DE1937755A1 - Halbleiter-Baugruppe und -Vorrichtung mit ummanteltem Traegerleitungsaufbau und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Description

DIPL.-ING. FRANZ WERDERMANN PATENTANWALT

2 HAMBURG 13

INNOCENTIASTRASSE 30 TELEFON 452139

2 4. Jl)Li

T5.37755

S. 6914-5 I¹I.

Signetics Corporation, Sunnyvale, Kalif.(V.St.A.)

Halbleiter-Baugruppe und -Vorrichtung mit ummanteltem Trägerleitungsaufbau und Verfahren zur Herstellung derselben.

Pur diese Patentanmeldung wird die Priorität aus der entsprechenden U.S. Anmeldung Serial No. 748 070 vom 26. Juli 1968 in Anspruch genommen.

In der Oktober/November-Ausgabe 1966 der Berichte der Bell laboratories wird beschrieben, daß die Bell Telephone Laboratories Ine« eine Trägerleitungstechnik für Halbleitervorrichtungen und integrierte Schaltungen entwickelt haben* Es hat sich gezeigt, daß bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen und integierten' Schaltungen unter Anwendung dieser Technik die einzelnen Torrichtungen durch einen Luftzwischenraum voneinander getrennt sind und daß die dabei verwendeten Trägerleitungen über den Rand des Siliziumsubstrats-oder des Körpers, in welchem die Vorrichtungen ausgebildet sind, hinaus vorstehen. Der Halbleiterkörper ist dabei der freien Atmosphäre und der Feuchtigkeit ausgesetzt. Zwecks Vermeidung von Betriebsstörungen zwischen den über den Rand des Körpers hinaus vorstehenden Leitungsabschnitten wird das Silizium durch Ätzen so weit entfernt, daß sich

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ORIGiNAL INSPECTED

das Siliziumsubstrat in einem Abstand unterhalb der dünnen Isolierschicht befindet, welche das Substrat überlagert. Es hat sich jedoch gezeigt, daß auch bei einer derartigen Konstruktion immer noch Kurzschlüsse auftreten, besonders dann, wenn die Trägerleitungen mit einem Leitungssystem verkittet sind, das seinerseits fest mit einem anderen Substrat verbunden ist· In der Praxis kommt es häufig vor, daß das Metall während des Verkittens auf das Substrat zurückgedrückt wird und in manchen fällen die Schicht aus dem isolierenden Material, welche das Substrat überlagert, bricht, oder daß die Leitung selbst gegen den Siliziumkörper gedrückt wird, so daß die Leitung in eine Berührung mit dem blanken Silizium kommt und das Entstehen eines Kurzschlusses ermöglicht.

Durch die Erfindung soll daher eine Halbleiter-Baugruppe und eine Halbleiter-Vorrichtung angegeben werden, deren (Erägerleitungsaufbau so beschaffen ist, daß der ein oder mehrere Schaltungselemente tragende Körper jeder Halbleitervorrichtung eingekapselt oder ummantelt ist. Die Schaltungselemente der Halbleitervorrichtung sollen dabei durch eine Übergangszone, durch Luft oder dielektrisch isoliert sein.

Weiterhin bezweckt die Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Baugruppe und einer Halbleiter-Vorrichtung anzugeben, nach welchem der Körper jeder

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ein oder mehrere Schaltungselemente tragendeiiHalbleiter-Vorrichtung durch eine Schicht aus einem isolierenden Material ummantelt wird und nach welchem zur gegenseitigen Isolation zwischen den Vorrichtungen Luft verwendet wird. Die mittels dee Verfahrens herzustellenden Vorrichtungen sollen durch eine Übergangszone, durch Luft oder dielektrisch isoliert sein.

Die erfindungsgemäß vorgeschlagene Halbleiter-Baugruppe besteht aus einem Körper aus Halbleitermaterial, der eine ebene Oberfläche aufweist. Wenigstens eine aktive Halbleiter-Vorrichtung ist innerhalb des Halbleiterkörpers mittels Übergangszonen ausgebildet, die bis zur Oberfläche geführt sind. Der Hallsleiterkörper trägt Leitungen, die in Berührung mit der aktiven Vorrichtung stehen. Die Leitungen sind so ausgebildet, daß sie über die äußeren Abmessungen des Körpers hinausgeführt sind. Der Körper ist durch eine Schicht aus Isolationsmaterial ummantelt, die in Berührung mit den Abschnitten der Leitungen steht, welche über den Körper hinausgeführt sind und sich in unmittelbarer Nähe des Körpers befinden. Der Körper aus Halbleitermaterial mit der Schicht aus Isolationsmaterial wird von Luft umgeben» Wenn mehrere Halbleitervorrichtungen verwendet werden, sind sie durch Leitungen miteinander verbunden, jedoch an allen anderen Stellen durch Luft voneinander getrennt. Das erfindungsgemäß vorgeschlagene Verfahren zur Herstellung derartiger Vorrichtungen läßt sich auf Vor-

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richtungen anwenden, die durch eine Übergangszone, durch Luft oder dielektrisch isoliert sind.

Weitere Merkmale der Erfindung sind aus der nachfolgenden Beschreibung einiger bevorzugter Ausftihrungsbeispiele in Verbindung mit den Zeichnungen ersichtlich.

Figuren 1-6 sind Querschnittedarstellungen und zeigen aufeinander folgende Verfahrensechritte bei der Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung nach der Erfindung, in welcher eine Obergangszonenisolation verwendet wird.

Figuren 7 u.8 sind QuerschnittsdarStellungen, die bestimmte Verfahrensschritte zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung und einer Halbleiter-Baugruppe nach der Erfindung darstellen, in welchen Luftisolation verwendet wird.

Figuren 9-11 sind Querschnittsdarstellungen und zeigen

bestimmte Verfahreneschritte des erfindungs· gemäßen Verfahrene zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung unter Verwendung dielektrischer Isolation.

Figuren 12-19 sind Querschnittsdarstellungen und zeigen ·. bestimmte Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und einer Halblelter-

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Baugruppe mit epitaxial gewachsenen Abschnitten.

Fig. 20 ist eine Draufsicht auf eine typische Halbleitervorrichtung unter Verwendung des ummantelten Trägerleitungsaufbaues nach der Erfindung_β

Figuren 21-30 sind Querschnittsdarstellungen und zeigen bestimmte Verfahrenssehritte zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung und einer Halbleiter-Baugruppe.

