JPH02133185A - 半導体装置のレーザマーキング方法 - Google Patents

半導体装置のレーザマーキング方法

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JPH02133185A
JPH02133185A JP63282339A JP28233988A JPH02133185A JP H02133185 A JPH02133185 A JP H02133185A JP 63282339 A JP63282339 A JP 63282339A JP 28233988 A JP28233988 A JP 28233988A JP H02133185 A JPH02133185 A JP H02133185A
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resin
laser beam
semiconductor device
laser
laser light
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JP63282339A
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English (en)
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Shizukatsu Nakamura
中村　倭勝
Saonori Hieda
稗田　佐百規
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置のレーザマーキング方法、特に
、例えばＹＡＧレーザにより樹脂封止形半導体装置の樹
脂表面にマーキングを行う方法に関するものである。
［従来の技術］ 第１図は従来のＹＡＧレーザを用いたマーキング方法に
使用されるＹＡＧレーザマーキング装置を概略的に示す
構成図であり、図において、レーザ光発生装置（１）に
よってレーザ光（２）例えばパルスレーザ光を発生させ
、発生したレーザ光（２）はミラー（３）によりレーザ
光整形部（４）に導かれ、ここで文字等のマークが刻ま
れたマスク（５）とほぼ同じ大きさとなるように整形さ
れる。整形されたレーザ光（２）は、マスク（５）を通
過することによって文字等の形状となった後、ミラー（
６）及び集光レンズ（７）を介して半導体装置（８）を
封止している樹脂例えばエポキシ樹脂の表面に照射され
、文字等のマークが樹脂表面上に刻印される。
従来のレーザマーキング方法は上記のように行われ、半
導体装置（８）の封止樹脂に照射されるレーザ光（２）
のパルス幅は０．２〜数ｍｓ（ミリ秒）程度、エネルギ
ーは３〜６０　Ｊ／ａｍ”程度、ビーム径は数ｌ１１１
ｍ〜士数端−程度のものが使用されている。
［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなレーザマーキング方法では、半導体装置の
封止樹脂をレーザ光により刻印する際に、樹脂を焼いた
”かす”の発生量が多く、レーザ光を照射しただけでは
この樹脂がすのために文字が明瞭に見えないので、この
樹脂かすを例えばアルコールをつけた布等で拭き取る等
の除去操作を必要とするという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、レーザマーキングによる半導体装置の樹脂の
焼けかす量を少なくし、レーザ光照射後における樹脂か
すの拭き取り等の除去操作を省略することができるレー
ザマーキング方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るレーザマーキング方法は、半導体装置の
樹脂表面に照射されるレーザ光のエネルギ密度を３〜６
０Ｊ／ｃＩＩ２、パルス幅を０　、１　ｍｓ以下、ビー
ム径を０．５〜５ＩＩ−φの範囲としたものである。
Ｃ作　用］ この発明においては、短時間で高エネルギのレーザ光を
半導体装置の樹脂表面に照射することにより樹脂を一瞬
のうちに焼いてガス化するので、レーザマーキング時に
おける樹脂の焼けかすを少なくする。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例によるレーザマーキング方
法に使用されるＹＡＧレーザマーキング装置を概略的に
示す構成図であり、上記従来方法仁使用される装置と全
く同一であり、上記従来方法と同様にレーザマーキング
が行われる。すなわち、レーザ光発生装置（１）によっ
てレーザ光（２）例えばパルスレーザ光を発生させ５発
生したレーザ光（２）はレーザ光整形部（４）に導かれ
、ここで文字等のマークが刻まれたマスク（５）とほぼ
