JPS6234691A - レ−ザマ−キング装置 - Google Patents
レ−ザマ−キング装置Info
- Publication number
- JPS6234691A JPS6234691A JP60173577A JP17357785A JPS6234691A JP S6234691 A JPS6234691 A JP S6234691A JP 60173577 A JP60173577 A JP 60173577A JP 17357785 A JP17357785 A JP 17357785A JP S6234691 A JPS6234691 A JP S6234691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- marking
- ultrasonic
- modulating element
- laser beam
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１亙且１
本発明はＮｄ：ＹＡＧレーザ等のレーザ光線を用いて物
品に所定のパターンの刻印を行うレーザマーキング装置
に関し、特に半導体ウェーハの表面に品名、製造ロフト
番号及び管理番号等を刻印するレーザマーキング装置に
関する。
品に所定のパターンの刻印を行うレーザマーキング装置
に関し、特に半導体ウェーハの表面に品名、製造ロフト
番号及び管理番号等を刻印するレーザマーキング装置に
関する。
従来技術
物品にマーキングを行う場合、レーザ光のビークパワー
を大とするためにＱスイッチレーザすなわち共振器のＱ
値を反転分布密度に応じてスイッチ制御するレーザを用
いるのが一般的である。例えば、超音波Ｑスイッチ付Ｙ
ＡＧレーザ等が用いられるが、この場合マーキングを行
う際に最初の１ｇ１ｓの門は定常状態パルスに比較して
尖頭値が非常に大きな過渡状態パルスが生じる。このた
め文字パターンの書始め等に他の加工部分より２倍以上
も深い加工部が形成されたり、書始めの部分の線幅が広
くなる欠点がある。更に他の加工部分に比して加工塵の
飛散が大になる等の不均一性が生じている。
を大とするためにＱスイッチレーザすなわち共振器のＱ
値を反転分布密度に応じてスイッチ制御するレーザを用
いるのが一般的である。例えば、超音波Ｑスイッチ付Ｙ
ＡＧレーザ等が用いられるが、この場合マーキングを行
う際に最初の１ｇ１ｓの門は定常状態パルスに比較して
尖頭値が非常に大きな過渡状態パルスが生じる。このた
め文字パターンの書始め等に他の加工部分より２倍以上
も深い加工部が形成されたり、書始めの部分の線幅が広
くなる欠点がある。更に他の加工部分に比して加工塵の
飛散が大になる等の不均一性が生じている。
かかる問題を解決すべく、加工状態を監視しつつ過渡状
態パルスの影響が比較的少ないＱスイッチ繰返し頻度や
パワー密度を選定してマーキングすることが行われてい
る。しかしこの方法では、マーキング加工条件に応じて
過渡状態パルスを抑える必要があるので、パルス抑制の
確実性に乏しく、またＱスイッチの繰返し周波数が１Ｋ
Ｈｚ付近である場合以外はマーキングの文字等のパター
ンに過渡状態パルスの影響が現れるため、マーキングの
加工条件が限定されること等の欠点がある。
態パルスの影響が比較的少ないＱスイッチ繰返し頻度や
パワー密度を選定してマーキングすることが行われてい
る。しかしこの方法では、マーキング加工条件に応じて
過渡状態パルスを抑える必要があるので、パルス抑制の
確実性に乏しく、またＱスイッチの繰返し周波数が１Ｋ
Ｈｚ付近である場合以外はマーキングの文字等のパター
ンに過渡状態パルスの影響が現れるため、マーキングの
加工条件が限定されること等の欠点がある。
発明の目的
本発明の目的は、マーキングの加工条件の自由度が大で
あり、安定かつ確実に加工部分の均一性を維持すること
が可能な超音波Ｑスイッチレーザマーキング装置を提供
することである。
あり、安定かつ確実に加工部分の均一性を維持すること
が可能な超音波Ｑスイッチレーザマーキング装置を提供
することである。
発明の構成
本発明による超音波Ｑスイッチレーザマーキング装置は
、超音波Ｑスイッチ付きＹＡＧレーザ装置を有し、更に
レーザ装置外部に設けられた超音波変調素子を用いてシ
ャッタ手段とすることによりマーキング時の始めに生じ
る過渡状態パルスを遮断するようにしたことを特徴とし
ている。
、超音波Ｑスイッチ付きＹＡＧレーザ装置を有し、更に
レーザ装置外部に設けられた超音波変調素子を用いてシ
ャッタ手段とすることによりマーキング時の始めに生じ
る過渡状態パルスを遮断するようにしたことを特徴とし
ている。
実施例
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
図は本発明の実施例の構成を示す図であり、図において
、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置１内には超高波Ｑスイッチ２
が設けられている。更に、レーザ装置１からのレーザ光
の光路には過渡状態パルスを抑制するための外部超音波
変調素子３が設けられている。この素子３を通過したレ
ーザ光は反射ｔｉ４及びビームエキスパンダ５．ガルバ
ノ型オプティカルスキャナ６、加工集光レンズ７からな
るマーキング用光学系を介して加工物に照射される。
、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ装置１内には超高波Ｑスイッチ２
が設けられている。更に、レーザ装置１からのレーザ光
の光路には過渡状態パルスを抑制するための外部超音波
変調素子３が設けられている。この素子３を通過したレ
ーザ光は反射ｔｉ４及びビームエキスパンダ５．ガルバ
ノ型オプティカルスキャナ６、加工集光レンズ７からな
るマーキング用光学系を介して加工物に照射される。
これ等のレーザ光学系を制御すべくマーキングコントロ
ーラ８が設けられており、超音波Ｑスイッチ２はＱスイ
ッチドライバ１０を介してマーキングコントローラ８に
より制御される。またマーキングコントローラ８には例
えばパーソナルコンピュータ等のマイクロコンピュータ
９が接続されている。
ーラ８が設けられており、超音波Ｑスイッチ２はＱスイ
ッチドライバ１０を介してマーキングコントローラ８に
より制御される。またマーキングコントローラ８には例
えばパーソナルコンピュータ等のマイクロコンピュータ
９が接続されている。
かかる構成において、マイクロコンピュータ９からマー
キングスタート命令が出力され、これに応じてレーザ装
置１内の超音波Ｑスイッチ２がオンとなる。同時にマー
キングスタート命令が出力されてから約１ｍｓすなわち
過渡状態パルスが発生する期間内はレーザ装置１の外部
の超音波変調素子３がオフとされる。これによって、過
渡状態パルスが抑圧されて外部変調素子３がオンとなる
