DE1929687A1 - Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten fuer Speicherzwecke mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten fuer Speicherzwecke mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung

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DE1929687A1
DE1929687A1 DE19691929687 DE1929687A DE1929687A1 DE 1929687 A1 DE1929687 A1 DE 1929687A1 DE 19691929687 DE19691929687 DE 19691929687 DE 1929687 A DE1929687 A DE 1929687A DE 1929687 A1 DE1929687 A1 DE 1929687A1
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Description

SIEMENS 'IKTIEHGESSLLSCHAi-1T München 2, 11. JUN11969
Berlin und München Wittelsbacherplatz 2
pa 39(2518'---, 1929687
Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten für Speicherzwecke mit uniaxialer Anisotropie der Magneti-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung für Speicherzwecke mittels elektrochemischer, vorzugsweise galvanischer Abscheidung. Außerdem betrifft sie galvanische Bäder zur Durchführung dieses Verfahrens.
Magnetische Zylinderschichten (Plated Wire) sind für die elektronische Datenverarbeitung und Vermittlungstechnik besonders deshalb von großer Bedeutung, weil sie sich einerseits verhältnismäßig einfach und billig im Durchzugs-" verfahren herstellen und prüfen lassen,, andererseits sich gut für den sogenannten i,rDRV/-3etrieb (= Non-Des tractive Read and Write = zerstörungsfreies Lesen und Schreiben), eignen. Diese Betriebsweise ist deswegen so interessant, weil sie den Aufbau von großen Speicherblücken mit 2 1/2 D-Ansteuerung gestattet, was wiederum erhebliche Ersparnisse bei der Anateuerelektronik bedeutet. Die Eigenschaft, nichtzerstörend lesbar zu sein, muß jedoch besonders eingeprägt werden.
Das Auslesen der Information aus einer dünnen magnetischen Schicht mit uniaxialer Anisotropie erfolgt in der Regel dadurch, daß man einen Leseiinpuls in schwerer Richtung, d. h. senkrecht zur Vorzugsachse, anlegt, indem man einen όtromimpuls durch die Wortleitung schickt. Bleibt sein Magnetfeld genügend weit unterhalb der Anisotropiefeldstärke H^, so
PA 9/491/1246 Bi t/Rl 8AÖ ORJGlNAL "2" '
009882/1780
fällt die Haguetisieruug nach Abschalten des Leseimpulses wieder in die ursprüngliche leichte Richtung zurück. Liegt das von' dem Leseimpuls erzeugte Feld genügend weit oberhalb IL, so tritt eine Domänenaufspaltung auf, dergestalt, daß die Magnetisierung des -gelesenen Lrahtabsehnitts je zur Hälfte in die positive und die negative leichte Richtung fällt, so daß ein nachfolgender Leseimpuls kein Signal mehr in den Draht induzieren kann. Es kann auch sein, daß infolge einer ungleichmäßigen Aufspaltung ein kleines Restsignal übrigbleibt. Selbst wenn dieses Signal noch ausreichend wäre, um die Information sicher auszulesen, so bedeutet der aufgespaltene Magnetisierungsaustand eine erhebliche Einengung des Bitstrombereiches'. (Als Bitstrom wird der beim Einschreiben durch den Trägerdraht geschickte, informationsbestimmende Stromimpuls bezeichnet; er erzeugt ein Feld in leichter Richtung.) Die Grenzen der-AufSpaltungsdomänen be- Wegen sich unter dem Einfluß von Feldimpulsen in leichter Richtung, d. h. von Bitimpulsen und erst recht unter der kombinierten Einwirkung von Bitimpulsen und einem von der benachbarten Wortleitung herrührenden Streufeld viel leichter als solche Begrenzungsdomänen, welche ein einheitlich magnetisiertes Gebiet der Zylinderschicht von der Länge einiger Zehntel Millimeter von der entgegengesetzt magnetisierten liachbarschaft trenne:!.
Beim 2iDRW-Betrieb befinden sich mehrere Speieherworte auf einer Wortleitung. Diese Anordnung der Speicherworte verbietet es, die oben erwähnte Domänenaufspaltung dadurch zu vermeiden, daß man mit Wortfeldern < H, liest und mit solchen έ E, einschreibt, obwohl dieses Verfahren vom Standpunkt der Signalhöhe noch gangbar wäre. Man muß vielmehr gleiche Wortfeldamplituden zum Lesen und Einschreiben verwenden.