In den Figuren 1 - 6 ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Vorrichtung und einer Halbleiter-Baugruppe nach der Erfindung dargestellt, in welchen zur elektrischen !Trennung oder gegenseitigen Isolation der Schaltungselemente Übergangszonenisolation verwendet wird. Die Herstellung der Halbleitervorrichtung und/oder «»Baugruppe beginnt damit, daß ein Halbleiterkörper 11 eines geeigneten Typs wie beispielsweise eine Scheibe oder eine !Platte eines einkristall!·» sehen oder monokristallinen Siliziums verwendet wird, wobei der Körper 11 entweder aus reinem Silizium besteht oder und in Abhängigkeit von dem Typ der gewünschten aktiven Vorrichtung und dem Typ der herzustellenden Halbleiter-Baugruppe dotiert ist, um entweder n- oder p-Leitfäblgkeit zu besitzen. Wie hier dargestellt, kann der Körper 11 so dotiert Oder gedopt sein, daß er eine p~£eitfEiligkeit besitzt. Der Körper weist in einem gegenseitigen Abstand zueinander parallele

obere und untere Oberflächen 12 bzw. 13 auf. Beide Oberflächen sind unter sehr engen Toleranzen eben geschliffen.

In der in Fig. 2 dargestellten Weise sind Gräben 16 innerhalb des Körpers vorgesehen und zu einer Oberfläche hin geöffnet, wie beispielsweise die oberfläche 15. Die Gräben 16 bilden ein Gitterartiges Nets, das sich über die ganze, zur Herstellung dienende Platte erstreckt, Die

fc Gräben 16 haben die Form von Nuten oder Ausnehmungen innerhalb des Körpers 11 und können auf jede geeignete Weise hergestellt werden* Die Herstellung der Gräben kann beispielsweise entsprechend der in einer weiteren Patentanmeldung der Anmelderin, der US-Anmeldung Serial No. 391 704» Anmelde tag 24. August 1964 beschriebenen Weise erfolgen, . nach welcher eine Siliziumd!oxidschicht 14 auf dem Halbleiterkörper 11 ausgebildet wird, so daß wenigstens die Oberfläche 13 bedeckt ist. Dann wird eine sensibilisierte Schicht, ein sogenanntes "photoresist" auf die Siliziumdioxidschicht

" aufgebracht und durch eine Maske hindurch belichtet, welche das Muster für die Gräben 16 enthält. Die sensibilisierte Schicht wird dann entwickelt und die unbelichteten Stellen werden entfernt. Vermittels eines geeigneten Ätzmittels wie beispielsweise einer verdünnten lösung von Fluorwasserstoffsäure wird die Siliziumdioxidschicht an den durch die seneibilisierte Sohicht hindurch freiliegenden Stellen entfernt, tie der monolcrietalline Halbleiterkörper 11 freiliegt. Unter-Verwendung der OxidBciiicht 14 als Maske werden nun die Gräben

in dem Halbleiterkörper 11 durch ein weiteres Ätzmittel wie beispielsweise eine Mischung von Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure hergestellt, das vorzugsweise das SiIiziumjedoch nicht das Siliziumdioxid angreift. Dieser Vorgang wird so lange fortgesetzt, bis die Gräben 16 auf die gewünschte Tiefe ausgeätzt worden sind.

Andererseits kann zum Ausschneiden der Gräben 16 in dem Körper 11 auch ein anleotroplsches Ätzmittel beispielsweise Kaliuahydroxid verwendet werden. Ein derartiges Ätzmittel folgt typischerweise den Kristallehenen des den Körper 11 bildenden Kristalls, so daß die Gräben unter Winkeln geneigte Seitenwände 17 erhalten« wie Pig. 2 zeigt. Wenn Silizium auf diese Weise geätzt wird, schließen die Seitenwände einen Winkel von 54 »7° mit der Oberfläche 13 ein. Der Ätsvorgang findet so lange statt, bis sich die Seitenwände 1? treffen und ein T bilden oder bis das Ätzmittel entfernt wird. Die Gräben 16 werden bei ihrer Herstellung bis zu einer vorbestimmten Tiefe ausgeätzt, die durch die Bodenwände 18 vorgegeben ist und teilweise durch die Tiefe für die Kollektorbereiche der in der nachstehend beschriebenen Weise herzustellenden aktiven Schaltungselemente bestimmt ist.

Sobald die Gräben 16 vollständig ausgebildet sind, wird die Isolationsschicht 14 innerhalb der Gräben 16 ausgebildet, indem der Halbleiter bei hoher Temperatur einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt wird, so daß sich eine durchgehende

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Isolationsschicht 14 "bildet, die in. die Gräben 16 hineinreicht und die Seitenwände 17 und die Bodenwände 18 der Gräben bedeckt. Andererseits kann ggf. die Schicht 14 nach Ausbildung der Gräben 16 vollständig entfernt werden und die Schicht 14 bei erhöhten Temperaturen in einer oxidierenden Atmosphäre vollständig neu ausgebildet werden. Die Schicht 14 kann aus jedem geeigneten Isolationsmaterial wie beispielsweise Siliziumnitrid, oder Aluminiumoxid her-" gestellt werden. Das Siliziumoxid und das Siliziumnitricü lassen eich als Siliziumverbindungen bezeichnen. Typischerweise soll die Dicke der Schicht 14 zur Herstellung der gewünschten Isolation eine Dicke von 1 bis 3/U aufweisen.

Ein Trägerkörper 21 aus einem geeigneten Material wie beispielsweise aus polykristallinem Silizium wird in der in Fig. 3 dargestellten Weise auf der Schicht 14 in gleicher Weise ausgebildet, wie in der bereits erwähnten weiteren US-Patentanmeldung Serial No. 391 704 der glei-" chen Anmelderin dargelegt ist. Wie in dieser früheren Anmeldung ausgeführt, kann der polykristalline Trägerkörper

21 in einem epitaxialen Reaktor auf eine geeignete Stärke von 100 bis 200 /U aufgedampft werden.

Im nächsten Verfahrensschritt wird die Außenfläche

22 des Trägerkörpers 21 eben abgeechliffen, so daß sie parallel zur Oberfläche 12 ist. Dann wird der größte Teil des Siliziumkörpers 11 durch Abschleifen des Siliziumkristallkörpers in einer allgemein parallel zur Oberfläche

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12 und in der Nähe der Isolationsschicht 14 in den Gräben 16 liegenden Sbene entfernt. Als nächstes wird der in Fig. 3 dargestellte Aufbau poliert, bis die Gräben allgemein entlang der gestrichelten Linie A-A der Mg.. 3 freiliegen. Dadurch werden Inseln 24 aus monokristallinesi -Halbleitermaterial gebildet, die den Halbleiterkörper 11 bilden und durch die übrigbleibenden Abschnitte der Isolationsschicht 14 dielektrisch gegeneinander isoliert sind α Wie Fig. 3 zeigt, ist es wünschenswert, die Abschnitte der Isolationsschicht 14 zu entfernen, welche die Bodenwände 18- der Gräben 16 bedecken* um dadurch den polykristallinen Trägerkörper 21 freizulegen. Mit anderen Worten, die höchsten Punkte der Oxidschicht 14 werden entfernt.

