DE1934861A1 - Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspeicherelemente - Google Patents

Description

IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen Gesellschaft mbH

BöbI Ingen, 8. Juli 1969 ko-rz

Anme I der in:

International Business Machines Corporation, Armonk, N.Y. 10 504

Amtliches Aktenzeichen

Neuanme I dung

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket OW 968 003

Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspeicherelemente

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspeicherelemente in der Form eines auf ein elektrisch leitendes zylindrisches Substrat aufgebrachten Films.

Verfahren zur Herstellung plattierter Draht-Speicherelemente, bei denen ein f erromagneti sch er Film aus einer iMeta 1 I sa I ζ I ösung auf ein leitendes zylindrisches Substrat aufgebracht wird, sind allgemein bekannt. Das Herstellungsverfahren, einen ferromagnetisehen Film ηiederzuschIagen, kann elektrolytisch, stromlos, oder kombiniert .stromführend/stromlos sein. Beim elektrischen PI att i erungsverf ahren besteht die Kathode einer Zelle "aus dem Substrat, und eine passende Anode befindet sich mit dem Substrat in einer eIektroIytisehen Lösung; die elektrische Energie wind der Kathode und der Anode zugeführt. Beim stromlosen Verfahren

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ist das Substrat die Kathode in einer stromlosen Lösung, wobei sich Im Bad reduzierende chemische Mittel durch autokaIytisehe Reaktion den Niederschlag der Metalle bewirken. Bo i m kornb i η Ϊ erten stromführenden/stromlosen Verfahren befindet sich das Substrat ' in einem stromlosen bad und der niederschlag wird durch Anlegen eines elektri sehen Stromes eingeleitet, welcher kurzfristig ο ! ne PIattierungsschicnt herstellt, woraufhin die dem Substrat zugeführte elektrische Energie bis unterhalb der für die Elektrop I a tt i erung e rf order I i chen Größe reduziert oder voll ig abge.scha I ■-, fet wird, um zu ermöglichen, dab der niederschlag primär in einer durch die Bestandteile des stromlosen Bades bestimmten Gosc-iv/ird igkei t erfο Igt.

Bei den verschiedenen Plattierverfahren wird die magnetische Orientierung des Fi Ins im al!gemeinen durch Niederschlagen des Films bei Anwesenheit eines magnetisehen orientierenden Feldes erreicht. Bei einem al I gerne in bekannten Verfahren werden. KeIm- f ho Itz-SpuIen bei der Herstellung einer Filmschicht auf einem leitenden Draht verwendet, in welchem der Fi Im eine bevorzugte magnetische Anisotropie parallel zur Achse des Substrats aufweist, d.h. der Fi Im hat eine Orientierung der geschlossenen harten Achse. Die Benutzung der He I mho Itz-SpuI en für eine Geschlossene leichte Achse oder die isotrope Filmorientierung hat sich al s sehr "unprakti sch erwiesen. Ein zweites Verfahren benutzt einen Hohlzylinder als Substrat, durch den ein Leiter hindurch gefädelt Ist. Ein durch diesen Leiter fI Ießender Gleichstrom be wirkt am Umfang ein kre i sförmi ges or j e,nti erendes Feld; der FeI d-^v-

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strom verursacht jedoch einen Spannungsabfall entlang des Substrats, wodurch der Prozess des Niederschjagens gestört wird und der Film unregelmäßige magnetische Eigenschaften aufweist. Obwohl ein Hohlsubstrat mit einem durchgef ade I teil Leiter das Prob I em verme i det# ' Strom direkt durch das-Substrat leiten zu müssen, ist diese Möglichkeit in ihrer Grö^e stark begrenzt, und der durchgefädelte Draht ist so dünn, daG ein für ein magnetisches Feld In der Größenordnung von bis zu 10 Oersted erforderlicher Strom chne Zerstörung des Leiters nicht erreicht werden kann.

