JPH0498801A - レーザートリミング装置 - Google Patents
レーザートリミング装置Info
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- JPH0498801A JPH0498801A JP2216616A JP21661690A JPH0498801A JP H0498801 A JPH0498801 A JP H0498801A JP 2216616 A JP2216616 A JP 2216616A JP 21661690 A JP21661690 A JP 21661690A JP H0498801 A JPH0498801 A JP H0498801A
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 44
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はハイブリッドＩＣの厚膜抵抗やチップ抵抗等の
素子の特性を調整するためのレーザートリミング装置に
関するものである。
素子の特性を調整するためのレーザートリミング装置に
関するものである。
（従来の技術）
近年、レーザートリミング装置は、厚膜ハイブリッドＩ
Ｃにおける厚膜抵抗の特性調整や、プリント基板上のチ
ップ抵抗の特性調整等に活用されており、高密度実装の
電子機器を生産する上で不可欠な設備となっている。
Ｃにおける厚膜抵抗の特性調整や、プリント基板上のチ
ップ抵抗の特性調整等に活用されており、高密度実装の
電子機器を生産する上で不可欠な設備となっている。
従来のレーザートリミング装置におけるＹＡＧレーザー
発振部の一構成例を第４図により説明する。第４図にお
いて、１１はレーザー発振媒体であるＹＡＧロッド、１
２はＹＡＧロッドｉｔに対して光エネルギーを供給する
ランプ、１３はランプ用電源装置、１４．１５はＹＡＧ
ロッド１１の両端の外側に配置されたフルミラーとハー
フミラ−であり、ＹＡＧロッド１１とフルミラー１４の
間にＱスイッチ素子１６が配設されている。このＱスイ
ッチ素子１６は制御装置１７にて動作制御される。
発振部の一構成例を第４図により説明する。第４図にお
いて、１１はレーザー発振媒体であるＹＡＧロッド、１
２はＹＡＧロッドｉｔに対して光エネルギーを供給する
ランプ、１３はランプ用電源装置、１４．１５はＹＡＧ
ロッド１１の両端の外側に配置されたフルミラーとハー
フミラ−であり、ＹＡＧロッド１１とフルミラー１４の
間にＱスイッチ素子１６が配設されている。このＱスイ
ッチ素子１６は制御装置１７にて動作制御される。
次に、その動作を第５図及び第６図を参照して説明する
。第５図（萄、ｂ）には、Ｑスイッチ素子１６の動作と
レーザー出力の関係を示しである。即ち、Ｔ、の時間間
隔でＱスイッチ素子１６を人にすることによって、ｔ＋
％ ｔ−１、ｊ３・・・のように所定の出力Ｐ１のト
リミング用レーザー発振が行われるのである。その動作
は、ＹＡＧロッド１１がランプ１２の強力な光によって
励起されている状態で制御装置１７からの信号にてＱス
イッチ素子１６を人にすることによって、フルミラー１
４とハーフミラ−１５の間で光路ができ、誘導発光が起
き、レーザー発振が起こるのである。
。第５図（萄、ｂ）には、Ｑスイッチ素子１６の動作と
レーザー出力の関係を示しである。即ち、Ｔ、の時間間
隔でＱスイッチ素子１６を人にすることによって、ｔ＋
％ ｔ−１、ｊ３・・・のように所定の出力Ｐ１のト
リミング用レーザー発振が行われるのである。その動作
は、ＹＡＧロッド１１がランプ１２の強力な光によって
励起されている状態で制御装置１７からの信号にてＱス
イッチ素子１６を人にすることによって、フルミラー１
４とハーフミラ−１５の間で光路ができ、誘導発光が起
き、レーザー発振が起こるのである。
（発明が解決しようとする課Ｈ）
しかしながら、上記のような構成では、例えば第６図（
→、（ロ）に示すように、Ｑスイッチ素子１６の人の周
期をＴ、・に変更してレーザー発振の周波数を下げた場
合、ＹＡＣロッド１１に蓄積される反転分布状態が進む
ため、レーザー出力がＰ２に増大することになる。この
ように、レーザーパルスのビークパワーを制御する手段
が無いため、ランプ１２の電源を制御してもレーザーパ
ルスのピークパワーの増大を招き、被加工物、即ち抵抗
体に加わる熱量が著しく変化し、マイクロクラック等の
発生を促すという問題があった。
→、（ロ）に示すように、Ｑスイッチ素子１６の人の周
期をＴ、・に変更してレーザー発振の周波数を下げた場
合、ＹＡＣロッド１１に蓄積される反転分布状態が進む
ため、レーザー出力がＰ２に増大することになる。この
ように、レーザーパルスのビークパワーを制御する手段
が無いため、ランプ１２の電源を制御してもレーザーパ
ルスのピークパワーの増大を招き、被加工物、即ち抵抗
体に加わる熱量が著しく変化し、マイクロクラック等の
