron optical measurement apparatus
US5360764A (en) * 1993-02-16 1994-11-01 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of Commerce Method of fabricating laser controlled nanolithography

Also Published As

Publication number Publication date
WO1995026041A1 (en) 1995-09-28
DE69501533D1 (de) 1998-03-05
EP0699341A1 (de) 1996-03-06
EP0699341B1 (de) 1998-01-28
JPH08510596A (ja) 1996-11-05
US5510617A (en) 1996-04-23

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