DE1922761B2 - Kondensatorspeicher - Google Patents
KondensatorspeicherInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Kondensatorspeicher, der eine Reihe von Kondensatoren enthält,
die über die Hauptstrombahnen von Transistoren miteinander verbunden sind, wobei die Steuerelektroden
der Transistoren gruppenweise miteinander verbunden sind und dabei Knotenpunkte bilden, denen Steuersignale
zugeführt werden, die entsprechend den ansteigenden Ordnungszahlen der Knotenpunkte in der
Phase verschoben sind. Kondensatorspeicher werden vielfach als Verzögerungsleitungen für z. B. Audiooder
Videofrequenzsignale verwendet. Dabei ist es erforderlich, daß die in e>nem der Kondensatoren der
Reihe vorhandene Ladung möglichst verlustfrei auf einen folgenden Kondensator der Reihe übertragen
wird.
Bei einem Kondensatorspeicher dieser Art, der in der älteren Patentanmeldung P 15 41 954 beschrieben
wurde, sind aufeinanderfolgende Kondensatoren einer Reihe von Kondensatoren je über die Emitter-Kollektor-Strecke
eines npn-Transistors miteinander verbunden. Die vom Kollektorkreis abgekehrten Anschlußklemmen
der Kondensatoren sind mit den Basiselektroden der entsprechenden Transistoren verbunden.
Die Basiselektroden der Transistoren sind gruppenweise miteinander verbunden und bilden dabei
Basisknotenpunkte, denen Steuersignale zugeführt werden, die entsprechend den ansteigenden Ordnungszahlen der Basisknotenpunktc gegenseitig in der Phase
%'erschoben sind. Wie in der obenstehenden Patentanmeldung
erwähnt wurde, wird nun für Eingangssignale, die im Intervall — E< Vi
<+E liegen, wobei E die Amplitude des Steuersignals darstellt, eine lineare
Beziehung zwischen dem Spannungsabfall Δ V über dem Speicherkondensator aus der ersten Stufe des
Speichers und dem dieser ersten Stufe zugeführten
ίο Eingangssignal bestehen. Im erwähnten Intervall
wird Δ V über dem erwähnten Kondensator das Intervall O
< Δ V <+E durchlaufen. Wenn das Eingangssignal Vi gleich O Volt ist, wird der Spannungsabfall
Δ V über dem Kondensator aus der ersten Stufe gleich V2 E sein, weicher Spannungsabfall nachstehend
als »Nullpegel« bezeichnet wird. Wenn das Eingangssignal Vi gleich —£Volt ist, wird der Spannungsabfall
Δ V über dem Kondensator aus der ersten Stufe gleich OVoIt sein; dieser Spannungsabfall wird nach-
ao stehend als »Spitzenpegel« bezeichnet.
Wenn die Reihe von Kondensatoren in diesem Kondensatorspeicher groß ist, wird die Wirkung des
Speichers durch die Tatsache beeinträchtigt, daß bei Übertragung von Ladung zwischen zwei aufeinanderfolgenden
Kondensatoren aus der Reihe von Kondensatoren Ladung verloren geht, weil der Kollektor-Emitter-Stromverstärkungsfaktor
« der verwendeten Transistoren etwas kleiner als 1 ist. Dies hat zur Folge,
daß sich der Nullpegel langsam aufwärts zu dem Spitzenpegel bewegt, je nachdem die Ladung weiter
vorgeschoben wird. Dieser Effekt wird noch dadurch verstärkt, daß auch die Transistorladeströme nach
jeder folgenden Stufe des Speichers und somit bei den meisten Transistoren auch der KollektoF-Emitter-Stromverstärkungsfaktor
λ verringert werden. Nach einer gewissen Anzahl, meistens einigen zehn Stufen,
ist der erwähnte Nullpegel so weit vorgeschoben, daß in den oberen Spitzen des Signals der Transistor
außerhalb seines linearen Wirkungsbereiches gelangt, so daß das Signal abgeplattet und somit verzerrt wird.