Die Inseln 24 weisen ebene, freiliegende Oberflächen 26 auf. Diese Oberflächen 26 werden zusammen mit der ganzen, freiliegenden Oberfläche des in Mg, 4 dargestellten Aufbaues mit einer Schicht 28 eines geeigneten Isolationsmaterials wie z.B. Silizlumäioxid bedeckt, intern der Aufbau bei erhöhter Temperatur in eine oxidierende· Atmosphäre eingebracht wird. Man läßt diese Oxidschicht wiederum auf eine.geeignete Dicke wie beispielsweise 1 bis 3M wachsen.

Dann werden * wie 3£ig. 5 zeigt* wenigstens eine: und ■vorzugsweise mehrere aktive Vorrichtungen 29 in jeder Insel in einer solchen Weise ausgebildet, daß die aktiven TorKi.cn- · tungen innerhalb Jeder I sei öureli pn-tibergänge gegenseitig isoliert sind * Außerdem, können in, äen Inseln 24 passive·

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Vorrichtungen, wie beispielsweise diffundierte Widerstände ausgebildet werden. Die Ausbildung derartiger Vorrichtungen ist dem Fachmann bekannt und erfolgt unter Verwendung herkömmlicher Maskierungs- und Diffusionstechniken, bei denen die Ausbildung der Transistoren durch einen dreifachen Diffusionsprozeß gekennzeichnet ist, durch welchen ein n-Kollektorbereich 31 durch eine napfförmige pn-Ühergangszone 32 gebildet wird, die sich bis zu der Oberfläche 26 erstreckt. Ein p-Basisbereich 33 wird durch eine versetzt angeordnete, napfförmige .Übergangszone 54 gebildet, die sich innerhalb der napfförmigen Übergangs zone 32 befindet und tris zu der Oberfläche 26 geführt is^t. Ein Eraitterbe— reich 36 wird durch eine napfförmige Übergangs zone innerhalb der Übergangszone 34 gelbildet und ist ebenfalls bis zur Oberfläche 26 geführt» Auf diese Weise werden somit npn-Iransistoren hergestellt» Falls erwünscht, können auch Transistoren des entgegengesetzten Typs in einer dem Fachmann bekannten; Weise hergestellt werden* indem der Halbleiterkörper 1t mit einer nr-V^runreinigung dotiert wird.

Während der Zeit, in welcher Öffnungen für die Emitteri-

diffusion in der Schicht 28 ausgebildet werden, ist die Har-

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kierung so beschaffen, daß das Oxid, welches die Grräben 16 überlagert, entfernt wird. Während ier auschlieBenden Emitter*· Diffusion wächst; wiederum eine sehr dünne Oxidschicht in den die Gräben 16 überlagernden Bereichen, wie in ten Fig« 5 6 dTirch das^ Bezugszeichen 58 angedeiitBt-ist·: Hx&mm

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Oxidschicht hat typischerweise eine Dicke von angenähert 1 000 Angström.

Wenn in Verbindung mit der Herstellung der Halbleiter-Vorrichtung und/oder Halbleiter-Baugruppe eine Ummantelungstechnik für die Trägerleitungen verwendet werdensoll, wird ein Trägerleitungeaufbau 41 dadurch hergestellt, daß eine Schicht aus Siliziumnitrid au£ die Siliziumdioxidschicht 28 aufgedampft wird, wie in der Oktober/November-Ausgäbe 1966 der Berichte der Bell laboratories beschrieben ist. Als nächstes wird eine dünne Schicht aus Siliziumdioxid auf die Siliziumnitriflschicht aufgedampft. Vermittels geeigneter Ätzschritte werden dann Kontaktfenster 42 durch die Oxidschicht 28 oder durch die Mehrlagenschicht geöffnet. Nachdem die Kontaktfenster 42 ausgebildet worden sind, werden Trägerleitungen 43 auf die Siliziumdioxidschicht 28 aufgebracht und verbinden die Kollektor-, Basis- und Emitterbereiche 31» 33 und 36 der aktiven Elemente miteinander. Wie in diesem Bericht der Bell laboratories dargelegt ist, werden die Trägerleitungen durch Aufsprühen von fiatin auf die ganze Oberfläche bei erhöhter Temperatur zwecks Ausbildung von Platinsilizid hergestellt. Das über dem Oxid befindliche Fiatin Wird dann weggeätzt, so daß nur die inerten Platinsllizidkontakte 44 in den Fenstern 42 verbleiben. Die Trägerleitungen 43 werden durch einen zusammengesetzten Vorgang hergestellt, der darin besteht, daß zunächst eine

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Ti tans c hie ht 46 aufgebracht wird, die sowohl mit dem Siliziumdioxid als auch mit dem Siliziumnitrid reagiert und eine starke Bindung bildet. Dann wird eine Platinschicht 47 und schließlich eine äußere Goldschicht 48 aufgebracht. Die Goldschicht 48 wird in geringerer Dicke über den inneren Hauptabschnitten der Inseln 24 und in größerer Dicke an den äußeren Rändern der Inseln aufgebracht, wodurch die Trägereigenschaft der ^ Leitungen 43 entsteht. Die Trägerleitungen 43 greifen ineinander, wie durch die gestrichelten linien 50 in Fig. 5 dargestellt ist.

Nachdem der Trägerleitungsaufbau 41 Tollständig ausge-. bildet ist, wird die den Leitungsaufbau 41 enthaltende obere Oberfläche des Aufbaues nach unten gedreht und durch Wachs mit einer Platte verbunden. Dann wird der polykristalline Trägerkörper 21 vermittels eines geeigneten Ätzmittels entfernt, das beispielsweise aus einer Mischung von Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure und Azetylsäure bestehen kann und das polykristalline Silizium sehr stark angreift, jedoch nur sehr langsam auf das Siliciumdioxid einwirkt. Die Siliziumdioxidschicht 14 dient dabei als Sperre für das Ätzmittel. Daher ist zum Entfernen des polykristallinen Trägerkorpers 21 keine Maskierung erforderlich. Da die Isolationsschicht 28 an den Punkten 28 nur sehr dünn ist, läßt sich Fluorwasserstoffsäure verwenden, um die dünne Oxidschicht an den Hinterseiten der Trägerleitungsäbschnitte 43 wegzuätzen, die sich unmittelbar an den Rändern der Inseln 24 , ' befinden, ohne dabei die Schicht 14 zu entfernen, welche

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> die Inseln umgibt.