•Als Trägerdraht wird üblicherweise ein Kupferdraht mit Susätzen von ca. 2 -o Beryllium verwendet, weil dieser besonders gute mechanische Eigenschaften besitzt. Dieser Tr'ägerdraht
PA 9/491/1246 009882/1780 ßAD 01^AL -3-
weist im Anlieferungszustand eine Reihe von Unregelmäßigkeiten, v/ie z. 3. Kerben, Ziehriefen und oxydierte Ausscheidungen von beryllium an seiner überfläche auf, welche bei direkter Abscheidung der magnetisierbaren Schicht, z. B. Permalloy, auf den Trägerdraht die Speicherfähigkeit der Magnetschicht stellenweise stark beeinträchtigen wurden.
Es ist nun ein bekanntes Verfahren, durch elektrolytischen Niederschlag einer feinkörnigen Kupfer- oder Goldschicht von einigen /um Dicke aus einem entsprechenden, z, E. schwefelsauren Bad mit Glättungszusätzen diese Unregelmäßigkeiten der Trägeroberflache einzuebnen. Die '.?einkörnigkeit dieser Glättungsschicht bewirkt, daß- die darauf niedergeschlagene Perinalloyschicht sich zwar leicht, d. h. mit einem verhältnismäßig kleinen Bitstrom (und Y/ortstrom) einschreiben läßt, aber auch eine kleine Koerzitivfeidstärke besitzt. Das führt dazu, daß sich kein Eitstrom finden läßt, bei dem die Information einerseits sicher eingeschrieben und andererseits beim Umschreiben einer anderen Speicherstelle auf demselben Draht nicht gestört wird.
Es ist bekannt, daß die Überflächenrauhigkeit der Unterlage auf die Koersitivfeidstärke aufgedampfter Permalloyschichten einen Einfluß ausübt. 3s ist daher üblich, Substrate mit einer rauhen Oberfläche mit einer glätter.den, z. 3. Siliziumoxidschicht zu bedampfen, bevor die eigentlichen Speicherschichten aufgebracht werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Gefahr der Domänenaufspaltung bei Feldstärken >H1 von auf einem Trägerdraht elektrochemisch, vorzugsweise galvanisch abgeschiedenen magnetischen Zylinderschichten mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung durch eine passende Struktur der Trägerdrahtoberfläche au mindern und gleichzeitig die Schwelle, bei .der sich die magnetischen Bereichsgrenzer, zu bewegen beginnen, heraufzusetzen.
ΡΛ V491/1246 '· ^g882n 780 _4_
BAD ORIGINAL
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst," daß zwischen die nichtmagnetische Metallschicht und die Speicherschicht eine weitere nichtmagnetische Metallschicht mit einer rauhen Oberfläche elektrochemisch, vorzugsweise galvanisch aufgebracht wird, .
Damit werden die Vorteile erzielt, daß die Koerzitivfeldstärke so weit erhöht wird, daß die Störanfälligkeit der einmal eingeschriebenen Information erheblich gemildert und ein einwandfreier 2JDRW-Betrieb des aus nach der Srfindung behandelten Plated-V/ire-Drähten aufgebauten liagnet-■ Speichers möglich wird, daß die übrigen magnetischen Schichtfc parameter, wie Anisotropiefeldstärke, Winkeldispersion, Höhe der zum Schreiben oder Lesen benötigten Wort- und .Bitströme, sich vergleichsweise nur geringfügig ändern und daß sich das erfindungsgemäße Verfahren einfach, schnell und zuverlässig durchführen läßt.
Als nichtmagnetische Metalle kommen vorteilhaft Kupfer oder Gold zur Anwendung. ,
Ein erstes Verfahren zur·Erzeugung der gewünschten Oberfläehenrauhigkeit besteht darin, eine grobkristalline Metallschicht auf dem Trägerdraht abzuscheiden. Diese grobkristalline Schicht ergibt die gewünschte zerklüftete öber- f fläche. Vorteilhaft wählt man das elektrochemische, "vorzugsweise galvanische Abscheidungsverfahren so, daß die"Vi'ellenlänge" der Oberflächenrauhigkeit, d. h. die Korngröße der Aufrauhschicht, etwa doppelt so groß wie die Dicke einer Bereichsgrenze der Magnetisierung der Zylinderschicht, z, B, einer Blochwand, wird. Diese Wände haben im allgemeinen eine Dicke von 500 bis 1000 S. Das schließt nicht aus, daß auch noch längere oder kurzwelligere Komponenten in der Oberflächenrauhigkeit existieren dürfen, jedoch haben diese einen geringeren Einfluß auf die Koerzitivfeidstärke.
