DE1768896C - Verfahren zur Herstellung von Disi lacylohexadienen - Google Patents

Description

1 763 896 ι 2

Disilacyclohexadien-Ringsysteme sind in der Or- Erfindungsgemaß werden die Disilacyclohexadknc

ganosiliconchemie seit einiger Zeit von großem Inter- der Formel
esse. Bis jetzt sind jedoch nur die beiden folgenden
Derivate bekannt, die dieses Ringsystem enthalten: _ru r

CH₃

CH₃

Si

Si

CH₃

CH₃

CH₃

"J

H—Il

Si

— H H

Si

/ \
CH₃ R

worin R einen Alkoxyrest bedeutet, hergestellt, indem man Verbindungen der allgemeinen Formel

R₁Si

SiR,

CH₃ CH₃

worin R einen Alkoxyrest bedeutet, mit Acetylen aui Temperaturen von mindestens 175° C erhitzt.

Nach dem Vermischen der Reaktionsteilnehmer werden diese, wie oben angegeben, auf eine Temperatur von mindestens 175° C erhitzt. Bei Temperaturen von weniger als 175° C verläuft die Reaktion zu langsam. Es gibt keine maximale kritische Temperatur Für das angegebene Verfahren, aus wirtschaftlichen und praktischen Erwägungen ist jedoch vorteilhaft, bei Temperaturen im Bereich von 175 bis 400° C zu arbeiten.

Die Umsetzung kann durch die folgende Reaktions-

gleichung beschrieben werden:

Diese Verbindungen sind in folgenden Literaturstellen beschrieben:

M. E. Vo 1 ρ i n, Yu. D. K. ο r e s h k ο v. V. G. Dulova und D. N. Kursanov, Tetrahedron, Bd. 18. S. 107 (1962), R. We s t und R. E. Bailey. Journal of the American Chemical Society. Bd. 85.S. 2871 (1963). H. Gi Im an, S. G. Cottis und W. H. At well, Journal of the American Chemical Society, Bd. 86, S. 1596 (1964) und F. Johnson, R. S. Gohlke und W. A. N a s ti t a ν i c u s, Journal of Organometallic Chemistry, Bd. 3, S. 233 (1965).
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Herstellung neuer Verbindungen, die den obenge- fio nannten ähnlich sind, jedoch mit der Abänderung, daß sie an das Si-Atom gebundene Alkoxygruppen enthalten. Derartige Verbindungen sind wertvoll für die Herstellung von Polymeren, die eine ausgezeichnete tertnische Stabilität besitzen und daher für die Herstellung von Überzügen verwendet werden können, die gegen hohe Temperaturen widerstandsfähig sind.

CH₃ CH₃

(CH₃O)₂Si Si(OCH₃J₂

+ HC = CH > CH₃

OCH₃

CH₃ OCH.,

Beispiel
32 g der Verbindung der Formel

CH₃ CH₃
(CH₃O)₂Si Si(OCHj)₂

wurlen mit einer Geschwindigkeit von 5 mi/Std. durch eine mit Glaskugeln gelullte Sä.ule geleitet und auf 40O⁰C erhitzt. Gleichzeitig wurde diesem Dampfstrom Acetylen mit einer Geschwindigkeit von 25 ml/Std. zugefügt. Die Pyrolysatmischung wurde aufgefangen und destilliert. Es wurden 15,2 g (60%

der Theorie) der Verbindung der Formü erhalten:
CH₃ OCH₃

Si

H-/ VH

OCH₃

Diese Struktur wurde durch das Infrarotspektrum und die kernmagnetische Resonanzmessung bestätigt.

Das kernmagnetische Resonanzspektrum zeigt drei Singleits bei 9,85 bis 6,63 und 3,08 τ (Verhältnis 3:3:2), die charakteristisch sind für SiCH₃, SiOCH₃ und =CH. Das IR-Spektrum zeigt Banden für SiOCH₃ bei 2840, 1187 und 1085 cm"¹ und eine Bande für Si-CH₃ bei 1250 cm"¹.

Das Massenspektrum zeigt einen Molekülpeak für m/e = 200 und einen Basispeak für m/e = 185. Kp. 40 - 100⁰C.

Analyse: C₈H₁₆Si₂O₂.

Gefunden ... C 47,3, H 7,97, Si 28,1;

C 47,8, H 8,19, Si 28,1%;
berechnet ... C 48,0, ΗΙί,Ο, S. 28,0%.

Claims (1)

1. Patentanspruch:

   Verfahren zur Herstellung von Disilacyclohexadienen der Formel

   CH₁

   worin R einen Alkoxyrest bedeutet, dadurch gekennzeichnet, daß Verbindungen der allgemeinen Forme!

   R₂Si

   -SiR₂ CH₃ CH₃

   worin R einen Alkoxyrest bedeutet, mit Acetylen auf Temperaturen von mindestens 175° C erhitzt werden.