DE19542973A1 - Verfahren und Einrichtung zum Markieren von Werkstücken mittels Laserstrahl - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zum Markieren von Werkstücken mittels LaserstrahlInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Laserstrahl-Markierungssystem,
bei dem die Oberfläche eines Werkstücks mit einem Laser
strahl gemäß einem Abtastmuster bearbeitet wird.
Laserstrahlmarkierung wird in großem Umfang verwendet, um
elektronische Teile mit einem bestimmten Markierungsmuster,
z. B. mit einer Typenbeschriftung, zu versehen. In der Regel
erfolgt dies durch Abtastung mit dem Laserstrahl, bei dem
der Laserstrahl in einem bestimmten Abtastmuster über die
Werkstückoberfläche geführt wird. Beispiele für solche Mar
kierungsverfahren sind beschrieben in JP-A 59-45091 und JP-A
60221721. Als Laserlichtquelle wird im allgemeinen ein
Festkörperlaser wie z. B. ein Nd:YAG-Laser benutzt.
Ein Festkörperlaser ist üblicherweise mit einer Q-Schal
teranordnung versehen, die einen pulsförmigen Verlauf der
Emission mit relativ hoher Ausgangsleistung der Impulsspit
zen steuert. Wie in Fig. 1 schematisch dargestellt, wird
während der Laserstrahlabtastung der Q-Schalter gemäß einem
Steuersignal (A) ein- und ausgeschaltet (B), wodurch der
Festkörperlaser den Laserlichtstrahl während der AUS-Peri
oden des Q-Schalters emittiert. Die Aus-Periode des Schal
ters und damit die Emissionsperiode (W) des Lasers wird üb
licherweise auf 10 µsec eingestellt, während der der Laser
strahl momentan emittiert wird.
Wenn ein solcher Laserstrahl auf eine Stelle eines in
Kunstharz eingekapselten elektronischen Bauteils 12 fokus
siert wird, wird das Kunstharz an dieser Position augen
blicklich verdampft und hierdurch ein tiefes Loch 13 mit
einer Tiefe von 50 bis 100 µm erzeugt, wie in Fig. 2 darge
stellt. Aus diesem Grund kann das übliche Lasermarkierungs
verfahren bei dünnen Werkstücken, die in Kunstharz einge
kapselt sind, nicht angewendet werden.
Um die Spitzenamplitude des mittels Q-Schalter gepulsten
Laserstrahls zu reduzieren, wäre es denkbar, die
Wiederholungsfrequenz, mit der der Q-Schalter angesteuert
wird, auf 50 kHz oder mehr einzustellen, so daß der konti
nuierlich gepumpte und mittels Q-Schalter gepulste Laser
sich ähnlich wie ein kontinuierlich gepumpter Laser ver
hält. Da jedoch eine Reduzierung der Impulsamplitude des
Laserlichts zu einer Reduzierung der gesamten abgegebenen
Leistung des Laserstrahls führt, muß die Abtastgeschwindig
keit des Laserstrahls verringert werden, um die verringerte
Leistung auszugleichen, wodurch die Arbeitsgeschwindigkeit
des Markierungsvorgangs reduziert wird.
Um eine Reduzierung der Produktivität des Markierungsvor
gangs zu vermeiden, wird die Abtastgeschwindigkeit des La
serstrahls üblicherweise konstant gehalten und die Wiederholungsfrequenz
der Laseremission wird so eingestellt, daß
das Lasermarkierungssystem optimal arbeitet. Die von dem
Laserstrahl nacheinander erzeugten Löcher haben voneinander
einen Abstand, der umgekehrt proportional zur Wiederho
lungsfrequenz der Laseremission ist. Wenn deshalb die Wie
derholungsfrequenz zu niedrig ist, sind benachbarte Löcher
deutlich voneinander getrennt, was zu unterbrochenen Mar
kierungs- oder Beschriftungslinien führt. Wenn die Wieder
holungsfrequenz zu hoch ist, ergibt sich eine Verdichtung
der Laserstrahlenergie, und es werden Löcher erzeugt, die
tiefer als nötig sind. Die bisher bekannten Lasermarkie
rungsverfahren können, mit anderen Worten, keine klaren und
kontinuierlichen Markierungslinien von relativ geringer
Tiefe erzeugen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Laserstrahlmarkierung sowie einer Einrichtung zur Durchfüh
rung des Verfahrens zu schaffen, bei dem ein Werkstück mit
einem deutlichen und gut erkennbaren Muster von geringer
Eindringtiefe versehen werden kann, ohne daß dies zu einer
Verringerung der Arbeitsgeschwindigkeit des Verfahrens
führt.
Zur Lösung der Aufgabe wird erfindungsgemäß eine besondere
Eigenschaft eines kontinuierlich gepumpten und mittels Q-Schalter
gepulsten Lasers ausgenutzt, nämlich die Erkennt
nis, daß durch Variierung der Dauer des vom Q-Schalter ge
steuerten Emissionsintervalls eines kontinuierlich gepump
ten Lasers die Intensität und Anzahl der in jedem Emissi
onsintervall emittierten Laserimpulse verändert werden
kann. Bei geeigneter Einstellung der Dauer des Emissionsin
tervalls mittels des Q-Schalters werden in jedem Emissions
intervall zwei oder mehr Laserstrahlimpulse mit veränderli
cher Intensität abgegeben. Die Ursache hierfür ist die pri
märe Laserschwingung und die Relaxationsschwingung. Da die
Relaxationsschwingung das Auftreten eines oder mehrerer se
kundärer Emissionsimpulse auf Kosten der Intensität des
primären Emissionsimpulses bewirkt, ist es möglich, ledig
lich durch geeignete Einstellung der Dauer des Emissionsin
tervalls zwei oder mehr Laseremissionsimpulse, einschließ
lich des Primäremissionsimpulses mit verringerter Intensi
tät, in jedem Emissionsintervall zu erhalten, ohne daß die
Wiederholungsfrequenz der Emissionsimpulse oder die Abtast
geschwindigkeit des gepulsten Laserstrahles verringert wer
den müssen. Wenn ein solcher gepulster Laserstrahl mit
Mehrfach-Emissionsimpulsen über die zu markierende Werk
stückoberfläche geführt wird, erhält man ein Markierungsmu
ster mit der gewünschten geringen Eindringtiefe.