Nachdem der polykristalline Trägerkörper 21 und die Oxidschicht 28 auf den Hinterseiten der Trägerleitung 43 entfernt worden sind, ,können die hergestellten Vorrichtungen getestet und einer Prägung unterworfen werden, während sie noch durch das Wachs befestigt sind. Nach dem Testen und der Prägung werden sie voneinander getrennt, so daß sich einzelne Vorrichtungen 49 der in 3?ig* 6 dargestellten Ausführung ergeben. . . .

Obwohl in den Zeichnungen der Einfachheit halber für jede'integrierte Schaltung nur zwei aktive Vorrientungen dargestellt sind, ist es gleichermaßen möglich, innerhalb jeder Insel eine vollständige integrierte Schaltung auszubilden, die aus aktiven und passiven Vorrichtungen,besteht und in welcher die Isolation zwischen den Schaltungs— elementen der integrierten Schaltung durch diffundierte Übergangszonen gebildet wird. ■ - ·

Nachdem die Vorrichtungen vollständig ausgebildet sind, können sie mit einer Verbindungsschaltung verbunden werden, die beispielsweise auf einem getrennten Substrat angeordnet ist. Dazu werden die Vorriciitungen nach unten gedreht und die Trägerleitungen unter Ausübung von Druck und Wärme (Thermokompressionsbindung) oder durch Ultraac1rallbln#img mit der Verbindungssohaltung verbunden, wie in ier IFS-*] tentschrift Nr, 3 255 3$1 wan Weiasenstern u«s, c

ist. Da die !Prägerleitungen 43 über den Halbleiterkörper hinaus vorstehen, können sie einzeln verbunden oder es kann ein Verbindungswerkzeug verwendet werden, so daß alle Leitungen in einem einzigen Arbeitsgang verbunden werden.

Bei Verwendung einer derartigen Herstellungsweise ist jede Vorrichtung 29 gegenüber jeder anderen Vorrichtung 29 durch die pn-Übergangszonen 32 getrennt, die aus der p-Verunreinigung des Körpers uad den n-Kollektorbereichen bestehen. Der Körper oder, die Insel .24.» in weichem die integrierte Schaltung ausgebildet ist, wird vollständig von einer Isolationsschicht ummantelt, die aus der Siliziumdioxidschicht 14 und der Schicht 28 besteht, welche an der Oberfläche 26 der Basel ausgebildet ist. Da die Siliziumdioxidschicht thermisch gewachsen iet, verträgt sie sich sehr gut mit den anderen, zur Herstellung der Vorrichtung verwendeten Stoffen und kann in einfacher ) Weise die verschiedenen Yerfahreiisschritte assimilieren, die zur Herstellung der Vorricirtang erforderlich sind. Die äußere Schicht 14 dient dazu, die Siliziuminseln 24 gegen die freie Atmosphäre und gegen feuchtigkeit zu schützen* ÄulBrdem trägt sie dazu bei, Kurzschlüsse zwischen den Trägerleitungen 43 und den Inseln zu verhindern. ,

Beim Betrieb der integrierten Schaltungen wird die gewünschte Isolation zwischen den Schaltungselementen in der den Fachmann bekannten Weise durch Anlegen einer entgegengesetzt gerichteten Vorspannung an die Übergangszonen erzielt.

Bas Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und/oder einer Halbleiter-Baugruppe unter Verwendung von luftisolation ist in den Fig· 7 und 8 dargestellt. Die anfänglichen Verfahrensechritte sind allgemein identisch zu den bereits beschriebenen Verfahrensschritten für den in den Flg. 1-4 dargestellten Aufbau, mit der ▲usnabae, daß eine n+Schicht 51 vorgesehen sein kann» wie la Anschluß in Verbindung alt den Figuren 13 und H beschrieben ist, und dazu dient, als Kollektornebenschluß den Kollektorwiderstand zu verringern. Das Verfahren unterscheidet sich jedoch darin« daß der Körper 11 mit einer n-Verunreinigung dotiert und die n+Schicht 51 vorgesehen ist. Die aktiven Vorrichtungen werden durch das dem Fachmann bekannte Doppeldiffuslonsverfahren hergestellt. Wie Fig. 7 zeigt, wird zum Aufbringen des Trägerleitungsaufbaues auch hier das aus Titan-Platin-Gold bestehende System verwendet. Die Goldschicht 48 wird hier jedoch nicht in unterschiedlichen. Dicken, sondern überall in gleicher Dicke aufgebracht. Das erfolgt aus dem Grunde, daß die Trägerleitungen 43 eine ausreichende Festigkeit zur Halterung der einzelnen Transistoren—, Dioden— und Widerstandsinseln aufweisen, die eine inte-

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grierte Schaltung bilden.

Bei dem in Fig. 7 dargestellten Aufbau arbeiten die einzelnen Vorrichtungen als dielektrisch isolierte integrierte Schaltungen. Wie sich jedoch ersehen läßt, liegen die Rückseiten der Trägerleitungen 43 nicht frei, so daß es daher schwierig ist, diesen Aufbau durch Umdrehen desselben und vermittels einer Stirnflächenverbindung schaltungemäßig anzuschließen, weil eine Berührung mit den Rückseiten der Leitungen 43 nur unter Schwierigkeiten herzustellen 1st.

Um einen Zugang zu den Rückseiten der Leitungen 43 zu schaffen, wird der polykristalline Trägerkörper 41 durch ein Ätzmittel in der bereits beschriebenen Weise .entfernt. Dieses Ätzmittel entfernt alles kristalline Material und außerdem die dünnen Abschnitte des Oxids an den mit 38 bezeichneten Stellen auf den Rückseiten der Leitungen 43» wodurch der in Fig. 8 dargestellte Aufbau erhalten wird. In dieser Ausführungsform der Erfindung sind die einzelnen Vorrichtungen wie z.B. die Transistoren 53, der diffundierte Widerstand 54ind die Diode 56 durch Luft gegenseitig isoliert· Die dicken Trägerleitungen dienen zur Halterung der einzelnen Schaltungselemente innerhalb der integrierten Schaltungen. Die integrierte Schaltung läßt sich dann nach unten drehen und mittels einer Stirnflächenverbindung mit einem Substrat verbinden, das-die Verbindungsleitungen enthält. Diese Verbindung -kann in ^ #1*' bereits beschriebenen Weise vermittels*

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• einer Thermokompressionsbindung oder durch, eine Ultraschallbindung erfolgen. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Siliziumkörper, die zur Ausbildung der einzelnen Vorrichtungen verwendet werden, mit einer Siliziumdioxidsehieht 14 ummantelt, welche die Bodenseiten vollkommen umschließt und an den Inseln oder Körpern 24 in Berührung mit den Bodenseiten der Trägerleitungsabschnitte 43 steht.

