DE1284533B - Magnetischer Aufzeichnungstraeger mit zwei uebereinander angeordneten duennen magnetischen Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Magnetischer Aufzeichnungstraeger mit zwei uebereinander angeordneten duennen magnetischen Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number
DE1284533B
DE1284533B DEN20976A DEN0020976A DE1284533B DE 1284533 B DE1284533 B DE 1284533B DE N20976 A DEN20976 A DE N20976A DE N0020976 A DEN0020976 A DE N0020976A DE 1284533 B DE1284533 B DE 1284533B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
magnetic
layer
recording medium
nickel
magnetic recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN20976A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NCR Voyix Corp
Original Assignee
NCR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NCR Corp filed Critical NCR Corp
Publication of DE1284533B publication Critical patent/DE1284533B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/08Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
    • H01F10/10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/45Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of non-linear magnetic or dielectric devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

  • In elektronischen Datenverarbeitungsanlagen werden zur Speicherung von Informationen vorwiegend magnetische Aufzeichnungsträger verwendet. Um eine Information schnell aufzeichnen zu können, muß der magnetische Aufzeichnungsträger in kurzer Zeit von einem Remanenzzustand in den anderen geschaltet werden. Die Koerzitivfeldstärke des magnetischen Materials soll klein sein, damit mit möglichst niedrigen Aufzeichnungsströmen gearbeitet werden kann. Weiterhin ist es erforderlich, daß das magnetische Material eine rechteckige Hysteresisschleife aufweist.
  • Es sind magnetische Aufzeichnungsträger bekannt, die aus dünnen Drähten bestehen, auf denen jeweils eine dünne, festhaftende, magnetisierbare Schicht galvanisch abgelagert ist, die aus etwa 93 bis 99 °/o Eisen und etwa 7 bis 1 % Nickel besteht. Diese Aufzeichnungsträger haben eine der angestrebten Rechteckform sehr nahekommende Hysteresisschleife sowie sehr kurze Umschaltzeiten in der Größenordnung von 50 Nanosekunden. Die Koerzitivfeldstärke eines solchen magnetischen Aufzeichnungsmaterials bewegt sich jedoch in der Größenordnung von etwa 15 Oersted, so daß ein Treiberimpuls von etwa 400 Milliampere zur Umschaltung des Remanenzzustandes erforderlich ist. Es ist bekannt, daß sich die Umschaltzeit mit der Herabsetzung des Nickelgehaltes in der magnetisierbaren Schicht verkürzt. Die Sättigungsfeldstärke kann jedoch nur auf Kosten der Umschaltzeit verkleinert werden.
  • In der USA.-Patentschrift 2 792 563 und in der britischen Patentschrift 751843 sind Magnetspeicherelemente beschrieben, die aus mehreren übereinanderliegenden, voneinander isolierten Schichten aus demselben Material bestehen. In diesen Magnetspeicherelementen bleiben die inneren Eigenschaften jeder Schicht unverändert. Die Wechselwirkungen zwischen den einzelnen Schichten können, da sich jede Schicht in den durch die anderen Schichten erzeugten magnetischen Feldern befindet, vorausgesagt werden. Ein derartiges Magnetspeicherelement besitzt eine stufenförmige Hysteresisschleife.
  • In der USA.-Patentschrift 2 643 130 wird ein magnetischer Aufzeichnungsträger beschrieben, der mehrere übereinanderliegende Schichten aus verschiedenen Materialien besitzt. Der Zweck dieser Anordnung besteht darin, das von einem Magnetaufzeichnungskopf erzeugte ungleichmäßige Magnetfeld zu kompensieren, indem die verschiedenen magnetischen Schichten in einer solchen Reihenfolge übereinander angeordnet werden, daß ihre Ansprechempfindlichkeit auf ein äußeres Feld sich im umgekehrten Sinne ändert wie die örtlichen Änderungen des magnetischen Feldes des Aufzeichnungskopfes, so daß diese Änderungen ausgeglichen werden.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers, der gegenüber bekannten Vorrichtungen in kürzerer Zeit und mit kleineren Treiberströmen in die Sättigung geschaltet werden kann und der eine rechteckige Hysteresisschleife besitzt.