Erfindungsgemäß wird eine Laserquelle mit einem Lasermedium
und einem Q-Schaltelement verwendet. Das Lasermedium wird
kontinuierlich (im Dauerstrich) gepumpt und das Q-Schalte
lement wird gemäß einem Wiederholungs-Steuersignal ein- und
ausgeschaltet. Dieses Wiederholungs-Steuersignal enthält
Emissionsintervalle mit einer Wiederholungsfrequenz. Die
Laserquelle emittiert den Laserstrahl durch das Q-Schalte
lement jeweils während der Emissionsintervalle. Die Dauer
der Emissionsintervalle, oder das Impulsbreitenverhältnis,
des Wiederholungs-Steuersignals wird so eingestellt, daß
die Laserquelle während jedes Emissionsintervalles den La
serstrahl in Form mehrerer Emissionsimpulse aussendet. Der
gepulste Laserstrahl wird in zwei zueinander rechtwinkligen
Richtungen gemäß einem vorgegebenen Muster abgelenkt, um
einen gepulsten Abtast-Laserstrahl zu erzeugen, der auf die
zu markierende Oberfläche des Werkstücks fokussiert wird.
Vorzugsweise besteht die zu bearbeitende Oberfläche des
Werkstücks aus Kunstharz, welches Kohlenstoff enthält.
Durch Schmelzen und Verdampfen von Bereichen der Werk
stückoberfläche mittels des gepulsten Abtast-Laserstrahls
entsprechend dem vorgegebenen Abtastmuster setzt sich der
in dem Kunstharz enthaltene Kohlenstoff auf diesen Berei
chen ab. Nach anschließendem Entfernen des abgesetzten Koh
lenstoffs von der Werkstückoberfläche erscheinen diese Be
reiche entfärbt, wodurch sich eine verbesserte Erkennbar
keit der Markierung ergibt.
Vorzugsweise ist das Lasermedium ein Nd:YAG-Stab, und das
Q-Schaltelement ist ein opto-akustischer Beugungsschalter,
der insbesondere im Ultraschallbereich betrieben wird. Das
Wiederholungs-Steuersignal hat vorzugsweise eine feste Wie
derholungsfrequenz im Bereich von 5 bis 50 kHz, während die
Dauer der Emissionsintervalle im Bereich von 20 bis 200
µsec einstellbar ist.
Ausführungsformen der Erfindung werden anhand der Zeichnun
gen näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 den Signalverlauf beim üblichen Lasermarkierungsver
fahren
Fig. 2 den Schnitt durch ein vom Laserstrahl in der Werk
stückoberfläche erzeugtes Loch;
Fig. 3 das Blockschema einer Lasermarkierungsvorrichtung
gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 4 ein Blockschaltbild des Q-Schalter-Treibers der Vor
richtung gemäß Fig. 3;
Fig. 5 die schematische Seitenansicht des optischen Systems
der Einrichtung gemäß Fig. 3;
Fig. 6 einen schematischen Signalverlauf beim Betrieb der
erfindungsgemäßen Einrichtung mit einer Impulsbreite von 50
µsec;
Fig. 7 den Signalverlauf beim Betrieb mit einer Impuls
breite von 80 µsec;
Fig. 8a und 8b einen schematischen Schnitt durch ein vom
Laserstrahl erzeugtes Loch bei den beiden Betriebsweisen
gemäß Fig. 6 bzw. Fig. 7.
Das in Fig. 3 schematisch dargestellte Lasermarkierungssy
stem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung hat einen
kontinuierlich gepumpten Q-Schalterlaser 1, enthaltend
einen Nd:YAG-Laserstab 100, ein Ultraschall-Q-Schaltelement
101 sowie weitere erforderliche optische Elemente wie z. B.
Pumplichtquelle (nicht dargestellt) und Spiegel 116 Das Q-Schaltelement
101 umfaßt in bekannter Weise ein
Ultraschallelement und einen Wandler, die gemäß einem
Steuersignal ein- und ausgeschaltet werden, wie noch
beschrieben wird. Der von dem kontinuierlich gepumpten
Laser und unter Steuerung durch den Q-Schalter emittierte
Laserstrahl wird von einem Spiegel 102 zur Einstellung der
optischen Achse reflektiert und läuft dann durch einen
Strahlexpander 103. Der gepulste Laserstrahl wird ferner
durch einen X-Abtastspiegel 104 und einen Y-Abtastspiegel
105 reflektiert, um als Abtast-Laserstrahl durch eine f-θ-Linse
106 auf die Kunstharzoberfläche eines Werkstücks
fokussiert zu werden. Der X-Ablenkspiegel 104 und der Y-Ablenkspiegel
105 werden jeweils durch Galvano-Ablenker 107
und 108 gesteuert.