Der Lrfindung Ii ent nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspei chere I ernente der eingangs .ge- nannten Art zu schaffen, welches keine besonderen Erfordernisse an die Bauart des Substrats stellt, weder durch die Größe des Substrats noch durch den hindurchfIieSenden Strcn begrenzt ist, ferner den Prozess des e I e ktrccher i Echen !. i edersc - | a es nicht stört und schließlich eine sehr gute Steuerung der magnetischen Orientierung des Films ermöglicht, i nsl-esor tere scwon I β !stabiler Fj Ine mit kreisförmiger uniaxialer "nisotrciie an Umfang (d.h. mit einer geschlossenen leichten Achsel a Is- 3uci isotroper magnetischer Fl I me. " - . '

Diese Aufgabe .vird dadurcn ce löst, da-5 das "i-agneti sehe Material während der Abscheidung auf dem Sucstrat aus einer Lösung der das Material enthaltenden Metallsalze einen durch einen in Längsrichtung durch das Sub strat * I i eßenden V/echse I sstrom hervo-roerufenen magnetischen Wechsel feie ausgesetzt wird und daß der

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- 4 -Wechselstrom keine Gleichstromkomponente aufweist.

Gemäß einer Weiterb I I dung der Erfindung hat der Wechselstrom

eine angenähert rechteckige Kurvenform. ·

Dann sind gemäß der Erfindung In dem Bad Nickel·* und E i sensa I ze gelöst.

Weiterhin wird gemäß einer WeiterbiI dung der Erfindung die Feldstärke des magnetischen WechselfeI des so groß gewählt, daß die entmagnetisierenden axialen und die Felder am Umfang des magnetischen Films zur Erreichung eines isotropen Films ausgeglichen werden.

Schließlich fließt gemäß einer WeiterbiI dung der Erfindung gleichzeitig mit dem Wechselstrom durch das Substrat ein Gleichstrom durch das Bad, der den Niederschlag des Nickels und des Eisens aus der Lösung auf das Substrat steuert. ) - '■ . "

Mit der Erfindung werden die Vorteile einer freizügigen Geometrie des Substrats, des Fortfalls einengender Größen·-· oder Stromgrenzen, des Vermeidens unrege I mäßjger magnetischer Eigenschaften entlang der Oberfläche und einer sehr guten Steuerungsmöglichkeit der magnetischen -Ort en.ti erung bistabiler Filme mit sehr hohen unlaxlalen anisotropen Eigenschaften als auch isotroper magnetischer Filme erreicht. ■ . - _

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Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es ze I gen:

FIg. 1 ■ . vereinfacht und schematisch ein Gerät zur Anwendung der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 eine isometrische Darstellung eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten magnetischen Speicherelementes

Fig. 3 die ,beiden Arten der für die vorliegende Erfindung verwendeten Kurven forme η

Fig. 4 ein Schaltbild eines in der Erfindung verwendeten Rechteckwellengenerators und

Fig. 5 eine Kurve mit den Versuchsergebnissen dieses Verfahrens,

Gemäß der DarsteI Iung in Fig. 2 besteht ein erfindungsgemäß hergestelltes Speicherelement 10 aus einem zylindrischen leitenden Drahtsubstrat 11, auf welchem eine ferromagnetische Schicht 12 ■ niedergeschlagen ist. Das Substrat 11 besteht aus Ieitendem Material, wie z.B. Beryllium-Kupfer. Die Schicht 12 besteht vorteilhafterweise aus einer Nickel-Eisen-Legierung wie z.B. Permalloy mit einem Anteil von 70 - 90 % Nickel, vorzugsweise jedoch 75 82 '/. Der sehr kleine Durchmesser des Substrats liegt bei 0,25 mm oder darunter, die Dicke des FMmesin der Größenordnung von

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5000 - 20 000 A. Während das Substrat als voller Körper gezeichnet ist, kann es bei Bedarf auch die Form eines aus Beryllium-Kupfer bestehenden hohlen Zylinders oder einer leitenden Schicht aus Gold oder Chrom annehmen, das auf einem Glassubstrat oder dergl. niedergeschlagen ist, wie es im US-Patent Nr. 3240686 gezeigt i st.