と同時に尖頭値の揃ったパルス列が出力されてビームエ
キスパンダ５．ガルバノ型オプティカルスキャナ６、加
工集光レンズ７を介して加工面に到達する。
キングスタート命令が出力され、これに応じてレーザ装
置１内の超音波Ｑスイッチ２がオンとなる。同時にマー
キングスタート命令が出力されてから約１ｍｓすなわち
過渡状態パルスが発生する期間内はレーザ装置１の外部
の超音波変調素子３がオフとされる。これによって、過
渡状態パルスが抑圧されて外部変調素子３がオンとなる
と同時に尖頭値の揃ったパルス列が出力されてビームエ
キスパンダ５．ガルバノ型オプティカルスキャナ６、加
工集光レンズ７を介して加工面に到達する。
発明の効果
本発明によれば、レーザ装置外部に設けられた超音波変
調素子を用いているので、過渡状態パルスを確実に遮断
することが可能となる。これにより、従来は過渡状態パ
ルスの影響が大になるために従来使用されていなかった
ｌ ＫＨ２付近以外の周波数帯域にもＱスイツ繰返し周
波数を拡大することが可能となり、この場合にも文字の
書始めの部分のみが、刻印深さが極端に深くなったり幅
が広くなったり、加工塵芥の飛散が激しくなったりする
問題がなくなり、幅広い条件下でマーキングをなすこと
が可能となる。また刻印の不均一部が無くなるので、美
しい形状の文字パターンが得られる利点もある。
調素子を用いているので、過渡状態パルスを確実に遮断
することが可能となる。これにより、従来は過渡状態パ
ルスの影響が大になるために従来使用されていなかった
ｌ ＫＨ２付近以外の周波数帯域にもＱスイツ繰返し周
波数を拡大することが可能となり、この場合にも文字の
書始めの部分のみが、刻印深さが極端に深くなったり幅
が広くなったり、加工塵芥の飛散が激しくなったりする
問題がなくなり、幅広い条件下でマーキングをなすこと
が可能となる。また刻印の不均一部が無くなるので、美
しい形状の文字パターンが得られる利点もある。
図は本発明の実施例の構成を示す図である。
主要部分の符号の説明
１・・・・・・レーザ装置
２・・・・・・超音波Ｑスイッチ
３・・・・・・超音波変調素子
Claims (1)
- Ｑスイッチレーザ装置と、このＱスイッチレーザ装置に
よるレーザ光の光路に設けられた超音波変調素子と、マ
ーキング用光学系と、マーキングコントローラとからな
り、前記超音波変調素子によりマーキングスタート後所
定時間前記レーザ装置からのレーザ光を遮断してマーキ
ング開始時に生じる過渡状態パルスの照射を防止するよ
うにしたことを特徴とする超音波変調素子を用いたＱス
イッチレーザマーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173577A JPS6234691A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザマ−キング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173577A JPS6234691A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザマ−キング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6234691A true JPS6234691A (ja) | 1987-02-14 |
Family
ID=15963145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60173577A Pending JPS6234691A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | レ−ザマ−キング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6234691A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4945204A (en) * | 1988-11-10 | 1990-07-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of laser-marking semiconductor devices |
| KR20030090371A (ko) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 도광판의 스크라이빙 장치 및 그 보정방법 |
| US6765936B2 (en) | 1997-03-21 | 2004-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gas laser machining apparatus |
| US7199812B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-04-03 | Fujifilm Corporation | Laser marking method |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP60173577A patent/JPS6234691A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4945204A (en) * | 1988-11-10 | 1990-07-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of laser-marking semiconductor devices |
| US6765936B2 (en) | 1997-03-21 | 2004-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Gas laser machining apparatus |
| KR20030090371A (ko) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저를 이용한 도광판의 스크라이빙 장치 및 그 보정방법 |
| US7199812B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-04-03 | Fujifilm Corporation | Laser marking method |
| US7369152B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-05-06 | Fujifilm Corporation | Laser marking method |
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