In der erwähnten Patentanmeldung werden die erwähnten Ladungsverluste völlig oder teilweise dadurch
ausgeglichen, daß einer oder mehrere der Kondensatoren aus der Reihe von der Reihenschaltung einer
bei Übertragung von Ladung leitenden Diode und eines zusätzlichen Kondensators überbrückt werden,
wobei dieser zusätzliche Kondensator die Eingangsimpedanz zwischen dem Emitter und dem Kollektor
des Hilfstransistors bildet, dessen Basis-Emitter-Strecke zu der erwähnten Diode gegensinnig parallel
geschaltet ist, während der Knotenpunkt der Diode und der Basiselektrode des Hilfstransistors mit derjenigen
Seite des Kondensators verbunden ist, der die Ladung für den auffolgenden Kondensator entnommen
wird.
Die obenerwähnte Lösung zum Erzielen einer vollständigen oder teilweisen Kompensation der erwähnten
Ladungsverluste kann in Kondensatorspeichern angewandt werden, in denen die Reihe von Kondensatoren
nicht zu groß ist. Da der Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor
λ für jeden der verwendeten Transistoren verschieden ist, ist es erforderlich, daß die
Verstärkung jedes der verwendeten Ladungsverstärker einstellbar ist, was z. B. dadurch verwirklicht werden
kann, daß der zusätzliche Kondensator in den Ladungsverstärkern veränderlich ausgebildet wird. Die
obenerwähnte Lösung läßt sich weniger gut in Kondensatorspeichern anwenden, in denen die Reihe von
Kondensatoren groß ist und z. B. 200 Kondensatoren umfaßt Die Anzahl benötigter Ladungsverstärker
piüßte in diesem Falle etwa 5 betragen, was bedeutet,
daß zum Inbetriebsetzen eines derartigen Kondensatorspeichers
diese fünf Ladungsverstärker gesondert eingestellt werden müssen, wodurch die Bedienung des
Kondensatorspeichers erheblich erschwert wird. Außerdem wird im Zusammenhang mit der zuläscigen
Verzerrung des elektrischen Ausgangssignal des Kondensatorspeinhers die zulässige Amplitude des dem
Speicher zugeführten elektrischen Eingangssignals durch die Stelle bestimmt, an der der Ladungsverstärker
im Kondensatorspeicher angebracht wird. Messungen haben ergeben, daß die zulässige Amplitude des
Eingangssignals bei Verwendung von 50 Kondensatoren vor dem ersten Ladungsverstärker etwa die Hälfte
des möglichen Aussteuerraumes — E < K1-
< + E des ersten Transistors im Speicher ist, während bei Verwendung von 200 Kondensatoren die zulässige
Amplitude des Eingangssignals gleich 0 ist.
Die Erfindung hat den Zweck, eine Schaltungsanordnung
der beschriebenen Art zu schaffen, bei der einerseits die zulässige Amplitude des Eingangssignals
im Zusammenhang mit der zulässigen Verzerrung des Ausgangssignals von der Anzahl Stufen des Kondensatorspeichers
unabhängig ist, während andererseits die Anzahl benötigter Ladungsverstärker im Kondensatorspeicher
erheblich herabgesetzt wird, wobei der Kondensatorspeicher außerdem besonders gu' in
einem Halbleiterkörper integriert werden kann.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß aufeinanderfolgende Transistoren von entgegengesetzten
Leitfähigkeitstypen sind und daß die Steuersignale entsprechend den ansteigenden Ordnungszahlen der
Knotenpunkte abwechselnd eine positive und negative Polarität haben.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Kondensatorspeicher nach der Erfindung
und
F i g. 2 den Spannungsverlauf an verschiedenen Punkten des Kondensatorspeichers;
F i g. 3 veranschaulicht die Abschwächung eines Eingangssignals in dem Kondensatorspeicher nach
der Erfindung und die Abschwächung eines gleichen Eingangssignals im bekannten Kondensatorspeicher.