Das in Fig. 1 gezeigte Gerät zur Herstellung eines Speicherele_fc me ηtes 10 umfaßt einen Behälter 13 mit einem darin befindlich en Bad 14. Ein aus einera Ieitenden Draht bestehendes Substrat 11 ^: wird zusammen mit einer Elektrode 15 in das Bad 14 getaucht, !lach dem Erfindungsgedanken wird das Substrat 11 an seinen beiden Enden mit der Sekundärwicklung 17 eines Transformators 16 verbunden, dessen Primärwicklung 20 an eine Wechselstromquelle und eine Amplitudensteuerung 21 angeschlossen ist. Für die Elektroplattierung oder die kombinierte stromführende/stromlose Plattierung wird die M i'tte I anzapf ung 19 der Wicklung 17 über eine regelbare Gleichstromquelle 18 mit der Elektrode 15 verbunden.

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Im vorteilhaften Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die ferromagnetische Schicht 12 auf dem Substrat 11 auf kombinierte stromführende/stromlose Weise niedergeschlagen. Vor dem Miederschlag wird das Substrat 11 zuerst auf übliche Art und Weise gereinigt und poliert.

Das Bad 14_fUr eine derartige Plattierung is+ stromlos und besteht aus einer wäßrigen Lösung von Nickel- und Eisensalzen,

einem reduzierenden Agens wie unterphosphor!gern Natron In einer Docket OW 968 003 - ^{: r :} ~"'" '

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Konzentration die ausreicht, um die Metalle so schnell zu reduzieren, daß Niederschläge In kleiner Korngröße erfolgen und einer Quelle von Hydroxy Iionen, wie z.B. Ammoniumhydroxyd, die ausreicht, um das Bad fm alkalischen Bereich zu ha I ten. Derartige Lösungen enthalten im aΓΙ gerne inen weiterhin ein ergänzendes Agens wie Tartrat. Die Schicht V2 wird auf dem Substrat vorzugsweise bei

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Badtemperaturen zwischen 10 und 40 aufgetragen.

Die Bader können die verschiedensten Zusammensetzungen haben, es werden jedoch Zusammensetzungen aus Nickel- und Elsensalzen

++■++♦ bevorzugt, in welchen ferromagnetische Ionen Ni und Fe zur Lösung gebracht werden. Die Verwendung von Eisenionen liefert ein relativ stabiles Bad, das auch beim Betrieb bei ungefähr Raumtemperatur re Iati ν I an ge stab iI bIe i bt und genau gesteuerte Niederschlage eines Permal Ioy-Fi Imes hervorbringt.

Ein anderer Gesichtspunkt bei der kombiηierten stromführenden/ stromlosen Plattierung betrifft den Niederschlag 12 auf dem Substrat 11, ohne daß dieses Substrat vorher.sensibiIisiert wurde. Zu d 1 esem' Zweck wird das Substrat 11 in die stromlöse PIattIerungslö-sung 14 mit einer Elektrode 15 gesetzt, die aus einem Material wie Platin oder dergl. besteht, welches auf die Lösung chemisch nicht reagiert. Eine Gleichspannung der Batterie 15 wird dann an die als Anode geschaltete Elektrode 15 gelegt. Der Strom reicht aus, um die Elektroplattierung des PermaIloy-Fi I ms auf dem Substrat 11 hervorzurufen. Nach dieser ersten Periode der ElektropIattierung wIrd der Gleich strom"der Batterie 18 auf eine Größe unterhalb der für die Elektröplattierung erforderlichen Docket OW 963 003 &0 9 8 8 3/ 1 5 5 9

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Höhe reduziert, woraufhin die Plattierung autokataIytisch mit einer Geschwindigkeit weiterläuft, die durch d ί e" Be stand, te i I e. » des Bades 14 bestimmt ist. Durch Abschalten der Batterie kann der an die Elektrode 15 gelegte Gleichstrom jedoch auch auf Null reduziert werden, so daß dann die PIatt1erung vöI Iig stromlos we i terI au ft. '