  • Es wurde festgestellt, daß durch Verwendung von zwei Schichten aus verschiedenen magnetischen Materialien nicht vorhersehbare Wirkungen erzielt werden können, die den Schichten einzeln nicht eigen sind. Durch die unmittelbare Nähe der beiden Schichten scheint eine Änderung ihrer Eigenschaften bewirkt werden zu können. Für diese Erscheinung gibt es derzeit noch keine genaue Erklärung, jedoch können Kombinationen von diese Wirkung aufweisenden Schichten ohne weiteres durch Versuche bestimmt werden, was aus der folgenden Beschreibung deutlich wird.
  • Gegenstand der Erfindung ist somit ein magnetischer Aufzeichnungsträger mit zwei übereinander angeordneten dünnen magnetischen Schichten.
  • Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die beiden magnetischen Schichten in unmittelbarem Kontakt miteinander auf einem elektrisch leitenden oder mit einer leitenden Oberflächenschicht versehenen draht- oder fadenförmigen Träger aufgebracht sind, daß die eine Schicht aus einer Eisenlegierung mit 30 bis 90 Gewichtsprozent Nickel und die andere aus einer Eisenlegierung mit weniger als 10 Gewichtsprozent Nickel besteht und daß die Schichten jeweils eine Dicke zwischen 500 und 5000 Ä aufweisen.
  • Wie bereits ausgeführt, sind die wichtigsten Merkmale einer magnetischen Speichervorrichtung eine geringe Umschaltzeit, niedrige Koerzitivfeldstärke und eine Hysteresisschleife mit möglichst guter Rechteckform. Bei Verwendung von Eisen-Nickel-Legierungen als Beschichtungsmittel können zur Erzielung der erforderlichen Eigenschaften der Nickelgehalt und die Dicke der magnetischen Schicht variiert werden. Während optimale Umschaltzeiten mit einer 1 bis 7 °/o Nickel enthaltenden Eisen-Nickel-Legierung erreicht werden, können relativ niedrige Koerzitivfeldstärken durch aus 30 bis 900/, Nickel bestehende Eisen-Nickel-Legierungen erzielt werden. Mit dem Ziel, optimale Werte für Umschaltzeiten und Koerzitivfeldstärke bei Aufrechterhaltung einer möglichst rechteckigen Hysteresisschleife zu erhalten, wird in der vorliegenden Erfindung eine Kombination von zwei aus verschiedenen Legierungen bestehenden Schichten verwendet. Der magnetische Aufzeichnungsträger nach der Erfindung besteht somit aus einem dünnen Trägerdraht, auf dessen elektrisch leitenden Oberfläche zwei festhaftende Eisen-Nickel-Schichten galvanisch abgelagert sind. Die eine dieser beiden Schichten besteht aus etwa 30 bis 900/0 Nickel und 70 bis 10 °/o Eisen und die andere aus etwa 93 bis 99 °/o Eisen und 7 bis 10/, Nickel. Des weiteren hat sich gezeigt, daß die optimalen Werte am besten dann erreicht werden, wenn die aus 30 bis 90 °/o Nickel bestehende Schicht eine Dicke zwischen 500 und 4000 A (vorzugsweise eine Dicke in der Nähe des letztgenannten Wertes) hat und die Dicke der zwischen 1 und 7 °/o Nickel enthaltenden Schicht zwischen 3000 und 5000 A (vorzugsweise etwa 4000 A) liegt.
  • In der nachfolgenden Beschreibung werden weitere Merkmale des erfindungsgemäßen magnetischen Aufzeichnungsträgers und Verfahren zu seiner Herstellung sowie an Hand der Zeichnung seine Vorteile erläutert.
