DE1931295A1 - Elektronische Duennfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente - Google Patents

Elektronische Duennfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente

Info

Publication number
DE1931295A1
DE1931295A1 DE19691931295 DE1931295A DE1931295A1 DE 1931295 A1 DE1931295 A1 DE 1931295A1 DE 19691931295 DE19691931295 DE 19691931295 DE 1931295 A DE1931295 A DE 1931295A DE 1931295 A1 DE1931295 A1 DE 1931295A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit arrangement
substrate
flexible substrate
arrangement according
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691931295
Other languages
English (en)
Inventor
Page Derrick J
Raygor Paul O
Brody Thomas P
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CBS Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of DE1931295A1 publication Critical patent/DE1931295A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0317—Thin film conductor layer; Thin film passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10166—Transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path

Description

Düsseldorf, 18. Juni 1969
69,602
6932
•Westinghouse Electric Corporation
Pittsburgh, Pa., V. St. A.
•Elektronische Dünnfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente
•Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf elektronische Dünnfilm-Schaltelemente wie Halbleiterelemente, Widerstände und Kondensatoren, die durch Aufdampfen auf flexiblen Substraten gebildet werden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Herstellung solcher Schaltelemente.
Elektronische Dünnfilm-Schaltanordnungen sind bisher mittels verschiedener Verfahren hergestellt worden, die jedoch entweder keine kontinuierliche Arbeitsweise gestatteten und sich daher als kostspielig erwiesen oder aber keine Schaltungsanordnungen von gleichbleibend guter Qualität lieferten.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist daher die Schaffung neuartiger, von einem flexiblen Substrat getragener elektronischer Dünnfilm-Schaltelemente, die sich leicht mittels eines kontinuierlichen, verhältnismäßig billigen und darüber hinaus auch reproduzierbaren Verfahrens herstellen lassen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist daher eine elektronische Schalteinheit erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens ein Dünnfilm-Schaltelement aufweist, das von einem flexiblen Sub-
909881/ U62
strat getragen ist, und daß das Schaltelement wenigstens eine auf das Substrat aufgedampfte Schicht aus leitendem oder halbleitendem Material enthält.
Die Erfindung wird nachstehend zusammen mit weiteren Merkmalen anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung erläutert. Darin zeigen:
Fig. 1 und 2 Teil-Längsschnitte durch Halbleitereinheiten nach ■
der Erfindung;
w Fig. 3 schematisch die Seitenansicht einer Vorrichtung
zur Herstellung von Schaltelementen gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine Draufsicht auf Fig. 3;
Fig. 5 eine Seitenansicht einer weiteren Vorrichtung zur
Herstellung von Schaltelementen nach der vorliegenden Erfindung;
Fig. 6 eine Draufsicht auf Fig. 5;
Fig. 7 eine Draufsicht auf eine gemäß der vorliegendes
Erfindung hergestellte Schaltungsanordnung mit ^ Widerständen;
Fig. 8 einen Teil-Längsschnitt durch eine Schaltungsanordnung nach der vorliegenden Erfindung mit einer Mehrzahl von Kondensatoren; und
Fig. 9 schematisch das Schaltbild einer Schaltungsanordnung, wie sie sich beispielsweise in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung herstellen läßt.
Mit Fig. 1 ist ein auf einem flexiblen Substrat aufgebrachter Dünnfilm-Feldeffekttransistor 10 als für die vorliegende Erfindung repräsentatives Ausführungsbeispiel gezeigt, der entsprechend einem ebenfalls Bestandteil der Erfindung bildenden Verfahren her-
9 0 9 8 8 1/14 6 2
gestellt worden ist. Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß die Erfindung nicht auf solche Feldeffekttransistoren beschränkt ist und daß die meisten Halbleiter-Schalteinheiten sich mit Hilfe der vorliegenden Erfindung auf einem flexiblen Substrat ausbilden lassen. - ·
Der Transistor 10 weist ein flexibles Substrat 12, einen Source-Kontakt bzw. eine Source-Elektrode 14, einen Drain-Kontakt bzw. eine Drain-Elektrode 16, eine Halbleiterlage 18, eine Isolierlage 20 sowie einen Gate-Kontakt bzw. eine Gate-Elektrode 22 auf.
Das flexible Substrat 12 kann beispielsweise aus Papier, Polyäthylenterephthalat, Estern und Äthern der Zellulose wie Äthylzellulose, Azetatzellulose und Nitrozellulose, Zellwolle wie Zellophan, ferner Polyvinylchlorid, Polyvinylchloridazetat, Polyvinylidenchlorid, Nylonfilm, Polyimid- und Polyamidimid-Filmen, Polytetrafluoräthylen, Polytrifluormonochloräthylen sowie flexiblen Bändern und Folien aus Metallen wie Nickel, Aluminium, Kupfer, Zinn, Tantal sowie Legierungen daraus oder eisenhaltigen Legierungen wie dünnen Edelstahlstreifen bestehen.