In F i g. 1 besteht die Reihe von Kondensatoren aus den Kondensatoren C1 bis Cn- Diese Kondensatoren
sind durch die Hauptstrombahnen der Transistoren T1 bis Tn miteinander verbunden, während
die von diesen Hauptstrombahnen abgekehrten Anschlußklemmen mit einem Punkt konstanten Potentials
verbunden sind. Es sei dabei bemerkt, daß bei Zweipoltransistoren die Hauptstrombahn die Emitter-Kollektor-Strecke
ist. während bei Feldeffekttransistoren die Hauptstrombahn die Strecke zwischen, der
Quellenelektrode und der Abflußelektrode ist. Die Steuerelektroden der ungeradzahligen Transistoren
sind miteinander verbunden und bilden dabei einen ersten Knotenpunkt, der mit dem Ausgang 1 der
Schaltspannungsquelle ,S verbunden ist. Die Steuerelektroden der perad^ahl'pen Transistoren sind gleichfalls
miteinander verbunden und bilden dabei einen zweiten Knotenpunkt, der mit dem Ausgang 3 der
Schaltspannungsquelle S verbunden ist. Die Emitter-Elektrode des Transistors T1 oder, wenn T, ein Feldeffekttransistor
ist, die Quellenelektrode dieses Transistors ist über die Reihenschaltung eines WiderStandes
A1, der Signalspannungsquelle Vi und der
Gleichspannungsquelle £x mit einem Punkt konstanten
Potentials verbunden. Die den Hauptstrombahnen der Transistoren T1 bis Tn zugekehrten Anschlußklemmen
der ungeradzahligen Kondensatoren sind über die ungeradzahligen Dioden D1, D3, D5 mit dem Ausgang 2
der Schaltspannungsquelle S verbunden. Die den Hauptstrombahnen der Transistoren T1 bis Tn zugekehrten
Anschlußklemmen der geradzahligen Kondensatoren sind über die geradzahligen Dioden D2,
D4, Dn mit dem Ausgang 4 der Schaltspannungsquelle
S verbunden. Die an den Ausgängen 1, 2, 3 und 4 der Schaltspannungsquelle S auftretenden Spannungen
sind in den F i g. 2c, 2d. 2a bzw. 2b dargestellt. Die Wirkungsweise des in F i g. 1 dargestellten
Kondensatorspeichers ist folgende.
Es sei angenommen, daß der Kondensator C1 im
Zeitintervall τ3 eine Information e empfangen hat (s.
Fig. 2e). Im Zeitintervall τ5 wird der Transistor T2
eingeschaltet, wodurch der Kondensator C1 weiter aufgeladen wird, bis die Spannung über dem Kondensator
C1 gleich O Volt geworden ist. Zugleich wird das
im Zeitintervall τ4 im Kondensator C1 vorhandene
Ladungsdefizit C1 (E-e) um einen Faktor d geschwächt
auf den Kondensator C2 übertragen, wobei die Schwellwertspannung Va zwischen der Basis- und
der Emitter-Elektrode (wenn T1 ein Zweipoltransistor
ist) oder die Schwellwertspannung zwischen der Steuerelektrode und der Quellenelektrode (wenn T1
ein Feldeffekttransistor ist) vernachlässigt wird. Die Spannung über dem Kondensator C2 sinkt dadurch
auf E-d(E-e) ab, wobei deinen Schwächungsfaktor
für die erwähnte Ladungsübertragung darstellt, der bei Verwendung von Zweipoltransistoren im wesentliehen
durch den Emitter-Kollektor-Stromverstärkungsfaktor χ der Transistoren und bei Verwendung
von Feldeffekttransistoren im wesentlichen durch in den Kondensatoren auftretende Leckströme bestimmt
wird. Im Intervall τ, wird der Kondensator C2 durch
den Transistor T3 weiter entladen, bis die Spannung über diesem Kondensator gleich O Volt geworden ist.