Ein Verfahren zur Herstellung einer anderen Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung und/oder Halbleiter-Baugruppe unter Verwendung dielektrischer Isolation ist in den Fig. 9-11 dargestellt. In dieser Ausführungsform geht das Verfahren von einem n-Körper 11 aus und eine Schicht 14 aus isolierendem Siliziumdioxidmaterial wird in der in Fig. 2 dargestellten Weise auf der Oberfläche 13 ausgebildet. Gräben.61 und 62 werden im wesentlichen in gleicher Weise wie bereits anhand der vorstehenden Aus-*· führungen beschrieben in dem Körper 11 ausgebildet. Die Gräben 61 und 62, entsprechen jedoch zwei -unterschiedlichen !Dypen. Die Gräben 61 sind verhältnismäßig eng und V-förmig ausgebildet und haben eine Tiefe, die nur etwas größer ist als die-gewünschte Kollektordicke für die auszubildenden Vorrichtungen. Die Gräben 62 sind dagegen wesentliQb, brei-*- ter ausgebildet und haben eine größere Dicke. Si,© dienen dazu, integrierte Schaltungen voneinander zu trennen. Die flacheren Gräben 61 äienea als© zur. gegsaaeitii©» J der Schaltungs03.ei5e?ite finer integrierten

die größeren Gräben 62 zur Trennung der integrierten Schaltungen voneinander dienen.

Die Gräben 61 und 62 werden durch Aufbringen eines Musters auf die Oxidschicht 14 ausgebildet, wobei das Muster für die Gräben 61 verhältnismäßig eng, und für die Gräben 62 verhältnismäßig breit ist. Wenn die Fenster innerhalb der Siliziumoxidschicht 14 ausgebildet werden und das den Körper 11 bildende Silizium einer anisοtropischen Ätzung des bereits beschriebenen Typs frei zugänglich ist, setzt sich der Itzvorgang in deli engen Öffnungen so lange fort, bis T-förmige Ausnehmungen erhalten werden, welche die Gräben 61 bilden. Der Ä'tzvorgang wird in den breiteren öffnungen so lange fortgesetzt, bis die Gräben 62 auf eine wesentlich größere Tiefe ausgeätzt worden sind. Dann wird das Ätzmittel entfernt. Typischerweise haben die Gräben 61 eine Tiefe von angenähert 0,025 mm, während die Gräben 62 eine Tiefe von etwa 0,076 - 0,152 mm aufweisen können·

Nachdem die Gräben 61 und 62 ausgeätzt worden sind, wird die übrige Oxidschicht 14 abgezogen und die Platte, welche den Körper 11 bildet, wird in der bereits beschriebenen Weise oxidiert, um eine durchgehende Oxidschicht 5f zu bilden, welche die Seitenwände der Gräben 61 und 62 und die Bodenwände der Gräben 62 bedeckt. Sobald der Körper oder die Platte 11 oxidiert worden ist, bringt Ban eine Schicht §6 aus einem geeignetem. Material wie beispielsweise

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polykristallinen! Silizium zum Wachsen über der Oxidschicht 59. Ss iat wünschenswert, daS die Schicht 66 eine solche Sicke aufweist, daß sie zur Halterung der einzelnen Inseln der auszubildenden Vorrichtung dienen kann, jedoch nicht so dick ist, daß sie die Gräben 61 und 62 ausfüllt, Die Schiebt 66 kann beispielsweise eine Dicke von angenähert 0,031 - 0,101 mm aufweisen.

Sobald die Schicht 66 ausgebildet worden ist, wird auf der Schicht 66 eine weitere Schicht 67 aus Siliziumdioxid gebildet, welche die Seitenwand©_s äie die Gräben 68 bilden, und die Seitenwände und die Bodenwände, welche die Gräben 69 in der Schicht 66 bilden, bedeckt. Die Schicht 67 besteht aus Isolationsmaterial und hat allgemein die gleiche Dicke wie die Isolationsschicht 59» ist jedoch von dieser durch die Schicht 59 getrennt. Nachdem die Schicht 67 ausgebildet worden ist, wird auf der Schicht 67 eine weitere Schicht 71 ans einem geeigneten Trägermaterial wie z.B. polykristallinem Siliaiua ausgebildet..*

In der Praxis-lassen sich die Schichten 66, 67 und innerhalb eines epitaxialen Reaktors ausbilden, indem zuerst die polykristalline Schicht 67, dann die Siliziumdioxidschicht 67 und schließlich die polykristalline Schicht 71 ausgebildet wird.

Sann wird der Mehrschichtenkö*rper in der bereits beschriebenen Weise bis zu einem Punkt, der auf der Linie A-A der

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Fig. 9 liegt, zurückgeläppt, bis ausreichend viel Material durch Läppen entfernt worden ist, damit die oberen Abschnitte der in den Gräben 61 gewachsenen Oxidschicht 59 entfernt worden sind und diese bis zu einer Tiefe abgeschnitten worden sind, in welcher sie die Oxidschichten 59 und 67 in den großen Gräben 62 durchschneiden.

Wie aus den Figuren 10 und 11 ersichtlich, werden auf fc . diese Weise mehrere isolierte Inseln 72 hergestellt, die durch die Isolationsschicht 59 gegeneinander dielektrisch isoliert sind. Dann werden die Elemente oder Vorrichtungen 731 welche die integrierte Schaltung bilden, in der bereits, beschriebenen Weise innerhalb der Inseln 72 ausgebildet. Auf diese Weise lassen sich Transistoren, Dioden, diffundierte Widerstände und dgl. herstellen, die zum Aufbau der integrierten Schaltung erforderlich sind. Nachdem die Schaltungselemente 73 ausgebildet worden sind, wird ein ineinandergreifender Trägerleitungsaufbau 74 der in Fig. 5 allgemein dargestellten Ausführung vorgesehen.