PA 9/491/1246 009882/1780
BAD ORIGINAL
lieben der Wellenlänge der überfläehenrauhigkei>t hat auch die Rauhtiefe einen Einfluß auf die Koerzitivfeldatärke der darüberliegenden Speicherschicht. Im allgemeinen wächst die Koeraitivfeldstärke mit zunehmender Rauhigkeit, doch, setzt der gleichzeitige Anstieg des Ivlagnetisierungsripples der Rauhtiefe eine obere Grenze, welche bei ca. 15 ',·> der ■Dicke der Magnetschicht liegt. Auch steht die Rauhtiefe bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Aufrauhen der Oberfläche durch Abscheiden einer grobkristallinen Metallschicht mit der Wellenlänge der Oberflächenrauhigkeit in einem engen, durch die verwendeten galvanischen .Bäder bedingten Zusammenhang.
Besonders geeignet hat sich die Verwendung eines cyanidischen Kupferbades zur Erzeugung der zweiten ' nichtmagnetischen Schicht erwiesen. Ein solches Bad ist vorteilhaft aus folgenden Komponenten zusammengesetzt:
40 bis 60 g/l KClT
20 bis 40 g/l CuCIi
10 bis 50 g/l -IaKC4II4O6.4H2O
Die Abscheidung erfolgt bei folgenden' Bedingungen:
pH = 11,5 Badtemperatur = 15 bis 60 0C stromdichte = 4 bis 16 A/dm
Ein weiteres, sehr vorteilhaftes Verfahren, eine Drahtoberfläche mit der gewünschten Rauhigkeit au erhalten, besteht darin, durch Abscheiden einer sehr dünnen Metallschicht auf· dem zuvor geglätteten Träger eine Inselstrukfcur auf der Trifygfjpoberflache zu erzeugen, welche ihrerseits die benötigte optimale, oben beschriebene Oberflächenstruktur erzeugt.
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OQS882/f?0O
' 8ÄD OfHGlNAL
Vorzugsweise verwendet man hierzu ein schwefelsaures Bad mit der Zusammensetzung
180 bis 220 g/l GuSO4.5H3O 10 bis 30 g/l H2SO4 ,
das im Arieehlufi an eine Glättungsverkupferung bei folgenden Bedingungen angewendet wird:
Badtemperatür * 20 bis 30 0C Stromdichte = 2 bis 4 A/dm
Damit ergeben sich die Vorteile, da3 weniger Metall abgeschieden wird, so daß der Trägerdraht aich in. seinem Durchmesser praktisch nicht verändert und daß die Gefahr bleibender Veränderungen nach einer meehanischea Beanapruchung verringert wird. .
Anhand von zwei AuefUhrungsbeispielen und mit Bezug auf die Zeichnung eoll die Erfindung näher erläutert werden.
Pig. 1 zeigt einen Schnitt durch einen erfindungsgemäS hergestellten Plated-Wire-Speicherdraht. Auf den Trägerdraht 1, z. 3. einen Kupfer-Beryllium-Draht, der im Anlieferungesust&nd eise Reihe voa Unregelmäßigkeitan aufweist, ist sutt&e!$et nach bekaitettsi Verfahren, 2. B. aua einen Hoch-.'^«ΙΙΜίΒβνerkaufrü»i|»b#d «it eiaebnender Wirkußg, «in« i*:fl»tt«öd· Kapitriscbißht 2 aufgebracht worden. Darauf
Me erfindun^8g«nH0 aufrauhende, mieit· lupfereohlcht
In diesem speziellen AuifUhrungBbeiapiel wurde folgende Badzusammensetzung
55 g/l KCN ,
33 g/l QuCTi
25 g/l Natrium-Xal ium tar trat.
I'A 9/491/1246 ftnafte. , Λ WÄA 8AD OaiGINAL --7-
pH =11,5
-I
T= 35 0C
^eschichtungsstromdichte 12 A/dm''
Auf den doppelt verkupferten Ou-Be-Braht 1 wurde dann aus einem schwefelsauren Bad eine 0,5/uin dicke Permalloyschicht 4 niedergeschlagen. Die Badzusammensetzung und die Abscheidebedingungeη waren
215 g/l :iickelsulfat; UiSO.,6H2O
8 g/l Ammoniurneisen(II)-sulfat; (XH^ Jpi'siSO . Jg.öHgC 25 g/l Borsäure; H,30,
10 g/l 'iatriumchlorid; HaCl
80 mg/1 Thioharnstoff;
0,3 g/l !Tatriumlaurylsulfat.