Das Lasermarkierungssystem ist ferner mit einer Hauptsteue
rung 109 versehen, die eine Pulsbreitensteuerung 110 und
eine Steuerung 111 für die Galvano-Ablenker umfaßt. Die
Pulsbreitensteuerung 110 empfängt ein Pulsbreitensteuersi
gnal PWC und ein Frequenzsteuersignal CYC von einem Rechner
112 und gibt ein Steuerimpulssignal an einen Q-Schalter
treiber 113 ab. Entsprechend diesem Steuerimpulssignal gibt
der Q-Schaltertreiber 113 das Schaltsignal an den Ultra
schall-Q-Schalter 101 ab. Wenn das Steuersignal aktiv ist,
unterbricht der Ultraschall-Q-Schalter 101 die Emission des
Laserstrahls vom kontinuierlich gepumpten Laser 1. Bei aus
geschaltetem Steuersignal bewirkt das Q-Schaltelement 101
die Emission des Laserstrahls vom Laser 1 in Form einer An
zahl von Laserimpulsen innerhalb des Emissionsintervalls.
Mit anderen Worten, das Pulsbreiten-Steuersignal PWC wird
so festgelegt, daß in jedem Intervall zwei oder mehr Laser
emissionsimpulse von dem kontinuierlich gepumpten, vom Q-Schalter
gesteuerten Laser 1 abgegeben werden. Die Ablenk
steuerung 111 empfängt ein Steuersignal GC vom Rechner 112
und gibt ein Antriebssteuersignal an den Ablenktreiber 114
ab, der entsprechend die Galvano-Ablenker 107 und 108 so
ansteuert, daß der Laserstrahl nach einem vorgegebenen, im
Rechner 112 gespeicherten Abtastmuster abgelenkt wird.
Wie in Fig. 4 dargestellt empfängt der Q-Schaltertreiber
113 das Steuerimpulssignal von der Pulsbreitensteuerung 110
der Hauptsteuereinheit 109 und gibt ein Q-Schalter-Steuer
signal an das Q-Schaltelement 101 ab. Eine Funktionssteue
rung 201 empfängt das Steuerimpulssignal von der Pulsbrei
tensteuerung 110 und ein Impulssignal PO mit vorgegebener
Frequenz von einem Impulsgenerator 202 und gibt ein
Pulsmodulationssignal Pm an einen Pulsmodulator 203 ab. Der
Pulsmodulator 204 bewirkt eine Impulsmodulation eines
Radiofrequenzsignals (HF-Signals) RFC entsprechend dem
Modulations-Pulssignal PM und gibt ein moduliertes HF-Signal
an einen HF-Leistungsverstärker 203 ab. Das HF-Signal
RFC wird erhalten durch einen 1 : 2-Teiler 205, der
ein vom Primäroszillator 206 erzeugtes HF-Signal teilt. Das
vom HF-Leistungsverstärker 204 verstärkte, modulierte HF-Signal
wird als Schaltersteuersignal an die Ultraschall-Q-Schalteinrichtung
101 abgegeben, wo der Wandler
entsprechend dem Schaltersteuersignal eine Ultraschallwelle
erzeugt zur Umschaltung zwischen hohem Q und niedrigem Q.
Vom Oszillator 206 und einem zweiten Oszillator 210 kann
ein Mixer 211 beaufschlagt werden, der ein Eingangssignal
für den Impulsgenerator 202 liefert. Wahlweise kann ein
Impulskiller 212 vorgesehen sein. Eine
Gleichspannungsquelle 213 erzeugt die Versorgungsspannung
für alle Einheiten. Die in Fig. 4 angegebenen Zahlenwerte
der Frequenzen sind nur als Beispiel zu verstehen.
Gemäß Fig. 5 ist das Lasermarkierungssystem auf einem Tisch
301 so angeordnet, daß die Elemente wie folgt arbeiten. Der
gepulste Laserstrahl wird zuerst vom X-Ablenkspiegel 104
zur Ablenkung in X-Richtung und dann vom Y-Ablenkspiegel
105 zur Ablenkung in Y-Richtung reflektiert. Der vom Y-Ab
lenkspiegel 105 reflektierte Laserstrahl 302 wird durch die
f-θ-Linse 106 auf die Oberfläche des Werkstücks 303 fokus
siert. Diese ist mit einem Kunstharz überzogen, welches
Kohlenstoff enthält. Die Impulsbreite des Laserstrahls wird
im Voraus festgelegt entsprechend der Art und/oder Dicke
des Kunstharzes.
Der Rechner 12 bestimmt über das Pulsbreiten-Steuersignal
PWC die Pulsbreite des vom kontinuierlich gepumpten Laser 1
durch den Q-Schalter emittierten Laserstrahls. Die Puls
breitensteuerung 110 empfängt das Pulsbreitensteuersignal
PWC und das Frequenzsteuersignal CYC vom Rechner 112 und
gibt an den Q-Schaltertreiber 113 ein Steuerimpulssignal
ab, das aus Impulsen mit vorgegebener Impulsbreite und vor
gegebener Wiederholungsfrequenz besteht. Entsprechend dem
Steuerimpulssignal moduliert der Q-Schaltertreiber 113 das
HF-Signal RFC und gibt das Schaltersteuersignal an das Ul
traschall-Q-Schaltelement 101 ab. Dieses ist im eingeschal
teten Zustand oder Beugungszustand immer dann, wenn es vom
Q-Schaltertreiber 113 das HF-Signal empfängt. In diesem
eingeschalteten Zustand des Q-Schaltelements 101 befindet
sich der kontinuierlich gepumpte Laser 1 im Zustand mit
niedrigem Q, so daß kein Laserstrahl emittiert wird. Wäh
rend dieser Emissionspause wird jedoch in dem Nd:YAG-Stab
100 durch das kontinuierliche Pumpen Energie gespeichert.