Während dieses komb inierten stromführenden/stromlosen Nieder- ψ schlags der Schicht auf dem Substrat 11 aus dem Bad 14 wird arn Umfang ein wechselndes Orientierungsfeld angelegt, Indem die „ Wicklung 17 des Transformators 16 mit den beiden Enden des Substrats 11 verbunden wird. Bei d i esern An sch I uß fließt der Wechselstrom in Längsrichtung durch das Substrat 11 und erzeugt am.Umfang ein magnetisches Feld, das sich mit der Frequenz der Wechselstromquelle 21 ändert. Der durch das Substrat 11 fließende V/eohse I strom hat e i ne G I e i chstromkomponente Mu I I . Somit wird jeder Spannungsabfall am Substrat ausgeschaltet und die Niederschi aggeschw i nd i gke i t oder Verteilung durch das Orientierungsfeld nicht beeinfIußt. Durch Verb indung der Anode 15 Oder- die Batterie 18 mit der MitteI anzapfung 19 der Transformatorwicklung 17 wird der für den kombinierten stromführenden/stromlosen Niederschlag erforderliche Gleichstrom an das System·angelegt; Gleichstrom und 'Wechselstrom sind jedoch durch d i e un tersch I ed I i chen unabhängigen Stromwege bei dieser Art der Verb tndung voneinander getrennt.

Während im Au-s-f ührunosbei sp ie I ein Perrra 1 I oy-Fi I m a uf dem EIe-Doc.et OW ₉₆₈ 003 _909883/1B59

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ment 10 In der oben im Zusammenhang mit Fig. 1 geschriebenen kombinierten stromführenden/stromlosen Art niedergeschlagen- wurde, kann erauch vollkommen stromlos aufgebracht werden. In diesem Fall wird nur das mit der Wicklung 17 verbundene Substrat M In die Lösung 14 getaucht. Vor "dem Eiηtauchen muß das Substrat Π durch Behandlung mit einer Lösung aus Pätladiumchlortd sowie anschließendem Entfetten und Pol i eren sens Ib I I I siert und eine leichte Palladiumschicht auf ihm ηiedergeschlagen werden» Nach dem Abspülen mit Wasser wird das pal I ad I umüberzogene. Substrat 11 in die Lösung 14 getaucht und der Niederschlag des PermaI loy^-Fi Ims 12 eingeleitet. Während des Niederschlages wird über den Transformator 16 ein Wechselstrom an das Substrat W gelegt.

Bei der Durchführung des Erfindungsgedankens kann der-Wechsel strom die Sinusform 22 haben, sollte jedoch gemäß der Darstellung in Fig. 3 vorteilhafterweise die angenäherte Rechteckform 23 auf*· weisen. Bel be1 den We I Ientormen muß die Amplitude einen Schweifwert I überschreiten, darf jedoch den Wert I des Bades 14 nicht überschreiten. Der Schwell wert -I₀ ist eine Veränderliche, die von den jewe I l.s ■■ verwendeten Legierungen abhängt, soll jedoch grundsätzlich gleich der Koerz i t i vkraf t. der leichten Achse des plattierten Films sein. So hat z.B. I für einen Film aus einer

Nickel-Eisenleg Ierung mit einem Nickelgehalt von 70 - 90 % eine Koerzitivkraft der leichten Achse zwischen 2,0 und 4,0 Oersted. Der Spitzenwert der Erregungskurven 22 und 23 wird durch das Zeichen 1 angegeben und dürfte bis zu 30 Oersted für das Or I en-",-"

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t-ierungsfeld bei der stromlosen Plattierung in vorteilhaften Bereichen ergeben»

Wie bereits erwähnt, wird im AusführungsbelspJeI eine rechteckige Welle bevorzugt, da diese einen größeren magnetischen Orientierungsgrad aufweist. In der Darstellung der Fig. 3 liegt der Punkt, an welchem die Sfnuskurve 22 beim Schwellwert I_Q angelangt Ist, wesentlich später afs bei der Rechteckkurve 23. Dementsprechend tritt auch auf der negativen Seite der Kurven 22 und 23 der Schwel! wert I in. der Kurve 23 früher auf als In der Sinuskurve. Somit