Der pH-Wert betrug 3,1; die Badtemperatur 31 0G und die an-
gelegte Stromdichte 9,8 A/dm ,
i^in anderer Badtyp für die Abscheidung der Permalloy schicht hat folgende Zusammensetzung:
385 g/l nickelsulfomat; Ni(NH2SO-)2.43g0 8 g/l Eisensulfat; PeSO^.7HgO 5 g/l Xickelchlorid; !iiClg.öHgC 30 g/l Bor saure; TI -,-30 ^
5 ml/l Glanzzusatü.
Der pH-'.Vert beträgt 4,0; die 3ad tempera tür 60 0C. Die augelegte Stromdichte ist zwischen 15 und 30 A/dm variabel.
Das Ergebnis zeigt Fig. 3: Aufgetragen sind dort der minimale Einschreibstrom i-0±t min» der Koerzitivstrom i der Wandbewegung und der liulldurchgang der Einschreibhysterese-I
PA 9/491/1246 -1^ ■ - - 8 -
'009882/1780
als. Punktion des Beechichtungsstromeß i^u in der Verkupferungsselle. Wie man leicht erkennt, streben ic und i,., . mit wachsendem i„ zunächst stark auseinander,
bit ram Uu
bis die. Differenz, ebenso wie ic, i^^ min und i^ bei iCu = 12 mA, einem Sättigungswert zustrebt.
Fig. 4 zeigt die Einschreibkennlinie eines Plated-Wire-Eleiaents. Aufgetragen ist die Abhängigkeit dar Signalspannung U . in Abhängigkeit vom Bit-Strom i^-j+· Eingetragen sind auch die Ströme i^ und i^it min· ^er Hysteresestrom i. ist der minimale Strom, der beim Schreiben als Bit-Strom fließen muß, um eine früher singeschriebene Information so weit überschreiben zu können, daß beim Auslesen die alte Information nicht mehr als Ausgangssignal erscheint. Z>er tatsächliche Bit-Strom oeim Schreiben muß also auf jeden Fall höher sein als dieser minimale Strom. Um eine möglichst geringe Ansteuerleistung aufwenden au müssen, ist einerseits ein geringer Wei-.-t dieses Hysteresestromes .erwünscht", andererseits darf i aber auch nicht au klein werden, da sonst nicht mehr zerstörungsfrei gelecen werden kann. Es wird angestrebt, ih dicht unterhalb x, .. ^n au legen, wobei "i,.+ . zwischen 30 u/.d 50 mA liegen soll. Ij1 wird durch die Oberflächenstruktur der erfind.mgsgemäß zweiten Verkupferung, aber auch durch die kristalline Struktur der Magnetschicht beeinflußt. ibit jjjin hängt außerdem noch von der Leitergeometrie und der Schichtdicke ao.
Der Koeraitivstrom der Wandbewegung iö lot der durch den trSgerdraht als Bit-Strom fließende 3tro», der ein Feld -\ in leichter Richtung eraeugt, das ohne ßleichaeitig#e handenaein eines ?eldeo in harter 'Sichtung;, äurch einen 3trom im Wortleiter, eine einmal Infonaation durch Wandbewegung zerstört.
Der S^tro» ibit min etellt die untere Grenee .ies für d«tt praktischen Betrieb zulässigen Bit~3tromes «iar und teenft-
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0Q9882/178Q
8AD OfIiGiNAL
zeichnet zusammen mit dem nichtdargestellten maximalen Bit-Strom den verfügbaren Arbeitsbereich der Magnetschicht.
Aus der Fig. 1 erkennt man noch in der Magnetschicht 4- . eine Blochwand 5. Diese Wand liegt in einer energeti-seh ungünstigen Lage, in einem "Tal" der- Oberfläche der 'Schicht 3. Beim Verschieben der magnetischen Bereichsgrenze müßte die Wand 5 sozusagen erst die benachbarten "Berge" hinaufsteigen, wozu eine größere Energie r.ötig ist als bei einer ebenen Unterlage.
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch einer. erf:!.ndungsgemäß behandelten Speicherdraht, wobei die gewünschte Rauhigkeit der überfläche durch die inselartige Struktur einer abgeschiedenen zweiten Kupferschicht 6 erzeugt wird. Auch hier ist der Abstand der Inseln so gewählt, daß eine Bereichsgrenze der I.Iagnetisierung, z. B. eine ülochwand 5, möglichst genau in diesen Zwischenraum hineinpaßt.