発生を促すという問題があった。
本発明は、上記問題点に鑑み、レーザーパルスのビーク
パワーを制御してマイクロクラック等の発生を抑え、高
精度のトリミングが可能なレーザートリミング装置を提
供することを目的とする。
パワーを制御してマイクロクラック等の発生を抑え、高
精度のトリミングが可能なレーザートリミング装置を提
供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するため、レーザー発振媒体
とランプとフルミラーとハーフミラ−とＱスイッチ素子
を備えたレーザー発振器のレーザー光出射方向前部位置
に遮光ゲートを配置し、Ｑスイッチ素子と遮光ゲートの
動作時期を関連させて制御する制御装置を設けたことを
特徴とする。
とランプとフルミラーとハーフミラ−とＱスイッチ素子
を備えたレーザー発振器のレーザー光出射方向前部位置
に遮光ゲートを配置し、Ｑスイッチ素子と遮光ゲートの
動作時期を関連させて制御する制御装置を設けたことを
特徴とする。
（作 用）
本発明の上記構成によれば、遮光ゲートを設けたことに
より、Ｑスイッチ素子を人にしてレーザー発振を起こさ
せてもそのレーザー光をトリミング部まで導くか否かは
遮光ゲートの大切によって選択することができる。その
ため制御装置にてＱスイッチ素子と遮光ゲートを関連さ
せて制御し、トリミング部まで導くためのレーザー発振
とその直前のレーザ発振との間の時間間隔を同一にする
ことによってレーザーパルスのビークパワー１１−にす
ることができる。即ち、レーザ発振パルスの周波数を変
化させるときに、トリミング部に導くためのレーザ発振
の適当時間前に、遮光ゲートを切にしてレーザー光をト
リミング部まで導かないようにした状態でＱスイッチ素
子を人にしてダミー発振を行うことにより、トリミング
部に導くためのレーザー発振時のレーザー発振媒体の反
転分布状態を制御することができ、トリミング部に導（
レーザーパルスのピーク出力を制御することができる。
より、Ｑスイッチ素子を人にしてレーザー発振を起こさ
せてもそのレーザー光をトリミング部まで導くか否かは
遮光ゲートの大切によって選択することができる。その
ため制御装置にてＱスイッチ素子と遮光ゲートを関連さ
せて制御し、トリミング部まで導くためのレーザー発振
とその直前のレーザ発振との間の時間間隔を同一にする
ことによってレーザーパルスのビークパワー１１−にす
ることができる。即ち、レーザ発振パルスの周波数を変
化させるときに、トリミング部に導くためのレーザ発振
の適当時間前に、遮光ゲートを切にしてレーザー光をト
リミング部まで導かないようにした状態でＱスイッチ素
子を人にしてダミー発振を行うことにより、トリミング
部に導くためのレーザー発振時のレーザー発振媒体の反
転分布状態を制御することができ、トリミング部に導（
レーザーパルスのピーク出力を制御することができる。
従って、加工に使用するレーザー光の発振周波数を変化
させる際などに、ダミー発振からの経過時間を制御装置
にて制御することにより加工用のレーザー発振時に所望
のビークパワーの発振を得ることができ、マイクロクラ
ック等の発生を抑え、高精度のトリミングが可能となる
。
させる際などに、ダミー発振からの経過時間を制御装置
にて制御することにより加工用のレーザー発振時に所望
のビークパワーの発振を得ることができ、マイクロクラ
ック等の発生を抑え、高精度のトリミングが可能となる
。
（実施例）
以下、本発明の一実施例のレーザトリミング装置を第１
図〜第３図を参照しながら説明する。
図〜第３図を参照しながら説明する。
第１図はレーザトリミング装置のＹＡＧレーザー発振部
を示す、第１図において、１はレーザー発振媒体である
ＹＡＧロッド、２はこのＹＡＧロッド１に対して光エネ
ルギーを供給するランプ、３はランプ用電源装置である
。４はＹＡＧロッド１のレーザー光出射方向とは反対側
端部の外側に配置されたフルミラー、５はＹＡＧロッド
１のレーザー光出射方向の端部の外側に配置されたハー
フミラ−１６・はＹＡＧロッド１とフルミラー４の間に
配置されたＱスイッチ素子である。これらＹＡＧロッド
エ、ランプ２、フルミラー４、ハーフミラ−５、Ｑスイ
ッチ素子６にてレーザー発振器７が構成されている。こ
のレーザー発振器７のレーザー光出射方向前部位置、即
ちハーフミラ−５の前部位置に遮光ゲート８が配置され
ている。そして、Ｑスイッチ素子６及び遮光ゲート８の
動作を関連付けて制御する制御装置９が設けられている
。
を示す、第１図において、１はレーザー発振媒体である
ＹＡＧロッド、２はこのＹＡＧロッド１に対して光エネ
ルギーを供給するランプ、３はランプ用電源装置である
。４はＹＡＧロッド１のレーザー光出射方向とは反対側
端部の外側に配置されたフルミラー、５はＹＡＧロッド
１のレーザー光出射方向の端部の外側に配置されたハー
フミラ−１６・はＹＡＧロッド１とフルミラー４の間に