Das flexible Substrat 12 bildendes Papier kann jeden Aufbau und sowohl eine rauhe als auch eine glatte Oberfläche haben und beispielsweise von holzfreiem Papier, Holzschliff-Papier, Alphazellulose-Papier oder Kraft-Papier gebildet sein. Zur weiteren Veranschaulichung sind elektronische Schalteinheiten nach der Erfindung in Verbindung mit Spielkarten, Schreibpapier sowie Zeitungspapier als Substrat hergestellt worden.
Der in Verbindung mit dem Ausdruck "flexibles Substrat" verwendete Begriff "flexibel" ist so zu verstehen, daß ein solches Material um einen Dorn geschlagen werden kann, der maximal einen Durchmesser von etwa 25 mm, vorzugsweise in der Größenordnung von 3 - 4 mm hat. Flexible, Feldeffekttransistoren entsprechend Fig. 1 tragende Substrate wurden auf Krümmungsradien von bis zu 1,5 mm gebracht, ohne daß eine Beeinträchtigung der Arbeitsweise zu beobachten gewesen wäre.
909881 / 1 462
Mit Fig. 2 ist eine etwas abgewandelte Ausführungsform eines in diesem Fall mit 110 bezeichneten Feldeffekttransistors nach der Erfindung wiedergegeben. Das flexible Substrat 112 des Feldeffekttransistors 110 wird von einer flexiblen Metallfolie oder einem flexiblen Metallband gebildet, auf die bzw. das zur Herstellung der Schalteinheit eine Schicht 124 aus einem elektrisch isolierenden Material aufgebracht worden ist, die das elektronische Schaltelement der Einheit von dem Substrat isoliert.
Je nach dem das Substrat bildenden Metall kann die Isolationsschicht 124 ein anodisches Oxid (Eloxalverfahren) des Substratmaterials selbst sein, beispielsweise Aluminiumoxid, wenn das für das Substrat 112 verwendete Metall Aluminium ist, oder die Isolation kann von einem der elektrisch isolierenden, aushärtenden Harzwerkstoffe gebildet sein, wie sie als Isolation für elektrisch leitende Drähte Verwendung finden, beispielsweise polyvinylgebildete Phenolharze oder Epoxyharze einschließlich Mischungen mit Polyamidimiden und Polyamidharzen wie sie in den US-Patentschriften 3 179 630 bzw. 3 179 635 beschrieben sind.
Die Source-Elektrode 14 bzw. 114 sowie die Drain-Elektrode 16 bzw. 116 sind auf das flexible Substrat 12 oder auf die Isolationsschicht 124 des Substrats 112 aufgebracht und im Abstand voneinander angeordnet. Die Abstände zwischen der Source- und der Drain-Elektrode sind nicht kritisch und hängen von den gewünschten Eigenschaften ab. Die Source-Elektrode 14 und die Drain-Elektrode 16 bestehen aus einem geeigneten elektrisch leitenden Metall wie Gold, Silber, Aluminium, Nickel sowie Grundlegierungen draus. Die Source-Elektrode 14 und die Drain-Elektrode 16 sollten eine Dicke haben, die ausreicht, um ihre Funktion als ohmsehe Kontakte zu gewährleisten. Für die meisten Schaltungsanordnungen wurde eine Dicke von 80 A bis 500 8 und vorzugsweise von 100 8 bis 300 8 als ausreichend gefunden.
Die Halbleiterlage 18 erstreckt sich zwischen der Source-Elektrode 14 und der Drain-Elektrode 16. Die Halbleiterlage 18 steht dabei mit diesen beiden Elektroden in Kontakt. Vorzugsweise sind die
909881/U62
Source-Elektrode 14 und die Drain-Elektrode 16 teilweise durch die Halbleiterlage 18 überlappt. Die Halbleiterlage 18 kann beispielsweise aus Tellur, Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid, Silizium, Indiumarsenid, Galliumarsenid, Zinnoxid oder Bleitellurid bestehen. Dabei kann die Lage 18 monokristallin, polykristallin oder amorph sein.
Schalteinheiten oder -anordnungen mit befriedigenden Eigenschaften wurden mit Schichtdicken der Halbleiterlage zwischen 40 A und 200 2, vorzugsweise etwa lOO 8 erzielt, wenn es sich bei dem Halbleitermaterial um Tellur handelt, sowie bei Dicken bis zu etwa 5000 8 für die Materialien mit größerem Bandabstand wie Kadmiumsulfid und Kadmiumselenid.
Die Isolierlage 20 braucht die HaIbleiterlage 18 nicht vollständig zu bedecken und nicht von der Source-Elektrode 14 bis zur Drain-Elektrode 16 zu reichen, sondern lediglich die Gate-Elektrode 22 von der Halbleiterlage 18 zu isolieren.
Die Isolierlage 20 kann beispielsweise von Siliziummonoxid, Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Kalziumfluorid, Magnesiumfluorid und polymerisierbaren organischen Stoffen wie Polymeren des Hexachlorbutadiens, des Divinylbenzols, der Arylsulfone, fluorierter Alkenyle (beispielsweise Polytetrafluoräthylen), Para-Xylols oder elektrisch isolierenden Gläsern wie Bleisilikaten, Boraten und Borosilikaten sowie Gemischen daraus bestehen.
