JPS59184440A - 走査電子顕微鏡 - Google Patents
走査電子顕微鏡Info
- Publication number
- JPS59184440A JPS59184440A JP58057880A JP5788083A JPS59184440A JP S59184440 A JPS59184440 A JP S59184440A JP 58057880 A JP58057880 A JP 58057880A JP 5788083 A JP5788083 A JP 5788083A JP S59184440 A JPS59184440 A JP S59184440A
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- Japan
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- detector
- sample
- electron
- signal
- electron beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は走査電子顕微鏡、特に電界放射（以下ＦＥと略
す）電子銃を有する走査電子顕微鏡に関する。
す）電子銃を有する走査電子顕微鏡に関する。
ＦＥ電子銃は高輝度、長寿命で電子源が小さいことから
、走査電子顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）に使用すると、
その性能（分解能）を大きく向上することができる特長
を有する。しかし、ＦＥ電子銃より放射される電子線は
原理的に不安定であり、５〜２０％程度の変動をもって
いる。このため通常のＦＥ−８ＥＭは、この−天竜子縁
の変動を検出して、試料からの二次出力信号中に宮まれ
る一次′（５）子線の変動分を補正する回路を有してい
る。これは、使用する加速電圧がある固定された値（た
とえば５ｋＶ又１１’ｊ：２０ ｋＶ ）あるいは狭い
範囲（たとえば１０〜３ｏｋＶ）の場合や、−天竜子線
の量が少ない（たとえば５μＡ以下）場合には補正効果
を光分に発揮する。
、走査電子顕微鏡（以下ＳＥＭと略す）に使用すると、
その性能（分解能）を大きく向上することができる特長
を有する。しかし、ＦＥ電子銃より放射される電子線は
原理的に不安定であり、５〜２０％程度の変動をもって
いる。このため通常のＦＥ−８ＥＭは、この−天竜子縁
の変動を検出して、試料からの二次出力信号中に宮まれ
る一次′（５）子線の変動分を補正する回路を有してい
る。これは、使用する加速電圧がある固定された値（た
とえば５ｋＶ又１１’ｊ：２０ ｋＶ ）あるいは狭い
範囲（たとえば１０〜３ｏｋＶ）の場合や、−天竜子線
の量が少ない（たとえば５μＡ以下）場合には補正効果
を光分に発揮する。
ところで、近年、各種材料の観察１分析をする場合には
、加速電圧は０．１〜５０ ｋ’Ｖと５００倍近い変化
範囲を必要としてきておシ、また電子線の量も゛５μ八
以下から５０μ八以上と１０倍以上の大電流を必要とし
てきている。−天竜子線の変動量はＦＥ電流の増大に比
例して増大するため、より変動補正精度の高い処理系が
必要であり、また前記した５００倍の変化範囲のすべて
において充分な変動補正効果が得られることが要求され
る。
、加速電圧は０．１〜５０ ｋ’Ｖと５００倍近い変化
範囲を必要としてきておシ、また電子線の量も゛５μ八
以下から５０μ八以上と１０倍以上の大電流を必要とし
てきている。−天竜子線の変動量はＦＥ電流の増大に比
例して増大するため、より変動補正精度の高い処理系が
必要であり、また前記した５００倍の変化範囲のすべて
において充分な変動補正効果が得られることが要求され
る。
しかし、本発明者の検討結果によれば、通常の補正処ｆ
Ｍ方系はそのような要求に対応できないことが判明した
。これは、言い換えれば、加速電圧やＦＥ電流の変更線
電子源位置の仮想的変更にほかならないことから、通常
の変動処理系は電子源位置を仮想的に大巾に変える場合
は光分な補正効果が得られないことを意味する。
Ｍ方系はそのような要求に対応できないことが判明した