Zugleich wird der im Kondensator C2 während der Zeitintervalle rs und τβ vorhandene LadungsüberschußCj
{E-d-(E-e)} um einen Faktor*/ geschwächt
auf den Kondensator C3 übertragen. Die Spannung über dem Kondensator C3 wird dadurch
gleich [E-d {E-d (E-e)}). Im Zeitintervall τβ wird
der Kondensator C3 durch den Transistor T4 weiter
entladen, bis die Spannung über diesem Kondensator gleich O Volt geworden ist. Zugleich wird das im Kondensator
C3 während der Zeitintervalle τ, und τ8 vorhandene
Ladungsdefizit C3 [E-d {E—d (E-e)}] um
einen Faktor d geschwächt auf den Kondensator C4
übertragen. Die Spannung über dem Kondensator C4 wird dadurch gleich E-d [E- {E-d (E-e)}]. Eine
einfache Berechnung ergiot, daß die Spannung Vn
über dem n-Kondensator nach der Übertragung zwischen
den (/ι — 1)-Kondensator und dem «-Kondensator
gleich E- (d-cP + d^-d* ± dn) E ± dn · e sein
wird. Für einen großen Wert von η ist dies annähernd gleich
■ Ii
wenn d dem Wert 1 nahe liegt.
Das Verhalten der Spannung Vn als Funktion der
Ordnungszahl η ist in F i g. 3 sowohl für den be·· hältnis abhängig. Wenn nicht mehr als 200 Stufen ir
kannten Kondensatorspeicher (mit einer gestrichelten Reihe geschaltet sind, können in den meisten Fäller
Linie) als auch für den Kondensatorspeicher nach der die Ladungsverstärker sogar völlig weggelassen wer
Erfindung veranschaulicht. Die gestrichelte Linie b den, und es reicht aus, das Signal nach Durchgang
veranschaulicht das Verhalten des Nullpegels als 5 durch die integrierte Verzögerungsleitung auf übliche
Funktion der Ordnungszahl η im bekannten Konden- Weise zu verstärken.
satorspeicher, während die volle Linie b das Verhalten Da jedem ungeradzahligen Kondensator aus derr
des Nullpegels als Funktion der Ordnungszahl η im Kondensatorspeicher nach F i g. 1 aus beiden Rieh
Kondensatorspeicher nach der Erfindung darstellt tungen Ladung zugeführt wird, ist eine zusätzliche
Aus einem Vergleich zwischen den Verhalten der Null- io Diode erforderlich, durch die nach jeder Ladungspegel geht hervor, daß der Nullpegel im Kondensator- Übertragung eine konstante Ladung abgeführt werder
speicher nach der Erfindung zu dem festen Wert Vs £ kann. Dies erfolgt mittels der ungeradzahligen Di
konvergiert. Außerdem illustriert F i g. 3 das Ver·· öden D1, D3 und Z)6 der F i g. 1. Jeder geradzahlige
halten der extremen Werte der Eingangssignale Vx Kondensator benötigt gleichfalls eine geradzahlige
und K01, die dem Kondensatorspeicher nach der Er- 15 Diode zum Zuführen einer konstanten Ladung nach
findung bzw. dem bekannten Kondensatorspeicher jeder Ladungsübertragung. Statt der in F i g. 1 ge
zugeführt werden, als Funktion der Ordnungszahl η zeigten Dioden können zwei Mehremitter-Transistorer
der Kondensatoren. Die gestrichelte Linie α zeigt das angewandt werden. Die geradzahligen Dioden werder
Verhalten des Minimums des Eingangssignals K01, dabei durch eine gleiche Anzahl Basis-Emitter-Dioder
während die gestrichelte Linie c das Verhalten des 20 eines npn-Mehremitter-Transistors ersetzt. Die un
Maximums des erwähnten Eingangssignals als Funk- geradzahligen Dioden werden durch eine gleiche
tion der Ordnungszahl η darstellt. Die volle Linie ax Anzahl Basis-Emitter-Dioden eines pnp-Mehremitter
veranschaulicht das Verhalten des Minimums des Transistors ersetzt. Dadurch wird der Vorteil erzielt
Eingangssignals K1 als Funktion der Ordnungszahl n, daß die den Ausgängen 2 und 4 der Schaltspannungs
während die volle Linie C1 das Verhalten des Maxi- 35 quelle zugeführte Steuerenergie erheblich geringer seir
mums des Eingangssignals K1 als Funktion der Ord- kann, wodurch der Verdrahtung und den mit der
nungszahl η darstellt. Aus einer näheren Betrachtung Ausgängen 2 und 4 gekoppelten Endtransistoren dei
des Verlaufes der gestrichelten Kurve α geht hervor, Schaltspannungsquelle weniger strenge Anforderunger
daß der Transistor T20, der mit dem Kondensator C20 gestellt werden können, was insbesondere bei Tast
aus dem bekannten Kondensatorspeicher zusammen- 3° frequenzen >1 MHz wichtig ist.