Die Isolierlage 20 soll so dünn wie möglich sein, so daß der Strom der Schaltungsanordnung bei einer verhältnismäßig niedrigen Spannung moduliert werden kann. Die Lage muß jedoch den an sie gestellten Anforderungen als elektrischer Isolator genügen. Für eine Lagenstärke von 100 8 wurde gefunden, daß dann gelegentlich feinpori-
die
ge Öffnungen verbleiben, Hie elektrische Isolierwirkung der Lage
in nachteiliger Weise beeinflussen. Eine Stärke von etwa 300 8
scheint die untere Grenze zu sein, wenn solche feinporigen Öffnungen ausgeschlossen werden sollen, während eine Lagenstärke von 1000 8 offenbar einen optimalen Kompromiß zwischen der Forderung
9Q9881/UÖ2
nach einer durchgangsfreien Isolierlage einerseits und einer Modulation bei niedriger Spannung andererseits darzustellen scheint. Übersteigt die Arbeitsspannung der Schaltungsanordnung 100 V, so muß die Stärke etwa 3000 8 betragen, und für eine Arbeitsspannung von 200 V soll die Dicke zwischen 500 8 und 6000 8 liegen.
Die Gate-Elektrode 22 ist auf der Isolierlage 20 zwischen der Source-Elektrode 14 und der Drain-Elektrode 16 angeordnet.
Die Gate-Elektrode 22 besteht aus einem elektrisch leitenden Material wie Aluminium, Kupfer, Zinn, Silber, Gold oder Platin. Da-. mit die Gate-Elektrode 22 eine ausreichende Leitfähigkeit besitzt, " sollte ihre Stärke zwischen 300 8 und ICOO 8, vorzugsweise zwischen 500 8 und 1000 8 liegen.
Feldeffekttransistoren entsprechend Fig. 1 oder 2 weisen ein stabiles Betriebsverhalten auf und ließen sich bei Frequenzen bis zu 60 MHz einsetzen. Derartige Transistoren wurden über 1000 Stunden in Betrieb gehalten, ohne daß eine meßbare wesentliche Änderung der Eigenschaften eingetreten wäre.
Die Schaltungsanordnung nach der Erfindung läßt sich in allen Fällen einsetzen, in denenkeine hohen Anforderungen an eine hohe Leistung, hohe Frequenz oder hohe Temperatur gestellt werden. Die Schaltungsanordnungen nach der Erfindung wurden in Kaskadeverstärkern, Untersetzern sowie Oszillatorkreisen eingesetzt.
Für Schaltungsanordnungen entsprechend Fig. 1 und 2 wurden folgende Kennwerte ermittelt:
Steilheit — etwa 6000 AiS bei 4 mA Drain-Strom; Arbeitstemperatur —bis zu 150° C Umgebungstemperatur; Maximale Source-Drain-Spannung — über 200 V.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung werden die elektronischen Bauelemente durch Bedampfung im Vakuum durch Metallschablonen
90988 1/1462
bzw.-masken hergestellt.
Allgemein wird dabei das flexible Substrat in einer Vakuumkammer angeordnet, und Metalle, Halbleitermaterialien sowie Isolierraaterialien werden dann der Reihe nach durch Schablonen bzw. Masken ,jeweils so aufgedampft, daß auf dem Substrat Schichten mit den für die Bildung der einzelnen elektronischen bzw. elektrischen Elemente der Schaltungsanordnung entstehen. Zur Herstellung des Aufbaus der Fig. 1 bzw. der Fig. 2 wird das Substrat beispielsweise in eine Vakuumkammer gebracht, sodann Metall derart durch eine Maske aufgedampft, daß die Source- und die Drain-Elektroden gebildet werden. Die Maske wird dann durch eine zweite Maske ersetzt, so daß das Halbleitermaterial aufgedampft und damit die Halbleiterlage gebildet werden kann, die sich zwischen der Source- und der Drain-Elektrode erstreckt. Hierauf wird die Maske wieder gewechselt und die elektrische Isolierlage aufgedampft, um die Isolation für die Gate-Elektrode zu bilden. Schließlich wird durch eine vierte Maske die Gate-Elektrode auf die Isolierlage aufgedampft.
Im einzelnen wird das Material für das flexible Substrat ausgewählt und dann auf die gewünschte Größe und Form zurechtgeschnitten. Die vielseitige Anwendbarkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens gestattet die Wahl eines Substrats beliebiger Größe und Form. Vorzugsweise findet Substratmaterial in Rollenform Verwendung, das längs seiner Außenkanten mit Einschnitten für Zahnräder ähnlich wie bei Rollfilmen versehen ist.
Handelt es sich bei dem Substrat um Papier oder eine Zelluloseverbindung, so erfolgt zunächst eine Reinigung in der Weise, daß trockener Stickstoff darübergeblasen und das Material in einem Ofen etwa 30 min bei etwa 100° C ausgetrocknet wird.