。これは、言い換えれば、加速電圧やＦＥ電流の変更線
電子源位置の仮想的変更にほかならないことから、通常
の変動処理系は電子源位置を仮想的に大巾に変える場合
は光分な補正効果が得られないことを意味する。
したがって、本発明の目的は仮想電子源位置の大巾変更
がなされても充分な電子線変動補正効果が得られる走査
電子顕微鏡を提供することにある。
がなされても充分な電子線変動補正効果が得られる走査
電子顕微鏡を提供することにある。
本発明の詳細な説明に先立って通常のＦＥ−８ＥＭの例
をまず説明する。
をまず説明する。
第１図は通常のＦＥ−５ＥＭの例である。ＦＥ電子銃は
陰極１と第１陽極２と第２陽極３よシ構成され、各々の
電極に高圧電源１８より電圧が印加される構造である。
陰極１と第１陽極２と第２陽極３よシ構成され、各々の
電極に高圧電源１８より電圧が印加される構造である。
陰極１と第１陽極２間には引出し電圧■１を印加し、陰
極１より゛電子を電界放射させる。この放射された電子
は陰極１と第２陽極３間に印加した加速電圧ｖ０により
加速され、−天竜子線４ａ−ｅとなる。加速された電子
線は第１収束レンズ６と第２収束レンズ（対物レンズ）
７により微小グローブ１ｏとして試料９上にフォーカス
される。この時試料９表面より発生した二次電子等の信
号１０’は検出器１２で検出され、増幅器１３．１４を
介して表示器（ＣＲ，Ｔ）４５に導ひかれる。一方、偏
向器７′には表示器１５の偏向器に与えられる偏向信号
と同期した偏向信号が供給される。これによシ試料９は
これを照射する電子線でもって二次元的に走査される。
極１より゛電子を電界放射させる。この放射された電子
は陰極１と第２陽極３間に印加した加速電圧ｖ０により
加速され、−天竜子線４ａ−ｅとなる。加速された電子
線は第１収束レンズ６と第２収束レンズ（対物レンズ）
７により微小グローブ１ｏとして試料９上にフォーカス
される。この時試料９表面より発生した二次電子等の信
号１０’は検出器１２で検出され、増幅器１３．１４を
介して表示器（ＣＲ，Ｔ）４５に導ひかれる。一方、偏
向器７′には表示器１５の偏向器に与えられる偏向信号
と同期した偏向信号が供給される。これによシ試料９は
これを照射する電子線でもって二次元的に走査される。
したがって、表示器１５には試料９の二次電子等による
像が表示される。
像が表示される。
電界放射にもとづく一次電子線４ａ−ｅは、ＦＥｉｌｔ
子銃内の真空度等の条件にょシ異るが、通常５〜２０％
程度の゛電流変動を有している。この変動を検出するた
めに検出器５を設けている。この検出器５は最終的な微
小グローブ１０となる主電子線の近傍を検出するように
中心に穴をもっている。ここで検出された信号は増幅器
１１で増幅され、信号処理増幅器１４に送られ、ここで
試料信号ｌＯ′中に含まれる一次電子線の変動分を補正
（消去）する処理がなされ、その出方信号は試料信号の
みとして表示器１５に送られ、表示される。
子銃内の真空度等の条件にょシ異るが、通常５〜２０％
程度の゛電流変動を有している。この変動を検出するた
めに検出器５を設けている。この検出器５は最終的な微
小グローブ１０となる主電子線の近傍を検出するように
中心に穴をもっている。ここで検出された信号は増幅器
１１で増幅され、信号処理増幅器１４に送られ、ここで
試料信号ｌＯ′中に含まれる一次電子線の変動分を補正
（消去）する処理がなされ、その出方信号は試料信号の
みとして表示器１５に送られ、表示される。
以上説明した通常の装置において、加速電圧Ｖｏが通常
のように５〜３０ｋＶ程度の狭い範囲内で変えられる場
合は別として、各珈材料の研究において必要とされるよ
うに、０．１ｋＶ程度の低加速電圧から４０〜５０ｋＶ
という高加速電圧までの広い範囲内で変えられる場合は
光分な変動補正が行われ得ない。すなわち、加速電圧■
。の可変範囲が広い場合は、ＦＥ電子銃内の第１陽極２
、第２陽極３で構成される静電レンズ作用（Ｖｏ −Ｖ
ｌの電圧が印加されるため、静電レンズ作用をす もつ）によぢ放射電子は加速電圧Ｖｏｆｔ低い方がら高
い方に変えるにしたがって４ａがら４０のように偏向さ
れ、したがって加速電圧条件に応じて検出器５で検出で
きる一次電子線の量は大幅に変化してしまう。たとえば