  • Als besonders vorteilhaft hat sich ein drahtförmiger Träger erwiesen, der mechanisch sehr widerstandsfähig und elastisch ist, z. B. ein federnder Draht aus Berylliumbronze. Der Trägerdraht kann zur Erzielung der gewünschten mechanischen Eigenschaften einer Wärmebehandlung unterzogen werden. Das magnetische Material der nickelreichen Schicht, die gemäß dem nachstehend beschriebenen Verfahren auf dem Draht galvanisch abgelagert wird, besteht, wie schon mehrfach erwähnt, aus etwa 30 bis 900/0 Nickel und 70 bis 100/, Eisen, wodurch diese Schicht eine annähernd rechteckige Hysteresisschleife und eine sehr niedrige Sättigungsfeldstärke aufweist. Das magnetische Material in der Schicht mit geringem Nickelgehalt, die mittels eines später näher beschriebenen Verfahrens auf der nickelreichen Schicht galvanisch abgelagert wird, besteht vorzugsweise aus 97"/, Eisen und 30/, Nickel und besitzt dadurch eine annähernd rechteckige Magnetisierungskurve und eine äußerst kurze Umschaltzeit. Das genannte Mengenverhältnis für diese zweite Schicht braucht nicht genau eingehalten zu werden, da sich auch brauchbare Vorrichtungen mit einem Verhältnis von 93 bis 99 % Eisen zu 7 bis 1 °/o Nickel in der äußeren Schicht ergeben. Die Prozentsätze von Eisen und Nickel lassen sich durch das Verhältnis der Eisen-und Nickelsalze in den Elektrolyten, in denen die magnetischen Materialien auf die entsprechenden Flächen aufgalvanisiert werden, leicht verändern. Die stäbchen- oder drahtförmigen Kupfer-Beryllium-Träger können einen Durchmesser zwischen 0,12 und 1,3 mm besitzen. Bei einem bevorzugten Träger wurde ein Durchmesser von 0,25 mm gewählt. Es hat sich gezeigt, daß Vorrichtungen mit diesem Durchmesser eine ausreichende Steifigkeit besitzen, um ohne besondere Vorsicht gehandhabt werden zu können, und zudem ausgezeichnete magnetische Eigenschaften für eine Verwendung in Datenspeicheranordnungen und Matrizen besitzen. Die Dicke beider magnetischer Schichten hängt von den Bedingungen ab, unter denen sie auf den Träger aufgalvanisiert werden. Bevorzugte Dicken wurden bereits angegeben und werden normalerweise durch indirekte Verfahren errechnet. Um eine minimale Sättigungsfeldstärke zu erreichen, muß die Dicke der nickelreichen Schicht etwa 4000A betragen.
  • Die in jeder beliebigen Länge herstellbare bistabile magnetische Vorrichtung wird mit einer, vorzugsweise aber mit mehreren Wicklungseinheiten versehen. Diese Wicklungseinheiten bestehen aus jeweils mehreren einlagigen Einzelwicklungen, die im allgemeinen konzentrisch zueinander angeordnet sind. Jede Wicklungseinheit umgibt einen bestimmten Längenabschnitt der äußeren magnetischen Schicht. Sind mehrere Wicklungseinheiten vorgesehen, dann sind diese in einem solchen Abstand voneinander auf der magnetischen Vorrichtung angeordnet, daß unerwünschte gegenseitige Beeinflussungen vermieden werden und jede Wicklungseinheit mit ihrem jeweiligen Längsabschnitt der magnetischen Schichten zusammenarbeitet. Der Aufbau und die Anordnung der Wicklungseinheiten und die zwischen diesen und den magnetischen Filmen auftretenden Wirkungen sind bekannt, so daß sich diesbezüglich eine nähere Beschreibung erübrigt.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein steifer, nichtmagnetischer, elektrisch nichtleitender, fadenförmiger Träger verwendet. Dieser ist mit einem sehr dünnen Überzug aus elektrisch leitendem Material versehen, auf dem eine erste Schicht aus magnetischem Material und auf dieser wiederum eine zweite Schicht aus magnetischem Material aufgalvanisiert ist. Die magnetischen Schichten haben die gleiche Zusammensetzung und Dicke wie im vorangegangenen beschrieben. Als elektrisch nichtleitender Träger wird beispielsweise ein Glas-oder Quarzfaden verwendet. Ein solcher Glas- oder Quarzfaden hat vorzugsweise den gleichen Durchmesser (z. B. 0,25 mm) wie der im vorangegangenen beschriebene Trägerdraht. Die auf dem nichtleitenden Träger aufgebrachte dünne elektrisch leitende Schicht besteht vorzugsweise aus Silber. Zur Herstellung dieser Schicht kann eine Silberlösung zusammen mit einer Reduktionslösung auf den Faden aufgesprüht werden. Die Silberschicht soll einen auf die quadratförmige Schichtfläche bezogenen elektrischen Widerstand in der Größenordnung von 0,01 bis 0,1 Ohm haben. Um die Stromverluste in der fertigen Vorrichtung zu vermindern, soll die Silberschicht so dünn sein, daß sie gerade noch eine befriedigende Leitfähigkeit für das Aufgalvanisieren der magnetischen Schicht ergibt.