Handelt es sich bei dem Substrat um eine durch anodische Oxidation behandelte Metallfolie oder eine Metallfolie mit einer Schicht aus ausgehärtetem Harz bzw. aus einem der anderen geeigneten weiter oben aufgeführten flexiblen Materialien, so wird das Substrat zunächst in Methylalkohol (oder einem anderen organischen Lösungs-
9Q9 8 81/U62
mittel, falls es zufällig in Methylalkohol löslich sein sollte) gewaschen, danach mit trockenem Stickstoff getrocknet und anschließend etwa 30 min lang bei einer Temperatur von ca, ICXX) C in einem Ofen ausgebacken.
In beiden Fällen wird das Substrat dann wieder nach seiner Herausnahme aus dem Ofen mit trockenem Stickstoff gereinigt.
Wie mit Fig. 3 bzw. 4 angedeutet, wird das gereinigte flexible Substrat dann auf eine Zuführrolle 50 oder eine andere geeignete Vorratsrolle aufgewickelt und in eine Vakuumkammer gebracht.
Unter ZurhiIfenahme einer Trägerbahn 51, die aus einem Teil des
besteht
Substrats selbst/7 das auf ein anderes geeignetes Material wie ein Band aus einer Zelluloseverbindung aufgebracht worden ist, wird das flexible Substrat 12 zwischen die Elemente einer Auftragsst'ation 52, einer Prüfstation 54, einer Abdichtungsstation 56 sowie schließlich zu einer Aufnahmerolle 58 gebracht.
Sodann wird die Vakuumkammer auf einen Druck von weniger als
—5 —7
10 Torr, vorzugsweise weniger als 10 Torr abgepumpt. Das flexible Substrat 12 wird dann vorwärtsbewegt, so daß ein Anfangsbereich davon in das Gebiet der Auftragsstation 52 gelangt.
Die Auftragsstation 52 weist eine mechanische Schablonenwechselvorrichtung mit einer Mehrzahl von Schablonen oder Masken auf sowie eine Dickenkontrolleinrichtung 64 wie etwa eine Mikrowaage, eine optische Überwachungseinrichtung oder ein Widerstands-Überwachungssystern, ferner eine mechanische Sperre 66, die zur Steuerung des Beginns/und des Endes des Auftragsvorgangs dient.
Sobald der Anfangsbereich des flexiblen Substrats 12 zu der Auftragsstation 52 gelangt ist, wird die Elektrodenmaske über das Substrat 12 gebracht, so daß die Source-Elektrode 14 und die Drain-Elektrode 16 (Fig. 1 und 2) auf das Substrat 12 aufgedampft werden können. Die Source-Elektrode 14 und die Drain-Elektrode 16 können aus Gold, Silber, Aluminium oder Nickel bestehen.
909881 / 1 4 6 2 "
In zufriedenstellender Weise arbeitende Schaltanordnungen wurden mit Source- undDrain-Elektroden erhalten, deren Stärke zwischen etwa 100 8 und 500 8 lag und die durch Niederschlag des Metalls auf dem Substrat mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 8 bis 50 A und vorzugsweise von etwa 0,7 8 bis 6 8/sec gebildet wurden. Sehr gute Schaltungsanordnungen wurden erhalten, wenn sowohl die Sourceals auch die Drain-Elektrode aus einer Goldschicht von 100 3 bis 300 8 hergestellt wurden, wobei das Gold mit einer Geschwindigkeit von 0,7 8 bis 6 8/sec auf dem Substrat niedergeschlagen wurde.
Sobald dann mittels der Dickenkontrolleinrichtung 64 festgestellt worden ist, daß der Metallniederschlag für die Source- und die Drain-Elektrode eine ausreichende Stärke erreicht hat, wird die Sperre 66 betätigt, die dann den Zustrom weiteren Metalldampfes unterbricht.
Darauf wird die Schablonenwechselanordnung 60 betätigt, so daß die nächste Maske über das Substrat gelangt und somit die Halbleiterlage 18 zwischen der Source- und der Drain-Elektrode aufgedampft werden kann.
Nach dem Aufdampfen der Halbleiterlage 18 wird die nächste Maske in Position gebracht und nunmehr die Isolierlage 20 über die Halbleiterlage 18 aufgedampft. Dabei wurden zufriedenstellend arbeitende Schaltungsanordnungen bei Verwendung einer Siliziummonoxid-Lage mit einer Stärke von 300 bis 500 8 erhalten, wobei diese Lage mit einer Geschwindigkeit von 0,1 bis 5 8/sec und vorzugsweise 0,2 8 bis 2,0 8/sec niedergeschlagen wurde.
Hierauf wird die nächste Maske in Position gebracht und die Gate-Elektrode 22 auf die Isolierlage 20 aufgedampft. Um die besten Ergebnisse zu erzielen, soll die Gate-Elektrode 22 mit einer Geschwindigkeit von 3 8 bis 50 8/sec und vorzugsweise von 6 8 bis 20 8/sec aufgedampft werden.