配置されたＱスイッチ素子である。これらＹＡＧロッド
エ、ランプ２、フルミラー４、ハーフミラ−５、Ｑスイ
ッチ素子６にてレーザー発振器７が構成されている。こ
のレーザー発振器７のレーザー光出射方向前部位置、即
ちハーフミラ−５の前部位置に遮光ゲート８が配置され
ている。そして、Ｑスイッチ素子６及び遮光ゲート８の
動作を関連付けて制御する制御装置９が設けられている
。
以上のように構成されたレーザートリミング装置のＹＡ
Ｇレーザー発振部の動作を第１図及び第２図を参照して
説明する。第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はＱスイッチ
素子６の動作と遮光ゲート８の動作とレーザー出力の関
係を示している。即ち、周期Ｔ０のｔ、とｔ、のタイミ
ング及びｔ３のタイミングより所定時間Ｔ、だけ前のｔ
２のタイミングでＱスイッチ素子６を人にするとともに
、周期Ｔ０のｔｌとｔ、のタイミングで遮光ゲート８を
人にすることによって、ｔＩ−、Ｌ３・・・のように所
定周期Ｔ０の周波数でピークパワーがＰのトリミング用
レーザー発振が行われるのである。その動作は、ＹＡＧ
ロッドｌがランプ２の強力な光によって励起されている
状態で制御装置９からの信号にてＱスイッチ素子６を人
とすることによって、フルミラー４とハーフミラ−５の
間で光路ができ、誘導発光が起き、レーザー発振が起こ
る。そこで、ｔｌとｔ、のトリミング用レーザー発振の
場合には制御装置９からの信号によって遮光ゲート８を
人にしておきレーザー光をトリミング部まで導く。
Ｇレーザー発振部の動作を第１図及び第２図を参照して
説明する。第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）はＱスイッチ
素子６の動作と遮光ゲート８の動作とレーザー出力の関
係を示している。即ち、周期Ｔ０のｔ、とｔ、のタイミ
ング及びｔ３のタイミングより所定時間Ｔ、だけ前のｔ
２のタイミングでＱスイッチ素子６を人にするとともに
、周期Ｔ０のｔｌとｔ、のタイミングで遮光ゲート８を
人にすることによって、ｔＩ−、Ｌ３・・・のように所
定周期Ｔ０の周波数でピークパワーがＰのトリミング用
レーザー発振が行われるのである。その動作は、ＹＡＧ
ロッドｌがランプ２の強力な光によって励起されている
状態で制御装置９からの信号にてＱスイッチ素子６を人
とすることによって、フルミラー４とハーフミラ−５の
間で光路ができ、誘導発光が起き、レーザー発振が起こ
る。そこで、ｔｌとｔ、のトリミング用レーザー発振の
場合には制御装置９からの信号によって遮光ゲート８を
人にしておきレーザー光をトリミング部まで導く。
一方、１．のダミー発振の場合は遮光ゲート８を切にし
、レーザー光を外部に出さない。
、レーザー光を外部に出さない。
次に、トリミング用レーザー発振の周波数を下げる場合
について説明する。第３図（ａ）、Φ）、（Ｃ）に示す
ように、周期をＴ、・に変更した場合にも、ダミー発振
からトリミング用発振までの時間間隔Ｔ、を一定に保つ
ように制御装置９にてＱスイッチ素子６及び遮光ゲート
８を動作させることにより、周期Ｔ０・の周波数でピー
クパワーがＰのトリミング用レーザー発振が行われるの
である。
について説明する。第３図（ａ）、Φ）、（Ｃ）に示す
ように、周期をＴ、・に変更した場合にも、ダミー発振
からトリミング用発振までの時間間隔Ｔ、を一定に保つ
ように制御装置９にてＱスイッチ素子６及び遮光ゲート
８を動作させることにより、周期Ｔ０・の周波数でピー
クパワーがＰのトリミング用レーザー発振が行われるの
である。
以上のように本実施例によれば、Ｑスイッチ素子６と遮
光ゲート８を制御装置９にて関連付けて制御して、トリ
ミング用発振の所定時間前にトリミング部に導かないダ
ミー発振を行うことにより、トリミング用発振の周波数
を変化させた場合にもレーザーパルスのピークパワーを
一定に保つことができる。
光ゲート８を制御装置９にて関連付けて制御して、トリ
ミング用発振の所定時間前にトリミング部に導かないダ
ミー発振を行うことにより、トリミング用発振の周波数
を変化させた場合にもレーザーパルスのピークパワーを
一定に保つことができる。
（発明の効果）
本発明によれば、制御装置にてＱスイッチ素子と遮光ゲ
ートを関連させて制御し、トリミング部まで導くための
レーザー発振と、その直前のダミーのレーザー発振との
間の時間を制御することによってトリミング部に導くレ
ーザーパルスのピークパワーを制御することができ、従
って加工用のレーザー発振の周波数が変化する場合にも
所望のピークパワーの発振を得ることができ、熱的変動
を少なく抑えてマイクロクラック等の発生を防止でき、
高精度のトリミングが行えるという効果を発揮する。
ートを関連させて制御し、トリミング部まで導くための
レーザー発振と、その直前のダミーのレーザー発振との
間の時間を制御することによってトリミング部に導くレ