  • In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Dicke der magnetischen Schichten sowie deren magnetische Eigenschaften von den Bedingungen abhängig, unter denen die Schichten aufgalvanisiert werden. Von der Vielzahl möglicher galvanischer Bäder und Verfahren werden nachstehend diejenigen aufgeführt, mit denen die besten Ergebnisse bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Vorrichtung erzielt werden. Galvanische Bäder a) Nickelreiche Schicht Erste Badzusammensetzung:
    FeS04 - 7 H20 . . . . . . . . 5 g/1 wäßrige Lösung
    NiS04 - 6 H20 . . . . . . . . 18,6 g/1
    NH,C1 . . . . . . . . . . . . . . . 50 g/1
    Saccharin . . . . . . . . . . . . 1 g/1
    pH-Wert . . . . . . . . . . . . . 3,0 bis 3,4
    Anode ............... Platin
    Temperatur .......... Zimmertemperatur
    Stromdichte . . . . . . . . . . 10 bis 50 mA/cm2
    Axiales Magnetfeld .... 200 Oersted
    Rühren . . . . . . . . . . . . . . nicht erforderlich
    Zweite Badzusammensetzung:
    FeS04 - 7 H20 . . . . . . . . 5 g/1 wäßrige Lösung
    NiS04 - 6 H20 . . . . . . . . 218 g/1
    NaCI . . . . . . . . . . . . . . . . 9,7 g/1
    H31303 . . . . . . . . . . . . . . . 25 g/1
    Saccharin . . . . . . .. . . . . 0,83 g/1
    Natriumlaurylsulfat ... 0,43 g/1
    pH-Wert . . . . . . . . . . . . . 2,7 bis 3,0
    Anode ............... Platin
    Temperatur .......... Zimmertemperatur
    Stromdichte . . . . . . . . . . 10 bis 50 mA/cm2
    Axiales Magnetfeld .... 200 Oersted
    Rühren .............. kräftig
    b) Schicht mit niedrigem Nickelgehalt
    FeCl2 - 4 H20 . . . . . . . . . 290 gil wäßrige Lösung
    NiC12 # 6 H20 . . . . . . . . . 12 g/1
    CaC12 - 2 H20 . . . . . . . . 238 g/1
    Eisenwolle oder -Pulver in solcher Menge, daß
    eine Ferro- und nicht eine
    Ferrilösung entsteht
    pH-Wert . . . . . . . . . . . . . 0,95 bis 1,05
    Temperatur .......... Zimmertemperatur
    Stromdichte . . . . . . . . . . 20 bis 45 mA/cm2
    Axiales Magnetfeld .... nicht vorhanden
    Vor dem Galvanisieren des Kupfer-Beryllium-Drahtes wird dieser in einem alkalischen Reinigungsbad gründlich gereinigt und unmittelbar danach mit destilliertem Wasser abgespült. Danach wird der Draht in eine konzentrierte Salpetersäure getaucht, um eine dünne Oberflächenschicht des Drahtes zu entfernen. Unmittelbar nach der Säurebehandlung erfolgt wiederum ein gründliches Abspülen mit destilliertem Wasser. Um eine erneute Korrosion der Drahtoberfläche zu vermeiden, wird die erste magnetische Schicht sofort nach dem letzten Ätzverfahren und dem anschließenden Spülen aufgalvanisiert.
  • Als nächstes wird der Draht wieder gründlich mit destilliertem Wasser abgespült, worauf sofort die zweite Schicht auf die erste aufgalvanisiert wird.
  • Nach dem zweiten Galvanisieren wird der Draht wieder gründlich abgespült und sofort danach beispielsweise in einem Azetonbad oder durch Besprühen mit Azeton getrocknet. Daraufhin erhält die Vorrichtung sofort einen Schutzüberzug, um ein Oxydieren oder sonstiges Korrodieren der äußeren magnetischen Schicht zu verhindern. Dieser Überzug kann durch Eintauchen der getrockneten Vorrichtungen in ein geeignetes feuchtigkeitsbeständiges selbsthärtendes Harz, beispielsweise Urethanharz, aufgebracht werden. Sobald der Schutzüberzug ausgehärtet oder getrocknet ist, kann die magnetische Vorrichtung mit Wicklungen versehen und als Datenspeicherelement eingebaut werden.