Wenn das RF-Signal aufhört, schaltet das Ultraschall-Q-Schaltelement
101 in den AUS-Zustand, wodurch der kontinu
ierlich gepumpte Laser 1 in den Zustand mit hohem Q über
geht, so daß Laserstrahlemission stattfindet. Die Laser
strahlemission wechselt somit zwischen dem AUS-Intervall
des Schalters bzw. der Emissionsperiode des Lasers und dem
EIN-Intervall des Schalters bzw. der Nichtemissionsperiode
des Lasers. Die Emissions- und Nichtemissionsintervalle
werden durch die vom Rechner 112 festgelegte Pulsbreite be
stimmt. Erfindungsgemäß wird das Emissionsintervall relativ
lang eingestellt, z. B. mehr als 10 µsec, so daß in dem kon
tinuierlich gepumpten Laser 1 Relaxationsschwingung auf
tritt. Dieser Kernpunkt der Erfindung wird anhand von Fig.
6 und 7 im Detail erläutert.
Gemäß Fig. 6 empfängt der Q-Schaltertreiber 113 ein
Steuerimpulssignal (A) mit einer Wiederholungsfrequenz von
8 kHz und einer festgelegten Pulsbreite W1 von 50 µsec und
gibt ein Schaltersteuersignal (B) mit einer Emissionsperi
ode von 50 µsec an den Ultraschall-Q-Schalter 101 ab. Bei
auf 50 µsec eingestellter Emissionsperiode treten in dem
kontinuierlich gepumpten Laser 1 Relaxationsschwingungen
auf, was zu einer Anzahl von Emissionsimpulsen (C) führt,
nämlich einem Hauptemissionsimpuls P1(50) und einer Anzahl
von Sekundäremissionsimpulsen P2(50) jeweils innerhalb ei
nes Emissionsintervalls. Die Sekundäremissionsimpulse
P2(50) beruhen auf der Relaxationsschwingung, und ihre In
tensitäten sind merklich niedriger als die des Primäremis
sionsimpulses P1(50). Aber auch die Intensität des
Primäremissionsimpulses P1(50) ist niedriger als die des
einzigen Emissionsimpulses bei dem üblichen Verfahren, das
in Fig. 1 dargestellt ist. Wenn somit ein derartig gepul
ster Laserstrahl als Abtastlaserstrahl 302 in Fig. 4 ver
wendet wird, können auf dem Werkstück 303, das mit einem
relativ dünnen Kunstharzfilm überzogen ist, relativ flache
Markierunglinien gezogen werden (vgl. Fig. 8A). Die Dauer
des Emissionsintervalls des kontinuierlich gepumpten und
mittels Q-Schalter gesteuerten Lasers 1 kann in Abhängig
keit von den Eigenschaften der Kunstharzoberfläche des
Werkstücks eingestellt werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 empfängt der Q-Schaltertreiber
103 ein Steuerimpulssignal (A) mit einer
Wiederholungsfrequenz von 8 kHz und einer Impulsbreite W2,
die auf 80 µsec festgelegt ist und gibt an das Ultraschall-Q-Schaltelement
101 ein Schaltsteuersignal (B) mit einer
Emissionsperiode von 80 µsec ab. Bei dieser Einstellung des
Emissionsintervalls auf 80 µsec erfolgen in dem kontinuier
lich gepumpten Laser 1 Relaxationsschwingung, die dazu füh
ren, daß in jedem Emissionsintervall mehrere Emissionsim
pulse (C) erzeugt werden, nämlich ein Primäremissionsimpuls
P1(80) und eine Anzahl von Sekundäremissionsimpulsen
P2(80). Die Sekundäremissionsimpulse P2(80) beruhen auf der
Relaxationsschwingung, und ihre Intensitäten sind deutlich
niedriger als die des Primäremissionimpulses P1(80). Die
Anzahl der Sekundärimpulse (z. B. drei) ist größer als bei
dem vorigen Ausführungsbeispiel (z. B. zwei) und deshalb ist
auch die Intensität des Primäremissionsimpulses P1(80) noch
niedriger im Vergleich zu dem einzigen Emissionsimpuls bei
dem bekannten Verfahren nach Fig. 1. Wenn der auf diese
Weise gepulste Laserstrahl als Abtastlaserstrahl 102 gemäß
Fig. 4 über das Werkstück geführt, können auf dem mit einem
relativ dünnen Kunstharzfilm überzogenen Werkstück 303 re
lativ flache Markierungslinien gezogen werden (vgl. Fig.
8B). Da die Emissionspulse P1(80) und P2(80) jeweils eine
niedrigere Intensität haben als die Emissionsimpulse P1(50)
und P2(50) gemäß Fig. 6, erhält man mit dem Verfahren gemäß
Fig. 7 eine noch geringere Eindringtiefe der Markierungsli
nien.
Allgemein kann die Wiederholungsfrequenz auf einen ge
wünschten Wert von 5 bis 50 kHz eingestellt werden, und das
Emissionsintervall, d. h. die Impulsbreite des Steuerimpuls
signales, kann in einem Bereich von 20 bis 200 µsec einge
stellt werden, nach der Maßgabe, daß während des Emissions
intervalls Relaxationsschwingung in dem kontinuierlich ge
pumpten Laser 1 auftritt. Die Wiederholungsfrequenz und die
Dauer der Emissionintervalle kann unter Berücksichtigung
der Beschaffenheit der Werkstückoberfläche und der ge
wünschten Leistung des kontinuierlich gepumpten, mit Q-Schalter
gesteuerten Lasers 1 festgelegt werden.
Speziell wird bei der Ausführungsform zunächst eine ge
wünschte Wiederholungsfrequenz gewählt und dann die Dauer
des Emissionsintervalls auf einen Wert festgelegt, bei dem
während des Emissionsintervalls Relaxationsschwingung in
dem kontinuierlich gepumpten Laser auftritt.