ーザーパルスのピークパワーを制御することができ、従
って加工用のレーザー発振の周波数が変化する場合にも
所望のピークパワーの発振を得ることができ、熱的変動
を少なく抑えてマイクロクラック等の発生を防止でき、
高精度のトリミングが行えるという効果を発揮する。
第１図は本発明の一実施例におけるレーザートリミング
装置のレーザー発振部の構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）
は同Ｑスイッチの動作と遮光ゲートの動作とレーザー出
力の関係を示すグラフ、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同トリ
ミング周波数を異ならせた場合におけるＱスイッチの動
作と遮光ゲートの動作とレーザー出力の関係を示すグラ
フ、第４図は従来例におけるレーザートリミング装置の
レーザー発振部の構成図、第５図（萄、（ロ）は同Ｑス
イッチの動作とレーザー出力の関係を示すグラフ、第６
図（ａ）、（ロ）は同トリミング周波数を異ならせた場
合におけるＱスイッチの動作とレーザー出力の関係を示
すグラフである。 ４−・−・・−−−−−・・・ ５−・・・・・−−−−−一・ ６・・−・−・・・・・ ７−・・−・・−・・・ ８−・−・・・・・・・−・ ９・・・−・−・−・・−・ フルミラー ハーフミラ− Ｑスイッチ素子 レーザー発振器 遮光ゲート 制御装置。
装置のレーザー発振部の構成図、第２図（ａ）〜（Ｃ）
は同Ｑスイッチの動作と遮光ゲートの動作とレーザー出
力の関係を示すグラフ、第３図（ａ）〜（Ｃ）は同トリ
ミング周波数を異ならせた場合におけるＱスイッチの動
作と遮光ゲートの動作とレーザー出力の関係を示すグラ
フ、第４図は従来例におけるレーザートリミング装置の
レーザー発振部の構成図、第５図（萄、（ロ）は同Ｑス
イッチの動作とレーザー出力の関係を示すグラフ、第６
図（ａ）、（ロ）は同トリミング周波数を異ならせた場
合におけるＱスイッチの動作とレーザー出力の関係を示
すグラフである。 ４−・−・・−−−−−・・・ ５−・・・・・−−−−−一・ ６・・−・−・・・・・ ７−・・−・・−・・・ ８−・−・・・・・・・−・ ９・・・−・−・−・・−・ フルミラー ハーフミラ− Ｑスイッチ素子 レーザー発振器 遮光ゲート 制御装置。
Claims (1)
- （１）レーザー発振媒体とランプとフルミラーとハーフ
ミラーとＱスイッチ素子を備えたレーザー発振器のレー
ザー光出射方向前部位置に遮光ゲートを配置し、Ｑスイ
ッチ素子と遮光ゲートの動作時期を関連させて制御する
制御装置を設けたことを特徴とするレーザートリミング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2216616A JPH0498801A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | レーザートリミング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2216616A JPH0498801A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | レーザートリミング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0498801A true JPH0498801A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16691224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2216616A Pending JPH0498801A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | レーザートリミング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0498801A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719372A (en) * | 1994-11-17 | 1998-02-17 | Nec Corporation | Laser marking system and method using controlled pulse width of Q-switch |
| SG108274A1 (en) * | 2000-09-25 | 2005-01-28 | Laserfront Technologies Inc | Laser processing device |