ist das Wechsel Interval I t^-tj für die Sinuskurve 22 wesentlich kleiner als das Interval·! ty-'tg für die Rechteck kurve 23. Dasselbe gilt für die negativen HäIften der Kurve 23, so daß t₄-t, bei der Sinuskurve 22 kleiner Ist als das Intervall +9"+S ^^eF ^^urve 23. Bei einer rechteckigen Er.regungskurve steht also eine größere Orientierungszeit zur Verfügung als bei einer sinusförmigen Kurve. Mit Rechteekwellen lassen sich außerdem die Orientierungs!nter- ) valle verlängern, ohne daß die Durchbruchsamp H tude auc-h nur

annähernd erre I eht "W i rd, wogegen der Spitzenwert der Sinuskurve ein Begrenzungsfaktor bei der Vergrößerung des Orient!erungsinterval I.es sein kann.

Der ze-l.t! iche Wi rkungsgrad der Sinuskurve 22 kann folgendermaßen ausgedrückt werden:

■ E-_e.i = ^T "2/^T sin' " Q (D

si

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■ - π -

I₀ der Schwell strom ist, bei dem eine Orientierungsfeld stärke erreicht wird, die gleich dem Anisotropiefeld eines Hagne,tfi Imes ist und Ip die Spitzenamplitude der Stromkurve ist.

D-er Wirkungsgrad der rechteckigen We I I e kann folgendermaßen ausgedrückt werden:

E = 1 - 2 r (2)

sq —

wori η T die Stromanstiegszeit der Kurve 23 und

	T d	ie	S Ch wi	ncungspsricde ist.
Typ i sehe	Werte	S	ind:
	E SG		U,9S
	Es.	-	0,62
für
	f	at	l/T -	2kHz
	t	—	10,Mi	krosek.

I » 5,6 Amp. (eff.) Γ = 10, 0 Amp. (eff . )

Mit rechteckigen Wellen zur Erregung des Substrats 11 wurden außerdem überlegene einaxiale Anisotropieeigenschaften bei der Herstellung eines Speicherelementes IC mit geschlossener Ie!enter ■ή cn se -arreicht. Es wurde festgestellt, daß die auf kombinierte DOCSt=W₉₆₃OW _g09883/1559 ·

stromführende/stromlose Art mit einer Rechteckwellenorientierung' niedergeschlagenen Filme 12 einen größeren Orientierungseffekt > in einer Achse erzeugten, als er mit einem Gleichstrom-Niederschlag zu erzielen war, was den Erwartungen bei Anwendung auf die oben genannten Aus führungen für den Zeitwirkungsgrad widerspricht. Der tatsächliche V/1 rkungsgrad der magnet i sehen Or i ent i erung wurde bestimmt durch Vergleich des Treiberfeldes eines Elementes 10 bei keinerlei Flußkopplung für die harte und die welche Achse. " Der Wirkungsgrad der Orientierung kann- durch den folgenden Ausdruck dargestelIt werden:

E = ^Hc1 -- ^Hc2 ο

^Hc1

wor I η

H .die gemessene Koerzitivkraft der leichten und

H _ die Koerzitivkraft der harten Achse der Fi Imschicht cZ

12 des Elementes 10 ist.

Es wurde eine Anzahl Proben eines Speicherelementes 10 vorbereitet, in welchen ein 1 Mikron dicker Permalloy-Film. 12 auf einem leitenden Substrat 11 niedergeschlagen wurde. Die Substrate 11 waren Hohlrohre aus Beryllium-Kupfer mit eineir· äußeren Durchmesser von 0,25 mm einem inneren Durchmesser von 0,12 mm und einer Länge von 5 cm. Bei der Orientierung mit einem Gleichstromfeld wurde ein Kupferleiter durch ein Substratrohr 11 geführt und an eine Gleichstromquelle auf herkömmliche Weise angeschlossen. Für die Wech-