Anders betrachtet kann der Rechner 112 das Pulsbreitenver
hältnis des Steuerimpulssignals festlegen. Bei der Ausfüh
rungsform ist das Pulsbreitenverhältnis des Steuerimpulssi
gnals größer als 0,2 und ist so bemessen, daß während des
Emissionsintervalls Relaxationsschwingung in dem Laser auf
tritt. Bei einer Wiederholungsfrequenz von 8 kHz entspricht
ein Pulsbreitenverhältnis von 0,4 einer Pulsbreite von 50
µsec und ein Pulsbreitenverhältnis von 0,64 einer Puls
breite von 80 µsec. Es ist offensichtlich, daß auf diese
Weise die gleichen Vorteile erhalten werden können.
In Fig. 8a und 8b ist angenommen, daß das Werkstück 303 mit
einem Kohlenstoff enthaltenden Kunstharz bedeckt ist und
daß die Dauer des Emissionsintervalls bzw. das Pulsbreiten
verhältnis entsprechend Fig. 6 bzw. Fig. 7 eingestellt ist.
Wenn der entsprechend gesteuerte Laserstrahl auf eine
Stelle des Werkstücks 303 fokussiert wird, wird das Kunst
harz an dieser Stelle erhitzt und hierdurch ein relativ
flaches Loch 304 bzw. 306 sowie eine entfärbte Schicht 305
bzw. 307 erzeugt. Da der gepulste Laserstrahl jeweils aus
Impulsgruppen mit mehreren Emissionsimpulsen besteht, wobei
der Primäremissionsimpuls eine verringerte Intensität hat,
wie in Fig. 6 und 7 gezeigt, wird die Verdampfung des
Kunstharzes zugunsten des Schmelzens unterdrückt. Dies
führt dazu, daß der im Kunstharz enthaltene Kohlenstoff auf
der Oberfläche des Werkstücks 3 abgesetzt wird aufgrund des
Unterschiedes des spezifischen Gewichtes zwischen Kunstharz
und Kohlenstoff. Nach anschließender Entfernung des abge
setzten Kohlenstoffs von der Oberfläche des Werkstücks 303
wird die entfärbte Schicht 305 oder 307 sichtbar, wodurch
sich Markierungslinien mit hohem Kontrast an der Werk
stückoberfläche ergeben.
Wie in Fig. 8A dargestellt, wird ein Loch 304 mit relativ
geringer Tiefe durch Verdampfen des Harzes sowie eine Ent
färbungsschicht 305 aufgrund des Schmelzens des Harzes er
zeugt. Das Loch 304 und die Entfärbungsschicht 305 werden
gebildet durch den gepulsten Laserstrahl, der von dem kon
tinuierlich gepumpten Laser 1 unter Steuerung durch den Q-Schalter
mit einer Wiederholungsfrequenz von 8 kHz und ei
ner Pulsbreite von 80 µsec gemäß Fig. 7 emittiert wird. Da
das Emissionsintervall W2 in diesem Fall länger ist als bei
dem vorhergehenden Beispiel gemäß Fig. 6, ist die Intensi
tät des Primäremissionsimpulses P1(80) niedriger als die
des Primäremissionsimpulses P1(80), und die Gesamtzahl der
Emissionsimpulse P1(80) und P2(80) im Emissionsintervall ist
größer als die der Emissionsimpulse P1(50) und P2(50) des
vorhergehenden Beispiels. Deshalb nimmt bei Vergrößerung
des Emissionsintervalls die Menge des abgesetzten Kohlen
stoffs und die Breite der Markierungslinie zu, während die
durch Verdampfung bewirkte Tiefe der Markierungslinie ab
nimmt. Gemäß Fig. 8B kann eine verbesserte Sichtbarkeit
bzw. Erkennbarkeit der Markierungslinien bei geringerer
Tiefe der Markierungslinien gegenüber dem Ausführungsbei
spiel nach Fig. 8A erreicht werden.
Bei dem Lasermarkierungssystem gemäß der Erfindung kann die
Dauer der Emissionsintervalle des gepulsten Laserstrahls
geändert werden, während die Wiederholungsfrequenz und die
Abtastgeschwindigkeit des gepulsten Laserstrahls konstant
gehalten werden. Da während des relativ langen Emissionsin
tervalls der dauerstrichgepumpte und durch Q-Schalter ge
steuerte Laser eine Anzahl von Laseremissionsimpulsen mit
relativ niedrigen Intensitäten aufgrund der Relaxations
schwingung aussendet, werden Markierungslinien mit geringer
Eindringtiefe auf der Oberfläche des Werkstücks erzeugt,
ohne daß die Arbeitsgeschwindigkeit des Verfahrens abnimmt.
Bei Werkstücken mit einem dünnen Kunstharzfilm, der Kohlen
stoff enthält, wird durch die von der Relaxationsschwingung
verursachten mehreren Laserimpulse eine größere Menge Koh
lenstoff auf der Werkstückoberfläche abgesetzt, wodurch
sich eine verbesserte Erkennbarkeit der Markierungslinien
ergibt.
Durch Änderung der Dauer der Emissionsintervalle des gepul
sten Laserstrahls in Abhängigkeit von dem Material der
Werkstückoberfläche, können optimale Arbeitsbedingungen für
das jeweils vorliegende Werkstück leicht eingestellt werden,
ohne daß die Qualität und die Arbeitsleistung des Markie
rungsverfahrens abnehmen.