、より低い加速電圧条件のときの放射電＋Ｊｔ ４ａは
第２陽極３にカットされて、検出器５で検出できる量が
制限され、また高い加速電圧条件のときの放射電子４Ｃ
は細く収束されすぎてほとんど検出器５で検出できない
結果となってしまい、信号処理回路１４の正常動作は期
待できなくなる。
のように５〜３０ｋＶ程度の狭い範囲内で変えられる場
合は別として、各珈材料の研究において必要とされるよ
うに、０．１ｋＶ程度の低加速電圧から４０〜５０ｋＶ
という高加速電圧までの広い範囲内で変えられる場合は
光分な変動補正が行われ得ない。すなわち、加速電圧■
。の可変範囲が広い場合は、ＦＥ電子銃内の第１陽極２
、第２陽極３で構成される静電レンズ作用（Ｖｏ −Ｖ
ｌの電圧が印加されるため、静電レンズ作用をす もつ）によぢ放射電子は加速電圧Ｖｏｆｔ低い方がら高
い方に変えるにしたがって４ａがら４０のように偏向さ
れ、したがって加速電圧条件に応じて検出器５で検出で
きる一次電子線の量は大幅に変化してしまう。たとえば
、より低い加速電圧条件のときの放射電＋Ｊｔ ４ａは
第２陽極３にカットされて、検出器５で検出できる量が
制限され、また高い加速電圧条件のときの放射電子４Ｃ
は細く収束されすぎてほとんど検出器５で検出できない
結果となってしまい、信号処理回路１４の正常動作は期
待できなくなる。
第２図は電子銃内の拡大図と合せて前述した電汗・
子線の偏向状態＋Ｗしたもので、第２アノード３下面か
ら仮想電子源までの距離をＳとする。第１図においては
加速電圧を変えると第１．第２陽極の静電レンズ作用で
電子線の偏向角が変化する如く説明したが、これは、実
際の静電レンズ作用としては、第２図の如く仮想電子源
の位置の変化として把握され得る。すなわち、低加速電
圧時の位装置はＳ・であシ、はぼ陰極１の近傍に電子源
は位置し、高い加速電圧条件ではＳ２となシミ子源位置
は陰極のはるか上方に位置し、点線で示す如くの電子線
状態となる。
ら仮想電子源までの距離をＳとする。第１図においては
加速電圧を変えると第１．第２陽極の静電レンズ作用で
電子線の偏向角が変化する如く説明したが、これは、実
際の静電レンズ作用としては、第２図の如く仮想電子源
の位置の変化として把握され得る。すなわち、低加速電
圧時の位装置はＳ・であシ、はぼ陰極１の近傍に電子源
は位置し、高い加速電圧条件ではＳ２となシミ子源位置
は陰極のはるか上方に位置し、点線で示す如くの電子線
状態となる。
第３図は加速電圧を横軸にとり、仮想電子源までの距離
Ｓ全縦軸にとったカーブである。
Ｓ全縦軸にとったカーブである。
以上説明した如く、大幅な加速電圧の変更力；必要な場
合には、ＦＥ電子銃の静電レンズ作用による一次電子線
の偏向状態を考慮した電流検出手段る必要がある場合も
同様である。
合には、ＦＥ電子銃の静電レンズ作用による一次電子線
の偏向状態を考慮した電流検出手段る必要がある場合も
同様である。
第４図は本発明の一実施例である。この実施例では一次
電子線の変動検出器５の他に、第２収束レンズ７内に検
出器８が設けられている。第１゜第２収束レンズ間に入
れた絞り１６は、第２検出器８の検出角度を制限する絞
りである。両検出器５．８で検出された信号は増幅器１
１ａ、ｌｌｂで否々増幅され、信号選択回路１７ａによ
り選択され、信号処理回路１４に送られる。これによっ
て試料９からの信号中に含まれる一次電子線の変動分の
補正処理が行われ、補正後の信号が表示器１５に送られ
る。
電子線の変動検出器５の他に、第２収束レンズ７内に検
出器８が設けられている。第１゜第２収束レンズ間に入
れた絞り１６は、第２検出器８の検出角度を制限する絞
りである。両検出器５．８で検出された信号は増幅器１
１ａ、ｌｌｂで否々増幅され、信号選択回路１７ａによ
り選択され、信号処理回路１４に送られる。これによっ
て試料９からの信号中に含まれる一次電子線の変動分の
補正処理が行われ、補正後の信号が表示器１５に送られ
る。
図中の一次電子線のうち、災線で示した４ａが低加速電
圧条件であり、この場合は第１の検出器５を用いる。高
い加速電圧条件は点線で示した電子線４Ｃの状態となシ
、この場合は第１の検出器５では検出できず、第２検出