同じ大きさとなるように整形される。整形されたレーザ
光（２）は、マスク（５）を通過することによって文字
等の形状となった後、半導体装置（８）を封止している
樹脂例えばエポキシ樹脂の表面に照射され、文字等のマ
ークが樹脂表面上に刻印される。
この発明では、半導体装置の封止樹脂表面に照射される
レーザ光のエネルギ密度を３〜６０Ｊ／ｃｍ”、パルス
幅を０．１ｍｓ以下、ビーム径を０．５〜５ＩＩＩＩφ
とする。このような所定のレーザ光は、単位時間当たり
のエネルギが高く、短時間のうちに樹脂が高温となるた
め樹脂が一瞬のうちに焼けてガス化し、焼けかすがほと
んど残らない。
従って、レーザ光を樹脂に照射した後、樹脂の焼けかす
を除去する操作は不要となる。
次に、この発明及び従来法により半導体封止樹脂にレー
ザマーキングを行い、マーキングした文字の見栄え試験
を行った。この見栄え試験は、自動文字認識装置を用い
て、レーザ光を照射した部分の樹脂と、レーザ光を照射
していない部分の樹脂とに光をあて、それぞれの反射光
の強度の差をとって電圧差（ｍＶ）で表したものである
。第２図は半導体装置封止樹脂にレーザ光を照射した直
後の樹脂かすを拭き取る前に見栄え試験を行った結果を
示す線図である０図において、横軸はレーザ光のパルス
幅（醜３）を示し、縦軸は上記自動文字認識装置による
見栄え値として反射光の強度（ｍＶ）を示す、なお、図
中、Ａはこの発明のレーザマーキング方法におけるパル
ス幅を、Ｂは従来法におけるパルス幅をそれぞれ示し、
Ｅ、はレーザ光のエネルギ密度が３Ｊ／ｃＩ６２、Ｅ、
は６０　Ｊ／ａｍ２の場合をそれぞれ示す、また、照射
したレーザ光のビーム径は約１ｍｍφであった。
この図から明らかなように、レーザ光のパルス幅が従来
法における０、２＋ｍｓを越えると見栄え値（反射光の
強度）は非常に低く文字がほとんど見えないが、パルス
幅が０　、１　ｍｓ以下では見栄え値が高く文字が十分
に見える。これは、パルス幅が０．２１以上ではレーザ
光の単位時間当たりのエネルギが低いため、半導体装置
の樹脂の燃焼温度が低く、樹脂の焼けかすが粘質状のか
すになって文字を覆っているため、マーキングされた文
字がほとんど見えないためである。これに対して、この
発明におけるレーザ光の照射条件であるレーザ光のエネ
ルギ密度を３〜６０３７ｃｍ”、パルス幅を０　、１　
ｍｓ以下とすると、単位時間当たりのエネルギが高く、
短時間のうちに樹脂が高温となるため、樹脂が一瞬のう
ちに焼けてガス化し、焼けがすがほとんど残らないとい
う燃焼状態になる。このため、この発明では従来法にお
けるようにレーザ光を照射した後に樹脂表面を拭き取る
必要がなく、マーキングされた文字が十分きれいに認識
することができる。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、半導体装置の樹脂表
面に照射されるレーザ光のエネルギ密度を３〜６０Ｊ／
ｃＩＩ２、パルス幅を０．１ｍｓ以下、ビーム径を０．
５〜５＋＊鍮φとしたので、レーザ光照射時の樹脂の焼
けかすをほとんど発生せず、レーザマーキング後の樹脂
の焼けかすの拭き取り操作が不要となる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例に使用され、また、従来の
半導体装置のレーザマーキング方法に使用されるレーザ
マーキング装置を概略的に示す構成図、第２図はこの発
明及び従来法により半導体装置封止樹脂にレーザ光を照
射した直後の見栄え評価結果を示す線図である。 図において、（１）はレーザ光発生装置、（２）はレー
ザ光、（５）はマスク、（８）は半導体装置である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光発生装置によりレーザ光を発生させ、発生した
    レーザ光を文字等のマークが刻まれたマスクとほぼ同じ
    大きさとなるように整形し、整形されたレーザ光を上記
    マスクを通過させて上記マークと同じ形状とし、次いで
    上記レーザ光を半導体装置の樹脂表面に照射してマーク
    を刻印するレーザマーキング方法であって、上記樹脂表
    面に照射されるレーザ光のエネルギ密度を３〜６０Ｊ／
    ｃｍ＾２、パルス幅を０．１ｍｓ以下、ビーム径を０．
    ５〜５ｍｍφとしてマーキングを行うことを特徴とする
    半導体装置のレーザマーキング方法。
JP63282339A 1988-11-10 1988-11-10 半導体装置のレーザマーキング方法 Pending JPH02133185A (ja)

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