Nach Beendigung des Trägerleitungsaufbaueβ 74 wird der polykrißtalline Trägerkörper f\ in der bereite beschriebenen Weise durch Ätzen entfernt. Die ßiliziumdioxidechicht 67 dient dabei als Sperre und verhindert, daß das Ätzmittel die polycristalline Schicht 66 angreift und die einzelnen, die integrierte Schaltung 76 bildenden Elemente oder Vorrichtungen 73 voneinander trennt. Da Eich jedoch innerhalb der Gräben 69 keine derartige Sperre befindet, wird das

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polykristalline Material entfernt, wobei außerdem die sehr dünne Siliziumdioxidschicht, welche sich unterhalb des Trägerleitungsaufbaues 74 befindet, entfernt wird und voneinander getrennte und unabhängige integrierte Schaltungen 76 der in Pig. 11 dargestellten Ausführung erhalten werden, in welchen die Elemente, welche die Schaltung bilden, durch die Isolationsschicht 59 dielektrisch gegeneinander isoliert sind. Die Siliziumkörper, in welchen die einzelnen Schaltungselemente der integrierten Schaltung ausgebildet sind, werden durch die Isolationsschicht 59 vollkommen ummantelt und sind gegenüber dem Trägerleitungsaufbau 74 isoliert, so daß Kurzschlüsse verhindert werden.

Ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer weiteren Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung und/oder Halbleiter-Baugruppe unter Verwendung dielektrischer Isolation ist in den Figuren 12-18 dargestellt. Das Verfahren geht in der dargestellten Weise von einem Halbleiterkörper 11 des n-Iyps aus. Eine Schicht 81 eines Halbleitermaterials höherer Leitfähigkeit wie beispielsweise n+ wird auf der gesamten Oberfläche 13 oder auf ausgewählten Abschnitten derselben zum Wachsen gebracht oder in diese Oberfläche diffundiert, was durch an sich bekannte Mittel erfolgen kann. Dann v/erden Isolationsgräben 82 in dem Körper 11 im wesentlichen in der bereits anhand der vorgenannten Ausführungen beschriebenen Weise ausgebildet.

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Wie anhand der früheren Ausführungen beschrieben, wird der in Fig. 13 dargestellte Aufbau bei erhöhter Temperatur einer oxidierenden Atmosphäre ausgesetzt, um eine durchgehende Isolationsschicht 14 aus Siliziumdioxid zu bilden, so daß wenigstens die n+Schicht 81 durch die Isolationsschicht bedaict ist. Dann wird auf die Siliziumdioxidschicht eine sensibilisierte Schicht (photoresist) aufgebracht und durch eine Maske hindurch belichtet, die ein bestimmtes Muster für die Gräben 82 enthält. Die sensibilisierte Schicht wird dann entwickelt und.die unbelichteten Abschnitte werden entfernt. Ein Ätzmittel wird zum Entfernen der Siliziumdioxidschicht an den durch die sensibilisierte Schicht hindurch freiliegenden Stellen verwendet, bis die n+Schicht 81 freiliegt. 2ur Ausbildung der Gräben 82 wird dann ein weiteres Ätzmittel verwendet, das die n+Schicht 81 und den Körper 11, welcher sich unterhalb der Öffnungen befindet selektiv angreift, um die V-förmigen Gräben 02 auszubilden. Schließlich wird die Siliziumdioxid-Isolationsschicht vermittels eines geeigneten Ätzmittels entfernt, um den An Fig. 14 dargestellten Aufbau zu erhalten.

Wie Fig. 15/zeigt, wird als nächstes eine weitere Schicht 83 aus geeignetem Halbleitermaterial wie beispielsweise einem p-Mafcerial auf die n+Schicht 81 und in den Gräben 82 aufgebracht. Dieser Vorgang kann in beliebiger Weise und beispielsweise innerhalb eines epitaxialen Reaktors

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erfolgen. Die Schicht 83 kann eine beliebige, geeignete Dicke von angenähert 0,051 - 0,101 mm aufweisen. Sie sollte dick genug SeIn₁ um ale Halterung für die voneinander isolierten Inseln zu dienen, welche im nachfolgenden beschrieben werden» Der in Fig. 15 dargestellte Aufbau wird dann bei erhöhter Temperatur in eine oxidierende Atmosphäre eingebracht, um eine Isolationsschicht aus SiIiziumdiozid zu erhalten, welche den Körper umgibt und wenigstens die freiliegende Oberfläche der p-Schicht 83 bedeckt· Auf die Oxidschicht wird dann eine sensibilisierte Schicht aufgebracht und entwickelt. Die offenliegenden Abschnitte der Oxidschicht werden durch Ätzen entfernt und das Ätzmittel wird anschließend dazu verwendet, zusätzliche, größere Gräben 84 durch die p-Schicht 83, durch die n+Schicht 81 und in den Körper 11 bis zu einer Dicke auszuätzen, die größer ist als die Tiefe der Gräben 82 in einer vorstehenden Ausführung. Die Gräben 84 sind wesentlich breiter als die Gräben 82 und dienen als Schneidelinien in der Platte. Nactides die größeren Gräben 84 voll auegeätet worden sind, wird das übrige Siliziumdioxid entfernt, worauf die Oxidschicht Ton neuem vollständig aufgebaut wird» indem der Halbleiterauf bau unter erhöhter Temperatur in eine oxidierende Atmoiphäfce eingebracht wird, um eine Oxidschicht 86 zu bilden, welche den ganzen Körper umgibt und wenigstens die p-Schicht 83 und die Seitenwände, sowie die Bodenwände der größeren Gräben 84 bedeckt.

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Unmittelbar nach. Beendigung der vorstehenden 'Verfahrensechritte wird eine zusätzliche Schicht 87 aus polykristallinen! Silizium auf der Schicht 86 zum Wachsen gebracht, so daß sie die größeren GRäben 84 vollständig ausfüllt und in der in Fig. 17 dargestellten Weise eine verhältnismäßig dicke Schicht über der Oxidschicht 86 bildet. Der in Pig. 17 dargestellte Aufbau wird dann in eine Läppmaschine eingelegt

* und der obere Abschnitt des Körpers 11 wird bis zu der in Fig. 17 dargestellten gestrichelten linie A-A durch die Oxidschicht in den Gräben 84 und durch die Gräben 82 hindurch entfernt. Die geläppte Oberfläche wird dann auf die endgültige Tiefe poliert, wonach eine Isolationsschicht 88, die beispielsweise aus Siliciumdioxid bestehen kann, auf der polierten Oberfläche zum Wachsen gebracht wird, indem der Aufbau beispielsweise bei erhöhter Temperatur in eine oxidierende Atmosphäre eingebracht wird.

