JP7179839B2 - 荷電粒子のためのマルチセル検出器 - Google Patents
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Description
[001] 本願は、2017年9月29日出願の米国出願第62/566,102号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
バイアス436=0V
バイアス437=可変(図7に示されるようにパッド510によって供給される)
バイアス438=+30V
バイアス636=-30V
バイアス637=0V
コントローラのプロセッサに、荷電粒子ビーム検出、イメージ処理、又は他の機能、及び本開示に一致した方法を実施させるための命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読媒体が提供可能である。非一時的媒体の一般的な形は、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は任意の他の磁気データ記憶媒体、CD-ROM、任意の他の光データ記憶媒体、正孔のパターンを備える任意の物理媒体、RAM、PROM、及びEPROM、FLASH-EPROM又は任意の他のフラッシュメモリ、NVRAM、キャッシュ、レジスタ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、及び、同一物のネットワーク化されたバージョン(クラウドストレージなど)を含む。
1. 検出器であって、
第1の導電型の領域を含む第1の層と、
第2の導電型の複数の領域、及び、第1の導電型の1つ以上の領域を含む、第2の層であって、第2の導電型の複数の領域は、第2の層の第1の導電型の1つ以上の領域によって互いに区分され、第2の導電型の複数の領域は、第2の層内の第1の導電型の1つ以上の領域と物理的に接触しない、第2の層と、
第1と第2の層の間の真性層と、
を備える、検出器。
2. 第1の導電型はn形であり、第2の導電型はp形である、条項1の検出器。
3. 第2の層は、複数のp形領域の各々を第2の層の1つ以上のn形領域から分離するための、1つ以上の真性領域を更に含む、条項2の検出器。
4. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上の真性領域によって囲まれる、条項3の検出器。
5. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上のn形領域によって囲まれる、条項3及び4のいずれか一項の検出器。
6. 真性層はnドープされ、真性層は第1及び第2の層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を提供する、条項2から5のいずれか一項の検出器。
7. 第1の層のn形領域は第1の金属によってコーティングされ、
第2の層の複数のp形領域及び1つ以上のn形領域は、第2の金属によってコーティングされる、
条項2から6のいずれか一項の検出器。
8. 第1の金属の原子番号は第2の金属の原子番号よりも小さい、条項7の検出器。
9. 第1の金属はアルミニウムである、条項7及び8のいずれか一項の検出器。
10. 第2の金属は金である、条項7から9のいずれか一項の検出器。
11. 第2の金属上に堆積され、第2の層内の複数のp形領域と1つ以上のn形領域との間のギャップに重なるように構成された、絶縁層、
を更に備える、条項7から10のいずれか一項の検出器。
12. 複数のp形領域に接続された複数の信号出力線、
を更に備える、条項2から11のいずれか一項の検出器。
13. 装置であって、
試験片の表面上に投影されるべき荷電粒子の複数のビームを発生させるように、及び、試験片に電子信号を発生させるように構成された、荷電粒子源と、
検出器であって、
第1の導電型の領域を含む第1の層、
第2の導電型の複数の領域、及び、第1の導電型の1つ以上の領域を含む、第2の層であって、第2の導電型の複数の領域は、第2の層の第1の導電型の1つ以上の領域によって互いに区分される、第2の層、及び、
第1と第2の層の間の真性層、
を備える、検出器と、
第1の層内の第1の導電型の領域は電子信号を受信し、第2の導電型の複数の領域は受信した電子信号に基づいて電気信号を出力し、
第2の導電型の複数の領域によって出力された電気信号を増幅するように、及び、増幅された電気信号をデータ処理システムに転送するように構成された、増幅器と、
を備える、装置。
14. 第1の導電型はn形であり、第2の導電型はp形である、条項13の装置。
15. 第2の層は、複数のp形領域の各々を第2の層の1つ以上のn形領域から分離するための、1つ以上の真性領域を更に含む、条項14の装置。
16. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上の真性領域によって囲まれる、条項15の装置。
17. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上のn形領域によって囲まれる、条項15及び16のいずれか一項の装置。
18. 真性層はnドープされ、真性層は第1及び第2の層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を提供する、条項14から17のいずれか一項の装置。
19. 第1の層のn形領域は第1の金属によってコーティングされ、
第2の層の複数のp形領域及び1つ以上のn形領域は、第2の金属によってコーティングされる、
条項14から18のいずれか一項の装置。
20. 第1の金属の原子番号は第2の金属の原子番号よりも小さい、条項19の装置。
21. 第1の金属はアルミニウムである、条項19及び20のいずれか一項の装置。
22. 第2の金属は金である、条項19から21のいずれか一項の装置。