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seistromorlentierung beider Typen wurde das Substrat In der im Zusammenhang mit Fig. 1 gezeigten Art an Wechselstrom angeschlossen. Naqh dem Reinigen und Polieren wurden dIe Substrate in eine Lösung für strom!öse PIattierung eingetaucht. Die Schicht 12 wurde mit einem Plattierungsstrom von 10 - 20 mA während eines Zeitraumes von 3 Minuten eIektropIattIert. Danach wurde der Strom während eines Zeitraumes von 1/2 bis 2 Stunden auf eine Höhe reduziert, bei welcher der Vorgang gerade noch aufrechterhalten wurde. Der an den gefädelten Leiter für nachfolgende Proben angelegte Strom lag zwischen 0,5 und 4,0 A. Die sinusförmige Wechselstromerregung nachfolgender Proben erfolgte mit Q bis 2,0 A bei einer Frequenz von 2kHz. Die Erregung mit Rechteckwellen für eine Reihe; von Proben erfolgte mi t. 0,9 bis 2,0 A bei einer Frequenz von ZkHz.

Alle Proben wurden geprüft, indem man die Koerz1 tivkräfte der harten und der weichen Achse H₂ und H mit einem 70 Hz-Hystereseschreiber aufzeichnete und den Wirkungsgrad der Orientierung mit der Formel. C3) für E_Q errechnete. Die Ergebnisse sind In den Kurven der Fig. 5 aufgezeichnet. Sie zeigen, daß bei sinusförmiger Erregung die Kurve 24 sich dem Wirkungsgrad bei Gleichstromerregung (Kurve 25) bei hohen Feldstärken nähert. Die Er regungs kurve für Rechteckwellen 26, die nicht so schnell ansteigt wie die Gleichstromkurve, erreicht einen höheren Wirkungsgrad und nähert sich der Einachsigkeit weiter als eine Gleichstromorientierung. Ein weiteres Merkmal besteht darin, daß für Proben von 5cm Länge \, Filmschichten 12, die in einem relativ schwachen oder ganz fehlenden Or i ent i erungs fe I d niedergeschlagen wurden, eine magnetische Docket OW 968 003 " · .

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Orientierung aufwiesen, die eine geschlossene harte Achse erzeugte. Es wird angenommen, daß die Schicht 12 aufgrund der Geometrie des Substrates 11 entmagnetisierende Felder aufweist, die dazu neigen, die Schicht 12 in einer in Längsrichtung verlaufenden leichten Achse zu orientieren. Auf dieser Feststellung basierend, kann man entsprechend dem Erfindungsgedanken Filme 12 mit isotropen Ei genschaften erzielen, indem man kreisförmige Orientierungsfelder am Umfang anlegt, die so groß sind, daß sie die in Längsrichtung verlaufenden entmagnetisierenden Fe I der im Film ausgleichen.

In FIg. 4 ist θine SchaItung gezeigt, die eine Rechteckwel!e mit doppelter Polarität der In Fig. 3 gezeigten Art Ifefert, und in Ihrem Prinzip als nicht-selbsterregter GIeichstrom-Glelchstrom-Konverter allgemein bekannt ist. Ein Pol aritäts-ImpuIsgenerator 27 liefert ein Ausgangssignal mit gleicher Anstiegs- und Abfallzelt über einen Kondensator auf die Primärwicklung 29 des Eingangstransformators 30. Der Kondensator 28 und die Primärwicklung 29 sind so ausgelegt, daß sIe dte einfachePolaritat des Signals in zwei PolaritätsimpuI se in der Primärwick Iung 29 umwände I η. Der Eingangstransformator 30 hat eine doppelte Sekundärwicklung 31 und 32, die an zwei PNP-Trans I stören 33 bzw. 34 angeschlossen ist, deren Kollektoren an Erdpotential liegen. Die Sekundärwicklungen 31 und 32 sind so gewickelt und an die Transistoren 33 und 34 angeschlossen, daß das in den positiven Bereich hineingehende SignaI in der Wicklung 29 ein negativ verlaufend&s Signal In der Wicklung 31 erzeugt, welches über Emitter und