* Nach Beendigung dieser Verfahrensschritte werden Halbleitervorrichtungen 91 des bereits beschriebenen Typs in den n-Inseln 11 des Halbleitermaterials ausgebildet, um typische Halbleiterelemente wie z.B. Transistoren, Dioden, Widerstände und dgl. zu bilden. In Fig. 19 ist beispielsweise ein Transistor und ein Widerstand dargestellt. Ein Trägerleitungsaufbau 92 dient dazu, die Vorrichtungen in der bereits beschriebenen Weice miteinander zu verbinden, wobei der Trägerleitungsaufbau dünne Abschnitte und verhältninmäßig dicke Abschnitte aufweist, wie Fig. 19 zeiyt. Sobald der Trägerr-

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leitungsaufbau vollständig ausgeführt worden ist, wird die polykristalline Schicht 87 entfernt. Außerdem wird die sehr dünne Siliziumdioxidschicht, welche sich unterhalb des Irägerleitungsaufbaues befindet, entfernt, um voneinander getrennte und unabhängige integrierte Schaltungen 96 der. in Fig. 19 dargestellten Ausführung asu erhalten. In diesen integrierten Schaltungen sind die Vorrichtungen durch pnübergangszonen gegeneinander isoliert. Außerdem sind die Vorrichtungen mit einer n+Schicht versehen worden, die in einer dem Fachmann bekanten Weise beispielsweise-in einem Transistor als Kollektornebenschluß dient.

In Fig. 20 ist eine Draufsicht auf einen typischen ummantelten Trägerleitungsaufbau für eine Halbleitervorrichtung und -Baugruppe nach der Erfindung dargestellt und geigt eine Schaltung, die als ein Tiereck-Döppeleingangstor beaeichnet werden kann und von der firma Sig&etios Corporation unter der Bezeichnung Typ Sij-180 hergestellt wird. Die S_ohal^ung besteht aus einem einzelnen monolithic sehen Körper 99» in welchem acht Transistoren. 101, zwölf Dioden 102 und sechszehn Widerstände 103 ausgebildet sind. Die Widerstände 103 befinden sich in einem einzigen Kollektorbett 106, wälumd die Transistoren in mehreren Kollektorbetten 107, und die Dioden in mehreren Kollektorbetten 108 ausgebildet sind. Die Vorrichtungen sind durch pn-tfbergangszoneivin der in Fig. 5 dargestellten Weise gegenseitig isoliert. Ein Trägerleitungsaufbau 109 der in den Figuren 5 und

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6 dargestellten Ausführung ist auf dem Körper 99 angeordnet und weist dicke leitungsanschlußabschnitte 109a auf, die durch die ausgezogenen Linien 110 dargestellt sind. Die gesamte Rückseite des Körpers 99 ißt durch ein geeignetes Isolationsmaterial, wie z.B. Siliziumdioxid ummantelt, so daß die Trägerleitungen in Jeicher Weise wie in dem in den Figuren 5 und 6 dargestellten Ausführungsbeispiel eingekapselt sind.

Aus Fig. 20 läßt sich ersehen, daß vollständige integrierte Schaltungen mit ummantelten !rägerleitungen herge-

stellt werden können» in welchen die Isolation aus einer pn-Übergangszone, aus einer dielektrischen oder einer Iiuftisolation besteht.

Bin weiter«0 Verfahren zur Herstellung einer Ausführung einer Halbleitervorrichtung und/oder Halbleiter-Baugruppe unter Verwendung einer pn-tibergangszonenisolation ist in den Figuren 21 - 30 dargestellt. Wie Fig» 21 zeigt, geht das Verfahren yobl einem Halbleiterkörper 111 deß p-OIyps aus, wie bereite bei den früheren Ausführungen beschrieben wurde. Eine Siliziumcliöxidaehicht Wird auf die Oberfläche 113 aufgebracht, die Qbetrflä&e wird maskiert und geätzt. um löcher zu erhalten, lurch welche Arsen diffundiert wird, um n+Bereiche 114 zu erhalten, wie Pig. 22 zeigt. Dann wird das Oxid durch ein geeignetes Ätzmittel entfernt» Schließlich wird in der in Fig. 23 dargestellten Weise eine Schicht

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116 auf die Oberfläche 113 aufgebrachti welche die diffundierten n+Bereiche 114 überlagert, indem zur Herstellung der Schicht 116 ein η-Material in einem epitaxialen Reaktor aufgedampft wird. Die in Fig. 23 dargestellte Anordnung wird dann in eine oxidierende Atmosphäre eingebracht, damit um die ganze Anordnung herum eine Oxidschicht gebildet wird. Dann wird die Anordnung maskiert, Löcher werden in die Maskierung geätzt und eine p-Verunreinigung wird durch die Löcher diffundiert, um p-Bereiche 117 zu erhalten, die durch die Schicht 116 hindurchgeführt sind, so daß sie wenigstens in Berührung mit der Oberfläche 113 des Körpers 111 kommen· oder zwischen den n+Bereichen 114 durch diesen hindurchgeführt sind. Die Isolationebereiche 117 sind in der nachstehend beschriebenen Weise so angeordnet, daß getrennte und voneinander unabhängige Vorrichtungen zwischen den Bereichen gebildet werden.

Nachdem die diffundierten Bereiche 117 ausgebildet worden sind, wird das Oxid wiederum entfernt und schließlich erneut zum Wachsen gebracht, um eine Oxidschicht 118 zu bilden, welche die Schicht 116 überlagert und die diffundierten Bereiche 117 bedeckt. Auf die Schicht 118 wird dann eine als Träger dienende Schicht 119 aufgebracht. Typischerweise kann diese Schicht aus polykristallinem Silizium bestehen, das in einem epitaxialen Reaktor aufgedampft v/ird. Dann wird der Körper 111 geläppt, um eine verhältnismäßig dünne Schiebt 2U erhalten, deren Oberfläche allgemein in der gestrichelten

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Linie A-A der Pig. 25 liegt und deren Oberfläche 121 sich allgemein parallel zur Oberfläche 113 befindet. Auf der hinteren Oberfläche 121 wird dann eine Oxidschicht ausgebildet. Sie wird zur Herstellung von öffnungen maskiert und das durch die Öffnungen freiliegende Material wird durch Ätzen entfernt, um V-förmige Trennungsgräben 122 zu erhal-' ten, die sich nach unten bis zu der Siliziumdioxidschicht ^ 118 erstrecken.