Gegebenenfalls kann dann eine weitere Maske über den Schaltungsaufbau gedreht und sodann die Schaltungsanordnung in eine Silizium-
909881/U62
monoxid- oder eine ähnliche Schicht dicht eingeschlossen werden, um den Aufbau vor dem Angriff der Umgebungsluft zu schützen. Dabei erwies sich eine Siliziummonoxidschicht mit einer Stärke von etwa 250 A bis lOOO 8, die mit einer Geschwindigkeit von etwa 1 8 bis 3 8/sec aufgebracht wurde, als günstig.
Nachdem die Schaltungsanordnung soweit fertiggestellt worden ist, wird das Substrat in Vorwärtsrichtung bewegt und dann die vorstehend beschriebene Arbeitsfolge wiederholt, wobei nacheinander eine Mehrzahl solcher Schaltungsanordnungen auf dem Substrat gebildet wird.
Wie aus der Zeichnung ersichtlich, enthält die Schablonenwechselanordnung 60 mehr als die an sich erforderlichen vier oder fünf Masken 62. Tatsächlich ist die Schablonenwechselanordnung 60 der Fig. 4 mit zwölf Masken bzw. drei Sätzen der erforderlichen vier Masken ausgestattet. Beim Drehen der Wechselanordnung 60 wird jede Maske 62 unter einen Reinigungskopf 63 geleitet, wo sie vor ihrer Wiederverwendung gereinigt wird.
Während sich die Herstellung der nachfolgenden Schaltungsanordm??* > gen vollzieht, wandern die zuvor hergestellten SchaltungsanordKw , gen auf die Prüf station 54 zu, wo ihre elektrischen Werte geprüxe werden. Fällt diese Prüfung positiv aus, so wird die Schaltungsanordnung zu der Abdichtungsstation 56 Weitertransportiert, wo sie zwischen dem Substrat und einem Band aus einer Zelluloseverbindung dicht eingeschlossen wird, so daß die Schaltungsanordnung hermetisch abgedichtet auf die Aufnahmerolle 58 aufgewickelt wird.
Wie mit Fig. 5 und 6 dargestellt, kann die Auftragsstation 52 der Fig. 3 und 4 in getrennte Stationen unterteilt sein, und statt die verschiedenen Masken und Aufdampfungsquellen über oder unter das Substrat zu bringen, kann dann das Substrat der Reihe nach unter- oder oberhalb von Masken 162, 262, 362 sowie von Materialaufdampfungsquellen 152, 252, 352 vorwärtsbewegt werden. Dabei können beispielsweise eine gesonderte Maskenstation und eine Station mit der Quelle für die Materialaufdampfung für jeden Aufdampfungsvorgang
90 988 1 /US2 -
vorgesehen sein, oder aber es können zwei Aufdampfungsvorgänge an der gleichen Station erfolgen.
Wie bereits angedeutet, können die Maske oder die Masken sowie die Quelle bzw. die Quellen für die Materialaufdampfung über oder unter dem durch die Vakuumkammer wandernden flexiblen Substrat angeordnet sein.
Einige bestimmte Halbleitermaterialien, die in Verbindung mit der Erfindung eingesetzt werden können, lassen sich auf das Substrat nur dann aufbringen, wenn dieses sich im erhitzten Zustand befindet. So muß beispielsweise Kadmiumsulfid auf ein Substrat aufgedampft werden, das eine Temperatur von 150° C bis 200° C hat. Dadurch werden jedoch keine größeren Probleme bei der Wahl des Substrats aufgeworfen, da selbst die meisten Papiersorten einer solchen Temperatur zumindest für die Zeit zu widerstehen vermögen, die für das Aufdampfen der Halbleiterlage erforderlich ist.
In Verbindung mit Indiumarsenid und Galliumarsenid ist bei der Aufdampfung der Halbleiterschicht eine Substrattemperatur von etwa 500° C erforderlich. Bei der Verwendung derartiger Halbleitermaterialien muß ein Substrat gewählt werden, das solche Temperaturen aushalten kann.
Sofern mit Halbleitermaterialien gearbeitet wird, die die Erhitzung des Substrats erforderlich machen, so ist dem Aufbau entsprechend Fig. 5 und 6 gegenüber der Anordnung nach Fig. 3 und 4 der Vorzug zu geben.
Die Lehre der Erfindung läßt sich außer für Transistoren auch in Verbindung mit anderen elektrischen und elektronischen Bauelementen sowie vollständigen Schaltungen auf flexiblen Substraten anwenden. So ist mit Fig. 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung veranschaulicht, bei dem auf das flexible Substrat 212 eine Mehrzahl elektrischer Widerstände 70 aufgebracht worden ist. Diese. Widerstände 70 können aus jedem beliebigen, einen elektrischen Widerstand besitzenden Material bestehen, das dabei entspre-
9098817 1 462
chend dem vorbeschriebenen Verfahren bzw. in Verbindung mit den vorbeschriebenen Anlagen auf das flexible Substrat 212 aufgebracht worden ist. Welches Metall im Einzelfall speziell verwendet wird, ergibt sich aus dem insgesamt gewünschten Widerstand, der Widerstandeigenschaft des Metalls und der gewünschten oder aber zulässigen Länge des einzelnen Widerstandes.