Claims (15)
1. Verfahren zum Markieren eines Werkstücks mit einem La
serstrahl,
unter Verwendung einer Laserquelle (1) mit einem kontinu
ierlich gepumpten Lasermedium (100) und eines Q-Schalters,
wobei das Ein- und Ausschalten des Q-Schalters durch ein
Wiederholungs-Steuersignal gesteuert wird, das in jeder
Wiederholungsperiode ein Emissionsintervall (W1, W2) auf
weist, und die Laserquelle unter Steuerung durch den Q-Schalter
den Laserstrahl in jedem Emissionsintervall emit
tiert,
und wobei der Laserstrahl entsprechend einem Ablenkmuster
abgelenkt und auf das Werkstück fokussiert wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dauer der
Emissionsintervalle so eingestellt wird, daß der Laser
strahl in jedem Emissionsintervall in Form mehrerer Emissi
onsimpulse (P1, P2) emittiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß durch Einstellen
der Dauer der Emissionsintervalle die Anzahl und Intensität
der in jedem Emissionsintervall enthaltenen Emissionsim
pulse geändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück in
einer gegebenen Position gehalten und ein Oberflächenbe
reich des Werkstücks mit dem Laserstrahl abgetastet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß der Oberflächen
bereich des Werkstücks aus kohlenstoffhaltigem Kunstharz
besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß das Kunstharz in
dem Oberflächenbereich entsprechend dem vom Laserstrahl ab
getasteten Abtastmuster geschmolzen und verdampft wird, so
daß der darin enthaltene Kohlenstoff sich als Belag ab
setzt, und daß anschließend der abgesetzte Kohlenstoff ent
fernt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dauer der
Emissionsperioden des Wiederholungs-Steuersignals durch
Einstellen des Pulsbreitenverhältnisses des Wiederholungs-Steuersignals
eingestellt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß das Lasermedium
ein Nd:YAG-Stab und der Q-Schalter ein opto-akustischer
Beugungsschalter ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß das Wiederho
lungs-Steuersignal eine unveränderliche Wiederholungsfre
quenz im Bereich von 5 kHz bis 50 kHz aufweist und daß die
Dauer der Emissionsintervalle auf einen Wert im Bereich von
20 µsec bis 200 µsec eingestellt wird.
9. Einrichtung zum Markieren eines Werkstücks mit einem La
serstrahl,
mit einer Laserquelle (1) mit einem kontinuierlich gepump
ten Lasermedium (100) und einem Q-Schalter (101), dessen
Ein- und Ausschalten durch ein Wiederholungs-Steuersignal
gesteuert ist, das in jeder Wiederholungsperiode ein Emis
sionsintervall W1, W2 aufweist, wobei die Laserquelle unter
Steuerung durch den Q-Schalter den Laserstrahl während je
der Emissionsperiode aussendet; sowie mit Ablenkmitteln
(104, 105) zum Ablenken des Laserstrahls entsprechend einem
Abtastmuster und Fokussierungsmitteln (102, 103, 104) zum
Fokussieren des Laserstrahls auf einen Oberflächenbereich
eines Werkstücks,
gekennzeichnet durch eine Steuervorrichtung
(110, 112, 113) zum Einstellen der Dauer der Emissionsin
tervalle des Wiederholungs-Steuersignals derart, daß die
Laserquelle während jedes Emissionsintervalls den Laser
strahl in Form einer Anzahl von Emissionsimpulsen emit
tiert.
10. Einrichtung nach Anspruch 9,
bei der durch Einstellen der Dauer der Emissionsintervalle
die Anzahl und Intensität der in jedem Emissionsintervall
ausgesendeten Emissionsimpulse veränderbar ist.
11. Einrichtung nach Anspruch 9 oder 10,
dadurch gekennzeichnet, daß der Q-Schalter
(101) ein opto-akustischer Beugungsschalter ist und daß die
Lasersteuerung eine Pulsbreitensteuerung (110), die ein
Steuerimpulssignal mit einer EIN-Periode entsprechend jedem
Emissionsintervall erzeugt, und einen Q-Schalter (3) bei
(113) aufweist, der das Wiederholungs-Steuersignal für den
Q-Schalter erzeugt, wobei das Wiederholungs-Steuersignal
außerhalb der Emissionsintervalle eine Hochfrequenzschwin
gung aufweist, die den Q-Schalter zur Erzeugung einer Ul
traschallwelle für die Beugung anregt.
12. Einrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche
des Werkstücks aus kohlenstoffhaltigem Kunstharz besteht.
13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12,
dadurch gekennzeichnet, daß die Lasersteue
rung die Dauer der Emissionsintervalle durch Einstellung
des Pulsbreitenverhältnisses des Wiederholungs-Steuersi
gnals einstellt.
14. Einrichtung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das Lasermedium
ein Nd-YAG-Stab und der Q-Schalter ein opto-akustischer
Beugungsschalter ist.
15. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 14,
dadurch gekennzeichnet, daß das Wiederho
lungs-Steuersignal eine unveränderliche Wiederholungsfre
quenz im Bereich von 5 kHz bis 50 kHz aufweist und daß die
Dauer der Emissionsintervalle auf einen Wert im Bereich von
20 µsec bis 200 µsec eingestellt wird.
