DE1947026B2 - Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten an Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Metallkontakten an Halbleiterbauelementen

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William John Somerville Greig
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2940200A1 (de) * 1979-09-05 1981-03-19 BBC AG Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Kontaktanordnung fuer ein halbleiterbauelement

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700569A (en) * 1971-09-10 1972-10-24 Bell Telephone Labor Inc Method of metallizing devices
JPS5174735U (enExample) * 1974-12-06 1976-06-11
EP0312965B1 (de) * 1987-10-23 1992-12-30 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines planaren selbstjustierten Heterobipolartransistors
KR102721283B1 (ko) 2019-03-26 2024-10-23 주식회사 발카 톱니형 메탈 개스킷

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2940200A1 (de) * 1979-09-05 1981-03-19 BBC AG Brown, Boveri & Cie., Baden, Aargau Kontaktanordnung fuer ein halbleiterbauelement

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