23. 第2の金属上に堆積され、第2の層内の複数のp形領域と1つ以上のn形領域との間のギャップに重なるように構成された、絶縁層、
を更に備える、条項19から22のいずれか一項の装置。
24. 複数のp形領域に接続された複数の信号出力線、
を更に備える、条項14から23のいずれか一項の装置。
25. 方法であって、
検出器の第1の層のn形領域及び検出器の第2の層の1つ以上のn形領域に、正電圧を印加することであって、検出器は第1と第2の層の間に真性層を含む、印加すること、
第1の層上の電子信号を受信すること、及び、
受信した電子信号に基づいて、複数のp形領域から電気信号を出力すること、
を含み、
複数のp形領域は、第2の層の1つ以上のn形領域によって互いに区分され、複数のp形領域は、第2の層内の1つ以上のn形領域と物理的に接触しない、
方法。
26. 第2の層は、複数のp形領域の各々を第2の層の1つ以上のn形領域から分離するための、1つ以上の真性領域を更に含む、条項25の方法。
27. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上の真性領域によって囲まれる、条項26の方法。
28. 複数のp形領域の各々は、第2の層内の1つ以上のn形領域によって囲まれる、条項25から27のいずれか一項の方法。
29. 真性層はnドープされ、真性層は第1及び第2の層のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を提供する、条項25から28のいずれか一項の方法。
30. 第1の層のn形領域は第1の金属によってコーティングされ、
第2の層の複数のp形領域及び1つ以上のn形領域は、第2の金属によってコーティングされる、
条項25から29のいずれか一項の方法。
31. 第1の金属の原子番号は第2の金属の原子番号よりも小さい、条項30の方法。
32. 第1の金属はアルミニウムである、条項30及び31のいずれか一項の方法。
33. 第2の金属は金である、条項30から32のいずれか一項の方法。
1. 基板であって、
第1の導電型の第1の領域を含む第1の層と、
第2の導電型の複数の第2の領域、及び、第1の導電型の1つ以上の第3の領域を含む、第2の層であって、複数の第2の領域は、1つ以上の第3の領域によって互いに区分され、複数の第2の領域は1つ以上の第3の領域から間隔を置いて配置される、第2の層と、
第1の層と第2の層の間の真性層と、
を備える、基板。
2. 第1の導電型はp形半導体であり、第2の導電型はn形半導体である、条項1の基板。
3. 第2の層は、複数の第2の領域の各々を第2の層の1つ以上の第3の領域から分離する、真性領域を更に含む、条項1又は2のうちの一項の基板。
4. 複数の第2の領域の各々は、第2の層内の真性領域によって囲まれる、条項1から3のいずれか一項の基板。
5. 複数の第2の領域の幅は1つ以上の第3の領域の幅よりも大きい、条項1から4のいずれか一項の基板。
6. 真性層はnドープされ、真性層は、第1の領域、複数の第2の領域、及び1つ以上の第3の領域の、ドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、条項1から5のいずれか一項の基板。
7. 真性層はpドープされ、真性層は、第1の領域、複数の第2の領域、及び1つ以上の第3の領域の、ドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、条項1から5のいずれか一項の基板。
8. 第1の領域は第1の金属によってコーティングされ、
複数の第2の領域及び1つ以上の第3の領域は、第2の金属によってコーティングされる、
条項1から7のいずれか一項の基板。
9. 第1の金属の原子番号は第2の金属の原子番号よりも小さい、条項8の基板。
10. 第1の金属はアルミニウムである、条項8又は9のうちの一項の基板。
11. 第2の金属は金である、条項8から10のいずれか一項の基板。
12. 第2の金属上に堆積され、第2の層の複数の第2の領域と1つ以上の第3の領域との間のギャップをカバーする、絶縁層、
を更に備える、条項8から11のいずれか一項の基板。
13. 複数の第2の領域に接続された複数の信号出力線、
を更に備える、条項1から12のいずれか一項の基板。
14. 基板であって、
第1の導電型の第1の領域を含む第1の層と、
第2の導電型の複数の第2の領域を含む第2の層であって、複数の第2の領域は、区分領域によって互いに区分される、第2の層と、
第1の層と第2の層の間の真性層と、
を備える、基板。
15. 区分領域は、複数の第2の領域の各々を互いに分離する真性領域を含む、条項14の基板。
16. 第1の導電型はn形半導体であり、第2の導電型はp形半導体である、条項14又は15のうちの一項の基板。
17. 複数の第2の領域の各々は、第2の層内の真性領域によって囲まれる、条項15又は16のうちの一項の基板。
18. 真性層はnドープされ、真性層は、第1の領域及び複数の第2の領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、条項14から17のいずれか一項の基板。
19. 第1の領域は第1の金属によってコーティングされ、
複数の第2の領域は第2の金属によってコーティングされる、
条項14から18のいずれか一項の基板。
20. 第2の金属は、複数の第2の領域の各々に対応する複数の金属部分を含む、条項19の基板。
21. 第2の金属を介して複数の第2の領域に接続された複数の信号出力線、
を更に備える、条項19又は20のうちの一項の基板。
22. 第2の金属の原子番号は第1の金属の原子番号よりも小さい、条項19から21のいずれか一項の基板。
23. 第1の金属は金である、条項19から22のうちのいずれか一項の基板。
24. 第2の金属はアルミニウムである、条項19から23のいずれか一項の基板。