Mit Fig. 8 ist ein weiteres Anwendungsbeispiel der Erfindung wiedergegeben, bei dem auf einem flexiblen Substrat 312 Kondensatoren 72 aufgebracht worden sind. Diese Kondensatoren 72 weisen zwei leitende Schichten 73 und 75 auf, die durch eine Isolierschicht 77 voneinander getrennt sind.
Außer verschiedenen elektrischen Schaltelementen können erfindungsgemäß auch vollständige elektrische Schaltungen auf einem flexiblen Substrat hergestellt werden. So ist mit Fig. 9 ein Niederfrequenzverstärker gezeigt, der in Übereinstimmung mit der Lehre der Erfindung auf einem anodisch oxidierten Aluminiumsubstrat angeordnet wurde. Diese Schaltung weist einen Kondensator 80, drei durch Verbindung der Gate-Elektrode mit der Source-Elektrode als Dioden geschaltete Dünnfilm-Feldeffekttransistoren 82 entsprechend Fig. sowie drei weitere Dünnfilm-Feldeffekttransistoren 84 entsprechend Fig. 2 und einen Widerstand 86 auf.
. Das Substrat besteht aus Aluminium, von dem die Schaltelemente mittels einer Lage aus Aluminiumoxid isoliert sind.
Für die Transistoren 82 und 84 wurde als Halbleitermaterial Tellur verwendet.
Der Kondensator 80 wurde durch Niederschlag von zwei im Verhältnis zueinander durch eine SiO-Lage voneinander isolierte Aluminiumlagen gebildet.
Der Widerstand besteht aus einer Chrom-Nickel-Legierung, und zur elektrischen Verbindung der einzelnen Schaltelemente miteinander zu der Gesamtschaltung dienen aufgedampfte Kupferleiter 88.
909881 /U62
In ähnlicher Weise können erfindungsgemäß weiter Schaltungen für Rundfunkempfänger, Videoverstärker oder logische Schaltkreise auf flexiblen Substraten hergestellt werden.
Patentansprüche:
909881 / U62

Claims (30)

  1. - 14 Pat e ntansprüche
    (l,j Elektronische Schaltungsanordung, dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens ein Dünnfilm-Schaltelement aufweist, das von einem flexiblen Substrat (12; 112; 212; 312) getragen ist, und daß das Schaltelement wenigstens eine auf das Substrat aufgedampfte Schicht aus leitendem oder halbleitendem Material enthält.
  2. 2. Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schaltelement wenigstens eine durch Aufdampfen erhaltene Isolierlage (20; 120) enthält.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Dünnfilm-Schaltelement ein Halbleiterelement ist.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Halbleiterelement ein Feldeffekttransistor ist.
  5. 5. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 —
    4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Dünnfilm-Schal±~ element als Widerstand (70) ausgebildet ist.
  6. 6. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 -
    5, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Dünnfilm-Schaltelement als Kondensator (72) ausgebildet ist.
  7. 7. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 -
    6, dadurch gekennzeichnet, daß sie wenigstens zwei Dünnfilm-Schaltelemente aufweist, die zu einer elektrischen Schaltung miteinander verbunden sind.
  8. 8. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 -
    7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat Papier ist.
    909881 / 1 462 .
  9. 9. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat ein von einem Harz gebildeter Film ist.
  10. 10. Schaltungsanordnung.nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat isolierte Metallfolie ist.
  11. 11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3 oder einem oder mehreren der Ansprüche 4 - 10, gekennzeichnet durch ein flexibles Substrat, an dem eine erste und eine im Abstand davon angeordnete zweite Elektrode angebracht sind, zwischen denen sich eine damit in Kontakt stehende Halbleiterlage erstreckt; durch eine auf der Halbleiterlage angebrachte Isolierlage; sowie durch eine auf der Isolierlage (20; 120) angeordnete dritte Elektrode (22; 122).
  12. 12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat eine solche Flexibilität aufweist, daß es um einen Dorn mit einem Durchmesser von etwa 25 mm gewickelt werden kann.
  13. 13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Elektrode aus Gold, Silber, Aluminium, Nickel oder Grundlegierungen daraus bestehen.
  14. 14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterlage aus Tellur, Kadmiumsulfid, Kadmiumselenid, Indiumarsenid, Galliumarsenid, Zinnoxid oder Bleitellurid besteht.
  15. 15. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus einem Material besteht, das aus der organische und anorganische elektrische Isolierstoffe mit einer dielektrischen Festigkeit von 40 V//U enthaltenden Gruppe ausgewählt ist.
    909881/U62
  16. 16. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche
    11 - 15, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrode aus einem Metall besteht, das aus der Aluminium, Kupfer, Zinn, Silber, Gold und Platin enthaltenden Gruppe ausgewählt ist.