Die Oberflächen 121 und die Oberflächen, welche die Trennungsgräben 122 bilden, werden mit dünnen Schichten eines geeigneten Isolationsmaterials wie z.B. Siliziumdioxid, Siliziumnitrid oder Aluminiumoxid in der bereits beschriebenen Weise bedeckt, um die ummantelung für die Halbleitervorrichtungen zu erhalten.

Sobald die Schichten 123 aufgebracht worden sind, wird ein Trägermaterial 124 auf die Schichten 123 aufgebracht, P indem beispielsweise polykristallines Silizium aufgedampft wird, um die übrigen Räume innerhalb der Gräben 122 zu füllen und die Schichten 123 zu bedecken. Dann wird das erste polykristalline Trägermaterial 119 durch geeignete Mittel-wie beispielsweise durch ein Ätzmittel entfernt _x um die Oxidschicht 118 freizulegen. Dann werden für die Basis- und Emitterdiffußionen in bekannter Weise Öffnungen in der Schicht 118 ausgebildet. Wie Fig. ?.x zeigt, worden auf diese Weise mehrere Tranßiatoren hergestellt, die jeweilfj aue

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einem Kollektorbereich 126, einem Basisbereich 127 und einem Emitterbereich 128 bestehen. Die Transistoren sind voneinander getrennt und durch ein Paar diffundierter Bereiche 117 oder durch einen diffundierten Bereich 117 und die Schicht 121 gegenseitig isoliert. Außerdem weist jeder TRansistor ein • n+Bett 114 auf, das als Kollektornebenschluß dient.

Dann wird in der in Fig. 29 dargestellten. Weise ein ineinander greifender Trägerleitungsaufbau 131 der bereits anhand der Figuren 5 und 6 dargestellten Ausführung vorgesehen. Nachdem der Trägerleitungsaufbau vollatändig ausgeführt worden ist, wird das polykristalline !fcägeiÄäterial 124 durch Ä'tsen entfernt, um getrennte und voneinander; unabhängige Vorrichtungen 136 der in Mg. 30 dargestellten Ausführung zu erhalten^ die jeweils eine nach derBufinclujig heugörfcellti» vollständige integrierte Schaltung, des epitaxial«»^^ O*sr|iB enthalten und bei denen die Isolation zwiaohen den Vorrichtungen aus diffuiiaieiten Bereichen besteigt* * i'_t

Wiö die Ybietehende Bescbreibung zeigiff iäJjt sich dit Erfindung auf alle Typen herkömmlicher ebener Halbleitervorrichtungen anwenden. Wie sich aus den verschiedenen Äusführungsformen ersehen läßt, können die einzelnen Schaltungselemente einer Schaltung durch eine Über gangs zone, durch, luft oder auf dielektrische Weise gegenseitig iaoliert sein·

Obwohl die auf diese Weise hergestellten.einzelnen Vorrichtungen aus vollständigen integrierten Schaltungen bestehen [

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können, lassen sich auch mehrere dieser integrierten Schal-* tungen miteinander verbinden, indem sie nach unten gedreht und mit einer auf einem getrennten Substrat befindlichen Verbindungsschaltung miteinander verbunden werden, um eine verhältnismäßig kompakte Halbleiter-Baugruppe zu erhalten.

In allen Ausführungen sind die monokristallinen Körper, in welchen die Schaltungselemente ausgebildet sind, vollständig ummantelt und außerdem gegen Kurzschlüsse geschützt, die zwischen den Leitungen und den monokristallinen Körpern auftreten können»

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Claims (8)

1. Patentansprüche:

   ^r'i J HalbleIter-Baugruppe mit mehreren, in wenigstens einem Halbleiterkörper ausgebildeten Schaltungselemente^ dadurch gekennzeichnet, daß an dem Körper (11, 24t 83, 111) mit den Schaltungeelementen (53, 54, 56, 101, 102, 103) verbundene Leitungen (43, 74, 92, 109, 131) angeordnet sind und über den Körper hinaus vorstehen und daß eine Schicht (28, 88, 118) aus Isolationsmaterial den Körper umschließt und mit den Leitungen an den Punkten, an welchen diese über, den Körper hinausgeführt sind, in Berührung stehen.
2. 2. Halbleiter-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente in jedem Halbleiterkörper durch innerhalb des Körpers ausgebildete pn-Übergangszonen (32) isoliert sind.
3. 3. Halbleiter-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Halbleiterkörper mit wenigstens einem Schaltungselement in jedem Körper vorgesehen sind und jeder Körper eine den Körper umschließende Schicht (38, 86, 118) aus einem Isolationsmaterial aufweist, die Körper durch die Leitungen miteinander verbunden sind, die alleine dazu dienen, die Körper zu halten und in einer zusammenhängenden Einheit zusammenzuhalten.
4. 4. Halbleiter-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekenn ζ eic line t, daß mehrere Halbleiterkörper mit wenigstens

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   einem Schaltungselement in jedem Halbleiterkörper und mit zwischen den Körpern ausgebildeten Mitteln aus einem isolierenden Werkstoff, die dazu dienen, die Körper zu einer zusammenhängenden Einheit zusammenzufassen, vorgesehen sind, so daß die Halbleiterkörper und die in diesen befindlichen Schaltungselemente dielektrisch voneinander isoliert sind.
5. 5. Halbleiter-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungen verhältnismäßig dünne, mit den Schaltungeelementen verbundene Abschnitte und verhältnismäßig dicke, über den Körper hinaus vorstehende Abschnitte (109a) aufweisen. .
6. 6. Halbleiter-Baugruppe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente mittels diffundierter Bereiche innerhalb des Halbleiterkörpers voneinander isoliert sind.
7. 7· Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper (11) hergestellt und mit einer Schicht (14) aus einem isolierenden Material umgeben wird, ein Träger (21) in eine Berührung mit der Schicht aus isolierendem Material gebracht, wenigstens ein Schaltungselement innerhalb des Halbleiterkörpers ausgebildet, dann durch den Körper und den Träger getragene und in; Berührung mit dem Schaltungselement stehende Leitungen (43) ausgebildet und schließlich der Träger entfernt wird

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   und die Schicht aus einem isolierenden Material auf dem Halbleiterkörper entfernt, sowie die äußeren Enden der Leitungen freigelegt werden.
8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des Halbleiterkörpers mehrere" Schaltungselemente und pn-Übergangszonen zur gegenseitigen Isolation der Schaltungselemente innerhalb des Halbleiterkörpers ausgebildet werden.

   9t Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Schaltungselemente und ein isolierendes Material ausgebildet werden, um die Schaltungselemente gegenseitig dielektrisch zu isolieren«

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