25. 第2の層は、
第1の導電型の1つ以上の第3の領域を更に含み、複数の第2の領域は1つ以上の第3の領域によって互いに区分され、複数の第2の領域は1つ以上の第3の領域から間隔を置いて配置される、
条項14の基板。
26. 第1の導電型はp形半導体であり、第2の導電型はn形半導体である、条項14又は25のうちの一項の基板。
27. 装置であって、
1つ以上の荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子源と、
検出器であって、
第1の導電型の第1の領域を含む第1の層、
第2の導電型の複数の第2の領域を含む第2の層であって、複数の第2の領域は互いに区分される、第2の層、及び、
第1の層と第2の層の間の真性層、
を備える、検出器と、
複数の第2の領域は、受け取った荷電粒子に基づいて電気信号を出力するように構成され、
複数の第2の領域によって出力された電気信号を増幅するように、及び、増幅された電気信号をコントローラに転送するように、構成された増幅器と、
を備える、装置。
28. 検出器の第2の層は、
第1の導電型の1つ以上の第3の領域であって、複数の第2の領域は、1つ以上の第3の領域によって互いに区分され、複数の第2の領域は1つ以上の第3の領域から間隔を置いて配置される、第1の導電型の1つ以上の第3の領域、
を更に含む、条項27の装置。
29. 検出器の第1の層内の第1の領域は、検出器のセンサ表面上に入射する荷電粒子を受け取るように構成された、条項27及び28のうちの一項の装置。
30. 第1の導電型はp形半導体であり、第2の導電型はn形半導体である、条項27から29のうちのいずれか一項の基板。
31. 検出器の第2の層内の複数の第2の領域は、検出器のセンサ表面上に入射する荷電粒子を受け取るように構成された、条項27の装置。
32. 第1の導電型はn形半導体であり、第2の導電型はp形半導体である、条項27又は31のうちの一項の装置。
33. 方法であって、
検出器の第1の層の第1の導電型の第1の領域に第1のバイアスを印加すること、及び、検出器の第2の層の第2の導電型の複数の第2の領域に第2のバイアスを印加することを含み、検出器は、第1の層と第2の層との間に真性領域を含み、複数の第2の領域は区分領域によって互いに区分される、印加すること、
第2の層から出力信号を受信すること、及び、
受信された出力信号に基づいて荷電粒子信号を決定すること、
を含む、方法。
34. 第1のバイアス又は第2のバイアスのうちの少なくとも1つを調整することを更に含む、条項33の方法。
35. 第1のバイアス及び第2のバイアスを印加することは順方向バイアスを含む、条項33又は34のうちの一項の方法。
36. 第1のバイアス及び第2のバイアスを印加することは逆バイアスを含む、条項33又は34のうちの一項の方法。
37. 区分領域は、複数の第2の領域の各々を互いに分離する真性領域を含む、条項33から36のうちのいずれか一項の方法。
38. 第1の導電型はn形半導体であり、第2の導電型はp形半導体である、条項33から37のうちのいずれか一項の方法。
39. 真性層はnドープされ、
真性層は第1の領域及び複数の第2の領域のドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、条項33から38のいずれか一項の方法。
40. 第2の層は、
第1の導電型の1つ以上の第3の領域であって、複数の第2の領域は、1つ以上の第3の領域によって互いに区分され、複数の第2の領域は1つ以上の第3の領域から間隔を置いて配置される、第1の導電型の1つ以上の第3の領域、
を更に含む、条項33の方法。
41. 第1の導電型はp形半導体であり、第2の導電型はn形半導体である、条項33又は40のうちの一項の方法。
Claims (14)
- 基板であって、
第1の導電型の第1の領域を含む第1の層と、
第2の導電型の複数の第2の領域、及び、前記第1の導電型の1つ以上の第3の領域を含む、第2の層であって、前記複数の第2の領域は、前記1つ以上の第3の領域によって互いに区分される、第2の層と、
前記第1の層と前記第2の層の間の真性層と、
を備え、
前記第1の層はサンプル表面から生成される複数の二次電子ビームを受け取るように構成されており、前記複数の二次電子ビームのそれぞれがマルチビーム装置の異なるビームに関連付けられており、
前記第1の領域は第1の金属によってコーティングされ、前記複数の第2の領域及び前記1つ以上の第3の領域は、第2の金属によってコーティングされる、
基板。 - 前記第1の導電型はp形半導体であり、前記第2の導電型はn形半導体であって、前記複数の第2の領域は、前記1つ以上の第3の領域から間隔を置いて配置される、請求項1に記載の基板。
- 前記第2の層は、前記複数の第2の領域の各々を前記第2の層の前記1つ以上の第3の領域から分離する、真性領域を更に含む、請求項1に記載の基板。
- 前記複数の第2の領域の各々は、前記第2の層内の前記真性領域によって囲まれる、請求項3に記載の基板。
- 前記複数の第2の領域の幅は前記1つ以上の第3の領域の幅よりも大きい、請求項1に記載の基板。
- 前記真性層はnドープされ、前記真性層は、前記第1の領域、前記複数の第2の領域、及び前記1つ以上の第3の領域の、ドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、請求項1に記載の基板。
- 前記真性層はpドープされ、前記真性層は、前記第1の領域、前記複数の第2の領域、及び前記1つ以上の第3の領域の、ドーピング濃度よりも低いドーピング濃度を有する、請求項1に記載の基板。
- 前記第1の金属の原子番号は前記第2の金属の原子番号よりも小さい、請求項1に記載の基板。
- 前記第1の金属はアルミニウムである、請求項1に記載の基板。
- 前記第2の金属は金である、請求項1に記載の基板。