  17. 17. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche
    11 - 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Elektrode eine Dicke im Bereich von 100 8 bis 500 8 haben und daß die Dicke der Halbleiterlage zwischen 40 S bis 5000 S, die Dicke der elektrisch isolierenden Lage zwischen 100 8 und 1000 8 und die Dicke der dritten Elektrode zwischen 300 8 und 1000 8 liegt.
  18. 18. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 - 16, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und zweite Elektrode eine Dicke von 100 8 bis 300 8 haben und daß die Dicke der elektrisch isolierenden Lage zwischen 300 8 und 1000 8 und die Dicke der dritten Elektrode zwischen 500 8 und 1000 8 liegt.
  19. 19. Verfahren zur Herstellung einer Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-18, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat in eine evakuierte Vakuumkammer geleitet und dann dort wenigstens eine Schicht aus leitendem oder halbleitendem Material auf ausgewählte Bereiche der Oberfläche des Substrats aufgedampft wird.
  20. 20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß in ausgewählten Bereichen des Substrats und der leitenden bzw. halbleitenden Lage eine Halbleiterlage aufgedampft wird.
  21. 21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierlage zwischen Lagen aus leitendem oder halbleitendem Material aufgedampft wird.
    909881/1462
  22. 22. Verfahren nach Anspruch 19, 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maske (62) über das Substrat gelegt wird, so daß die ausgewählten Bereiche der Oberfläche für die Aufdampfung freiliegen.
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß ein flexibles Substrat "in eine Vakuumkammer gebracht, der Druck in der Kammer auf weniger als 10 Torr herabgesetzt, eine erste Maske über einen ersten Bereich des flexiblen Substrats gebracht, gleichzeitig zwei Elektroden auf das flexible Substrat aufgedampft werden, die in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet sind, sodann eine zweite Maske über den ersten Bereich des flexiblen Substrats gebracht, hierauf eine Halbleiterlage in dem Raum zwischen den beiden aufgedampften Elektroden aufgedampft, anschließend eine dritte Maske über den ersten Bereich des flexiblen Substrats gebracht, eine elektrisch isolierende Schicht vollständig über die Halbleiterlage gebracht, eine vierte Maske über den ersten Bereich des flexiblen Substrats geschwenkt und schließlich eine dritte Elektrode mit einem dem Abstand zwischen den ersten beiden Elektroden im wesentlichen gleichen Abstand auf die elektrisch isolierende Lage aufgedampft wird.
  24. 24. Verfahren nach Anspruch 23/ dadurch gekennzeichnet, daß das flexible Substrat aus einem flexiblen Material besteht, das aus der Papier, Polyäthylenterephthalat, Zelluloseestern und -äthern, Zellwolle, Polyvinylchlorid, Polyvinylchloridazetat, Polyvinylidenchlorid, Polyimid- und Polyamidfilmen, Polytetrafluoräthylen, Polytrifluormonochloräthylen und flexible metallische Bänder und Folien aufweisenden Gruppe ausgewählt ist, daß die ersten beiden Elektroden aus einem Metall bestehen, das aus der Gold, SiIbSr5 Aluminium, Nickel und Grundlegierungen daraus aufweisenden Gruppe ausgewählt ist, daß die Halbleiterlage aus einem Halbleitermaterial besteht, das aus der Tellur, Kadmiumsulfid, Kadmiuniselenid, Indiumarsenid, Galliumarsenid, Zinnoxid und Bleitellurid aufweisenden Gruppe ausgewählt ist, daß die elektrisch isolierende Lage aus
    9 0 9 8 8 1/1-4 8 2
    einem Material besteht, das aus der organische und anorganische elektrische Isolierstoffe mit einer dielektrischen Festigkeit von wenigstens 4O V//u aufweisenden Gruppe ausgewählt ist, und daß die dritte Elektrode aus einem Metall besteht, das aus der Aluminium, Kupfer, Zinn, Silber, Gold und Platin aufweisenden Gruppe ausgewählt ist.
    24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten beiden Elektroden mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 8 bis 50 8/see, die elektrisch isolierende Lage mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 8 bis 5 8/sec und die dritte Elektrode mit einer Geschwindigkeit von etwa 3 8 bis 50 8/sec aufgedampft werden.
  25. 25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten beiden Elektroden mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,7 8 bis 6 8/sec, die elektrisch isolierende Lage mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,2 8 bis 2 8/sec und die dritte Elektrode mit einer Geschwindigkeit von 6 8 bis 20 8/sec aufgedampft werden.
  26. 26. Verfahren nach Anspruch 23, 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, daß das flexible Substrat aus Papier, die ersten beiden Elektroden aus Gold, die Halbleiterlage aus Tellur, die elektrisch isolierende Lage aus Siliziummonoxid und die dritte Elektrode aus Aluminium bestehen.