| US7227098B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-06-05 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and system for decreasing the effective pulse repetition frequency of a laser |
| US7372878B2 (en) | 2004-08-06 | 2008-05-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and system for preventing excessive energy build-up in a laser cavity |
| US7425471B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-09-16 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis with cross-axis offset |
| US7435927B2 (en) | 2004-06-18 | 2008-10-14 | Electron Scientific Industries, Inc. | Semiconductor link processing using multiple laterally spaced laser beam spots with on-axis offset |
| US7629234B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots with joint velocity profiling |
| US7633034B2 (en) | 2004-06-18 | 2009-12-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots overlapping lengthwise on a structure |
| US7687740B2 (en) | 2004-06-18 | 2010-03-30 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laterally spaced laser beam spots delivering multiple blows |
| US7935941B2 (en) | 2004-06-18 | 2011-05-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis on non-adjacent structures |
| US8148211B2 (en) | 2004-06-18 | 2012-04-03 | Electro Scientific Industries, Inc. | Semiconductor structure processing using multiple laser beam spots spaced on-axis delivered simultaneously |
| US8193468B2 (en) | 2001-03-29 | 2012-06-05 | Gsi Group Corporation | Methods and systems for precisely relatively positioning a waist of a pulsed laser beam and method and system for controlling energy delivered to a target structure |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP2216616A patent/JPH0498801A/ja active Pending
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| US7608800B2 (en) | 2004-08-06 | 2009-10-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Methods and systems for decreasing the effective pulse repetition of a laser |
| US7227098B2 (en) | 2004-08-06 | 2007-06-05 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and system for decreasing the effective pulse repetition frequency of a laser |
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