器８で検出する。したがって信号選択回路１７ａは加速
電圧条件により選択する必要がある。実際の装置では、
加速電圧５に■以下では第１の検出器５を用い、１０ｋ
Ｖ以上では第２の検出器８を用いるとよい。また、５ｋ
Ｖ〜１０ｋＶの範囲においては、両検出器のうち、補正
処理効果の良い方を選択するとよい。
圧条件であり、この場合は第１の検出器５を用いる。高
い加速電圧条件は点線で示した電子線４Ｃの状態となシ
、この場合は第１の検出器５では検出できず、第２検出
器８で検出する。したがって信号選択回路１７ａは加速
電圧条件により選択する必要がある。実際の装置では、
加速電圧５に■以下では第１の検出器５を用い、１０ｋ
Ｖ以上では第２の検出器８を用いるとよい。また、５ｋ
Ｖ〜１０ｋＶの範囲においては、両検出器のうち、補正
処理効果の良い方を選択するとよい。
第５図は本発明のもう一つの実施例を示す。これは第４
図の構成をさらに自動化したもので、加速電圧電源１８
からの加速電圧切換信号によシ信号選択回路１７ｂ全自
動的に切換え可能にしている。また、５ｋＶ〜１０ｋＶ
の加速電圧範囲内では補正処理回路１４の出力信号から
補正効果をチェックする比較回路１９を設け、この出力
信号により選択回路１７ 、ｂを駆動させるようにして
いる。
図の構成をさらに自動化したもので、加速電圧電源１８
からの加速電圧切換信号によシ信号選択回路１７ｂ全自
動的に切換え可能にしている。また、５ｋＶ〜１０ｋＶ
の加速電圧範囲内では補正処理回路１４の出力信号から
補正効果をチェックする比較回路１９を設け、この出力
信号により選択回路１７ 、ｂを駆動させるようにして
いる。
以上の構造によれば、大巾な加速電圧範囲において最適
補正処理が可能となる。
補正処理が可能となる。
増幅＠ｌｌａ、ｌｌｂ、１３．１４等は実際には自動的
な増幅ゲイン調整回路を含むものであシ、また加速電圧
電源１８からの選択回路１７ｂへの出力信号には、■ｏ
およびＶ、％圧の値に応じた仮想電子源距離Ｓの信号を
含むことができ、そして前述した信号処理はマイクロプ
ロセッサ−を用いて実現することができる。
な増幅ゲイン調整回路を含むものであシ、また加速電圧
電源１８からの選択回路１７ｂへの出力信号には、■ｏ
およびＶ、％圧の値に応じた仮想電子源距離Ｓの信号を
含むことができ、そして前述した信号処理はマイクロプ
ロセッサ−を用いて実現することができる。
なお、第４図、第５図においては、−矢車子線で試料９
を走査するために必要な第１図に示されているのと同様
の偏向器７′が図示されていないが、これは単に省略さ
れているにすぎない。
を走査するために必要な第１図に示されているのと同様
の偏向器７′が図示されていないが、これは単に省略さ
れているにすぎない。
第６図、第７図は加速電圧Ｖｏが３．０ｋＶにおける実
測結果を示す。
測結果を示す。
第６図の補正前の信号は検出器５、増幅器１１ａの出力
信号を示し、これが−次電子線の変動である。補正後の
信号は補正処理回路１７ａ後の信号でｌ＞ｆ：＞、２５
ｍＶ程度の変動が残シ、十分な補正処理効果が得られて
いない。
信号を示し、これが−次電子線の変動である。補正後の
信号は補正処理回路１７ａ後の信号でｌ＞ｆ：＞、２５
ｍＶ程度の変動が残シ、十分な補正処理効果が得られて
いない。
第夕図は、検出器８で測定した場合で、補正前の信号は
増幅器１１ｂの出力信号を示しく−次電子線の変動）、
補正後の信号は補正処理回路１７ａ後の出力信号であり
、変動分は５ｍＶ内に補正され十分な補正効果ヲ有して
いることがわかる。
増幅器１１ｂの出力信号を示しく−次電子線の変動）、
補正後の信号は補正処理回路１７ａ後の出力信号であり
、変動分は５ｍＶ内に補正され十分な補正効果ヲ有して
いることがわかる。
通常の像表示信号としては、１０ｍＶ以下に補正処理さ
れていれば一次電子線の変動は出力信号としては表示さ
れないことが実験で確認されているため、第７図の補正
後のデータは十分にその効果が得られていることを示す
データであると言い得る。
れていれば一次電子線の変動は出力信号としては表示さ
れないことが実験で確認されているため、第７図の補正
後のデータは十分にその効果が得られていることを示す