  27. 27. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 19 - 26, gekennzeichnet durch eine Vakuumkammer, in der eine Einrichtung zur Aufnahme eines Vorrats an flexiblem Substratmaterial, eine Einrichtung für den Abzug des flexiblen Substratstaterials von der den Vorrat aufnehmenden Einrichtung, mindestens eine Auftragsstation (52), zu der das flexible Substrat fiihrbar ist und die mit einer Hehrzahl von Masken für den Auftrag der einzelnen Lagen bzw. Schichten auf das flexible Material ausgestattet ist, ferner •eine Quelle für das durch diese Masken hindurch aufzudampfende
    909881/1462 ^
    Material, eine Einrichtung zur Messung der aufgedampften Haterialmenge, eine Prüfstation (54), eine Abdichtungsstation (56) sowie eine Einrichtung für die Aufnahme des durch die verschiedenen Stationen gelaufenen flexiblen Substrats untergebracht sind.
  28. 28. Vorrichtung nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Masken drehbar angeordnet sind.
  29. 29. Vorrichtungjhach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Masken längs einer Linie zwischen den Einrichtungen für die Aufnahme eines Vorrats an flexiblem Substratmaterial und der Prüfstation (54) angeordnet sind.
  30. 30. Vorrichtung nach Anspruch 27, 28 oder 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtung für die Messung der auf das flexible Substrat aufgedampften Materialmenge eine Mikrowaage ist.
    KN/sch 3
    909881 / U62
DE19691931295 1968-06-24 1969-06-20 Elektronische Duennfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente Pending DE1931295A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US74706468A 1968-06-24 1968-06-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1931295A1 true DE1931295A1 (de) 1970-01-02

Family

ID=25003519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691931295 Pending DE1931295A1 (de) 1968-06-24 1969-06-20 Elektronische Duennfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente

Country Status (4)

Country Link
CA (1) CA937683A (de)
DE (1) DE1931295A1 (de)
FR (1) FR2011597A1 (de)
GB (1) GB1267975A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10329262B3 (de) * 2003-06-23 2004-12-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Behandlung eines Substrates und ein Halbleiterbauelement

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357395A (en) * 1980-08-22 1982-11-02 General Electric Company Transfer lamination of vapor deposited foils, method and product
US5736751A (en) * 1982-04-13 1998-04-07 Seiko Epson Corporation Field effect transistor having thick source and drain regions
US5698864A (en) * 1982-04-13 1997-12-16 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing a liquid crystal device having field effect transistors
FR2527385B1 (fr) * 1982-04-13 1987-05-22 Suwa Seikosha Kk Transistor a couche mince et panneau d'affichage a cristaux liquides utilisant ce type de transistor
US6294796B1 (en) 1982-04-13 2001-09-25 Seiko Epson Corporation Thin film transistors and active matrices including same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10329262B3 (de) * 2003-06-23 2004-12-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Behandlung eines Substrates und ein Halbleiterbauelement
US7387872B2 (en) 2003-06-23 2008-06-17 Qimonda Ag Solution and method for the treatment of a substrate, and semiconductor component

Also Published As

Publication number Publication date
FR2011597A1 (de) 1970-03-06
GB1267975A (en) 1972-03-22
CA937683A (en) 1973-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2217538C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Zwischenverbindungen in einer Halbleiteranordnung
DE4443800C2 (de) Supraleitende Feldeffekteinrichtung mit Korngrenzenkanal und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1464363B1 (de) Unipolartransistor
DE3705279A1 (de) Widerstand in chip-form sowie verfahren zu dessen herstellung
DE2125610A1 (de) Mehrschichtiger Kunststoff-Flachkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2146985A1 (de) Anordnung zur Herstellung von elektronischen Bauelementen
DE2263149B2 (de) Isolierschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2110543A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Duennfilmtransistoren
DE3038773C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren
DE2044877B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Elektreten
DE2227751A1 (de) Elektrischer kondensator
DE1931295A1 (de) Elektronische Duennfilm-Schaltelemente sowie Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung solcher Schaltelemente
DE3235772A1 (de) Mehrschichtkondensator
DE1589727A1 (de) Elektrischer Kondensator und Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren
DE2216658A1 (de) Halbleiterschaltelement mit Dielektrikum
DE1589890A1 (de) Halbleiterelement mit Isolierueberzuegen und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1047911B (de) Verfahren zur Herstellung temperaturempfindlicher Hochohmwiderstaende geringer Waermetraegheit, insbesondere zur Strahlungsmessung
DE2514139A1 (de) Verfahren zum herstellen eines kondensators
DE1489037A1 (de) Dünnschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4442688C1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleitungs- Feldeffekttransistors mit einer dicken supraleitenden Kanalschicht
DE2359431A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mit einem metallbelag versehenen isolierstoffbandes fuer elektrische kondensatoren
DE2007261A1 (de) Elektrische Widerstandssubstanz, insbesondere Widerstandsschicht und Verfahren zu deren Herstellung
DE1764756A1 (de) Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement
DE2235673C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines für einen selbstheilenden elektrischen Kondensator bestimmten metallisierten Bandes
DE3539318C2 (de)