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19542973A1 true DE19542973A1 (de) | 1996-05-23 |
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---|---|---|---|
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---|---|
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DE (1) | DE19542973C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998017433A2 (en) * | 1996-10-21 | 1998-04-30 | Philips Electronics N.V. | Method of treating a portion of a surface using a scanning laser beam |
EP2299496A3 (de) * | 2009-09-17 | 2016-08-24 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils |
WO2022198249A3 (de) * | 2021-03-24 | 2022-11-24 | Trotec Laser Gmbh | Verfahren zum festlegen eines laser-ansteuersignals für unterschiedliche lasertypen und laserplotter sowie galvo-markierlaser hierfür |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5937270A (en) | 1996-01-24 | 1999-08-10 | Micron Electronics, Inc. | Method of efficiently laser marking singulated semiconductor devices |
GB2310504A (en) * | 1996-02-23 | 1997-08-27 | Spectrum Tech Ltd | Laser marking apparatus and methods |
EP0984844B1 (de) * | 1997-05-27 | 2002-11-13 | SDL, Inc. | Lasermarkierungssystem und energiesteuerungsverfahren |
US5977514A (en) | 1997-06-13 | 1999-11-02 | M.A. Hannacolor | Controlled color laser marking of plastics |
US6852948B1 (en) | 1997-09-08 | 2005-02-08 | Thermark, Llc | High contrast surface marking using irradiation of electrostatically applied marking materials |
US6075223A (en) * | 1997-09-08 | 2000-06-13 | Thermark, Llc | High contrast surface marking |
US5976411A (en) | 1997-12-16 | 1999-11-02 | M.A. Hannacolor | Laser marking of phosphorescent plastic articles |
US6926487B1 (en) | 1998-04-28 | 2005-08-09 | Rexam Ab | Method and apparatus for manufacturing marked articles to be included in cans |
US6275250B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-08-14 | Sdl, Inc. | Fiber gain medium marking system pumped or seeded by a modulated laser diode source and method of energy control |
US6339604B1 (en) * | 1998-06-12 | 2002-01-15 | General Scanning, Inc. | Pulse control in laser systems |
US6706995B2 (en) * | 1998-07-16 | 2004-03-16 | Ball Corporation | Laser light marking of a container portion |
US6080958A (en) | 1998-07-16 | 2000-06-27 | Ball Corporation | Method and apparatus for marking containers using laser light |
US6262388B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-07-17 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking station with enclosure and method of operation |
US6417484B1 (en) | 1998-12-21 | 2002-07-09 | Micron Electronics, Inc. | Laser marking system for dice carried in trays and method of operation |
DE19983939B4 (de) * | 1999-03-05 | 2005-02-17 | Mitsubishi Denki K.K. | Laserstrahlmaschine |
US6359254B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-03-19 | United Technologies Corporation | Method for producing shaped hole in a structure |
US6479787B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-11-12 | Rexam Ab | Laser unit and method for engraving articles to be included in cans |
ES2277587T3 (es) * | 2000-01-14 | 2007-07-16 | Rexam Aktiebolag | Dispositivo laser para el marcado de la superficie de un fleje metalico. |
US6455806B1 (en) | 2000-01-14 | 2002-09-24 | Rexam Ab | Arrangement for shaping and marking a target |
US6872913B1 (en) | 2000-01-14 | 2005-03-29 | Rexam Ab | Marking of articles to be included in cans |
US6926456B1 (en) | 2000-01-20 | 2005-08-09 | Rexam Ab | Guiding device for a marking arrangement |
US20030024913A1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-02-06 | Downes Joseph P. | Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like |
US6576871B1 (en) | 2000-04-03 | 2003-06-10 | Rexam Ab | Method and device for dust protection in a laser processing apparatus |
JP3407715B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2003-05-19 | 松下電器産業株式会社 | レーザ加工装置 |
US6528760B1 (en) | 2000-07-14 | 2003-03-04 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method using rotational indexing for laser marking IC packages carried in trays |
US6524881B1 (en) * | 2000-08-25 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking a bare semiconductor die |
US6777645B2 (en) * | 2001-03-29 | 2004-08-17 | Gsi Lumonics Corporation | High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field |
JP3838064B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-10-25 | 松下電器産業株式会社 | レーザ制御方法 |
US7169685B2 (en) * | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
KR100461024B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2004-12-13 | 주식회사 이오테크닉스 | 칩 스케일 마커 및 마킹 방법 |
US7119351B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-10-10 | Gsi Group Corporation | Method and system for machine vision-based feature detection and mark verification in a workpiece or wafer marking system |
US7238396B2 (en) * | 2002-08-02 | 2007-07-03 | Rieck Albert S | Methods for vitrescent marking |
US7491909B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-02-17 | Imra America, Inc. | Pulsed laser processing with controlled thermal and physical alterations |
US7486705B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-02-03 | Imra America, Inc. | Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback |
US7005603B2 (en) * | 2004-04-02 | 2006-02-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser marking |
US7885311B2 (en) * | 2007-03-27 | 2011-02-08 | Imra America, Inc. | Beam stabilized fiber laser |
US7372878B2 (en) * | 2004-08-06 | 2008-05-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and system for preventing excessive energy build-up in a laser cavity |
US7705268B2 (en) * | 2004-11-11 | 2010-04-27 | Gsi Group Corporation | Method and system for laser soft marking |
US20060189091A1 (en) * | 2004-11-11 | 2006-08-24 | Bo Gu | Method and system for laser hard marking |
WO2006077965A1 (ja) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Olympus Corporation | 内視鏡及び内視鏡用医療器具及びその表示方法 |
FR2883503B1 (fr) * | 2005-03-23 | 2020-11-06 | Datacard Corp | Machine de marquage laser a haute cadence |
JP4874561B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-02-15 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Qスイッチレーザ装置 |
ITMI20051208A1 (it) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Ettore Colico | Metodo e apparecchiatura per il trasferimento di immagini su un supporto in legno mediante un fascio laser |