  • Es sei bemerkt, daß während der Ablagerung der nickelreichen Schicht ein parallel zur Achse des Trägers verlaufendes Magnetfeld angelegt wird. Dieses Feld verbessert die Rechteckigkeit der endgültigen Hysteresisschleife.
  • Wird ein fadenförmiger Glasträger mit einer dünnen Silberablagerung an Stelle eines Metalldrahtes verwendet, dann werden die gleichen Galvanisierungsverfahren wie oben beschrieben angewandt. Das Glas muß jedoch zunächst mit einer Silberschicht überzogen werden. Dies geschieht auf folgende Weise: Zunächst wird der Glasfaden beispielsweise durch eine Lösung aus Natriumdichromat und Schwefelsäure bei einer Temperatur von 55'C chemisch gereinigt und mit Wasser nachgespült und anschließend durch Eintauchen in eine Zinnchloridlösung sensibilisiert. Der Glasfaden wird nun mit einer geeigneten Versilberungs-und Silberreduktionslösung besprüht. Hierbei wird der Faden vorzugsweise gleichmäßig um seine Achse gedreht, so daß eine gleichmäßige Silberschicht auf seiner Oberfläche entsteht. Die Silberablagerung kann während eines einmaligen langsamen Bewegens durch den Sprühbereich aufgebracht werden. Eine noch gleichmäßigere Schicht entsteht jedoch durch mehrmaliges schnelles Bewegen des Fadens durch den Sprühbereich, wobei der Träger nach jedem Durchbewegen mit destilliertem Wasser abgespült wird, um alle nicht gebundenen Silbersalze zu entfernen. Das Verfahren wird so oft wiederholt, bis sich auf dem Träger eine genügend dicke Silberschicht abgelagert hat. Wie bereits ausgeführt, soll die Silberablagerung so dünn sein, daß gerade noch eine ausreichende Leitfähigkeit für die anschließenden Galvanisierungsverfahren besteht. Der versilberte Faden kann dann in die galvanischen Bäder eingeführt werden, in denen er nacheinander die beiden magnetischen Schichten erhält.
  • Durch entsprechende Abänderungen der galvanischen Bäder läßt sich der Prozentsatz von Eisen in beiden magnetisierbaren Schichten variieren. Es wurden folgende Beispiele von Legierungskombinationen, die durch niedrige Sättigungsfeldstärke (10 Oersted) und schnelle Schaltzeit (50 Nanosekunden) gekennzeichnet, hergestellt (die Prozentsätze beziehen sich auf das Gewicht):
    Nickelreiche Axiales Feld Schicht
    Bei- mit geringem
    spiel Schicht während des Ni-Gehalt
    Galvanisierens
    Fe: Ni: Co Fe: Ni: Co
    A 20:80:0 keines 98:2:0
    B 20:79:1 beliebig 100:0:0
    C 20:80:0 beliebig 98:0:2
    In allen diesen Beispielen beträgt die Dicke der Schicht etwa 4000 A. Im Beispiel A wurde die magnetische Schicht ohne Anlegen eines magnetischen Feldes aufgalvanisiert, während in den Beispielen B und C das Galvanisieren sowohl mit als auch ohne ein axiales magnetisches Feld erfolgen kann.
  • In der Zeichnung zeigt F i g. 1 charakteristische Magnetisierungskurven für einen mit zwei übereinander angeordneten dünnen magnetischen Schichten versehenen bistabilen magnetischen Aufzeichnungsträger nach der Erfindung und F i g. 2 zwei Kurvenformen, die einen an eine die erfindungsgemäße Vorrichtung umgebende Wicklung angelegten Stromimpuls bzw. den dadurch auf einer zweiten, die Vorrichtung umgebenden Wicklung erzeugten Spannungsimpuls darstellen.