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Basis des Transistors 33 läuft, während ein positiv verlaufender 'Impuls in der Wicklung'32 über Emitter und Basis des Transistors 34 geführt wird. Wenn somit ein positiv verlaufender Impuls in der Wicklung 29 des Transformators 30 auftritt, wird ein negativer Impuls vom Transistor 33 auf die Primärwicklung 35 des Ausgangstransformators 36 geleitet, während der Transistor 34 abgeschaltet D leibt.. Wenn umgekehrt ein negativ verlaufender Impuls in der Wicklung 29 des Transformators 3Θ auftritt, wird ein negativ verlaufender Impuls durch den Transistor 34 auf die Primärwicklung 35 des Ausgangs transformator 36 geleitet. Die Widersta-n.de 37 und 38 arbeiten als St ro.^m.b egre nzer für die entsprechenden Basisschaltungen ihrer Transistoren. Die Dioden 39 und 40 sind Spannungs begrenzer für die entsprechenden Bas I s-E'n i tter-Scha I tungen. Die Primärwicklung 35 des .^usgangstransfcrmators 36 weist in ihren Rückkopplungskreisen zu den .Dioden 41 und 42 zusätzliche

Λ

Endwicklungen auf, um eine in Phase mit den ~rientierungss I gnaI an· der Primärwicklung 35 das Aus can js transf ormators. 36 liegende Vorspannung auf die Basen der Transistoren 33 und 34 geben zu können, um so zu verhindern, da-3 die entsprechenden Transistoren angeschaltet werden, bevor das Orientierungssignal den Nullpunkt erreicht hat. Die Sekundärwicklung 43 des Ausgangs transformators 36 ist über das Substrat 11 angeschlossen, während die Mittelanzapfung 44 bei Bedarf an die Batterie 18 und die Anode 15 gelegt wird. Um die Amp Iitude des Ausgangssignals zu steuern, wird die MitteI anzapfung 45 der Primärwicklung des Ausgangstransfornators 36 mit einer Gleichstromquelle verbunden.

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Das oben Im Zusammenhang mit stromlosen und mit kombinierten stromführenden/stromlosen Plattierungen beschriebene Verfahren , läßt sich natürlich auch bei der ElektröpIatfierung anwenden, wo dann das Sub straf 11 und die Elektrode 15 Kathode bzw. Anode einer e lektrol yti sehen Zelle bilden, in V/elcher die Lösung 14 . aus ge lösten meta I Iisehen Salzen den Elektrolyten bildet. Derartige Lösungen sind a M gerne in bekannt. In einem solchen System wird das wechselnde Orient 1erungsfeId an das Substrat 11 "" . gelegt, während der an die Anode 15.gelegte Gleichstrom die ElektroplattIerungsenergie zum Niederschlagen eines magnetischen Permalloy-FiImes biIdet. Auch hier Iiefert die in Fig. 1 gezeigte Anordnung dJe elektrisehe Isolation und der an das Substrat Π ange I egte Wachse I strom we i st eben fall s ke ine G | e i chs fromkompo·^ nente auf, wie es für das Ausführungsbefspiel beschrieben wurde.

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Claims (1)

1« Verfahren xt/r "H^rsfel lurrg m^va$net tocher ίη der Form eines auf ein elektrisch leitendes zylindrisches Substrat 'äxii.g&ii^ächf&h Fi Iffls-, dadurch g&fceiYnwfxfvnei·, iias tttägff&iri ^scWe Wa^fe-r i '#'-1 'CW) 'Wätir&ftti. tfe^;r -k&SG'H-e laüri§ ^ -dWm Sübst'rä't HiT) aus e'i'h^r ^ös?tt>Tf§ V\~4) eer d^s W^aWriiäi-l enth^l tWiiaWh;'Mef-a-l Is;al2% ^eJrtefih ^tff^ch -e Vneh in t-a%§s(rucht-t

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4, Vieriföhryn Weh l#i#rtfch ^, ÄtfFift ^kfifri^öl^ttnet, "daß di FBidstärke des frvagneti sbhen Wec'hselfet cfes so groß gewählt wird, daß d ί e entnfagneti srere'nden ax iä fen und. d fö Fei der am Umfang des magnetischen Fi ims zur Erfeichung eines iso tropen Films ausgegi icn en Werden.

5. ' Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig mit dem Wechselstrom (22, 23) durch das^Substrat (11) ei η GIeichstrom durch das Bad (14) fließt, der

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den fit ederscn I ag des Mickeis und des Eisens aus der Lösung auf tfas Substrat (11) steuert. ■

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