データであると言い得る。
分な電子線変動補正効果が得られる。
第１図は通常のＦＥ−８ＥＭの概念図、第２図は第１．
第２陽極の静電レンズ作用による一次電子線の偏向状態
と仮想電子源位置Ｓを示す図、第３図は加速電圧Ｖｏと
仮想電子源位置Ｓとの関係を示す図、第４図は本発明の
一実施例の概念図、第５図は本発明のもう一つの実施例
の概念図、第６図および第７図は測定結果を示す図であ
る。 １・・・陰極、２・・・第１陽極、３・・・第２陽極、
４４・・・放射電子（−天竜子）、５・・・検出器（Ａ
Ｉ ）、６・・・第１収束レンズ、７・・・第２収束レ
ンズ、８・・・検出器（Ａ２ ）、９・・・試料、１１
・・・増幅器、１２・・・検出器（Ｂ）、１３・・・増
幅器、１４・・・処理回路、１５・・・表示器、１６・
・・絞り、１７・・・選択器、１８も Ｉ Ｚ も ？ 図 策 ３ 目 一セ ０（ぐＶ）
第２陽極の静電レンズ作用による一次電子線の偏向状態
と仮想電子源位置Ｓを示す図、第３図は加速電圧Ｖｏと
仮想電子源位置Ｓとの関係を示す図、第４図は本発明の
一実施例の概念図、第５図は本発明のもう一つの実施例
の概念図、第６図および第７図は測定結果を示す図であ
る。 １・・・陰極、２・・・第１陽極、３・・・第２陽極、
４４・・・放射電子（−天竜子）、５・・・検出器（Ａ
Ｉ ）、６・・・第１収束レンズ、７・・・第２収束レ
ンズ、８・・・検出器（Ａ２ ）、９・・・試料、１１
・・・増幅器、１２・・・検出器（Ｂ）、１３・・・増
幅器、１４・・・処理回路、１５・・・表示器、１６・
・・絞り、１７・・・選択器、１８も Ｉ Ｚ も ？ 図 策 ３ 目 一セ ０（ぐＶ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ｉ子線を電界放射させる電界放射電子銃と、前
記電子線を試料に収束する手段と、前記収束された電子
線でもって前記試料を走査し、それによってその試料か
ら得られるその試料特有の情報信検出し、その変動を表
わす第１の電気信号を発生する手段と、前記電界放射電
子銃と前記試料との間であってかつ前記第１の位置とは
異なる第２の位置において前記電子線の変動を検出し、
その変動を表わす第２の電気信号全発生する手段と、前
記第１および第２の電気信号のうちの一方全選択する手
段と、前記第１および第２の電気信号のうちの選択され
た電気信号にもとづいて前記検出された情報信号の、前
記電子線の変動にもとづく変動を補正する手段とを含む
走査電子顕微鏡。 ２、電子源から電子線全電界放射させる電界放射電子銃
と、前記電子源の位置を仮想的に変え−る手段と、前記
電子線を試料に収束する手段と、前記収束された電子線
でもって前記試料全走査し、それによってその試料から
得られるその試料特有の情報信号を検出する手段と、前
記電界放射電子銃 −と前記試料との間の第１の位置に
おいて前記電子線の変動を検出し、その変動を表わす第
１の電気信号を発生する手段と、前記電界放射電子銃と
前記試料との間であってｋつ前記第１の位置とは異なる
第２の位置において前記電子線の変動を検出し、その変
動を表わす第２の電気信号を発生する手段と、前記第１
および第２の電気−信号のうちの一方を前記電子源の位
置を仮想的に変える手段に連動して選択する手段と、前
記第１および第２−の電気信号のうちの選択づれた゛電
気信号にもとづいて前記検出された情報信号の、前記電
子線の変動にもとづく変動を一補正する手段とを合力走
査電子顕微鏡。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58057880A JPS59184440A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 走査電子顕微鏡 |
| US06/595,733 US4588891A (en) | 1983-04-04 | 1984-04-02 | Scanning type electron microscope |
| GB08408516A GB2139455B (en) | 1983-04-04 | 1984-04-03 | Scanning electron microscope (s e m) |