  • In F i g. 1 sind zwei typische Hysteresiskurven gezeigt, die während des Betriebes eines erfindungsgemäßen bistabilen magnetischen Aufzeichnungsträgers oszillographisch aufgenommen wurden. Die Kurve U veranschaulicht die Schwellenkurve, bei der ein hoher Wert der magnetischer Feldstärke H keine Änderung der Induktion B hervorruft. Die Kurve Z veranschaulicht eine durch weniger als den doppelten Wert der zur Erzeugung der Kurve U verwendeten Feldstärke verursachte Induktionsänderung. Der hohe Grad der Rechteckigkeit der Hysteresiskurve Z und der große Schwellenwert der Feldstärke, innerhalb der die Induktion sich nicht verändert, sind besonders hervorstechende Eigenschaften der Erfindung, die sich besonders bei der Verwendung der Vorrichtung zu Speicher- und Schaltzwecken vorteilhaft auswirken. Das Verhältnis BrlB"n ist größer als 0,95. Es sei bemerkt, daß die Sättigungsfeldstärke für diese Vorrichtung weniger als 10 Oersted, nämlich nur etwa 8 Oersted beträgt.
  • Während bekannte ringförmige Ferritkerne Umschaltzeiten von etwa 0,5 bis 5 Mikrosekunden besitzen, hat ein bistabiler magnetischer Aufzeichnungsträger nach der Erfindung eine Umschaltzeit von nur etwa 50 Nanosekunden, was aus der Kurve für die Ausgangsspannung einer solchen Vorrichtung in F i g. 2 hervorgeht, die eine oszillographische Aufzeichnung wiedergibt. Diese Ausgangsspannung wird durch Anlegen eines Treiberimpulses von etwa 250 Milliampere, wie in dem oberen Teil der F i g. 2 gezeigt, verursacht. Die Umschaltzeit von 50 Nanosekunden ist mindestens um eine Größenordnung niedriger als bei herkömmlichen ringförmigen Ferritkernen.
  • Ein wichtiges und überraschendes Ergebnis der durch die F i g. 1 und 2 veranschaulichten Erfindung besteht ferner darin, daß die Hysteresiskurve des mit mehreren magnetischen Schichten versehenen Aufzeichnungsträgers derjenigen einer homogenen Anordnung gleicht und daß die Koerzitivfeldstärke durch Verändern der Dicke der normalerweise eine niedrige Koerzitivfeldstärke besitzenden Teilschicht variiert werden kann. Ein noch wichtigeres Merkmal des erfindungsgemäßen, mehrere magnetische Schichten aufweisenden Aufzeichnungsträgers besteht in der niedrigen Umschaltzeit, die nicht durch die normalerweise hohe, zwischen 0,5 und 5 Mikrosekunden liegende Umschaltzeit der nickelreichen Schicht beeinträchtigt wird.
  • Obwohl im vorangegangenen die Anwendung eines galvanischen Verfahrens beschrieben wurde, kann zum Aufbringen der dünnen magnetischen Filme selbstverständlich auch ein beliebiges anderes Verfahren angewandt werden, wie z. B. Aufdampfen, chemische Ablagerung oder Aufsprühen.

Claims (5)

  1. Patentansprüche: 1. Magnetischer Aufzeichnungsträger mit zwei übereinander angeordneten dünnen magnetischen Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden magnetischen Schichten in unmittelbarem Kontakt miteinander auf einem elektrisch leitenden oder mit einer leitenden Oberflächenschicht versehenen draht- oder fadenförmigen Träger aufgebracht sind, daß die eine Schicht aus einer Eisenlegierung mit 30 bis 90 Gewichtsprozent Nickel und die andere aus einer Eisenlegierung mit weniger als 10 Gewichtsprozent Nickel besteht und daß die Schichten jeweils eine Dicke zwischen 500 und 5000 A aufweisen.
  2. 2. Magnetischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger für die magnetischen Schichten aus einem Kupfer-Beryllium-Draht besteht.
  3. 3. Magnetischer Aufzeichnungsträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger für die magnetischen Schichten aus einem mit einer dünnen, elektrisch leitenden Schicht versehenen Glas- oder Quarzfaden besteht.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden magnetischen Schichten galvanisch auf dem draht- oder fadenförmigen Träger abgelagert werden.