DE102005034106A1 (de) * | 2005-07-21 | 2007-01-25 | Carl Baasel Lasertechnik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Erzeugen eines Laserpulses für die Feinbearbeitung von Werkstücken mit einem Faserlaser |
KR100720966B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2007-05-23 | 김성훈 | 반지의 내주면에 레이저 마킹하는 방법 |
US8076607B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-12-13 | Ross Technology Corporation | Method and apparatus for depositing raised features at select locations on a substrate to produce a slip-resistant surface |
US8294062B2 (en) * | 2007-08-20 | 2012-10-23 | Universal Laser Systems, Inc. | Laser beam positioning systems for material processing and methods for using such systems |
GB2454066A (en) * | 2007-10-23 | 2009-04-29 | Toshiba Kk | Optical head with laser cavity length defining relaxation pulse duration |
JP2009181661A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 情報記録装置及びその制御方法 |
US20090246530A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Imra America, Inc. | Method For Fabricating Thin Films |
US7817686B2 (en) * | 2008-03-27 | 2010-10-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser micromachining using programmable pulse shapes |
US20090246413A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Imra America, Inc. | Method for fabricating thin films |
CN101990729B (zh) | 2008-03-31 | 2013-02-27 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 结合多重激光束以形成高重复率、高平均功率的极化激光束 |
JP5308213B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-10-09 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置の製造方法 |
JP5580719B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-08-27 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
US9381752B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-07-05 | Kyocera Document Solutions Inc. | Information processing apparatus and laser irradiation apparatus |
US9744559B2 (en) | 2014-05-27 | 2017-08-29 | Paul W Harrison | High contrast surface marking using nanoparticle materials |
JP6217624B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2017-10-25 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
BR112017021873B1 (pt) | 2015-04-17 | 2022-09-13 | Ball Corporation | Aparelho para controlar a velocidade de entrada e saída de uma folha contínua de material de lingueta, primeiro aparelho e método de controle de uma taxa de entrada e uma taxa de saída em uma folha contínua de material |
US10421111B2 (en) | 2015-04-17 | 2019-09-24 | Ball Corporation | Method and apparatus for controlling an operation performed on a continuous sheet of material |
DE112017006203B4 (de) * | 2016-12-09 | 2021-07-29 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Pulslaservorrichtung, Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Steuern der Pulslaservorrichtung |
CN108326435B (zh) * | 2017-12-29 | 2022-08-30 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种模具钢的激光打标方法 |
US11548099B2 (en) | 2018-12-03 | 2023-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Laser processing method and laser processing apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5041716A (en) * | 1989-09-29 | 1991-08-20 | Nec Corporation | Laser machining device comprising an acousto-optic modulator unit |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3657510A (en) * | 1970-11-19 | 1972-04-18 | Union Carbide Corp | Q-switched laser device for altering surfaces |
US3836866A (en) * | 1973-01-29 | 1974-09-17 | Gte Sylvania Inc | Q-switched laser mode selection system |
JPS5325996A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-10 | Toshiba Corp | Laser working method |
JPS5945091A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-13 | Toshiba Corp | レ−ザ印字加工装置 |
US4636043A (en) * | 1984-03-01 | 1987-01-13 | Laser Photonics, Inc. | Laser beam scanning device and marking system |
JPS60196283A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-04 | Sanyo Electric Co Ltd | レ−ザ加工装置 |
US4630275A (en) * | 1984-12-10 | 1986-12-16 | Allied Corporation | Controlled slow Q-switch |
EP0291461A1 (de) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Haas-Laser Systems AG | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer Markierung an einem Werkstück |
JPH0741431B2 (ja) * | 1987-10-07 | 1995-05-10 | 三菱電機株式会社 | レーザによる彫刻方法 |
JPH02133185A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のレーザマーキング方法 |
US4922077A (en) * | 1989-01-31 | 1990-05-01 | Raytheon Company | Method of laser marking metal packages |
JP2658351B2 (ja) * | 1989-02-03 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | レーザマーキング装置 |
EP0513359B1 (de) * | 1990-07-31 | 1994-07-20 | Materials And Intelligent Devices Research Co., Ltd. | Yag-laserbearbeitungsmaschine zur bearbeitung von dünnschichten |
JPH0498801A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザートリミング装置 |
US5329090A (en) * | 1993-04-09 | 1994-07-12 | A B Lasers, Inc. | Writing on silicon wafers |
-
1994
- 1994-11-17 JP JP6283570A patent/JP2682475B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-11-16 US US08/558,780 patent/US5719372A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-17 DE DE19542973A patent/DE19542973C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-17 KR KR1019950041960A patent/KR0185231B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5041716A (en) * | 1989-09-29 | 1991-08-20 | Nec Corporation | Laser machining device comprising an acousto-optic modulator unit |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998017433A2 (en) * | 1996-10-21 | 1998-04-30 | Philips Electronics N.V. | Method of treating a portion of a surface using a scanning laser beam |
WO1998017433A3 (en) * | 1996-10-21 | 1998-06-25 | Philips Electronics Nv | Method of treating a portion of a surface using a scanning laser beam |
EP2299496A3 (de) * | 2009-09-17 | 2016-08-24 | Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils |
WO2022198249A3 (de) * | 2021-03-24 | 2022-11-24 | Trotec Laser Gmbh | Verfahren zum festlegen eines laser-ansteuersignals für unterschiedliche lasertypen und laserplotter sowie galvo-markierlaser hierfür |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08141758A (ja) | 1996-06-04 |
US5719372A (en) | 1998-02-17 |
DE19542973C2 (de) | 1997-09-04 |
JP2682475B2 (ja) | 1997-11-26 |
KR0185231B1 (ko) | 1999-04-01 |
KR960017038A (ko) | 1996-06-17 |
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---|---|---|
DE19542973C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Markieren von Werkstücken mittels Laserstrahl | |
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