wirkt, in seinen nichtlinearen Arbeitsbereich gelangt Es dürfte einleuchten, daß sich die Erfindung nich ist. Dadurch wird das Eingangssignal K01 verzerrt, was auf die beschriebene Ausführungsform beschränkt unc durch die Kurve K020 in F i g. 3 dargestellt ist, die daß für den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele das Verhalten der Spannung über dem Kondensator Abarten möglich sind. Zum Beispiel können sowoh C20 als Funktion der Zeit zeigt. Der Verlauf der 35 Zweipol- als auch Feldeffekttransistoren Anwendung Kurve α der F i g. 3 zeigt weiter, daß der Wert von n, finden. Ferner können sowohl Feldcffekttransistorer bei dem zum ersten Mal Verzerrung eines Eingangs- mit einer n-ieitenden und p-leitenden Kanalzone all signals auftritt, von der Größe der Amplitude des auch Feldeffekttransistoren vom Anreicherungs- unc Eingangssignals abhängig ist. Dadurch wird die Wahl Verarmungstyp verwendet werden. Außerdem kanr der Stelle, an der im bekannten Kondensatorspeicher 40 die in F i g. 1 beschriebene Schaltungsanordnung ζ. Β ein Ladungsverstärker angebracht werden soll, einer- vorteilhaft zum Erzielen eines üblichen Filters füi seits durch die Größe des Eingangssignals und an- elektrische Signale angewandt werden. Auch könner dererseits durch den Wert der Ordnungszahl η be- in Vereinigung mit der in F i g. 1 beschriebener stimmt. Aus einer näheren Betrachtung des Verlaufes Schaltungsanordnung übliche Ein- und Ausgangs der vollen Linie α geht hervor, daß keiner der Tran- 45 kreise verwendet werden. Weiterhin können zwei odei sistoren des Kondensatorspeichers nach der Erfindung mehrere Schaltungsanordnungen der in F i g. 1 be in seinen nichtlinearen Arbeitsbereich gelangt. Da- schriebenen Art zu einem gemeinsamen Eingang (ge durch ist die Stelle, an der der erste Ladungsverstärker meinsamen Eingängen) und/oder zu einem gemein im Kondensatorspeicher angebracht werden muß, samen Ausgang (gemeinsamen Ausgängen) paralle lediglich von dem gewünschten Signal-Rausch-Ver- 50 geschaltet werden.