Die inselartige Struktur der zweiten Bietallschicht war in einem 3äd mit der Zusammensetzung '
200 g/l CuSO4.5H2O
15 g/l H2SO4
bei 25 0C und bei wechselnder Stromdichte erzeugt worden. Die Magnetschicht 4 war wie beim ersten Beispiel hergestellt worden.
Fig. 5 zeigt i-uj.. . und i als Punktion der Beschich«*
DX C IuXZi O
tungs s tr oms tärke i.QU> iG besitzt demnach ein ausgesprochenes Maximum bei 3 mA. Dieses Maximum deutet auf eine optimale Oberflächenaufrauhung hin.
Zum Schluß sei der Vollständigkeit halber darauf hingewiesen» daß die Absolutbeträge der gemessenen und in den
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BAD ÖfilQlNAL
Figuren, graphisch dargestellten Ströme sich selbstverständlich auf einen bestimmten Versuchsspeicher, der mit erfindungsgemäß beschichteten Drähten aufgebaut worden war, beziehen. Der prinzipielle Verlauf der Kurven ist jedoch von dem jeweiligen Versuchsafubau unabhängig.
12 Patentansprüche
5 Figuren
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Claims (12)

1. Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten für Speich'er^v/ecke mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung, wobei auf einen Trägerdraht zunächst eine feinkörnige, einebnende, nichtmagnetische Metallschicht, insbesondere Kupferschicht, und darauf die eigentliche magnetische Speicherschicht aufgebracht, vorzugsv/eise aufgalvanisiert wird, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen die.nichtmagnetische Metallschicht und die Gpeicherschieht eine weitere nichtmagnetische Metallschicht mit einer rauhen Oberfläche elektrochemisch, vorzugsweise galvanisch aufgebracht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch" gekennzeichnet, daß als nichtmagnetische Metallschicht Kupfer verwendet wird.
3· Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeic.hnet, ' αε.ιΒ als niehtmagnetische Metallschicht Gold verwendet wird.
4. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite niehtmagnetische Schicht eine grobkristalline Metallschicht abgeschieden wird.
5. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß als zweite niehtmagnetische Schicht eine Metallschicht mit inselartiger Struktur abgeschieden wird.
6. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
- die Wellenlänge der Oberflächenrauhigkeit, d. h. der ·
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8AD ORIGINAL
Abstand der einzelnen Oberfläcnenberge bzw. -täler voneinander, etwa doppelt so groß eingestellt wird wie- die Breite einer magnetischen Bereichsgrenze, insbesondere Blochwand.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , dai3 die Wellenlänge der Oberflächenrauhigkeit in einem 3ereich zwischen 1000 und 2000 A eingestellt wird.
8. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Rauhtiefe der Oberfläche maximal 15 ";'ί der Dicke der Magnetschicht beträgt.
9. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 4, 6, 7 und/oder 8, da durch gekennzeichnet, daß ein cyanidisches ICupferbad verwendet wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 5, 6, 7 und/oder 8, d a durch gekennzeichnet, daß ein schwefelsaures Kupferbad verwendet wird.
11. Galvanisches Bad zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch folgende Zusammensetzung und Badbedingungen:
40 bis 60 g/l KON
20 bis 40 g/l GuOII
10 bis 30 g/l JTaKG4H4O6.4K2O
(Natrium-Kaliuratartrat)
pH =11,5; Badtemperatur 15 bis '50 0O;
Stromdichte 4 bis 16 A/dm .
12. Galvanisches Bad zur Durchführung des Verfahrens nach
PA 9/491/1246 - 13 -
009882/1780
. BAD ORtGlNAL
Anspruch 10, gekennzeichnet durch folgende Zusammensetzungen und ßadbedingungen:
180 bis 220 g/l CuSO..5HgO 10 bis 30 g/l H2SO4
Badtemperatur 20 bis 30 C;
ο Stromdichte 2 bis 4 A/dm .
9/491/1246
009882/ 1780
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US3982235A (en) * 1974-08-28 1976-09-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Sinusoidal film plated memory wire
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FR2699321B1 (fr) * 1992-12-14 1995-03-10 Axon Cable Sa Procédé de fabrication en continu d'un conducteur électrique en aluminium cuivre et étame, et conducteur ainsi obtenu.
US5965279A (en) * 1993-11-22 1999-10-12 Axon'cable Sa Electrical conductor made of copper-plated and tin-plated aluminum
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