| DE3412715A DE3412715C2 (de) | 1983-04-04 | 1984-04-04 | Feldemissions-Abtastelektronenmikroskop |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58057880A JPS59184440A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59184440A true JPS59184440A (ja) | 1984-10-19 |
| JPH0129302B2 JPH0129302B2 (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=13068297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58057880A Granted JPS59184440A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 走査電子顕微鏡 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4588891A (ja) |
| JP (1) | JPS59184440A (ja) |
| DE (1) | DE3412715C2 (ja) |
| GB (1) | GB2139455B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03152842A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-28 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6298544A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| US5044001A (en) * | 1987-12-07 | 1991-08-27 | Nanod Ynamics, Inc. | Method and apparatus for investigating materials with X-rays |
| JP2551984B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-11-06 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡 |
| JPH0766766B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| DE69501533T2 (de) * | 1994-03-18 | 1998-07-30 | Philips Electronics Nv | Partikel-optisches instrument mit einer ablenkeinheit für sekundärelektronen |
| JP3942108B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2007-07-11 | エフイーアイ カンパニー | 二次電子用検出器を具えた粒子‐光学装置 |
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|---|---|
| GB8408516D0 (en) | 1984-05-16 |
| GB2139455A (en) | 1984-11-07 |
| DE3412715A1 (de) | 1984-10-11 |
| US4588891A (en) | 1986-05-13 |
| JPH0129302B2 (ja) | 1989-06-09 |
| GB2139455B (en) | 1987-02-25 |
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