  5. 5. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die galvanischen Bäder folgende Beschaffenheit aufweisen: a) Nickelreiche Schicht FeS04 - 7 H20 . . . . . . . . . 5 g/1 wäßrige Lösung NiS04 - 6 H20 . . . . . . . . . 18,6 g/1 NH4C1 . . . . . . . . . . . . . . . 50 g/1
    Saccharin ............. 1 g/1 pH-Wert . . . . . . . . . . . . . . 3,0 bis 3,4 Anode . . . . . . . . . . . . . . . . Platin Temperatur ........... Zimmertemperatur Stromdichte . . . . . .#. . . . 10 bis 50 mA/cm2 Axiales Magnetfeld .... 200 Oersted Rühren . . . . . . . . . .. . . . . nicht erforderlich
    b) Nickelarme Schicht FeCl2 - 4 H20 . . . . . . . . . 290 g/1 wäßrige Lösung N'C12 - 6 H20 . . . . . . . . . 12 g/1 CaC12 - 2 H20 . . . . . . . . . 238 g/1 Eisenwolle oder -pulver. in solcher Menge, daß eine Ferro- und nicht eine Ferrilösung ent- steht pH-Wert . . .. . . . . . . ... . 0,95 bis 1,05 Temperatur ........... Zimmertemperatur Stromdichte . . . . . . . . . . . 20 bis 45 mA/cm2 Axiales Magnetfeld .... nicht vorhanden
    6. Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die galvanischen Bäder folgende Beschaffenheit aufweisen: a) Nickelreiche Schicht FeS04 - 7 H20 . . . . . . . . . 5 g/1 wäßrige Lösung N'S04 ' 6 H20 . . . . . . . . . 218 g/1 NaCI . . . . . . . . . . . . . . . . . 9,7 g/1 H3B03 . . . . . . . . . . . . . . . 25 g/1 Saccharin . . . . . . . . . . . . . 0,83 g/1 Natriumlaurylsulfat .... 0,43 g/1 pH-Wert . . . . . . . . . . . . . . 2,7 bis 3,0 Anode . . . . . . . . . . . . . . . . Platin Temperatur ........... Zimmertemperatur Stromdichte . . . . . . . . . . . 10 bis 50 mA/cm2 Axiales Magnetfeld .... 200 Oersted Rühren ............... kräftig
    b) Nickelarme Schicht FeC12 - 4 H20 . . . . . . . . . 290 g/1 wäßrige Lösung NiC12 - 6 H20 . . . . . . . . . 12 g/1 CaC12 # 2 H20 . . . . . . . . . 238 g/1 Eisenwolle oder -pulver. in solcher Menge, daß eine Ferro- und nicht eine Ferrilösung entsteht pH-Wert . .. . . ... . . .. . . 0,95 bis 1,05 Temperatur ........... Zimmertemperatur Stromdichte . . . . . . . . . . . 20 bis 45 mA/cm2 Axiales Magnetfeld .... nicht vorhanden
DEN20976A 1960-12-21 1961-12-19 Magnetischer Aufzeichnungstraeger mit zwei uebereinander angeordneten duennen magnetischen Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung Pending DE1284533B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US77451A US3213431A (en) 1960-12-21 1960-12-21 Bilayer magnetic device operating as a single layer device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1284533B true DE1284533B (de) 1968-12-05

Family

ID=22138127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN20976A Pending DE1284533B (de) 1960-12-21 1961-12-19 Magnetischer Aufzeichnungstraeger mit zwei uebereinander angeordneten duennen magnetischen Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3213431A (de)
CH (1) CH388481A (de)
DE (1) DE1284533B (de)
DK (1) DK120404B (de)
GB (1) GB925766A (de)
NL (2) NL128934C (de)
SE (1) SE302314B (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3319315A (en) * 1962-11-21 1967-05-16 Tech Met Corp Method of preparing magnetic memory device
GB1052649A (de) * 1964-06-05
CH420271A (de) * 1965-02-23 1966-09-15 Ibm Dünnschichtzelle mit anisotropen magnetischen Eigenschaften, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung solcher Zellen in einem Festwertspeicher
US3531783A (en) * 1965-08-09 1970-09-29 Sperry Rand Corp Multilayer magnetic wire memory
US3451793A (en) * 1966-02-12 1969-06-24 Toko Inc Magnetic thin film wire with multiple laminated film coating
US3456250A (en) * 1966-11-22 1969-07-15 Sperry Rand Corp Removable magnetic data storage system
US3454916A (en) * 1967-10-09 1969-07-08 Granger Associates Transformer core construction
US3535703A (en) * 1967-10-26 1970-10-20 Ncr Co Non-destructive readout magnetic storage element
US3920409A (en) * 1968-06-19 1975-11-18 Hitachi Ltd Plated ferromagnetic wire for wire memory
US3736576A (en) * 1970-11-27 1973-05-29 Plated wire magnetic memory device