wirkt, in seinen nichtlinearen Arbeitsbereich gelangt Es dürfte einleuchten, daß sich die Erfindung nich ist. Dadurch wird das Eingangssignal K01 verzerrt, was auf die beschriebene Ausführungsform beschränkt unc durch die Kurve K020 in F i g. 3 dargestellt ist, die daß für den Fachmann im Rahmen der Erfindung viele das Verhalten der Spannung über dem Kondensator Abarten möglich sind. Zum Beispiel können sowoh C20 als Funktion der Zeit zeigt. Der Verlauf der 35 Zweipol- als auch Feldeffekttransistoren Anwendung Kurve α der F i g. 3 zeigt weiter, daß der Wert von n, finden. Ferner können sowohl Feldcffekttransistorer bei dem zum ersten Mal Verzerrung eines Eingangs- mit einer n-ieitenden und p-leitenden Kanalzone all signals auftritt, von der Größe der Amplitude des auch Feldeffekttransistoren vom Anreicherungs- unc Eingangssignals abhängig ist. Dadurch wird die Wahl Verarmungstyp verwendet werden. Außerdem kanr der Stelle, an der im bekannten Kondensatorspeicher 40 die in F i g. 1 beschriebene Schaltungsanordnung ζ. Β ein Ladungsverstärker angebracht werden soll, einer- vorteilhaft zum Erzielen eines üblichen Filters füi seits durch die Größe des Eingangssignals und an- elektrische Signale angewandt werden. Auch könner dererseits durch den Wert der Ordnungszahl η be- in Vereinigung mit der in F i g. 1 beschriebener stimmt. Aus einer näheren Betrachtung des Verlaufes Schaltungsanordnung übliche Ein- und Ausgangs der vollen Linie α geht hervor, daß keiner der Tran- 45 kreise verwendet werden. Weiterhin können zwei odei sistoren des Kondensatorspeichers nach der Erfindung mehrere Schaltungsanordnungen der in F i g. 1 be in seinen nichtlinearen Arbeitsbereich gelangt. Da- schriebenen Art zu einem gemeinsamen Eingang (ge durch ist die Stelle, an der der erste Ladungsverstärker meinsamen Eingängen) und/oder zu einem gemein im Kondensatorspeicher angebracht werden muß, samen Ausgang (gemeinsamen Ausgängen) paralle lediglich von dem gewünschten Signal-Rausch-Ver- 50 geschaltet werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Kondensatorspeicher mit einer Reihe von Kondensatoren, die über die Hauptstrombahnen
von Transistoren miteinander verbunden sind, wobei die Steuerelektroden der Transistoren gruppenweise
miteinander verbunden sind und dabei Knotenpunkte bilden, denen Steuersignale zugeführt
werden, die entsprechend den ansteigenden Ordnungszahlen der Knotenpunkte in der Phase
verschoben sind, dadurch gekennzeichnet,
daß aufeinanderfolgende Transistoren von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen sind und daß
die Steuersignale entsprechend den ansteigenden Ordnungszahlen der Knotenpunkte abwechselnd
eine positive und negative Polarität haben.
2. Kondensatorspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die von den Hauptstrombahnen
der Transistoren abgekehrten Anschlußklemmen der Kondensatoren mit Punkten konstanten Potentials verbunden sind.
3. Kondensatorspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die den Hauptstrombahnen
der Transistoren zugekehrten Anschlußklemmen der geradzahligen Kondensatoren über
Halbleiterdioden vom gleichen Leitfähigkeitstyp mit einer ersten Schaltspannungsquelle verbunden
sind, während die die Hauptstrombahnen der Transistoren zugekehrten Anschlußklemmen der
ungeradzahligen Kondensatoren über Halbleiterdioden von einem dem der bereits erwähnten
Halbleiterdioden entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp mit einer zweiten Schaltspannungsquelle verbunden
sind, wobei die von der ersten und von der
zweiten Schaltspannungsquelle abgegebenen Spannungen entgegengesetzte Polaritäten haben.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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DE1922761A1 DE1922761A1 (de) | 1970-02-05 |
DE1922761B2 true DE1922761B2 (de) | 1976-04-22 |
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ID=19803737
Family Applications (1)
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ES (1) | ES367601A1 (de) |
FR (1) | FR2009341A1 (de) |
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Date | Code | Title | Description |
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BHV | Refusal |