- 前記第2の金属上に堆積され、前記第2の層の前記複数の第2の領域と前記1つ以上の第3の領域との間のギャップをカバーする、絶縁層、
を更に備える、請求項1に記載の基板。 - 前記複数の第2の領域に接続された複数の信号出力線、
を更に備える、請求項1に記載の基板。 - 装置であって、
複数の荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子源と、
検出器であって、
第1の導電型の第1の領域を含む第1の層、
第2の導電型の複数の第2の領域、及び、前記第1の導電型の1つ以上の第3の領域を含む第2の層であって、前記複数の第2の領域は、前記1つ以上の第3の領域によって互いに区分される、第2の層、及び、
前記第1の層と前記第2の層の間の真性層、
を備え、
前記複数の第2の領域は、受け取った荷電粒子に基づいて電気信号を出力するように構成され、前記第1の層はサンプル表面から生成される複数の二次電子ビームを受け取るように構成され、前記複数の二次電子ビームのそれぞれが前記複数の荷電粒子ビームの異なるビームに関連付けられており、
前記第1の領域は第1の金属によってコーティングされ、前記複数の第2の領域及び前記1つ以上の第3の領域は、第2の金属によってコーティングされる、検出器と、
前記複数の第2の領域によって出力された前記電気信号を増幅するように、及び、前記増幅された電気信号をコントローラに転送するように、構成された増幅器と、
を備える、装置。 - 方法であって、
検出器の第1の層の第1の導電型の第1の領域に第1のバイアスを印加すること、前記検出器の第2の層の第2の導電型の複数の第2の領域に第2のバイアスを印加すること、及び、前記検出器の第2の層の前記第1の導電型の1つ以上の第3の領域に第3のバイアスを印加することを含み、前記検出器は、前記第1の層と前記第2の層との間に真性領域を含み、前記複数の第2の領域は前記1つ以上の第3の領域によって互いに区分され、前記第1の層はサンプル表面から生成される複数の二次電子ビームを受け取るように構成されており、前記複数の二次電子ビームのそれぞれがマルチビーム装置の異なるビームに関連付けられており、前記第1の領域は第1の金属によってコーティングされ、前記複数の第2の領域及び前記1つ以上の第3の領域は、第2の金属によってコーティングされること、
前記第2の層から出力信号を受信すること、及び、
前記受信された出力信号に基づいて荷電粒子信号を決定すること、
を含む、方法。
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US11282670B1 (en) * | 2020-12-29 | 2022-03-22 | Fei Company | Slice depth reconstruction of charged particle images using model simulation for improved generation of 3D sample images |
WO2022248296A2 (en) * | 2021-05-27 | 2022-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Manipulation of carrier transport behavior in detector |
US11699607B2 (en) * | 2021-06-09 | 2023-07-11 | Kla Corporation | Segmented multi-channel, backside illuminated, solid state detector with a through-hole for detecting secondary and backscattered electrons |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050133838A1 (en) | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photodiode and method of manufacturing the same |
JP2009105037A (ja) | 2007-10-04 | 2009-05-14 | Jeol Ltd | Pin型検出器及びpin型検出器を備えた荷電粒子ビーム装置 |
JP2011017722A (ja) | 2003-05-08 | 2011-01-27 | Science & Technology Facilities Council | 加速粒子および高エネルギ放射線センサ |
JP2011145292A (ja) | 2010-01-13 | 2011-07-28 | Fei Co | 放射線検出器 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8301096D0 (en) * | 1983-01-15 | 1983-02-16 | Cambridge Instr Ltd | Electron scanning microscopes |
JPS59184440A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
US4897545A (en) * | 1987-05-21 | 1990-01-30 | Electroscan Corporation | Electron detector for use in a gaseous environment |
JP2551984B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-11-06 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡 |
JPH10134757A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Nikon Corp | マルチビーム検査装置 |
US5834774A (en) * | 1996-07-24 | 1998-11-10 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope |
TW372367B (en) | 1998-06-02 | 1999-10-21 | Ind Tech Res Inst | Lateral PN digital x-ray image pixelated sensor |
JP4217257B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2009-01-28 | 株式会社荏原製作所 | 電子線装置を用いたデバイス製造方法 |
JP3947420B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-07-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子線検出器 |
EP1619495A1 (en) | 2004-07-23 | 2006-01-25 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Method and Apparatus for inspecting a specimen surface and use of fluorescent materials |
DE102005014793B4 (de) * | 2005-03-31 | 2007-11-29 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren und Inspektionssystem zur CD-Messung auf der Grundlage der Bestimmung von Flächenanteilen |
US7714300B1 (en) * | 2006-06-27 | 2010-05-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | High-speed high-efficiency solid-state electron detector |
US7586108B2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector |
WO2010123887A2 (en) * | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Integrated Sensors, Llp | Plasma panel based ionizing-particle radiation detector |
DE112011100306B4 (de) * | 2010-01-20 | 2019-06-19 | Hitachi High-Technologies Corporation | Ladungsteilchenstrahlvorrichtung |
US8481962B2 (en) | 2010-08-10 | 2013-07-09 | Fei Company | Distributed potential charged particle detector |
US10197501B2 (en) * | 2011-12-12 | 2019-02-05 | Kla-Tencor Corporation | Electron-bombarded charge-coupled device and inspection systems using EBCCD detectors |
EP2682978B1 (en) | 2012-07-05 | 2016-10-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Contamination reduction electrode for particle detector |
NL2011568A (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-06 | Asml Netherlands Bv | Sensor and lithographic apparatus. |
JP6068954B2 (ja) * | 2012-11-28 | 2017-01-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | フォトダイオードアレイ |
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Patent Citations (4)
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---|---|---|---|---|
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US20050133838A1 (en) | 2003-12-17 | 2005-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photodiode and method of manufacturing the same |
JP2009105037A (ja) | 2007-10-04 | 2009-05-14 | Jeol Ltd | Pin型検出器及びpin型検出器を備えた荷電粒子ビーム装置 |
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