US4845454A (en) * 1986-07-29 1989-07-04 Toko, Inc. Inductance element with core of magnetic thin films

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR966694A (fr) * 1948-05-14 1950-10-16 Procédé de fabrication de noyaux magnétiques et noyaux obtenus par ce procédé
US2643130A (en) * 1949-11-02 1953-06-23 Brush Dev Co Multilayer magnetic record member
GB751843A (en) * 1951-09-03 1956-07-04 Gustav Fries Improvements in or relating to magnetic record carriers
US2792563A (en) * 1954-02-01 1957-05-14 Rca Corp Magnetic system

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3092812A (en) * 1957-05-10 1963-06-04 Sperry Rand Corp Non-destructive sensing of thin film magnetic cores
NL230021A (de) * 1957-08-01
US3069661A (en) * 1957-10-16 1962-12-18 Bell Telephone Labor Inc Magnetic memory devices
NL113780C (de) * 1957-10-23
NL233342A (de) * 1957-11-18
US3077586A (en) * 1959-05-25 1963-02-12 Ibm Magnetic storage device
US3031648A (en) * 1960-05-25 1962-04-24 Ncr Co Magnetic data storage device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR966694A (fr) * 1948-05-14 1950-10-16 Procédé de fabrication de noyaux magnétiques et noyaux obtenus par ce procédé
US2643130A (en) * 1949-11-02 1953-06-23 Brush Dev Co Multilayer magnetic record member
GB751843A (en) * 1951-09-03 1956-07-04 Gustav Fries Improvements in or relating to magnetic record carriers
US2792563A (en) * 1954-02-01 1957-05-14 Rca Corp Magnetic system

Also Published As

Publication number Publication date
US3213431A (en) 1965-10-19
NL272834A (de)
CH388481A (fr) 1965-02-28
DK120404B (da) 1971-05-24
SE302314B (de) 1968-07-15
GB925766A (en) 1963-05-08
NL128934C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1284533B (de) Magnetischer Aufzeichnungstraeger mit zwei uebereinander angeordneten duennen magnetischen Schichten und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1621091B2 (de) Laminierte magnetschicht und verfahren zu ihrer herstellung
DE2301558B2 (de) Magnetisches pulvermaterial und verfahren zu dessen herstellung
DE1193552B (de) Magnetische Datenspeichervorrichtung
DE1147817B (de) Verfahren zum galvanischen Abscheiden eines Nickel-Eisen-UEberzuges
DE1564554A1 (de) Gekoppelte,duenne ferromagnetische Schichten mit unterschiedlichen Koerzitivfeldern und einer Magnetostriktion von etwa Null und Verfahren zu ihrer Herstellung
AT237919B (de) Aus zwei Schichten bestehender dünner magnetischer Film
DE2223932A1 (de) Verfahren zum galvanischen Niederschlagen magnetisierbarer Schichten
DE2839046C2 (de)
DE1186908B (de) Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Vorrichtung
DE1929687A1 (de) Verfahren zum Herstellen von magnetischen Zylinderschichten fuer Speicherzwecke mit uniaxialer Anisotropie der Magnetisierung
DE1274648C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Duennfilmspeicherelements und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE1236007B (de) Verfahren zur Herstellung stabfoermiger Magnetkoepfe und danach hergestellter Magnetkopf
DE1243490B (de) Bad und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von magnetisierbaren Nickel-Eisen-Phosphor-Antimon-Legierungsueberzuegen
DE2031446A1 (de) Schutzuberzug fur dünne ferromagneti sehe Schichten
DE1241226B (de) Bad und Verfahren zum galvanischen Abscheiden magnetisierbarer Nickel-Eisen-Molybdaen-Legierungsueberzuege
AT228534B (de)
DE1515910A1 (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Leitungsfuehrungen extrem geringer Abmessungen,insbesondere fuer mikominiaturisierte Schaltungen
DE1764868C3 (de) Verfahren zum Herstellen ringförmiger metallischer magnetischer Kerne
DE1621091C (de) Laminierte Magnetschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2018116A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Streifenspeichers
DE2109342C (de) Magnetischer Speicherdraht
DE1934861A1 (de) Verfahren zur Herstellung magnetischer Datenspeicherelemente
DE2103719A1 (de) Elektrochemische Zelle
DE1111245B (de) Magnetische Datenspeichervorrichtung